专利名称：高基频晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体谐振器，具体涉及一种高基频晶体谐振器。
背景技术：
随着微波通讯、卫星、航天、雷达等技术的发展，高基频石英晶体越来越广泛地被 商业和军事所应用。由于是基音石英晶体，相比于高次泛音晶体(如3次泛音或5次泛音)， 同一频率的晶体，其厚度是后者的1/3或1/5，且由于频率很高，因此其晶片本身的质量很 小。现有的高基频晶体谐振器大都采用密度很小的(约为银的1/4)铝作为电极材料，但铝 很易氧化，氧化后的铝电极不易进行频率校验。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种高基频晶体谐振器，在铝电极上蒸镀银层，防止铝 电极氧化，同时便于离子刻蚀进行频率检验。为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案一种高基频晶体谐振器，包括石英晶片，在石英晶片上设置铝电极，其中，在所述 铝电极上设置银膜层，所述石英晶片为凹形。进一步，所述铝电极为扇形或条形。本实用新型的有益效果为本实用新型用银膜覆盖铝电极，防止铝电极的氧化，便于后续的离子刻蚀；由于 本实用新型的石英晶片只能约0.01mm左右，石英晶片采用凹形结构，可以有效增加晶片强度。本实用新型的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐 述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或 者可以从本实用新型的实践中得到教导。本实用新型的目标和其他优点可以通过下面的说 明书或者附图中所特别指出的结构来实现和获得。
图1为本实用新型的剖面示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述如图1所示，本实用新型包括石英晶片1，真空室条件下，在石英晶片1上蒸镀铝电 极3，然后在铝电极3上蒸镀银膜层2，银膜层2可有效防止铝电极氧化。为增加强度，石英 晶片1为凹形。铝电极(3)为扇形或条形。以频率为150MHz的高基频晶体谐振器为例，故石英晶片1的厚度依据标称频率计算，只有=
权利要求1.一种高基频晶体谐振器，包括石英晶片(1)，在石英晶片(1)上设置铝电极(3)，其特 征在于在所述铝电极(3 )上设置银膜层(2 )，所述石英晶片(1)为凹形。
2.根据权利要求1所述的一种高基频晶体谐振器，其特征在于所述铝电极(3)为扇形 或条形。
专利摘要本实用新型公开了一种高基频晶体谐振器，包括石英晶片，在石英晶片上设置铝电极，在所述铝电极上设置银膜层，所述石英晶片为凹形；所述铝电极为扇形或条形。本实用新型在铝电极上蒸镀银层，防止铝电极氧化，同时便于离子刻蚀进行频率检验。
文档编号H03H9/19GK201869177SQ201020648030
公开日2011年6月15日 申请日期2010年12月8日 优先权日2010年12月8日
发明者刘尊伟, 邹飞 申请人:郑州原创电子科技有限公司