专利名称：声表面波谐振器与采用该声表面波谐振器的声表面波滤波器的制作方法
技术领域：
本发明，涉及用于移动电话等的声表面波谐振器和声表面波滤波器。
背景技术：
在移动电话等的通讯装中，声表面波滤波器用来仅提取需要的频率。这种声表面波滤波器需要具有对应于通讯装的各种特性，例如低损耗且宽频带的滤波器特性。
作为实现低损耗且宽频带滤波器特性的方法，通常使用单端子对谐振器交替设于串联支路与并联支路而构成的梯型声表面波滤波器。这种声表面波滤波器，通常具有图19所表示的结构。在图19所示的声表面波滤波器中，在压电基板100的表面上，两个声表面波谐振器200连接到串联支路，且两个声表面波谐振器300连接到并联支路。而且，这些声表面波谐振器200和300由多个叉指状电极所构成的一对叉指换能器(下文中称作“IDT”)、和在其两侧设的反射器构成。另外，构成串联支路的声表面波谐振器200的IDT的梳状电极的一侧分别与输入输出端子410和420连接。
采用这种声表面波滤波器的移动电话等的通讯装的不断高频化，因而需要与此相应的声表面波滤波器。为适应高频化，正在进行38°～46°Y Cut X传播钽酸锂(LiTaO3)基板作为压电基板使用来降低传播损耗的开发。
进而，已经开始采用CDMA(码分多址)方式作为移动式电话的调制方式，此时需要抑制通频带中的细小波纹。
日本专利特开2001-119260号公报公开了用于抑制波纹的声表面波滤波器。该声表面波滤波器，在38°～46°Y Cut X传播钽酸锂(LiTaO3)基板的表面上，具有连接到串联支路的至少两个声表面波谐振器、和连接到并联支路的至少一个声表面波谐振器。进而，串联支路的声表面波谐振器具有由多个叉指状电极形成的激励电极，并且构成为该串联支路的声表面波谐振器当中叉指状电极的最小对数设为N(N为自然数)时，其他串联支路的声表面波谐振器当中至少一个声表面波谐振器中的叉指状电极的对数设为不同于n×N(n为自然数)的数目。
根据该结构，由具有最小叉指状电极对数或反射电极条数的串联支路的声表面波谐振器造成的波纹，可被叉指状电极对数或反射电极条数不为正整数倍的串联支路的声表面波谐振器抵消。
在上述文件公开的声表面波滤波器中，通过移动多个串联谐振器的波纹的位来整体地减小波纹。然而，由于波纹存在于每一谐振特性中，因此使用此结构来削减波纹存在局限性。
另外，在图19所示的现有技术的一般结构中，存在如果减少串联谐振器的叉指状电极对数，则通频带中的波纹会变大这一问题。
本发明，正是用于解决所述问题的，其目的在于提供波纹小的声表面波谐振器与声表面波滤波器。
发明内容
为达到上述目的，本发明的声表面波谐振器构成为包括压电基板；由设于该压电基板的表面上的多个叉指状电极形成的IDT；临近该IDT的两端部设的反射器，所述IDT具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述IDT的中央附近的叉指间隔不相同，该渐变区域的叉指间隔设定为，位于渐变区域的一侧端部即所述IDT的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述IDT的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从所述最靠端部的叉指状电极起到位于渐变区域的另一侧端部即所述IDT的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述IDT的中央附近的叉指间隔。
另外，在上述结构中，所述渐变区域的叉指状电极的条数也可根据位于渐变区域的一侧端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔的设定值来设定。进而，可渐变区域的叉指状电极的条数设为5到30条。
通过这种结构，可获得波纹较小的声表面波谐振器。
另外，本发明的声表面波滤波器是具备压电基板和在压电基板的表面上设并连接串联谐振器和并联谐振器而构成的梯型声表面波滤波器，其中，至少一个串联谐振器使用了所述的声表面波谐振器。进而，也可构成具备压电基板和在压电基板的表面上设并连接串联谐振器和并联谐振器而构成的梯型声表面滤波器，其中，至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器使用了所述的声表面波谐振器。
通过这种结构，可获得波纹较小的梯型声表面波滤波器。
另外，本发明的声表面波滤波器包括压电基板；临近设于该压电基板上的同一声表面波传播通路上的多个IDT；和设于具有多个所述IDT的结构的两端部上的反射器。进而，所述多个IDT中，至少一个为串联连接到信号通路的第一IDT，至少一个为连接于信号通路与接地之间的第二IDT。其中，所述第一IDT由多个叉指状电极构成且具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述第一IDT的中央附近的叉指间隔不相同。该渐变区域的叉指间隔设定为，位于渐变区域的一侧端部即所述第一IDT的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述第一IDT的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从该最靠端部的叉指状电极起到位于渐变区域的另一侧端部即所述第一IDT的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述第一IDT的中央附近的叉指间隔。
进而，在上述结构中，第二IDT由多个叉指状电极构成且具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述第二IDT的中央附近的叉指间隔不相同，该渐变区域的叉指间隔设定为，位于渐变区域的一侧端部即所述第二IDT的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述第二IDT的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从所述最靠端部的叉指状电极起到位于渐变区域的另一侧端部即所述第二IDT的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述第二IDT的中央附近的叉指间隔。
通过这种结构，可获得波纹小的声表面波滤波器。
如上所述，根据本发明的声表面波谐振器和声表面波滤波器，即使减少IDT的对数，通过在两端部设渐变区域也能获得减少波纹，并提高声表面波谐振器和声表面波滤波器特性这一显著效果。
图1是本发明第一实施方式的声表面波谐振器的平面图。
图2是图1所示的IDT的左侧端部的放大图。
图3是表示该实施方式的声表面波谐振器中，通过仿真求取实施例1的谐振器的反射特性所得到的结果的图。
图4是表示该实施方式的声表面波谐振器中，对比较例1的谐振器的反射特性仿真的结果的图。
图5是表示该实施方式的声表面波谐振器中，实施例1的谐振器的IDT的发射特性的仿真结果的图。
图6是表示该实施方式的声表面波谐振器中，比较例1的谐振器的IDT的发射特性的仿真结果的图。
图7是表示该实施方式的声表面波谐振器中，实施例1的谐振器的通带特性的仿真结果的图。
图8是表示该实施方式的声表面波谐振器中，比较例1的谐振器的通带特性的仿真结果的图。
图9表示的是，图1所示的这种声表面波谐振器中，设IDT的叉指状电极的条数为100，改变两端部设的渐变区域的条数时的波纹和损失所得到的结果，表示最靠端部的叉指间隔d1设定为比IDT中央附近的叉指间隔小1％的情况下的结果。
图10与图9相同，是表示最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小2％的情况下的结果的图。
图11与图9相同，是表示最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小3％的情况下的结果的图。
图12与图9相同，是表示最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小5％的情况下的结果的图。
图13表示的是，根据图9至图12的结果，求取相对IDT中央附近的叉指间隔的最靠端部的叉指间隔d1的变化量和波纹与损耗之间的关系的结果。
图14到图16，是表示在图1所示的声表面波谐振器中，设IDT的叉指状电极的条数为300条，求取改变设于两端部的渐变区域的条数时的波纹和损耗的结果的图。
图17是表示本发明的第二实施方式的声表面波滤波器的结构的平面图。
图18是表示本发明的第三实施方式的声表面波滤波器的结构的平面图。
图19是表示单端子对谐振器交替配在串联支路和并联支路而构成的、现有技术的梯型声表面波滤波器的图。
具体实施例方式
以下参照附图详细地说明本发明的实施方式。还有，由于相同的元件用相同的符号表示，所以有时省略对其的说明。另外，以下图示是示意性的图，并不精确表示叉指状电极条数和间隔。
第一实施方式图1是本发明第一实施方式的声表面波谐振器10的平面图。该声表面波谐振器10，由以下部分构成在39°Y CutX传播钽酸锂(LiTaO3)制成的压电基板11的表面上形成的多个叉指状电极12所构成的IDT 13；以及，临近其两端部设的反射器14。还有，IDT 13的叉指状电极12相互连接来形成梳状电极，并且它们连接到输入输出端子21和22上。
在本实施方式中以以下结构为例进行说明，IDT 13的叉指状电极12的对数设为总共90对，即叉指状电极12的条数设为180条，反射器14的条数设为各40条，IDT 13的叉指间隔在中央附近处设为2μm。进而，在本实施方式中使叉指状电极12的叉指间隔不同的条数设为位于IDT13的两端部的15条。该15条的叉指间隔变化如下。
图2为图1所示的IDT 13的左端端部的放大图。设最临近反射器14的最靠端部的叉指状电极1201和与其毗邻的叉指状电极1202的中心间距为d1，设叉指状电极1202和与其毗邻的叉指状电极1203之间的中心间距为d2，设叉指状电极1203和叉指状电极1204之间的中心间距为d3，此后第15条的叉指状电极1215为止的中心间距为d4、d5、...、d15。在本实施方式中，IDT 13的中央区域的叉指状电极的叉指间隔为2μm，d1设为比其小2％，在此之后到15条为止成线性增加，第16条和之后的叉指间隔设为2μm。即，d1＝1.96μm，d2＝1.9626μm，d3＝1.9653μm，...，d15＝1.9973μm，且d16和之后的间隔都设为2μm。还有，IDT 13的右侧端部也同样，构成为两侧对称。对应于d1到d15的叉指状电极1201到1215，是渐变区域1250。另外，最靠端部的叉指间隔为d1。以下称此结构为实施例1的谐振器。
另一方面，用虽与图1所示的声表面波谐振器结构相同，但IDT 13的叉指间隔全部为同一间隔而构成的声表面波谐振器加以比较。以下称此谐振器为比较例1的谐振器。
图3是表示通过仿真求出的实施例1的谐振器的反射特性的结果的图。图4是表示比较例1的谐振器的反射特性的仿真结果的图。各图中纵轴表示反射特性，横轴表示频率。
如图4所示，在阻带之外，比较例1的谐振器的反射系数周期性地取极大值和极小值。还有，该反射系数的极大值与极小值的频率间隔随着叉指状电极条数的减少而增加，且在极大值与极小值间的反射系数之差也随之增加。
另一方面，实施例1中的谐振器的反射特性为被加权的状态，与比较例1的谐振器相比，可看出靠近频率较低侧的阻带附近的旁瓣的大小受到抑制。
图5是表示实施例1的谐振器的IDT的发射特性的仿真结果的图。图6是同样表示比较例1的谐振器的IDT的发射特性的仿真结果的图。各图中，纵轴表示发射特性，横轴表示频率。另外，该发射特性的峰值为谐振点。与比较例1的谐振器相比，实施例1的谐振器的峰值的发射特性有所改善。进而，可以看出，谐振点即峰值位与频率比峰值位低的一侧生成的多个极大点中的邻近峰值位的极大值之间的衰减量的差大于比较例1的谐振器。
图7是表示实施例1的谐振器的通带特性的仿真结果的图。图8是同样表示比较例1的谐振器的通带特性的仿真结果的图。各图中，纵轴表示通带特性，横轴表示频率。
如图8所示，比较例1的谐振器中，作为由反射特性和发射特性得到的结果，通带特性中，在低于谐振点的阻带附近的频率范围中产生了波纹。该波纹所具有的倾向是，IDT的对数越小，则通带特性、特别是频率比谐振点低的范围内越是增多。
与此相对，由图7可知，实施例1的谐振器的通带特性几乎没有产生波纹，因而可获得良好的特性。
现有技术中的作法是对声表面波谐振器的IDT实施变迹加权。然而，变迹加权并未改变叉指状电极的位。因此，反射特性也不发生变化，因而不能获得实施例1的谐振器所示的效果。
实施例1的谐振器设IDT的叉指状电极的条数为180条，并且改变两端的仅15条的叉指间隔。因此，针对改变这种叉指间隔、即对数的情况下的效果，对IDT的对数及叉指间隔不同的声表面波振荡器进行同样仿真。
图9至图12表示的是，在图1所示的声表面波谐振器中，设IDT的叉指状电极的条数为100条，求出在改变两端部设的渐变区域的条数时的波纹和损耗所得到的结果。还有，在图9到图12中，以如图1所示位于渐变区域的一侧端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔、即d1的变化量作为参数。还有，得到的波纹，是频率比谐振点低的范围内生成的波纹的最大值。进而，得到的损耗是峰值的损耗。另外，在这些图中，左纵轴表示波纹，右纵轴表示损耗值，横轴表示渐变区域的叉指状电极的条数。
图9表示的是，最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小1％的情况下的结果。在此情况下，渐变区域的叉指间隔的变化方式如下所示。例如，叉指状电极条数为20条的情况下，从d1至d20，叉指间隔呈线性变化。图10至图12也都与此相同，使渐变区域的叉指间隔也这样呈线变化。当d1设为比中央部的叉指间隔小1％的情况下，波纹达到最小的渐变区域的叉指状电极条数为25条，此时的波纹为0.002dB。另外，损耗达到最小的叉指状电极的条数为30条，此时的损耗值为0.088dB。
图10表示的是，最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小2％的情况下的结果。在d1设为此中央部的叉指间隔小2％的情况下，波纹达到最小的渐变区域的叉指状电极的条数为15条，且此时的波纹为0dB。另外，损耗达到最小的叉指状电极的条数等于波纹达到最小的叉指状电极条数，即15条，且此时的损耗值为0.088dB。
图11表示的是，最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小3％的情况下的结果。在d1设为比中央部的叉指间隔小3％的情况下，波纹达到最小的渐变区域的叉指状电极的条数为12条，且此时的波纹为0.12dB。另外，损耗达到最小的叉指状电极的条数为10条，且此时的损耗值为0.088dB。还有，从图11可知，当d1设为小3％时，波纹和损耗随着渐变区域的叉指状电极条数的增加而急剧增加。
图12表示的是，最靠端部的叉指间隔d1设为比IDT中央附近的叉指间隔小5％的情况下的结果。在d1设为比靠近中央的叉指间隔小5％的情况下，波纹达到最小的渐变区域的的叉指状电极的条数为7条，且此时的波纹为0.2dB。另外，损耗达到最小的叉指状电极的数目为5条，且此时的损耗值为0.089dB。进而，从图12可知，当d1设为小5％时，随着渐变区域的叉指状电极条数的增加，波纹和损耗比图11更急剧地增加。
如上所述可知，虽然渐变区域的叉指状电极条数的最优值取决于d1的设定值，但通过设渐变区域能显著减小波纹。另一方面，通过设渐变区域还能减小损耗。
图13表示的是，根据上述结果，求取相对于IDT中央附近的叉指间隔的最靠端部的叉指间隔d1的变化量与波纹和损耗各自的最小值之间的关系所得到的结果。还有，图13中，除了图9至图12的结果，还添加了数据。左纵轴表示波纹，右纵轴表示损耗，横轴表示d1的变化量。为了作为声表面波谐振器或声表面波滤波器使用，要求波纹不大于0.25dB。从图中可知，为了使波纹不大于该值，要求d1的值为1～5％。进而，对于即使较小的波纹也会造成问题的例如CDMA等用途，d1的值优选设为1～3％的范围内。
图14至图16分别表示的是，在 图1所示的声表面波谐振器中，设IDT的叉指状电极条数为300条，求两端部设的渐变区域的条数改变时的波纹和损耗所得到的结果。还有，在图14至图16中，使用如图1所示位于渐变区域的一侧端部的最靠端部的叉指间隔d1的变化量作为参数。从图9至图11和图14至图16可知无论IDT的叉指状电极条数为100条或300条，波纹达到最小的渐变区域的叉指状电极的条数大体相同。
根据所述结果，在从渐变区域的最靠端部的叉指状电极起到位于该渐变区域的另一侧端部即IDT中央侧的叉指状电极为止的范围内，叉指间隔按顺序变化时，且在渐变区域的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设为比IDT中央附近的叉指间隔小1～5％的情况下，可以获得以下结果。即，获得波纹的最小值的渐变区域的叉指状电极的条数几乎不影响IDT的叉指状电极的条数。因此，即使当IDT的叉指状电极对数减少，也可通过设渐变区域来显著减小波纹，且可用于波纹尤其会带来问题的滤波器。进而，通过减少对数，还可实现声表面波滤波器的小型化。
另外，可通过这些条件最优化，来实现与现有技术的结构相比减少谐振损耗的效果。
还有，作为令渐变区域的叉指状电极的叉指间隔相异的方式，例如即使两端部的全部15条都设为中央附近的叉指间隔的0.98倍也可以获得波纹的减小效果。然而，在这种结构中，插入损耗有稍微增加的倾向。因此，优选如本实施方式中所述的那样，依次改变间距。
第二实施方式图17是表示本发明的第二实施方式的声表面波滤波器结构的平面图。本实施方式中的特征是，使用第一实施方式的声表面波谐振器形成梯型声表面波滤波器。
图17中，电极膜厚度大约为0.4μm的两个串联谐振器15和两个并联谐振器30如图所示地设在由39°Y CutX传播钽酸锂(LiTaO3)制成的压电基板11上，并分别通过电极布线连接起来，构成为梯型声表面波滤波器。串联谐振器15，由以下部分构成由多个叉指状电极12构成的IDT 13、和临近其两端部设的反射器14。另外，并联谐振器30，由以下部分构成由多个叉指状电极32构成的IDT 33、和临近其两端部设的反射器34。
串联谐振器15的对数分别为90对，中央附近的叉指间隔设为约2.34μm，且渐变区域与图1同样，设于IDT 13的两端部。本实施方式构成为该渐变区域内位于IDT13的两端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔约为2.29μm，朝向中央侧逐渐增加该间隔，在第16条处与中央附近的叉指间隔变为相同。另外，并联谐振器30的对数分别为130对，叉指间隔设为约2.44μm，并且不设渐变区域。
如第一实施方式所述，由于在频率比谐振点低的区域中易于出现大波纹，因此当形成梯型声表面波滤波器时，串联谐振器15的波纹出现于通频带中。因此，如在本实施方式中所示，可通过在串联谐振器15的IDT 13的两端部设渐变区域以减小通频带内的波纹。
还有，虽然在本实施方式中，两个串联谐振器都设有渐变区域，但并不要求所有串联谐振器都设有渐变区域。不过，若为了进一步减小波纹则优选在所有串联谐振器内设渐变区域。另外，当存在多个串联谐振器且各谐振器中IDT的对数不同的情况下，特别优选在对数少的谐振器中设渐变区域。
另外，虽然并联谐振器30并不象串连谐振器那样影通频带内的波纹，但通过设有渐变区域可减小并联谐振器30的谐振损耗。因此，作为滤波器特性，特别是需要低频侧衰减量时，优选在并联谐振器30中设有渐变区域。
第三实施方式图18是表示本发明第三实施方式的声表面波滤波器的结构的平面图。第二实施方式中，梯型声表面波滤波器采用单端子对声表面波谐振器，而与此相对，本实施方式的特点是，声表面波滤波器采用多端子对声表面波谐振器。
如图18所示，本实施方式的声表面波滤波器在39°Y Cut X传播钽酸锂(LiTaO3)制成的压电基板11的表面上如图所示地设两个如下的结构，即电极膜厚度约为0.4μm的第一IDT 17、第二IDT 18、和临近具有第一IDT 17和第二IDT 18的部分的两端部设的反射器14。
第一IDT 17，串联设并连接在两个输入输出端子21与22之间的信号通路上。另外，第二IDT 18设并连接在信号通路与接地之间。第一IDT 17的对数设为90对，中央附近的叉指间隔设为约2.34μm，且两端部设有渐变区域。该渐变区域最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设为约2.29μm，叉指间隔在朝向中央侧的方向逐渐增加，且第16个叉指间隔等于中央附近的叉指间隔。另外，第二IDT 18的对数设为130对，叉指间隔设为约2.44μm，并且不设渐变区域。
即使在具有此结构的多端子对声表面波谐振器中，由于IDT自身的反射特性和发射特性没有改变，因此与第二实施方式同样，能够大幅度的抑制通频带内的波纹。
另外，虽然在本实施方式中，在一个谐振器内，分别设有一个第一IDT 17和一个第二IDT 18，但本发明并不限于此。可两者中任一个或两者都设为多个。另外，也可反射器设于第一IDT 17与第二IDT 18之间。
产业上的可利用性本发明中的声表面波谐振器和声表面波滤波器，具有能够减小波纹的效果，可用作移动式电话等的通讯领域或电视等的影像领域等的滤波器。
权利要求
1.一种声表面波谐振器，包括压电基板；由设置于所述压电基板的表面上的多个叉指状电极形成的叉指换能器；临近所述叉指换能器的两端部设置的反射器，所述叉指换能器具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述叉指换能器的中央附近的叉指间隔不相同，所述渐变区域的叉指间隔设定为，位于所述渐变区域的一侧端部即所述叉指换能器的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述叉指换能器的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从所述最靠端部的叉指状电极起到位于所述渐变区域的另一侧端部即所述叉指换能器的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述叉指换能器的中央附近的叉指间隔。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述渐变区域的所述叉指状电极的条数根据位于所述渐变区域的一侧端部的所述最靠端部的叉指状电极的叉指间隔的设定值来设定。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述渐变区域的所述叉指状电极的条数设定为5～30条。
4.一种声表面波滤波器，是具备压电基板和在所述压电基板的表面上设置并连接串联谐振器和并联谐振器而构成的梯型声表面波滤波器，其中，至少一个所述串联谐振器使用了根据权利要求1所述的声表面波谐振器。
5.一种声表面波滤波器，是具备压电基板和在所述压电基板的表面上设置并连接串联谐振器和并联谐振器而构成的梯型声表面滤波器，其中，至少一个所述串联谐振器和至少一个所述并联谐振器使用了根据权利要求1所述的声表面波谐振器。
6.一种声表面波滤波器，包括压电基板；临近设置于所述压电基板上的同一声表面波传播通路上的多个叉指换能器；和设置于具有多个所述叉指换能器的结构的两端部上的反射器，所述多个叉指换能器中，至少一个为串联连接到信号通路的第一叉指换能器，至少一个为连接于所述信号通路与接地之间的第二叉指换能器，所述第一叉指换能器由多个叉指状电极构成且具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述第一叉指换能器的中央附近的叉指间隔不相同，所述渐变区域的叉指间隔设定为，位于所述渐变区域的一侧端部即所述第一叉指换能器的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述第一叉指换能器的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从所述最靠端部的叉指状电极起到位于所述渐变区域的另一侧端部即所述第一叉指换能器的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述第一叉指换能器的中央附近的叉指间隔。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二叉指换能器由多个叉指状电极构成且具有渐变区域，在该渐变区域中，使两端部的多个叉指状电极的叉指间隔与所述第二叉指换能器的中央附近的叉指间隔不相同，所述渐变区域的叉指间隔设定为，位于所述渐变区域的一侧端部即所述第二叉指换能器的端部的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔比所述第二叉指换能器的中央附近的叉指间隔小1～5％，且从所述最靠端部的叉指状电极起到位于所述渐变区域的另一侧端部即所述第二叉指换能器的中央侧的叉指状电极为止的范围内，使叉指间隔循序变化而逐渐接近所述第二叉指换能器的中央附近的叉指间隔。
全文摘要
声表面波谐振器，具有压电基板(11)；由设置在压电基板(11)的表面上的多个叉指状电极(12)形成的IDT(13)；以及临近该IDT(13)的两端部设置的反射器(14)。上述IDT(13)具有使两端部的多个叉指状电极(12)的叉指间隔与该IDT(13)的中央附近的叉指间隔不相同的渐变区域，该渐变区域的叉指间隔从位于渐变区域一侧的最靠端部的叉指状电极起到渐变区域另一侧端部的叉指状电极为止的范围内依次变化，同时，将位于渐变区域的一侧的最靠端部的叉指状电极的叉指间隔设定为比所述IDT(13)的中央附近的叉指间隔小1～5％。
文档编号H03H9/64GK1906849SQ200580001978
公开日2007年1月31日 申请日期2005年1月6日 优先权日2004年1月9日
发明者井垣努, 西村和纪, 池田和生, 松波贤 申请人:松下电器产业株式会社