专利名称：直接耦合互补输出级电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体混合电路器件，尤其涉及一种运算放大电路中直接耦合互补输出级电路。
背景技术：
在集成运算放大电路当中，输入级一般采用差分放大电路；为了增大放大倍数，中间级多采用共射放大电路；为了提高带负载能力且具有尽可能大的不失真输出电压范围， 输出级多采用互补式电压跟随电路。对于输出级的基本要求有两个一是输出电阻低，二是最大不失真电压尽可能大。为了减少交越失真对运放电路的影响，一般通过采用二极管或是电阻的方式来进行箝位，使三极管均处于微导通状态。目前，互补输出级电路是通过多个单管组合使用来实现上述功能，由于需要外加散热片，占用空间较大，焊接和排版过程比较繁琐。尤其在一些恶劣的环境下，例如超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下，普通元器件无法工作。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构紧凑、占用空间小、散热性好，可靠性高，在恶劣环境下能正常工作的直接耦合互补输出级电路。本实用新型涉及的直接耦合互补输出级电路，包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片，其特殊之处是所述的偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内，在管壳内焊接有陶瓷基片，所述管壳底板为钨铜材质，所述陶瓷基片为氧化铍陶瓷，在陶瓷基片上烧结有钼片和可阀片，所述的功率三极管芯片和二极管芯片分别烧结在钼片和可阀片上，所述的偏置电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的功率三极管芯片、二极管芯片和可阀片之间通过金属丝互连。本实用新型的优点是将偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内，结构紧凑、占用空间小，可靠性高，所述管壳底板为钨铜材质，具有和氧化铍陶瓷基片相匹配的膨胀系数，具有良好的散热效果，能够在超高温、超低温、高湿度、强振动等恶劣环境下使用。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1 (去掉管帽)的俯视图；图3是本实用新型的逻辑电路图；图中管壳1、陶瓷基片2、钼片3、功率三极管芯片4、外引线5，二极管芯片6、电阻 7、金属丝8、可伐片9、陶瓷绝缘子10，氮气11。
具体实施方式
[0010] 如图所示，本实用新型包括管壳1，在管壳1上采用合金焊料烧结有陶瓷基片2，其中管壳1底板为钨铜材质，陶瓷基片2为氧化铍陶瓷。在陶瓷基片2上采用合金焊料烧结有钼片3和可阀片9，在管壳1内集成有功率三极管芯片4、起箝位作用的二极管芯片6和偏置电阻7，所述的功率三极管芯片4和二极管芯片6采用合金焊料分别烧结在钼片3和可阀片9上，偏置电阻7为贴片式电阻且与陶瓷基片2之间通过焊锡焊接，在管壳1上设有外引线5，在外引线5和管壳1的间隙处设有陶瓷绝缘子10，所述的陶瓷绝缘子10为氧化铝陶瓷。所述的功率三极管芯片4、二极管芯片6和可阀片9之间通过金属丝8互连，在管壳 1内填充氮气11后进行封装。
权利要求1. 一种直接耦合互补输出级电路，包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片，其特征是所述的偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内，在管壳内焊接有陶瓷基片，所述管壳底板为钨铜材质，所述陶瓷基片为氧化铍陶瓷，在陶瓷基片上烧结有钼片和可阀片，所述的功率三极管芯片和二极管芯片分别烧结在钼片和可阀片上，所述的偏置电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的功率三极管芯片、二极管芯片和可阀片之间通过金属丝互连。
专利摘要一种直接耦合互补输出级电路，包括偏置电阻、功率三极管芯片、起箝位作用的二极管芯片，其特殊之处是所述的偏置电阻、功率三极管芯片、二极管芯片集成在一个管壳内，在管壳内焊接有陶瓷基片，所述管壳底板为钨铜材质，所述陶瓷基片为氧化铍陶瓷，在陶瓷基片上烧结有钼片和可阀片，所述的功率三极管芯片和二极管芯片分别烧结在钼片和可阀片上，所述的偏置电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的功率三极管芯片、二极管芯片和可阀片之间通过金属丝互连。优点是结构紧凑、占用空间小，可靠性高，具有良好的散热效果，能够在超高温、超低温、高湿度、强振动等恶劣环境下使用。
文档编号H03F1/32GK202014227SQ20112011196
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月16日 优先权日2011年4月16日
发明者刘悦, 张元元, 李阳, 高广亮 申请人:锦州辽晶电子科技有限公司