一种多只mosfet并联均流结构的pcb板设计的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及PCB布板结构技术领域，尤其涉及一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计。
【背景技术】
[0002]本方案涉及一种新型的多只MOSFET并联电流均衡结构。主要应用于微型电动车电机驱动器，随着国家新能源产业的发展，电动车行业也得到了巨大的发展，尤其是电动车驱动技术，电机驱动器主要采用IGBT或者MOSFET作主要功率器件，而IGBT目前市场价格高昂，MOSFET价格比较低廉，但随电机驱动器功率的增加，单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的要求，多只MOSFET并联得到大量的采用。
[0003]多只MOSFET并联虽然满足了大功率电机驱动器的要求，但多只MOSFET并联电流均流也尤为重要，虽然MOSFET受温度影响，也有一定的自举均流能力，但电路结构的设计对MOSFET均流也至关主要。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题，是针对上述存在的技术不足，提供了一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，采用了特殊的PCB布板结构技术设计，解决了传统并联多只MOSFET电流不均流、易对MOSFET造成损害，破坏电路结构的技术问题，达到了保证并联电流均流，对MOSFET管起到保护作用的技术效果;采用多只MOSFET并联的技术结构，解决了单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的技术问题，达到了并联MOSFET满足了大功率电机驱动器的要求的技术效果。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:包括铝基板、并联MOSFET单元;并联MOSFET单元焊接在招基板上，并联MOSFET单元包括单元A、单元B、单元C、单元D、单元E和单元F;单元A、单元B、单元C、单元D、单元E和单元F从左到右依次焊接在招基板上；
[0006]单元A的栅极连接有控制模块A，单元A的漏极连接有铜环A，铜环A焊接在单元A的下侧;单元A的源极一端与单元B的漏极连接，单元B的漏极连接有铜环B，铜环B焊接在单元B的上侧，单元B的栅极连接控制模块A ；控制模块A焊接在铜环B上侧;单元B源极连接有铜环C，铜环C焊接在单元B和单元C之间；
[0007]单元C的栅极连接有控制模块B，单元C的漏极连接有铜环D，铜环D焊接在单元C的下侧;单元C的源极一端与单元D的漏极连接，单元D的漏极连接有铜环E，铜环E焊接在单元D的上侧，单元D的栅极连接控制模块B ；控制模块B焊接在铜环E上侧;单元D源极连接有铜环F，铜环F焊接在单元D和单元E之间；
[0008]单元E的栅极连接有控制模块C，单元E的漏极连接有铜环G，铜环G焊接在单元E的下侧;单元E的源极一端与单元F的漏极连接，单元F的漏极连接有铜环H，铜环H焊接在单元F的上侧;单元F的栅极连接控制模块C;控制模块C焊接在铜环H上侧;单元F源极的另一端连接有铜环I，铜环I焊接在单元F的右侧；[0009 ]进一步优化本技术方案，所述的单元A、单元B、单元C、单元D、单元E和单元F分别为六只MOSFET并联；
[0010]进一步优化本技术方案，所述的铜环A、铜环D和铜环G连接电源正极，铜环B、铜环E和铜环H外接有电机;铜环C、铜环F和铜环I连接电源负极；
[0011]与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:1、通过新型的PCB布板结构，解决多只MOSFET并联因结构而造成的电流均流问题;2、多只MOSFET并联满足了大功率电机驱动器的要求;3、本PCB布板结构制作简单、方便，易应用于实际生活中。
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型PCB结构图；
[0013]图2是本实用新型工作原理图。
[0014]图中，1、铝基板;2、并联MOSFET单元;21、单元A; 22、单元B ； 23单元C ； 24、单元D ； 25、单元E ； 26、单元F; 31、控制模块A; 32、控制模块B ； 33、控制模块C; 41、铜环A; 42、铜环B; 43、铜环C;44、铜环D;45、铜环E;46、铜环F;47、铜环G;48、铜环H;49、铜环I;5、电机。
【具体实施方式】
[0015]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合【具体实施方式】并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。
[0016]【具体实施方式】一:如图1-2所示，包括铝基板1、并联MOSFET单元2 ；并联MOSFET单元2焊接在铝基板I上，并联MOSFET单元2包括单元A21、单元B22、单元C23、单元D24、单元E25和单元F26;单元A21、单元B22、单元C23、单元D24、单元E25和单元F26从左到右依次焊接在铝基板I上；
[0017]单元A21的栅极连接有控制模块A31，单元A21的漏极连接有铜环A41，铜环A41焊接在单元A21的下侧；单元A21的源极一端与单元B22的漏极连接，单元B22的漏极连接有铜环B42，铜环B42焊接在单元B22的上侧，单元B22的栅极连接控制模块A31;控制模块A31焊接在铜环B42上侧;单元B22源极连接有铜环C43，铜环C3焊接在单元B22和单元C23之间；
[0018]单元C23的栅极连接有控制模块B32，单元C23的漏极连接有铜环D44，铜环D44焊接在单元C23的下侧；单元C23的源极一端与单元D24的漏极连接，单元D24的漏极连接有铜环E45，铜环E45焊接在单元D24的上侧，单元D24的栅极连接控制模块B32;控制模块B32焊接在铜环E45上侧;单元D24源极连接有铜环F46，铜环F46焊接在单元D24和单元E25之间；
[0019]单元E25的栅极连接有控制模块C33，单元E25的漏极连接有铜环G47，铜环G47焊接在单元E25的下侧；单元E25的源极一端与单元F26漏源极连接，单元F26的漏极连接有铜环H48，铜环H48焊接在单元F26的上侧;单元F26的栅极连接控制模块C33;控制模块C33焊接在铜环H48上侧;单元F26源极的另一端连接有铜环149，铜环149焊接在单元F26的右侧；
[0020]所述的单元A21、单元B22、单元C23、单元D24、单元E25和单元F26分别为六只MOSFET并联;铜环A41、铜环D44和铜环G47连接电源正极，铜环M2、铜环E45和铜环H48外接有电机5;铜环C43、铜环F46和铜环149连接电源负极；
[0021]如图2，为本实用新型的工作原理图，因单一MOSFET管无法满足对电机5的驱动能力，故而使用并联MOSFET单元2的结构设计达到对满足了大功率电机驱动器的要求，这样MOSFET管沟道的并联，允许了更多的载流子同时度越，使其开关时间缩短，提高工作效率，改善了其性能。可以提高电流的阈值和功率。为了使电流均流，本实用新型选用同型号同公司和批号的MOS管。
[0022]而在功率MOSFET多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏，严重情况下会破坏整个驱动装置。影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。因而如图1所示，本实用新型使用高度对称的结构设计驱动PCB的结构，使三相驱动的外围线路参数高度一致，解决了 MOSFET并联均流的问题。
[0023]应当理解的是，本实用新型的上述【具体实施方式】仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理，而不构成对本实用新型的限制。因此，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外，本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
【主权项】
1.一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，其特征在于:包括铝基板(I)、并联MOSFET单元(2);并联MOSFET单元(2)焊接在铝基板(I)上，并联MOSFET单元(2)包括单元A(21)、单元B(22)、单元C(23)、单元D(24)、单元E(25)和单元F(26);单元A(21)、单元B(22)、单元C(23)、单元D(24)、单元E(25)和单元F(26)从左到右依次焊接在铝基板(I)上； 单元A(21)的栅极连接有控制模块A(31)，单元A(21)的漏极连接有铜环A(41)，铜环A(41)焊接在单元A(21)的下侧;单元A(21)的源极一端与单元B(22)的漏极连接，单元B(22)的漏极连接有铜环B(42)，铜环B(42)焊接在单元B(22)的上侧，单元B(22)的栅极连接控制模块A(31);控制模块A(31)焊接在铜环B(42)上侧;单元B(22)源极的另一端连接有铜环C(43)，铜环C(3)焊接在单元B(22)和单元C(23)之间； 单元C(23)的栅极连接有控制模块B(32)，单元C(23)的漏极连接有铜环D(44)，铜环D(44)焊接在单元C(23)的下侧;单元C(23)的源极一端与单元D(24)的漏极连接，单元D(24)的漏极连接有铜环E(45)，铜环E(45)焊接在单元D(24)的上侧，单元D(24)的栅极连接控制模块B(32);控制模块B(32)焊接在铜环E(45)上侧;单元D(24)源极的另一端连接有铜环F(46)，铜环F(46)焊接在单元D(24)和单元E(25)之间； 单元E(25)的栅极连接有控制模块C(33)，单元E(25)的漏极连接有铜环G(47)，铜环G(47)焊接在单元E(25)的下侧;单元E (25)的源极一端与单元F (26)的漏极连接，单元F( 26)的漏极连接有铜环H(48)，铜环H(48)焊接在单元F( 26)的上侧；单元F(26)的栅极连接控制模块C(33);控制模块C(33)焊接在铜环H(48)上侧。单元F(26)源极的另一端连接有铜环I(49)，铜环1(49)焊接在单元F(26)的右侧。2.根据权利要求1所述的一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，其特征在于:单元A(21)、单元B(22)、单元C(23)、单元D(24)、单元E(25)和单元F(26)分别为六只MOSFET并联。3.根据权利要求1所述的一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，其特征在于:铜环A(41)、铜环D(44)和铜环G(47)连接电源正极，铜环B(42)、铜环E(45)和铜环H(48)外接有电机(5);铜环C(43)、铜环F(46)和铜环I (49)连接电源负极。
【专利摘要】本实用新型涉及PCB布板结构技术领域，尤其涉及一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，本实用新型采用了特殊的PCB布板结构技术设计，解决了传统并联多只MOSFET电流不均流、易对MOSFET造成损害，破坏电路结构的技术问题，达到了保证并联电流均流，对MOSFET管起到保护作用的技术效果；采用多只MOSFET并联的技术结构，解决了单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的技术问题，达到了并联MOSFET满足了大功率电机驱动器的要求的技术效果。
【IPC分类】H02M1/06
【公开号】CN205283378
【申请号】CN201521100223
【发明人】许祥建
【申请人】河北世纪恒兴电子技术有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年12月25日