一种高频率变换器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子领域，具体是指一种高频率变换器。
【背景技术】
[0002]随着电路电子技术的不断发展，变换器已经应用于各行各业中。同时，随着工业发展不断加快，生产设备也在不断更新，以满足人们的生产需求。然而，现有的变换器无法满足生产设备的高频率工作需求，严重影响了生产效率。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服目前变换器无法满足生产设备高频率工作需求的缺陷，提供一种可以在高频率环境工作的高频率变换器。
[0004]本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种高频率变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。
[0005]进一步的，所述的混频电路由双栅极场效应管Q，晶体振荡器X，电阻R1，电阻R3，以及电感LI组成；电阻Rl的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端接地的电阻R1，晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接，电感LI的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极；电阻R3和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管Q的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0006]所述的第一转换电路由三极管VT2，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与场效应管Q的源极相连接的电阻R2，与电阻R2相并联的电容Cl，负与电阻R3和电感LI的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容Cl组成；所述三极管VT2的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0007]所述处理电路由三极管VTl，三极管VT3，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成；所述三极管VT3的基极与三极管VTl的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管VTl的基极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。
[0008]所述的第二转换电路包括电容C6，电容C5，电容C4，电容C3，电阻R6 ;电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VTl的集电极相连接，电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接；电容C3的负极还与外部电压相连接。
[0009]所述的变压器Tl原边同名端与非同名端连接的同时作为信号的输入端、其副边同名端接地，变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。
[0010]本实用新型较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0011](I)本实用新型能够大大提高变换器的工作频率，使其能够满足现在新型设备的工作需求。
[0012](2)本实用新型采用双栅极场效应管的设计，使变换器工作更加稳定。
[0013](3)本实用新型结构简单，适用范围广。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的整体电路图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
[0016]实施例
[0017]如图1所示，本实用新型的高频率变换器，由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成。所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。变压器Tl原边同名端与非同名端连接的同时作为电流的输入端、其副边同名端接地，变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为电流输出端。
[0018]其中，混频电路由双栅极场效应管Q，晶体振荡器X，电阻R1，电阻R3，以及电感LI组成。连接时，电阻Rl的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端接地的电阻R1，晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接，电感LI的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极；电阻R3和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管Q的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0019]第一转换电路把输入的交流电转换成直流电，其由三极管VT2，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与场效应管Q的源极相连接的电阻R2，与电阻R2相并联的电容Cl，负与电阻R3和电感LI的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容Cl组成；所述三极管VT2的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0020]所述处理电路由三极管VTl，三极管VT3，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成；所述三极管VT3的基极与三极管VTl的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管VTl的基极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。
[0021]第二转换电路把直流电转换成交流电输出，其包括电容C6，电容C5，电容C4，电容C3，电阻R6 ;电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VTl的集电极相连接，电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接；电容C3的负极还与外部电压相连接。
[0022]如上所述，便可以很好的实现本实用新型。
【主权项】
1.一种高频率变换器，其特征在于:由变压器Tl，变压器T2，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种高频率变换器，其特征在于:所述的混频电路由双栅极场效应管Q，晶体振荡器X，电阻R1，电阻R3，以及电感LI组成；电阻Rl的一端与双栅极场效应管Q的a栅极相连接、另一端接地，晶体振荡器X的一端与场效应管Q的a栅极相连接、另一端与场效应管Q的漏极相连接，电感LI的一端与场效应管Q的漏极相连接、另一端经电阻R3后回到场效应管Q的漏极；电阻R3和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管Q的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
3.根据权利要求2所述的一种高频率变换器，其特征在于:所述的第一转换电路由三极管VT2，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管Q的源极相连接的电阻R2，与电阻R2相并联的电容Cl，负极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、正极与三极管VT2的集电极相连接的电容Cl组成；所述三极管VT2的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
4.根据权利要求3所述的一种高频率变换器，其特征在于:所述处理电路由三极管VT1，三极管VT3，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端同时与三极管VT2的发射极以及第二转换电路相连接的电阻R5组成；所述三极管VT3的基极与三极管VTl的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管VTl的基极与电阻R3和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管Q的漏极以及第二转换电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种高频率变换器，其特征在于:所述的第二转换电路包括电容C6，电容C5，电容C4，电容C3，电阻R6 ；电容C6的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管VTl的集电极相连接，电容C5的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C4的正极与三极管VT3的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C3的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极则经电阻R6后与电容C4的负极相连接；电容C3的负极还与外部电压相连接。
6.根据权利要求5所述的一种高频率变换器，其特征在于:所述的变压器Tl原边同名端与非同名端连接的同时作为信号的输入端、其副边同名端接地，变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高频率变换器，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路相输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接。本实用新型能够大大提高变换器的工作频率，使其能够满足现在新型设备的工作需求。
【IPC分类】H02M5-458
【公开号】CN204304798
【申请号】CN201420692965
【发明人】车容俊, 高小英
【申请人】成都措普科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年11月18日