专利名称：L波段大功率pin二极管单刀三掷开关模块的制作方法
技术领域：
本实用新型与PIN二极管单刀三掷开关有关。
技术背景已有的L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关多采用带封装壳体的大功率PIN二极管，由于带封装的二极管寄生参数的影响，作出的开关插入损耗较大，一般在1dB左右；在宽频带内的驻波不好，一般在＜1.5以内；开关速度较慢，通常在1us以上；射频端口多采用SMA式N型连接器，体积较大，且都为非密封器件。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种体积小、重量轻、插损小、驻波好、开关速度快、可靠性好、密封性集成化的L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块。
本实用新型是这样实现的本实用新型L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块，模块的射频输入端口(J4)分别通过一路串联的二极管、隔直电容与一个输出端口(J1，J2，J3)连接，隔直电容(C1，C2，C3)分别与电感(L1，L2，L3)构成LC滤波器，直流控制端口(E1，E2，E3)分别与电感(L1，L2，L3)和电感(C4，C5，C6)连接。
本实用新型当其中一个直流控制端口加-5V电压时，其它两个直流控制端口为+56V电压。
本实用新型模块为薄膜混合电路基片，电路基片焊接在壳体内并由壳体密封。
本实用新型射频输入端口与输出端口之间的串联电路分别为二极管(D1，D2)、电容(C1)，二极管(D3，D4)、电容(C2)和二极管(D5，D6)、电容(C3)。
L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块采用薄膜混合电路工艺制成，整个模块密封在一个22×14×8.1mm3的壳体内，射频输入端口为J4，输出端口为J1，J2，J3，直流控制端口为E1、E2、E3，通过给直流控制端口加-5V或+56V的电压来控制J4-J1，J4-J2、J4-J3各路的通断。
本实用新型采用散热性极好的Beo(或ALN)材料，通过蒸发、光刻、腐蚀、溅射等薄膜工艺制成电路基片。为了接地良好和散热，电路基片用合金焊料烧结在模块壳体内，大功率PIN二极管芯片采用合金粘片、金带键合等工艺进行混合集成，保证在大功率下开关不会被击穿及热烧毁。
图1实用新型的框图图2实用新型的原理图图3实用新型的主视图图4实用新型的俯视图图5实用新型的左视图具体实施方式
本实用新型采用串联结构的开关，根据直流控制端电压不同，射频信号分别在J4-J1，J4-J2、J4-J3路选择传输。E1端加-5V电压时，D1、D2打通，此时E2、E3、端加+56V电压，D3、D4、D5、D6断开，射频信号在J4-J1路传输，J4-J2，J4-J3、路处于隔离状态。同理E2端加-5V电压时，D3、D4打通，此时E1、E3端加+56V电压，D1、D2、D5、D6断开，射频信号在J4-J2路传输，J4-J1，J4-J3路处于隔离状态。E3端加-5V电压时，D5、D6打通，此时E1、E2端加+56V电压，D1、D2、D5、D6断开，射频信号在J4-J2路传输，J4-J1、J4-J2路处于隔状态。其中C1、C2、C3为隔直电容，直流信号通过LC滤波器输入到PIN二极管上。
本实用新型的主要电参数如下(I)使用频率0.95-1.4GHz
(II)耐功率＜500W(脉宽100μs，占空比10％)(III)电压驻波比＜1.25(IV)插入损耗＜0.5dB(V)隔离度＞20dB
权利要求1.L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块，其特征在于模块的射频输入端口(J4)分别通过一路串联的二极管、隔直电容与一个输出端口(J1，J2，J3)连接，隔直电容(C1，C2，C3)分别与电感(L1，L2，L3)构成LC滤波器，直流控制端口(E1，E2，E3)分别与电感(L1，L2，L3)和电感(C4，C5，C6)连接。
2.根据权利要求1所述的开关模块，其特征在于当其中一个直流控制端口加-5V电压时，其它两个直流控制端口为+56V电压。
3.根据权利要求1或2所述的开关模块，其特征在于模块为薄膜混合电路基片，电路基片焊接在壳体内并由壳体密封。
4.根据权利要求1或2所述的开关模块，其特征在于射频输入端口与输出端口之间的串联电路分别为二极管(D1，D2)、电容(C1)，二极管(D3，D4)、电容(C2)和二极管(D5，D6)、电容(C3)。
专利摘要本实用新型为L波段大功率PIN二极管单刀三掷开关模块，模块为薄膜电路基片，封装在壳体内，模块的射频输入端口(J
文档编号H03K17/96GK2523117SQ0222157
公开日2002年11月27日 申请日期2002年2月8日 优先权日2002年2月8日
发明者王韧 申请人:王韧