专利名称：At切高基频复合压电水晶振动子的制作方法
技术领域：
本发明涉及水晶电子元器件技术领域，具体的说是一种AT切高基频复合压电水 晶振动子。
背景技术：
传统的水晶振动子为单片晶体振动子，其厚度经一般研磨后达到研磨工艺极限；
若要得到超薄晶片，往往以高能粒子束一光束或离子束刻蚀的方法来实现，这样需要的 刻蚀设备造价高，且设备维护费用昂贵，超薄晶片无法批量生产，高档的单片超薄晶片的成
本高达一万元左右；且一旦刻蚀发生失误，晶片容易碎裂，造成极大地浪费。
发明内容
本发明的目的是研制一种结构简单、成本低廉、适合大规模批量生产的AT切高基 频复合压电水晶振动子。 本发明AT切高基频复合压电水晶振动子，包括谐振晶片1、支撑晶片2，谐振晶片 l和支撑晶片2之间以粘接剂相粘合为一个整体，支撑晶片2中心用超声波或激光开有镀膜 孔3。 谐振晶片1为经一般研磨的普通单片晶体振动子。 支撑晶片2和谐振晶片1的材质相同。 支撑晶片2和谐振晶片1的外轮廓一致。 镀膜孔3的尺寸依据公式C。 = e /4K Ji XA/T。计算得出； 其中C。为晶片静电容，e为水晶的介电常数，K为静电常数，Ji为圆周率，A为镀 膜面积，T。为晶片厚度； 晶片厚度T。与基频频率F。的换算公式为F。 = k /T。， k为压电常数。
C。 = 0. 02D2F。为上述公式的圆型晶片的简化算式；
其中C。为晶片静电容，D为圆型晶片直径，F。为基频频率。 所述粘接剂为孝昌县晶鑫电子科技有限公司生产并对外销售的JXJ-T01型号的 抗高温耐腐蚀505型粘接剂，公司地址为湖北孝昌县城南经济开发区站前2路全洲工业园 内，邮编为432900。 本发明AT切高基频复合压电水晶振动子的工作原理在于利用支撑晶片2增加谐 振晶片1的研磨厚度和抗磨张力，使之充分研磨至所需频率，达到所需要的超薄厚度；镀膜 孔3则满足谐振晶片1谐振的电参数。 本发明AT切高基频复合压电水晶振动子的优点是谐振晶片与支撑晶片连成一 体进行研磨，有效地解决了研磨中超薄晶片强度不足而无法克服的难题；同时用平面研磨 替代光刻蚀或离子刻蚀，摒弃昂贵的刻蚀设备及其维护费用，实现了超薄晶片的批量生产， 从而生产成本大幅降低至现有方法所耗成本的1% _5%。
产品经测试后达到的关键技术指标
附主要技术指标
1、 振动频率范围50 200MHZ。振动模式基频
2、 切型切角AT35。
(9' 16' )±15"
3、 温度频差± (5 30)卯m， -20 +70°C，以25士3。C为基准
4、 常温频差± (5 30)卯m，25士3。C
5、 谐振电阻等效电阻Rr《40 Q
6、 外型尺寸(1.0X1.2) (3. 5X5. 08)mm ;或①(3. 0 8. 9)
7、 适应温度范围-40 +85°C ;工作温度范围-20 +70°C
8、 寄生响应衰减5dPmin，寄生波电阻^ 2Rr
9、 机械性能符合《压电石英晶体总规范》-GB12273-9
图1为AT切高基频复合压电水晶振动子的结构示意图。
具体实施例方式
根据图1所示，一种AT切高基频复合压电水晶振动子，包括谐振晶片1、支撑晶 片2，谐振晶片1和支撑晶片2之间以粘接剂相粘合为一个整体，支撑晶片2中心用超声波 或激光开有镀膜孔3。 谐振晶片1为经一般研磨的普通单片晶体振动子。 支撑晶片2和谐振晶片1的材质相同。 支撑晶片2和谐振晶片1的外轮廓一致。 镀膜孔3的尺寸依据公式C。 = e /4K Ji XA/T。计算得出； 其中C。为晶片静电容，e为水晶的介电常数，K为静电常数，Ji为圆周率，A为镀 膜面积，T。为晶片厚度； 晶片厚度T。与基频频率F。的换算公式为F。 = k /T。， k为压电常数。
C。 = 0. 02D2F。为上述公式的圆型晶片的简化算式；
其中C。为晶片静电容，D为圆型晶片直径，F。为基频频率。 所述粘接剂为孝昌县晶鑫电子科技有限公司生产并对外销售的JXJ-T01型号的 抗高温耐腐蚀505型粘接剂，公司地址为湖北孝昌县城南经济开发区站前2路全洲工业园 内，邮编为432900。
权利要求
一种AT切高基频复合压电水晶振动子，包括谐振晶片(1)，谐振晶片(1)为经一般研磨的普通单片晶体振动子，其特征在于还有支撑晶片(2)，谐振晶片(1)和支撑晶片(2)之间以粘接剂相粘合为一个整体，支撑晶片(2)中心用超声波或激光开有镀膜孔(3)。
2. 根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子，其特征在于支撑晶片 (2)和谐振晶片(1)的材质相同。
3. 根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子，其特征在于支撑晶片 (2)和谐振晶片(1)的外轮廓一致。
4. 根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子，其特征在于镀膜孔(3) 的尺寸依据公式C。 = e /4K Ji XA/T。计算得出；其中C。为晶片静电容，e为水晶的介电常数，K为静电常数，Ji为圆周率，A为镀膜面 积，T。为晶片厚度；晶片厚度T。与基频频率F。的换算公式为F。 = k /T。， k为压电常数。
全文摘要
一种AT切高基频复合压电水晶振动子，包括谐振晶片(1)、支撑晶片(2)，谐振晶片(1)为经一般研磨的普通单片晶体振动子，谐振晶片(1)和支撑晶片(2)之间以粘接剂相粘合为一个整体，支撑晶片(2)中心用超声波或激光开有镀膜孔(3)。其优点是谐振晶片与支撑晶片一起进行研磨，有效地解决了研磨中超薄晶片强度不足而无法克服的难题；同时用平面研磨替代光刻蚀或离子刻蚀，摒弃昂贵的刻蚀设备及其维护费用，实现了超薄晶片的批量生产，从而生产成本大幅降低至现有方法的1％-5％。
文档编号H03H9/17GK101795121SQ201010107649
公开日2010年8月4日 申请日期2010年2月4日 优先权日2010年2月4日
发明者彭常青 申请人:孝昌县晶鑫电子科技有限公司