能降低反向恢复损耗的全桥电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电路结构，尤其是一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，属于开关电路的技术领域。
【背景技术】
[0002]MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，MOSFET的等效结构中存在寄生二极管，通过所述寄生二极管可以用于MOSFET器件在关断时的续流，但所述寄生二极管的续流作用能力差，难以满足大电流等工作状态的续流，尤其是在全桥电路等电路中。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，其结构紧凑，能降低反向恢复的损耗，成本低，安全可靠。
[0004]按照本实用新型提供的技术方案，所述能降低反向恢复损耗的全桥电路，包括功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏极端与二极管Dl的阴极端连接，二极管Dl的阳极端与二极管D2的阴极端、二极管D5的阳极端以及二极管D6的阴极端连接，功率MOS管Ml的源极端与二极管D2的阳极端、二极管D3的阳极端以及二极管D4的阴极端连接，二极管D3的阴极端与功率MOS管M2的漏极端连接，功率MOS管M2的源极端与二极管D4的阳极端、功率MOS管M4的源极端以及二极管D8的阳极端连接；
[0005]二极管D5的阴极端与功率MOS管M3的漏极端连接，功率MOS管M3的源极端与二极管D6的阳极端、二极管D7的阳极端以及二极管D8的阴极端连接，二极管D7的阴极端与功率MOS管M4的漏极端连接。
[0006]所述二极管D1、二极管D3、二极管D5以及二极管D7均为肖特基二极管。
[0007]—种类似的技术方案，所述能降低反向恢复损耗的全桥电路，包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏极端与二极管DlO的阴极端、二极管D14的阴极端以及功率MOS管M7的漏极端连接，功率MOS管M5的源极端与二极管D9的阳极端以及电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端与二极管D9的阴极端连接，且二极管D9的阴极端还与二极管DlO的阳极端、二极管D12的阴极端以及功率MOS管M6的漏极端连接；
[0008]功率MOS管M6的源极端与电阻R3的一端、二极管Dll的阳极端连接，电阻R3的另一端与二极管Dll的阴极端连接，且二极管Dll的阴极端还与二极管D12的阳极端、二极管D15的阴极端、二极管D16的阳极端以及电阻R4的一端连接；
[0009]电阻R4的另一端、二极管D15的阳极端与功率MOS管M8的源极端连接，二极管D16的阴极端与功率MOS管M8的漏极端连接，且二极管D16的阴极端还与二极管D14的阳极端、二极管D13的阴极端以及电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端以及二极管D13的阳极端与功率MOS管WJ的源极端连接。
[0010]所述二极管D9、二极管D11、二极管D13以及二极管D15均为肖特基二极管。
[0011]本实用新型的优点:在电路处于反向恢复阶段，通过外置的二极管实现反向恢复的通路，有效减少利用功率MOS管内寄生二极管在恢复阶段的功率损耗，结构紧凑，适应范围广，安全可靠。
【附图说明】
[0012]图1为现有全桥电路的结构示意图。
[0013]图2为本实用新型的一种实施结构电路原理图。
[0014]图3为本实用新型的另一种实施结构电路原理图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0016]如图1所示:为现有全桥电路的电路原理图，其中，全桥电路包括功率管Q1、功率管Q2、功率管Q3以及功率管Q4，功率管Ql的漏极端与功率管Q3的漏极端连接，功率管Ql的源极端与功率管Q3的漏极端连接，功率管Q3的源极端与功率管Q4的源极端连接，功率管Q4的漏极端与功率管Q3的源极端连接。功率管Ql~功率管Q4内均存在寄生二极管，通过寄生二极管能实现反向恢复通路，但在电流等特定应用中，会导致反向恢复损耗过大的问题。
[0017]如图2所示，本实用新型的全桥电路包括功率MOS管M1、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏极端与二极管Dl的阴极端连接，二极管Dl的阳极端与二极管D2的阴极端、二极管D5的阳极端以及二极管D6的阴极端连接，功率MOS管Ml的源极端与二极管D2的阳极端、二极管D3的阳极端以及二极管D4的阴极端连接，二极管D3的阴极端与功率MOS管M2的漏极端连接，功率MOS管M2的源极端与二极管D4的阳极端、功率MOS管M4的源极端以及二极管D8的阳极端连接；
[0018]二极管D5的阴极端与功率MOS管M3的漏极端连接，功率MOS管M3的源极端与二极管D6的阳极端、二极管D7的阳极端以及二极管D8的阴极端连接，二极管D7的阴极端与功率MOS管M4的漏极端连接。
[0019]具体地实施时，所述二极管D1、二极管D3、二极管D5以及二极管D7均为肖特基二极管。正常工作时，电流能从二极管D1、二极管D3、二极管D5、二极管D7分别流入功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管M4。在续流时，二极管Dl、二极管D3、二极管D5以及二极管D7处于反向阻断状态，反向恢复电流能分别从二极管D2、二极管D4、二极管D6以及二极管D8流过，实现全桥电路等的快速恢复，并且能降低反向恢复损耗。
[0020]如图3所示，本实用新型的全桥电路包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏极端与二极管DlO的阴极端、二极管D14的阴极端以及功率MOS管M7的漏极端连接，功率MOS管M5的源极端与二极管D9的阳极端以及电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端与二极管D9的阴极端连接，且二极管D9的阴极端还与二极管DlO的阳极端、二极管D12的阴极端以及功率MOS管M6的漏极端连接；
[0021]功率MOS管M6的源极端与电阻R3的一端、二极管Dll的阳极端连接，电阻R3的另一端与二极管Dll的阴极端连接，且二极管Dll的阴极端还与二极管D12的阳极端、二极管D15的阴极端、二极管D16的阳极端以及电阻R4的一端连接；
[0022]电阻R4的另一端、二极管D15的阳极端与功率MOS管M8的源极端连接，二极管D16的阴极端与功率MOS管M8的漏极端连接，且二极管D16的阴极端还与二极管D14的阳极端、二极管D13的阴极端以及电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端以及二极管D13的阳极端与功率MOS管M7的源极端连接。
[0023]具体地，所述二极管D9、二极管Dl1、二极管D13以及二极管D15均为肖特基二极管。正常工作时，功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8的电流能分别从二极管D9、二极管Dl1、二极管D13、二极管D14流过。在反向恢复时，二极管D9、二极管D11、二极管D13以及二极管D15均处于关断状态，此时，分别通过电阻R1、电阻R2、电阻R3以及电阻R4来形成反向恢复时电流的通路，并通过二极管D10、二极管D12、二极管D14以及二极管D16实现反向恢复。在具体实施时，利用上述电路原理，还可以实现在半桥等电路中应用。
[0024]本实用新型在电路处于反向恢复阶段，通过外置的二极管实现反向恢复的通路，有效减少利用功率MOS管内寄生二极管在恢复阶段的功率损耗，结构紧凑，适应范围广，安全可靠。
【主权项】
1.一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，其特征是:包括功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏极端与二极管Dl的阴极端连接，二极管Dl的阳极端与二极管D2的阴极端、二极管D5的阳极端以及二极管D6的阴极端连接，功率MOS管Ml的源极端与二极管D2的阳极端、二极管D3的阳极端以及二极管D4的阴极端连接，二极管D3的阴极端与功率MOS管M2的漏极端连接，功率MOS管M2的源极端与二极管D4的阳极端、功率MOS管M4的源极端以及二极管D8的阳极端连接； 二极管D5的阴极端与功率MOS管M3的漏极端连接，功率MOS管M3的源极端与二极管D6的阳极端、二极管D7的阳极端以及二极管D8的阴极端连接，二极管D7的阴极端与功率MOS管M4的漏极端连接。2.根据权利要求1所述的能降低反向恢复损耗的全桥电路，其特征是:所述二极管D1、二极管D3、二极管D5以及二极管D7均为肖特基二极管。3.一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，其特征是:包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏极端与二极管DlO的阴极端、二极管D14的阴极端以及功率MOS管M7的漏极端连接，功率MOS管M5的源极端与二极管D9的阳极端以及电阻Rl的一端连接，电阻Rl的另一端与二极管D9的阴极端连接，且二极管D9的阴极端还与二极管DlO的阳极端、二极管D12的阴极端以及功率MOS管M6的漏极端连接; 功率MOS管M6的源极端与电阻R3的一端、二极管Dll的阳极端连接，电阻R3的另一端与二极管Dll的阴极端连接，且二极管Dll的阴极端还与二极管D12的阳极端、二极管D15的阴极端、二极管D16的阳极端以及电阻R4的一端连接； 电阻R4的另一端、二极管D15的阳极端与功率MOS管M8的源极端连接，二极管D16的阴极端与功率MOS管M8的漏极端连接，且二极管D16的阴极端还与二极管D14的阳极端、二极管D13的阴极端以及电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端以及二极管D13的阳极端与功率MOS管M7的源极端连接。4.根据权利要求3所述的能降低反向恢复损耗的全桥电路，其特征是:所述二极管D9、二极管D11、二极管D13以及二极管D15均为肖特基二极管。
【专利摘要】本实用新型涉及一种能降低反向恢复损耗的全桥电路，其功率MOS管M1的漏极端与二极管D1的阴极端连接，二极管D1的阳极端与二极管D2的阴极端、二极管D5的阳极端以及二极管D6的阴极端连接，功率MOS管M1的源极端与二极管D2的阳极端、二极管D3的阳极端以及二极管D4的阴极端连接，二极管D3的阴极端与功率MOS管M2的漏极端连接，功率MOS管M2的源极端与二极管D4的阳极端、功率MOS管M4的源极端以及二极管D8的阳极端连接；二极管D5的阴极端与功率MOS管M3的漏极端连接，功率MOS管M3的源极端与二极管D6的阳极端、二极管D7的阳极端以及二极管D8的阴极端连接，二极管D7的阴极端与功率MOS管M4的漏极端连接。本实用新型结构紧凑，能降低反向恢复的损耗，成本低。
【IPC分类】H02M1/32
【公开号】CN204886685
【申请号】CN201520672129
【发明人】白玉明, 冷强, 张海涛
【申请人】无锡同方微电子有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年9月1日