专利名称：一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路的制作方法
技术领域：
本发明关于一种硅基有机发光显示设备(OLED-on-Silicon)中的像素驱动电路 (Pixel Circuit),特别是关于一种由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源 像素驱动电路所构成的像素驱动电路。
技术背景硅基有机发光显示设备以有机发光二级管为发光器件，并以互补金属氧化物半导 体作为有机发光二级管的开关组件或驱动组件，包括有源像素驱动、行扫描驱动电路、列扫描驱动电路以及必要的控制电路，目的是为了尽量减少系统芯片总数和降低成 本。有机发光二级管与液晶显示设备(Liquid Crystal Display, LCD)相比，有全固态， 工艺简单，低电压驱动，低功耗，低成本，快响应速度，自发光，宽视角，软屏显示 等优点，因此有机发光显示设备将逐步取代液晶显示设备成为市场上当之无愧的主 流。主要应用于近眼显示设备中，诸如摄像机、取景器和其他便携设备中。有机发光 二级管为电流驱动器件，在电流驱动下载流子注入和复合导致有机材料发光，因此其 亮度与通过电流由密切相关。然而，通过的电流常会受到互补金属氧化物半导体阈值 电压漂移的影响。请参考图1为一常规的电压驱动型两管像素电路，它包括 一个有机发光二级管 OLEDll， 一个PMOS12， 一个NM0S14和一个存储电容13。其中NM0S14的栅极 和漏极分别电连接到扫描线15和数据线16， PM0S12的栅极电连接NMOS14的源 极和存储电容13的一电极，PMOS12的源极和存储电容13的另一电极同时电连接到 电源电压VDD，且PMOS12的漏极电连接到有机发光二级管OLED11的阳极， OLEDll的阴极接地。常规的电压驱动型两管像素电路原理如下所述。首先，当扫描线15处于低电平 时，NMOS14断开，像素处于非选定状态。其次，当扫描线15提供高电平时，该像 素选定，NMOS14作为开关导通，数据线16通过NMOS14写入电压数据到PMOS12 的栅极，同时存储电容13起作用。当数据线16为低电平时，存储电容13充电；当 数据线16为高电平时，存储电容上的电荷继续维持PMOS12的栅极电压，使其保持 在饱和导通状态。因此，在整个帧周期内，PMOS12的栅极电压不变，OLEDll为恒流控制，有机发光二极管OLEDll发光。此时，流过OLEDll的电流和PMOS12的 电压之间保持关系/rf = 0，Cox,/丄)d I K， I)2这里F^ > rra >| F， I式中W/L为PMOS驱动管12的宽长比。"代 表流过0LED11的电流，Vsg代表PM0S12的源极和栅极之间的电压差，Vthp代表 PM0S12的阈值电压。可以看出，流过PM0S12和0LED11的电流是对应于PM0S12的栅源电压F^的值，而OLEDll继续发光亮度对应于该电流值。F^则对应于NM0S14导通状态下数据线16上的电压，由于存储电容13像素选定状态下起数据存储作用，使得PMOS12 的栅压保持稳定，产生一通过OLEDll固定大小电流Id，使得该有机发光二级管发光 亮度保持稳定。选取扫描线15后，数据线16上的电压被写入到像素OLED11内部， 该有机发光二级管亮度保持不变，直到下一次有数据写入。若要实现多级灰度显示， 则控制数据线16上的多级灰度电压。然而，常规的电压驱动型像素电路实现高级灰度显示很难，这是由于工艺制造等 问题，即使在同一衬底上的不同像素之间，相同类型晶体管之间的阈值电压Vra也会 有变化，导致流过有机发光二级管的电流随不同的像素有很大的变化，从而使得通过 有机发光二极管的电流不稳定，难于实现控制灰度显示。工艺制造同样会带来载流子 迁移率的不一致，进一步给显示屏像素的亮度不均匀带来影响。发明内容鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种基于硅基有机发光显示设备中的像素驱 动电路，通过静态电流源提供固定大小电流，使得有机发光二极管在工作状态下通过 的电流得到精确的控制，不受阈值电压的影响，同时根据数据线提供的数据的占空比 来控制有机发光二极管的灰度。为达到上述目的，本发明采用下述技术方案一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，是一个输入电连接行扫描线、列 扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路，其特征在于所述的像素驱 动电路由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源像素驱动电路；所述的二 进制锁存器，用于起显示设备行列数据选通作用；所述的恒流源像素驱动电路，用于在像素选通状态下，给有机发光二极管提供幅值大小固定的电流，使之发光，并根据 数据线提供的数据的占空比改变其亮度；所述的电平转换电路，用于在二进制锁存器 和恒流源像素驱动电路之间起一种高低电平转换作用；所述的像素驱动电路，根据一 条行扫描线和一条列扫描线将一条数据线上的数据传输到像素驱动电路上，使得有机 发光二极管灰度显示。上述的二进制锁存器的输入电连接于一条行扫描线、 一条列扫描线和一条数据 线，而其输出控制有机发光二极管的亮暗，该二进制锁存器包含有12个MOS管(1) 第一PMOS，其三个极为第一栅极、第一源极及第一漏极，其中该第一源极电连接于 低压电平；(2)第二 PMOS，其三个极为第二栅极、第二源极及第二漏极，其中该第 二源极电连接于第一漏极；(3)第一 NMOS，其三个极为第三栅极、第三源极及第三 漏极，其中第一栅极和第三栅极电连于行扫描信号；(4)第二 NMOS，其三个极为第 四栅极、第四源极及第四漏极，其中第二栅极和第四栅极电连于列扫描信号，第三源 极和第四源极接地，第三漏极和第四漏极电连接于第二漏极；(5)第三PMOS，其三 个极为第五栅极、第五源极及第五漏极，其中第五源极电连接于低压电平；(6)第三 NMOS，其三个极为第六栅极、第六源极及第六漏极，其中第六源极接地，第五栅极 与第六栅极电连接于数据线；(7)第四NMOS，其三个极为第七栅极、第七源极及第 七漏极，其中第七漏极电连接于第五漏极和第六漏极；(8)第五NMOS，其三个极为 第八栅极、第八源极及第八漏极，其中第八漏极电连接于一条数据线，第八栅极和第 七栅极电连接于第二漏极、第三漏极和第四漏极；(9)第四PMOS，其三个极为第九 栅极、第九源极及第九漏极，其中第九源极电连接于低压电平；(IO)第六NMOS，其 三个极为第十栅极、第十源极及第十漏极，其中第十源极接地，第九漏极与第十漏极 电连接于第七源极；(ll)第五PMOS，其三个极为第十一栅极、第十一源极及第十一 漏极，其中第十一源极电连接于低压电平；(12)第七NMOS，其三个极为第十二栅极、 第十二源极及第十二漏极，其中第十二栅极、第十一栅极和第九漏极，第十漏极同时 电连接于第七源极，第十一漏极和第十二漏极电连接于第九栅极和第十栅极。当二进制锁存器的第一栅极和第二栅极同时处于开启状态时，且第三栅极，第四 栅极同时处于关断状态时，则第二漏极输出高电平信号，相应有第七栅极、第八栅极 处于开启状态，数据线上的数据信号被传输当数据信号为高电平时，该二进制锁存 器的第八源极为低压电平，第十栅极开启，则第十漏极为输出地；当输入数据信号为低电平时，该二进制M^fflHiL栅&a^第九漏极为低压电平输出。而当第三栅极，第四栅极有一处于开启状态时，则第二漏极输出地，相应有第七栅极、第八栅极 处于关闭状态，数据线上的数据信号被锁存。由于二进制锁存器工作电压为低压电平，而有机发光二极管是高压器件，所以恒 流源像素驱动电路采用高压电平，导致二进制锁存器的输出信号无法控制有机发光二 极管工作，则需要一个电平转换电路实现高低电平转换。上述的连接于二进制锁存器和恒流源像素驱动电路之间的电平转换电路由四个 MOS管组成(l)第六PMOS，其源极电连接到高压电平；(2)第七PMOS，其源极电 连接到高压电平；(3)第八NMOS，其源极接地，漏极与第六PMOS漏极电连接到第 七PMOS的栅极，栅极电连接到二进制锁存器的第九漏极；(4)第九NMOS，其源极 接地，漏极与第七PMOS的漏极电连接到第六PMOS的栅极，栅极电连接到二进制 锁存器的第十一漏极。电平转换电路的输出连接到恒流源像素驱动电路，控制有机发光二极管灰度显 示，该驱动电路包括(l)第一开关晶体管，其源极接地；(2)第二开关晶体管，第一 开关晶体管的栅极和第二开关晶体管的栅极电连接于电平转换电路的第一 NMOS的 漏极； 一有机发光二极管，作为电流驱动发光显示器件，该器件有第一电极和第二电 极，其第一电极电连接到第一开关晶体管的漏极和第二开关晶体管的漏极，第二电极 接地； 一静态电流源，电连接到第二开关晶体管的源极和高压电平之间。其中第一开 关晶体管为NMOS，第二开关晶体管为PMOS，静态电流源为一幅值大小固定的电 流源。有机发光二极管有两个工作状态第一状态，第二开关晶体管开启，第一开关 晶体管关断时，静态电流源给有机发光二极管提供固定大小电流，有机发光二极管根 据第二开关晶体管导通的占空比灰度显示，占空比越大越亮；第二状态，第二开关晶 体管关断，第一开关晶体管开启时，在有机发光二极管发光期间积累在其阳极的电荷 通过第一开关晶体管释放。本发明二进制锁存器输入数据信号为脉宽调制信号，在帧周期内，该信号占空比 越大，有机发光二极管显示灰度越高。整个显示面板上，所有像素都由恒流源提供固 定大小电流，避免像素显示受到阈值电压的影响，显示变得更均匀。通过恒流源像素 驱动电路上第一开关晶体管释放有机发光二极管发光期间积累在阳极上的电荷，能够 有效降低显示设备的功耗，同时延长有机发光显示设备的寿命。本发明的突出实质性特点和显著优点是本发明与公知电压驱动型像素电路相比，——其Mi共^m^^toi&小相UiMML—显示设备中不同像素之间加工作l流相等，不会受到晶体管阈值电压漂移的影响，输入数据线占空比控制像素灰度，各 像素中的有机发光二级管呈现均匀的灰度显示。本发明是整个像素驱动电路全部采用 晶体管代替了传统像素电路中电容充放电，极大地提高了像素电路的开口率。
图1常规的电压驱动型两管像素电路。 图2硅基有源矩阵型有机发光显示设备的示意图。 图3像素驱动电路框图。 图4 二进制锁存器的电路示意图。 图5 二进制锁存器的电路工作示意图。 图6电平转换电路示意图。 图7电平转换电路工作示意图。 图8恒流源像素电路的原理示意图。 图9恒流源像素驱动电路示意图。
具体实施方式
本发明的一个优选实施例结合
如下参考图2，图2为采用本发明的硅基有机发光显示设备20的示意图，该显示设 备包括一个行扫描驱动电路21， 一个列扫描驱动电路22， 一个数据线驱动电路23， 和一个显示面板24。按照矩阵形式在显示面板24上排列像素驱动电路25，形成显示 设备。图2中，行扫描驱动电路21依次扫描驱动行扫描线1到n，每条行扫描线电 连接到对应行像素驱动电路25的一个输入端。列扫描驱动电路22依次驱动列扫描线 l到m,每条列扫描线电连接到对应像素驱动电路25的另外一个输入端。 一个行扫 描线和一个与之垂直方向的列扫描线的交叉处设有一个像素驱动电路25，则显示设 备有mxn的个交叉点，对应mxn个像素。由m列xn行像素驱动电路25组成有源 矩阵型有机发光显示设备，每个像素的显示器件是有机发光二级管。由于有机发光二 级管是电流驱动器件，每个像素根据有机发光二级管通过固定大小电流时不同的占空 比呈灰度显示。本发明中数据线驱动电路23驱动外部输入数据，8条数据线并行提 供给相邻的8列有机发光二级管，使其为256级灰度显示，该显示面板的列线数为8 的整数倍。参见图3，本硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路由一个二进制锁存器26 经一个电平转,J^27连接一个恒流源像素驱动电路28构成。该像素驱动电路25的原理如下，在显示设备工作状态下某一时刻，当行扫描驱动电路21产生一个行扫 描信号29，对应显示设备中某一行，列扫描驱动电路22产生一个列扫描信号30，扫 描到这一行中某一列，则交叉处一个像素驱动电路25被选中，数据线31写入该像素 电路中二进制锁存器26，产生一个有机发光器件的开关信号，决定该像素电路25中 是否有电流通过有机发光二级管并使其发光，同时数据信号31的占空比决定有机发 光二级管的显示灰度。请参考图4，图4为本实施例的像素驱动电路25中用到的二进制锁存器26的电 路示意图，二进制锁存器26起显示设备行列数据选通作用，其输入电连接于一条行 扫描线29， 一条列扫描线30和一条数据线31，输出控制有机发光二极管的亮暗，该 二进制锁存器26包含有(1)、第一PMOS32，其三个极为包含有第一栅极、第一源 极及第一漏极，其中该第一源极电连接于低压电平44; (2)、第二PMOS33，其三个 极为第二栅极、第二源极及第二漏极，其中该第二源极电连接于第一漏极；(3)、第 一NMOS 34，其三个极为第三栅极、第三源极及第三漏极，其中第一栅极和第三栅 极电连于行扫描线29; (4)、第二NMOS35，其三个极为第四栅极、第四源极及第四 漏极，其中第二栅极和第四栅极电连于列扫描线30，第三源极和第四源极接地45, 第三漏极和第四漏极电连接于第二漏极；(5)、第三PMOS36，其三个极为第五栅极、 第五源极及第五漏极，其中第五源极电连接于低压电平44; (6)、第三NMOS37，其 三个极为第六栅极、第六源极及第六漏极，其中第六源极接地45，第五栅极与第六 栅极电连接于数据线31; (7)、第四NMOS晶体管38，其三个极为第七栅极、第七 源极及第七漏极，其中第七漏极电连接于第五漏极和第六漏极；(8)、第五NMOS39， 其三个极为第八栅极、第八源极及第八漏极，其中第八漏极电连接于一条数据线31， 第八栅极和第七栅极电连接于第二漏极、第三漏极和第四漏极；(9)、第四PMOS40， 其三个极为第九栅极、第九源极及第九漏极，其中第九源极电连接于低压电平44; (10)、第六NMOS41，其三个极为第十栅极、第十源极及第十漏极，其中第十源极接 地45，第九漏极与第十漏极电连接于第七漏极；(11)、第五PMOS42，其三个极为第 十一栅极、第十一源极及第十一漏极，其中第十一源极电连接于低压电平44; (12)、 第七NMOS 43，其三个极为第十二栅极、第十二源极及第十二漏极，其中第十二栅 极、第十一栅极、第九漏极和第十漏极同时电连接于第七源极，第十一漏极和第十二 漏极电连接于第九栅极和第十栅极。——二进制锁存器26的电路工作示意图如图5，当像素电路的行扫描线29和列扫搵线30同时为低(有效)时，像素25被选中，二进制锁存器26的第一栅极和第二栅 极同时处于开启状态时，且第三栅极，第四栅极同时处于关断状态时，则第二漏极输 出46高电平，相应有第七栅极、第八栅极处于开启状态，数据线31上的代表灰度信 息的脉宽调制数据信号被传输到到当数据线31为逻辑高电平时，该二进制锁存器 的第八源极为逻辑高，第十栅极开启，则第十漏极输出47为地；当输入数据线31 为逻辑低电平时，该二进制锁存器的第五栅极开启，第五漏极为低压电平44使得第 十二栅极开启，第十二漏极输出48为地。输出线47和输出线48为一对互为反相的 信号。当行扫描线29和列扫描线30至少有一为高电平(无效)时，二进制锁存器 26的第三栅极，第四栅极至少有一处于开启状态，则第二漏极输出地，相应有第七 栅极、第八栅极处于关闭状态，数据线31上的数据信号被锁存。硅基有机发光显示设备20中的像素驱动电路25，其中有机发光二极管是高压器 件，故恒流源像素驱动电路28的电源电压采用高压电平49，而二进制锁存器为像素 电路的数字驱动部分，其工作电压是低压电平44，为了使二进制锁存器产生的控制 信号能够驱动恒流源像素驱动电路，两者之间至少需要一个电平转换电路27。本实施例中，数字驱动部分二进制锁存器26的工作电压采用+5V，恒流源像素 驱动电路28工作电压+12V，为了使得二进制锁存器26产生的电平能够驱动恒流源 像素电路28，两者之间的电平转换电路27工作电压为+12V。电平转换电路27，至 少包括第六PMOS50，其源极电连接到高压电平49;第七PMOS51，其源极电连 接到高压电平49;第八NMOS52，其源极接地45，漏极与第六PMOS 50漏极电连 接到第七PMOS 51的栅极，栅极电连接到二进制锁存器26的输出线47;第九NMOS 53，其源极接地45，漏极与第七PMOS 51的漏极电连接到第六PMOS 50的栅极， 栅极电连接到二进制锁存器26的输出线48。电平转换电路27的工作示意图如图7，当第八NMOS 52的栅极输入为低压电平 44时，第八NMOS 52导通，则第八NMOS 52的漏极输出54接地45;当第九NMOS 53的栅极输入为低压电平44时，第九NMOS 53导通，则第六PMOS 50的栅极为地， 第六PMOS 50导通，第八NMOS 52的漏极输出54为高压电平49。硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路25，其电平转换电路27的输出54作 为恒流源像素驱动电路28的开关信号，来控制有机发光二极管的灰度显示，该恒流 源像素驱动电路包括第一开关晶体管55，其源极接地45;第二开关晶体管56,第 一开关晶体管55的栅极和第二开关晶体管56的栅极电连接于里平转换电路的辅他54; —有机发光二极管57，作为电流驱动发光显示器件，该器件有第一电极和第二电极，其第一电极电连接到第一开关晶体管55的漏极和第二开关晶体管56的漏极， 第二电极接地45; —静态电流源58，电连接到第二开关晶体管56的源极和高压电平 49之间。本发明较佳实例中恒流源像素驱动电路28的具体电路图如图9，其中第一开关 晶体管55为NMOS，第二开关晶体管56为PMOS，静态电流源58为一幅值大小固 定的电流源。其工作原理为当电平转换电路27的输出54为地时，第一开关晶体管 55关断，第二开关晶体管56导通，静态电流源58提供的电流通过有机发光二极管 57,有机发光二极管57发光；当电平转换电路27的输出54为高电平时，第一开关 晶体管55导通，第二开关晶体管56关断，有机发光二极管57没有电流通过，为暗， 同时在有机发光二极管57发光期间积累在其第一电极(阳极)上的电荷通过第一开 关晶体管释放到地45，减小潜在的残留电荷产生的反相电场带来的影响，进一步提 高有机发光二级管器件的使用寿命。而数据线31的占空比控制有机发光二极管57 的亮度，占空比越大，有机发光二极管57显示越亮。在像素单元25中，静态电流源 58的实现方法有多种。本发明中静态电流源58为像素驱动电路的一部分，硅基有机发光显示设备工作 期间，该电流幅值保持不变。一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路是在硅片上完成像素驱动，包括上 述二进制锁存器26、电平转换电路27和恒流源像素驱动电路28。本发明用到的所有 晶体管均为互补金属氧化物半导体。因此，本发明的优点是提出一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路的设 计。本发明与公知电压驱动型像素电路相比，其提供给各像素电路电流大小相同，使 得同一显示设备中不同像素之间的工作电流相等，不会受到晶体管阈值电压漂移的影 响，输入数据线占空比控制像素灰度，各像素中的有机发光二级管呈现均匀的灰度显示o综上所述，虽然本发明所提供的实例有限，但其并非用以限定本发明，本技术领 域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，做出的等效结构变换与改进， 均属于本发明请求保护的范围内。
权利要求
1. 一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，是一个输入电连接行扫描线、列扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路(25)，其特征在于所述的像素驱动电路(25)由一个二进制锁存器(26)经电平转换电路(27)连接一个恒流源像素驱动电路(28)；所述的二进制锁存器(26)，用于起显示设备行列数据选通作用；所述的恒流源像素驱动电路(27)，用于在像素选通状态下，给有机发光二极管提供幅值大小固定的电流，使之发光，并根据数据线提供的数据的占空比改变其亮度；所述的电平转换电路(28)，用于在二进制锁存器和恒流源像素驱动电路之间起一种高低电平转换作用；所述的像素驱动电路(25)，根据一条行扫描线和一条列扫描线将一条数据线上的数据传输到像素驱动电路(25)上，使得有机发光二极管灰度显示。
2. 根据权利要求l所述的硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，其特征在于所 述的二进制锁存器(26)的输入电连接于一条行扫描线、 一条列扫描线和一条数 据线，而其输出电连接电平转换电路(27)，该二进制锁存器包含有12个MOS 管a. 第一PMOS (32)，其三个级为第一栅极、第一源极及第一漏极，其中第一源 极电连接于低压电平(44);b. 第二PMOS (33)，其三个极为第二栅极、第二源极及第二漏极，其中第二源 极电连接于第一漏极；c. 第一NMOS (34)，其三个极为第三栅极、第三源极及第三漏极，所述的第一 栅极和第三栅极电连于行扫描信号(29);d. 第二NMOS (35)，其三个极为第四栅极、第四源极及第四漏极，所述的第二 栅极和第四栅极电连于列扫描信号(30)，第三源极和第四源极接地(45)， 第三漏极和第四漏极电连接于第二漏极；e. 第三PMOS (36)，其三个极为第五栅极、第五源极及第五漏极，其中第五源 极电连接于低压电平(44);f. 第三NMOS (37)，其三个极为第六栅极、第六源极及第六漏极，所述的第六 源极接地(45)，第五栅极与第六栅极电连接于数据线(31);g. 第四NMOS (38)，其三个极为第七栅极、第七源极及第七漏极，其中第七漏 极电连接于第五漏极和第六漏极；h. 第五NMOS (39)，其三个极为第八栅极、第八源极及第八漏极，其中第八漏极电连接于一条数据线(31)，第八栅极和第七栅极电连接于第二漏极、第三 漏极和第四漏极；i.第四PMOS (40)，其三个极为第九栅极、第九源极及第九漏极，其中第九源极电连接于低压电平(44); j.第六NMOS (41)，其三个极为第十栅极、第十源极及第十漏极，其中第十源极接地(45)，第九漏极与第十漏极电连接于第七源极； k.第五PMOS (42)，其三个极为第十一栅极、第十一源极及第十一漏极，其中第十一源极电连接于低压电平(44); 1.第七NMOS (43)，其三个极为第十二栅极、第十二源极及第十二漏极，其中第十二栅极、第十一栅极、第九漏极和第十漏极同时电连接于第七源极，第十一漏极和第十二漏极电连接于第九栅极和第十栅极。
3. 根据权利要求2所述的硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，其特征在于当 第一栅极和第二栅极同时处于开启状态时，且第三栅极，第四栅极同时处于关断 状态时，则第二漏极输出高电平信号，相应有第七栅极、第八栅极处于开启状态， 数据线上的数据信号被传输当数据信号为高电平时，该二进制锁存器的第八源 极为低压电平，第十栅极开启，则第十漏极为输出地；当输入数据信号为低电平 时，该二进制锁存器的第九栅极开启，第九漏极为低压电平输出。
4. 根据权利要求2所述的硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，其特征在于当 第三栅极，第四栅极有一处于开启状态时，则第二漏极输出地，相应有第七栅极、 第八栅极处于关闭状态，数据线上的数据信号被锁存。
5. 根据权利要求l所述的硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，其特征在于所 述的连接于二进制锁存器(26)和恒流源像素驱动电路(28)之间的电平转换电 路(27)由四个MOS管组成a. 第六PMOS (50)，其源极电连接到高压电平(49);b. 第七PMOS (51)，其源极电连接到高压电平(49);c. 第八NMOS (52)，其源极接地(45)，漏极与第六PMOS漏极电连接到第七 PMOS的栅极，栅极电连接到二进制锁存器(26)的第九漏极；d. 第九NMOS (53)，其源极接地(45)，漏极与第七PMOS的漏极电连接到第 六PMOS的栅极，栅极电连接到二进制锁存器(26)的第十一漏极。
6. 根据权利要求1所述的硅某有机发光显示设—备中的像素驱动电路，I特征在于所述的电平转换电路(27)的输出连接到恒流源像素驱动电路(28)，控制有机发 光二极管灰度显示，该恒流源像素驱动电路包括a. 第一开关晶体管(55)，其源极接地；b. 第二开关晶体管(56)，第一开关晶体管(55)的栅极和第二开关晶体管(56) 的栅极电连接于电平转换电路(26)的第一NMOS的漏极；c. 一有机发光二极管(57)，作为电流驱动发光显示器件，该器件有第一电极和 第二电极，其第一电极电连接到第一开关晶体管(55)的漏极和第二开关晶 体管(56)的漏极，第二电极接地(45);d. —静态电流源(58)，电连接到第二开关晶体管(56)的源极和高压电平(49) 之间。
7.根据权利要求6所述的硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路，其特征在于所 述的第一开关晶体管(55)为NMOS，第二开关晶体管(56)为PMOS，静态电 流源(58)为一幅值大小固定的电流源。
全文摘要
本发明涉及一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路。它是一个输入电连接行扫描线、列扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路，所述的像素驱动电路由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源像素驱动电路；所述的二进制锁存器，用于起显示设备行列数据选通作用；所述的恒流源像素驱动电路，用于在像素选通状态下，给有机发光二极管提供幅值大小固定的电流，使之发光，并根据数据线提供的数据的占空比改变其亮度；所述的电平转换电路，用于在二进制锁存器和恒流源像素驱动电路之间起一种高低电平转换作用；所述的像素驱动电路，根据一条行扫描线和一条列扫描线将一条数据线上的数据传输到像素驱动电路上，使得有机发光二极管灰度显示。本发明的整个像素驱动电路全部采用晶体管代替传统的电容充放电，极大地提高了像素电路的开口率；通过静态电流源提供固定大小电流，使得有机发光二级管在工作状态下通过的电流得到精确的控制，不受阈值电压的影响。
文档编号H03K3/356GK101261810SQ20081003636
公开日2008年9月10日 申请日期2008年4月21日 优先权日2008年4月21日
发明者峰 冉, 姚树建, 希 康, 徐美华, 杨云霞, 沈伟星, 程东方, 陈章进 申请人:上海大学