专利名称：一种低温漂失调自校准运算放大器电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电源领域，特别涉及ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，它主要应用于DC/DC转换器，AC/DC转换器，LED驱动器，D类功率放大器，高精度限流开关，电池保护芯片等。
背景技术：
近年来消费类电子市场持续扩张，集成电路电源领域也在飞速膨胀，伴随着产品性能要求越来越高，电源类IC的性能要求也越来越苛刻。作为所有电源类产品的核心模块基准电压源一直受到驱动能力不足的困扰，采用运算放大器作为驱动级可以提高基准电压 源的驱动能力却由于运放本身的失调给系统带来直流偏差，大大影响了系统的性能。
实用新型内容本实用新型的目地是提供ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，它通过失调信息的动态存储大大降低了运算放大器的失调电压，从而在保证电路驱动能力的前提下大大降低了系统的直流偏差，改善了系统的性能。本实用新型的技术方案是提供ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，包括增益级和输出级，其特征是增益级包括增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2，和6个开关；输出级包括一个电流源构成的偏置模块、三个电容、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管，所述的增益单元AMP_CELL1或增益单元AMP_CELL2包括一个电容、两个电阻、一个开关、10个P型MOS管和4个N型MOS管，第一 P型MOS管MPl的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第五P型MOS管MP5的源极、电容C的一端、第八P型MOS管MP8的源极和电阻Rl的一端连接；第一 P型MOS管MPl的漏极、第二 P型MOS管MP2的源极和第三P型MOS管MP3的源极连接；第二 P型MOS管MP2的栅极与差分信号输入端的正端Vin+连接，第三P型MOS管MP3的栅极与差分信号输入端的负端Vin-连接；第二 P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管N3的源极和第十P型MOS管MPlO的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管N4的源极和第九P型MOS管MP9的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极和第五P型MOS管MP5的栅极连接；第三N型MOS管N3的栅极和第四N型MOS管N4的栅极连接；第一 N型MOS管NI的栅极和第二 N型MOS管N2的栅极连接；第一 N型MOS管NI的源极、第二 N型MOS管N2的源极和电阻R2的一端连接；第九P型MOS管MP9的栅极、电容C的另一端、开关SI的一端和单端信号输出端Vo连接；第八P型MOS管MP8的漏极、第九P型MOS管MP9的源极和第十P型MOS管MPlO的源极连接；第十P型MOS管MPlO的栅极、电阻Rl的另一端和电阻R2的另一端连接；第四P型MOS管MP4的漏极和第六P型MOS管MP6的源极连接 ，第五P型MOS管MP5的漏极和第七P型MOS管MP7的源极连接；第六P型MOS管MP6的漏极和第三N型MOS管N3的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管N4的漏极和开关SI的另一端连接。所述的增益単元包含三级第一级为跨导级，跨导级包括第一 P型MOS管MPl、第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3 ;第一 P型MOS管MPl为跨导级电流源，第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3为P型差分对管，构成增益単元的跨导器件，将输入电压信号转化为电流；第二级为阻抗级，包括第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7、第一 N型MOS管MNl、第二 N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4组成共源共栅电流镜；阻抗级将电流信号转化为电压信号，并产生足够的増益；第三级为失调信息存储级，包括 第八P型MOS管MP8、第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MP10，分压电阻R1、R2提供接近VDD/2的直流偏置；第八P型MOS管MP8为第三级电流源；第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MPlO为P型差分对管，用于将存储的失调 电压信号转化为电流信号，由于失调电压往往较小，因此第三级需要较小的跨导，因此MP9、MPlO采用倒比管。所述的第一增益单元AMP_CELL1的反相输入端Vin_、开关S2的一端和开关S3的一端连接；开关S3的另一端、开关S5的另一端、第^ P型MOS管MPll的漏极、第^ N型MOS管丽11的漏极、电容C2的一端、电容C3的一端、电容C4的一端、输出端Vo连接；增益单元AMP_CELL2的反相输入端Vin-、开关S4的一端和开关S5的一端连接；增益单元AMP_CELLl的同相输入端Vin+、增益单元AMP_CELL2的同相输入端Vin+、开关S2的另一端、开关S4的一端和信号输入端Vin连接；增益单元AMP_CELL1的输出端和开关S6的一端连接；±曾益单元AMP_CELL2的输出端和开关S7的一端连接；开关S6的另一端连接、开关S7的另ー端连接、电容C2的另一端、第i^一 P型MOS管MPll的栅极和第十二 P型MOS管MP12的栅极连接；第^^一 P型MOS管MPll的源极、第十二 P型MOS管MP12的源极、第十三P型MOS管MP13的源极、第十四P型MOS管MP14的源极、电容C3的另一端和电流源IB的流入方向连接；第^^一 N型MOS管丽11的源极、第十二 N型MOS管丽12的源极、第十三N型MOS管丽13的源极、第十四N型MOS管丽14的源极、第十五N型MOS管丽15的源极和电容C4的另一端连接；第十二 P型MOS管MP12的漏极、第十二 N型MOS管丽12的漏极、第十二 N型MOS管匪12的栅极和第十三N型MOS管匪13的栅极连接；第^^一 N型MOS管Nll的栅极、第十三N型MOS管匪13的漏极和第十三P型MOS管MP13的漏极连接；第十三P型MOS管MP13的栅极、第十四P型MOS管MP14的栅极、第十四P型MOS管MP14的漏极、第十四N型MOS管匪14的栅极、第十四N型MOS管匪14的漏极和第十五N型MOS管匪15的栅极连接；电流源IB的流出方向和第十五N型MOS管丽15的漏极连接。所述的输出级的电流源构成偏置模块包括3个双极型晶体管，8个P型MOS管，6个N型MOS管、9个电阻和I个电容，其中，第一 P型MOS管MPl的栅极与使能端EN连接；第一 P型MOS管MPl的漏极与第一N型MOS管匪I的漏极、栅极以及第ニ N型MOS管匪2的栅极连接；第一 N型MOS管匪I的源极与第一 P型双极型晶体管Pl的射极连接；第二 P型MOS管MP2的漏扱、栅极，第三P型MOS管MP3的栅极与第二 N型MOS管匪2的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极与零温漂电流输出端Iout连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极、电阻R2的一端与电阻R3的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的集电极、电阻R2另一端与第三N型MOS管匪3的栅极连接；第ニ N型双极型晶体管N2的集电极、电阻R3另一端与第四N型MOS管MN4的栅极连接；第ニ N型双极型晶体管N2的发射极与电阻R4的一端连接 ，第一 N型双极型晶体管NI的基极、第二 N型双极型晶体管N2的基板、电阻R6的一端与电阻R7的一端连接；第六P型MOS管MP6的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第三N型MOS管匪3的漏极与第七P型MOS管MP7的栅极连接；第三N型MOS管丽3的源极、第四N型MOS管MN4的源极与第五N型MOS管匪5的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极与电容Cl 一端连接 ，第五N型MOS管匪5的栅极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极与电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端、电阻R9的一端与第八P型MOS管MP8的漏极连接；电阻R9的另一端与电容Cl的另一端连接。所述的增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2中的第一 P型MOS管MPl的源极、第二 P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七 P型MOS管MP7的源极、第八P型MOS管MP8的源极与电阻R8的另一端与电源VDD连接。所述的增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2中的第一 P型双极型晶体管Pl的集电极、第一 P型双极型晶体管Pl的基板、电阻Rl的另一端、第一 N型双极型晶体管NI的发射扱、电阻R4的另一端、第五N型MOS管匪5的源扱、电阻R7的另一端、第六N型MOS管MN6的源极与地GND连接。本实用新型的优点包括两个增益単元、ー个偏置模块、三个电容、一个电流源、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管，其中每个增益単元包括一个电容、两个电阻、ー个开关、10个P型MOS管和4个N型MOS管；该电路克服了传统运算放大器失调大，温度系数大，驱动能力不足等缺点，适用于直流失调要求苛刻等精密电路领域。该电路采用折叠共源共栅结构作为放大器的增益级，获得了高电压增益和高电源抑制比；采用了 MOS电容存储运放因エ艺偏差等因素带来的失调信息，并在闭环使用时逐次自动校准，实现了低的直流失调；采用了温度补偿技术实现了较低的温度系数；采用了 AB类的推挽输出，获得了闻的驱动能力。
下面结合实施例附图对本实用新型作进ー步说明图I是本实用新型实施例失调自校准运算放大器包含増益级和输出级两级电路图；图2是运算放大器增益单元；图3是偏置模块电路图；图4 Ca)是失调自校准运算放大器的工作过程；图4 (b)是经过多周期的迭代逐渐减小运算放大器的失调误差。
具体实施方式
如图I所示，ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，包括增益级和输出级，其中，增益级包含2个增益単元和6个开关；输出级包括一个电流源构成的偏置模块、三个电容、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管，图2给出增益单元具体电路图，增益单元包含三级第一级为跨导级，跨导级包括第一 P型MOS管MP1、第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3 ;第一 P型MOS管MPl为跨导级电流源，第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3为P型差分对管，构成增益単元的跨导器件，将输入电压信号转化为电流。第二级为阻抗级，包括第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7、第一 N型MOS管MNl 、第二 N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4组成共源共栅电流镜。阻抗级将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益。第三级为失调信息存储级，包括 第八P型MOS管MP8、第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MP10，分压电阻R1、R2提供接近VDD/2的直流偏置；第八P型MOS管MP8为第三级电流源。第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MPlO为P型差分对管，用于将存储的失调电压信号转化为电流信号，由于失调电压往往较小，因此第三级需要较小的跨导，因此MP9、MPlO采用倒比管。增益单元AMP_CELL1的反相输入端Vin-、开关S2的一端和开关S3的一端连接；开关S3的另一端、开关S5的另一端、第i^一 P型MOS管MPll的漏极、第i^一 N型MOS管匪11的漏极、电容C2的一端、电容C3的一端、电容C4的一端、输出端Vo连接；增益单元AMP_CELL2的反相输入端Vin-、开关S4的一端和开关S5的一端连接；增益单元AMP_CELL1的同相输入端Vin+、增益单兀AMP_CELL2的同相输入端Vin+、开关S2的另一端、开关S4的一端和信号输入端Vin连接；增益单元AMP_CELL1的输出端和开关S6的一端连接；增益单元AMP_CELL2的输出端和开关S7的一端连接；开关S6的另一端连接、开关S7的另一端连接、电容C2的另一端、第i^一 P型MOS管MPll的栅极和第十二 P型MOS管MP12的栅极连接；第i^一 P型MOS管MPll的源极、第十二 P型MOS管MP12的源极、第十三P型MOS管MP13的源极、第十四P型MOS管MP14的源扱、电容C3的另一端和电流源IB的流入方向连接；第i^一 N型MOS管丽11的源极、第十二 N型MOS管丽12的源极、第十三N型MOS管丽13的源极、第十四N型MOS管丽14的源极、第十五N型MOS管丽15的源极和电容C4的另一端连接；第十二 P型MOS管MP12的漏极、第十二 N型MOS管匪12的漏极、第十二 N型MOS管匪12的栅极和第十三N型MOS管匪13的栅极连接；第^^一 N型MOS管Nll的栅极、第十三N型MOS管匪13的漏极和第十三P型MOS管MP13的漏极；第十三P型MOS管MP13的栅极、第十四P型MOS管MP14的栅极、第十四P型MOS管MP14的漏极、第十四N型MOS管丽14四的栅极、第十四N型MOS管丽14四的漏极和第十五N型MOS管丽15四的栅极；电流源IB的流出方向和第十五N型MOS管丽15的漏极连接。其中增益单元，包括一个电容、两个电阻、ー个开关、10个P型MOS管和4个N型MOS管，第一 P型MOS管MPl的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第五P型MOS管MP5的源极、电容C的一端、第八P型MOS管MP8的源极和电阻Rl的一端连接；第一 P型MOS管MPl的漏极、第二 P型MOS管MP2的源极和第三P型MOS管MP3的源极连接；第二 P型MOS管MP2的栅极与差分信号输入端的正端Vin+连接，第三P型MOS管MP3的栅极与差分信号输入端的负端Vin-连接；第二 P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管N3的源极和第十P型MOS管MPlO的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管N4的源极和第九P型MOS管MP9的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极和第五P型MOS管MP5的栅极连接；第三N型MOS管N3的栅极和第四N型MOS管N4的栅极连接 ，第一 N型MOS管NI的栅极和第二 N型MOS管N2的栅极连接；第一 N型MOS管NI的源极、第二 N型MOS管N2的源极和电阻R2的一端连接；第九P型MOS管MP9的栅极、电容C的另一端、开关SI的一端和单端信号输出端Vo连接；第八P型MOS管MP8的漏极、第九P型MOS管MP9的源极和第十P型MOS管MPlO的源极连接；第十P型MOS管MPlO的栅极、电阻Rl的另一端和电阻R2的另一端连接；第四P型MOS管MP4的漏极和第六P型MOS管MP6的源极连接 ，第五P型MOS管MP5的漏极和第七P型MOS管MP7的源极连接 ’第六P型MOS管MP6的漏极和第三N型MOS管N3的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管N4的漏极和开关SI的另一端连接。其中偏置模块如图3所示，包括3个双极型晶体管，8个P型MOS管，6个N型MOS管、9个电阻和I个电容。其特征是第一 P型MOS管MPl的栅极与使能端EN连接；第一 P型MOS管MPl的漏极与第一 N型MOS管匪I的漏极、栅极以及第ニ N型MOS管匪2的栅极连接；第一 N型MOS管匪I的源极与第一 P型双极型晶体管Pl的射极连接；第二 P型MOS管MP2的漏扱、栅极，第三P型MOS管MP3的栅极与第二 N型MOS管匪2的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极与零温漂电流输出端Iout连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极、电阻R2的一端与电阻R3的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的集电极、电阻R2另一端与第三N型MOS管匪3的栅极连接；第ニ N型双极型晶体管N2的集电极、电阻R3另一端与第四N型MOS管MN4的栅极连接；第ニ N型双极型晶体管N2的发射极与电阻R4的一端连接 ，第一 N型双极型晶体管NI的基极、第二 N型双极型晶体管N2的基板、电阻R6的一端与电阻R7的一端连接；第六P型MOS管MP6的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第三N型MOS管匪3的漏极与第七P型MOS管MP7的栅极连接；第三N型MOS管丽3的源极、第四N型MOS管MN4的源极与第五N型MOS管匪5的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极与电容Cl 一端连接 ，第五N型MOS管匪5的栅极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极与电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端、电阻R9的一端与第八P型MOS管MP8的漏极连接；电阻R9的另一端与电容Cl的另一端连接。第一 P型MOS管MPl的源极、第二 P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极、第八P型MOS管MP8的源极与电阻R8的另一端与电源VDD连接。第一 P型双极型晶体管Pl的集电极、第一 P型双极型晶体管Pl的基极、电阻Rl的另一端、第一 N型双极型晶体管NI的发射扱、电阻R4的另一端、第五N型MOS管丽5的源极、电阻R7的另一端、第六N型MOS管MN6的源极与地GND连接。如图3所示，偏置模块中，MP1-MP3、丽1-MN2、PI、Rl组成的电路产生负温度
V
系数电流ニMP4-MP5、MN1-MN2、NI、N2、R2-R5组成的电路产生PTAT电流
权利要求1.ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，包括增益级和输出级，其特征是增益级包括增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2，和6个开关；输出级包括一个电流源构成的偏置模块、三个电容、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管， 所述的增益单元AMP_CELL1或增益单元AMP_CELL2包括一个电容、两个电阻、ー个开关、I O个P型MOS管和4个N型MOS管，第一 P型MOS管MPl的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第六P型MOS管MP6的栅极、第七P型MOS管MP7的栅极、第五P型MOS管MP5的源极、电容C的一端、第八P型MOS管MP8的源极和电阻Rl的一端连接；第一 P型MOS管MPl的漏极、第二 P型MOS管MP2的源极和第三P型MOS管MP3的源极连接；第二 P型MOS管MP2的栅极与差分信号输入端的正端Vin+连接，第三P型MOS管MP3的栅极与差分信号输入端的负端Vin-连接；第二 P型MOS管MP2的漏极、第三N型MOS管N3的源极和第十P型MOS管MPlO的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四N型MOS管N4的源极和第九P型MOS管MP9的漏极连接；第四P型MOS管MP4的栅极和第五P型MOS管MP5的栅极连接；第三N型MOS管N3的栅极和第四N型MOS管N4的栅极连接；第一 N型MOS管NI的栅极和第二 N型MOS管N2的栅极连接；第一 N型MOS管NI的源极、第二 N型MOS管N2的源极和电阻R2的一端连接；第九P型MOS管MP9的栅极、电容C的另一端、开关SI的一端和单端信号输出端Vo连接；第八P型MOS管MP8的漏极、第九P型MOS管MP9的源极和第十P型MOS管MPlO的源极连接；第十P型MOS管MPlO的栅极、电阻Rl的另一端和电阻R2的另一端连接；第四P型MOS管MP4的漏极和第六P型MOS管MP6的源极连接 ，第五P型MOS管MP5的漏极和第七P型MOS管MP7的源极连接；第六P型MOS管MP6的漏极和第三N型MOS管N3的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管N4的漏极和开关SI的另一端连接。
2.根据权利要求I所述的ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，其特征是所述的增益单元包含三级 第一级为跨导级，跨导级包括第一 P型MOS管MPl、第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3 ;第一 P型MOS管MPl为跨导级电流源，第二 P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3为P型差分对管，构成增益単元的跨导器件，将输入电压信号转化为电流； 第二级为阻抗级，包括第四P型MOS管MP4、第五P型MOS管MP5、第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7、第一 N型MOS管丽I、第二 N型MOS管丽2、第三N型MOS管丽3、第四N型MOS管MN4组成共源共栅电流镜；阻抗级将电流信号转化为电压信号，并产生足够的增益； 第三级为失调信息存储级，包括 第八P型MOS管MP8、第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MP10，分压电阻R1、R2提供接近VDD/2的直流偏置；第八P型MOS管MP8为第三级电流源；第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MPlO为P型差分对管，用于将存储的失调电压信号转化为电流信号，由于失调电压往往较小，因此第三级需要较小的跨导，因此MP9、MP10采用倒比管。
3.根据权利要求I所述的ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，其特征是所述的增益单元AMP_CELL1的反相输入端Vin-、开关S2的一端和开关S3的一端连接；开关S3的另一端、开关S5的另一端、第i^一 P型MOS管MPll的漏极、第i^一 N型MOS管丽11的漏极、电容C2的一端、电容C3的一端、电容C4的一端、输出端Vo连接；增益单元AMP_CELL2的反相输入端Vin-、开关S4的一端和开关S5的一端连接；增益单兀AMP_CELL1的同相输入端Vin+、增益单元AMP_CELL2的同相输入端Vin+、开关S2的另一端、开关S4的一端和信号输入端Vin连接；增益单元AMP_CELL1的输出端和开关S6的一端连接；增益单元AMP_CELL2的输出端和开关S7的一端连接；开关S6的另一端连接、开关S7的另一端连接、电容C2的另一端、第i^一 P型MOS管MPll的栅极和第十二 P型MOS管MP12的栅极连接；第^^一P型MOS管MPll的源极、第十二 P型MOS管MP12的源极、第十三P型MOS管MP13的源极、第十四P型MOS-MPH的源极、电容C3的另一端和电流源IB的流入方向连接；第^^一 N型MOS管匪11的源极、第十二 N型MOS管匪12的源极、第十三N型MOS管匪13的源极、第十四N型MOS管匪14的源极、第十五N型MOS管匪15的源极和电容C4的另一端连接；第十二 P型MOS管MP12的漏极、第十二 N型MOS管丽12的漏极、第十二 N型MOS管丽12的栅极和第十三N型MOS管匪13的栅极连接；第^^一 N型MOS管NI I的栅极、第十三N型MOS管丽13的漏极和第十三P型MOS管MP13的漏极连接；第十三P型MOS管MP13的栅极、第十四P型MOS-MPH的栅极、第十四P型MOS-MPH的漏极、第十四N型MOS管丽14的栅极、第十四N型MOS管丽14的漏极和第十五N型MOS管丽15的栅极连接；电流源IB的流出方向和第十五N型MOS管丽15的漏极连接。
4.根据权利要求I所述的ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，其特征是所述的输出级的电流源构成偏置模块包括3个双极型晶体管，8个P型MOS管，6个N型MOS管、9个电阻和I个电容，其中， 第一 P型MOS管MPl的栅极与使能端EN连接；第一 P型MOS管MPl的漏极与第一 N型MOS管匪I的漏极、栅极以及第ニ N型MOS管匪2的栅极连接；第一 N型MOS管匪I的源极与第一 P型双极型晶体管Pl的射极连接；第二 P型MOS管MP2的漏极、栅极，第三P型MOS管MP3的栅极与第二 N型MOS管丽2的漏极连接；第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极与零温漂电流输出端Iout连接；第四P型MOS管MP4的栅极、第五P型MOS管MP5的漏极、第五P型MOS管MP5的栅极、电阻R2的一端与电阻R3的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的集电极、电阻R2另一端与第三N型MOS管匪3的栅极连接；第二N型双极型晶体管N2的集电极、电阻R3另一端与第四N型MOS管MN4的栅极连接；第二 N型双极型晶体管N2的发射极与电阻R4的一端连接；第一 N型双极型晶体管NI的基极、第ニ N型双极型晶体管N2的基板、电阻R6的一端与电阻R7的一端连接；第六P型MOS管MP6的漏极、第六P型MOS管MP6的栅极、第三N型MOS管匪3的漏极与第七P型MOS管MP7的栅极连接 ,第三N型MOS管丽3的源极、第四N型MOS管MN4的源极与第五N型MOS管丽5的漏极连接；第七P型MOS管MP7的漏极、第四N型MOS管MN4的漏极、第八P型MOS管MP8的栅极与电容Cl 一端连接；第五N型MOS管匪5的栅极、第六N型MOS管MN6的漏极、第六N型MOS管MN6的漏极与电阻R6的一端连接；电阻R6的另一端、电阻R9的一端与第八P型MOS管MP8的漏极连接；电阻R9的另一端与电容Cl的另一端连接。
5.根据权利要求I所述的ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，其特征是所述的增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2中的第一 P型MOS管MPl的源极、第二 P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极、第五P型MOS管MP5的源极、第六P型MOS管MP6的源极、第七P型MOS管MP7的源极、第八P型MOS管MP8的源极与电阻R8的另一端与电源VDD连接。
6.根据权利要求I所述的ー种低温漂失调自校准运算放大器电路，其特征是所述的增益单元AMP_CELL1、增益单元AMP_CELL2中的第一 P型双极型晶体管Pl的集电极、第一 P型双极型晶体管Pl的基极、电阻Rl的另一端、第一 N型双极型晶体管NI的发射极、电阻R4的另一端、第五N型MOS管丽5的源极、电阻R7的另一端、第六N型MOS管MN6的源极与地GND连接。
专利摘要本实用新型涉及一种低温漂失调自校准运算放大器电路，它包括两个增益单元、一个偏置模块、三个电容、一个电流源、六个开关、4个P型MOS管和5个N型MOS管,其中每个增益单元包括一个电容、两个电阻、一个开关、10个P型MOS管和4个N型MOS管；它采用折叠共源共栅结构作为放大器的增益级，获得了高电压增益和高电源抑制比；采用了MOS电容存储运放因工艺偏差等因素带来的失调信息，并在闭环使用时逐次自动校准，实现了低的直流失调；采用了温度补偿技术实现了较低的温度系数；采用了AB类的推挽输出，获得了高的驱动能力。
文档编号H03F3/20GK202455317SQ20112053458
公开日2012年9月26日 申请日期2011年12月20日 优先权日2011年12月20日
发明者孙权, 王晓飞, 袁晓云 申请人:西安航天民芯科技有限公司