一种触发器的制造方法

文档序号:7540858阅读:362来源:国知局
一种触发器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种触发器,包括:高电平阈值比较器、低电平阈值比较器、带使能控制的或非门电路及反相器;其中,所述高电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第一输入端电性连接;所述低电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第二输入端电性连接;所述带使能控制的或非门电路的输出端与所述反相器的输入端电性连接,所述反相器的输出端反馈至所述带使能控制的或非门电路的第三输入端,从而可以使触发器的前后沿触发电压不受电源电压和温度的影响。
【专利说明】一种触发器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域,尤其涉及一种触发器。
【背景技术】
[0002]在现有技术中,施密特触发器是一种脉冲波形整形电路,它可以把变化缓慢的信号或变化不规则的信号转换为陡变信号。图1所示为理想施密特触发器的直流电压传输特性曲线图,这种曲线类似于迟滞回线,其特性的两个重要参数是前沿触发电压V+和后沿触发电压V—。前沿触发电压V+是输入电压增加过程中引起电路翻转动作的触发点压,后沿触发电压r是输入电压减小过程中引起电路翻转动作的触发点压。
[0003]图2所示为一种采用NMOS管实现的施密特触发器。作为一级近似,且忽略体效应,可以认为M2开始导通时出现触发点。当M2的电流为零时,如果输入电压为V+,则反馈电压Vfb为:Vfb=V+-Vto,其中Vto是N沟晶体管的开启电压。对于触发点处的输入电压,下拉管Ml处在饱和区的边缘。Vfb决定于M3与Ml的W / L之比。求解触发电压,可以得到:
【权利要求】
1.一种触发器,其特征在于,包括: 高电平阈值比较器、低电平阈值比较器、带使能控制的或非门电路及反相器; 其中,所述高电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第一输入端电性连接; 所述低电平阈值比较器的输出端与所述带使能控制的或非门电路的第二输入端电性连接; 所述带使能控制的或非门电路的输出端与所述反相器的输入端电性连接, 所述反相器的输出端反馈至所述带使能控制的或非门电路的第三输入端。
2.根据权利要求1所述的触发器,其特征在于:所述高电平阈值比较器的正向输入端与信号输入端电性连接,所述高电平阈值比较器的反向输入端与高阈值电压输入端电性连接。
3.根据权利要求1所述的触发器,其特征在于:所述低电平阈值比较器的正向输入端与信号输入端电性连接,所述高电平阈值比较器的反向输入端与低阈值电压输入端电性连接。
4.根据权利要求1所述的触发器,其特征在于:所述带使能控制的或非门电路包括:第一 ?108管、第二 ?103管、第三?103管、第一匪03管、第二腳03管、第三腳03管。
5.根据权利要求4所述的触发器,其特征在于:所述第一?103管的源极与第二?103管的源极电性连接至电源,所述第一?103管的漏极与第二?103管的漏极电性连接,所述第一 ?108管的漏极与第三?103管的源极电性连接,所述第三?103管的漏极与第一匪03管的源极电性连接,第一匪03管的漏极与第三匪03管的源极电性连接,第二匪03管的源极与第一匪03管的源极电性连接。
6.根据权利要求5所述的触发器,其特征在于:所述反相器的输入端与所述第三?103管的漏极、所述第一匪03管的源极及所述第二匪03管的源极同时电性连接。
7.根据权利要求4所述的触发器,其特征在于:所述第三1^03管的栅极与所述第二匪03管的栅极电性连接,其中,所述第三?103管的栅极与所述第二匪03管的栅极的电性连接点为所述的第一输入端。
8.根据权利要求4所述的触发器,其特征在于的栅极电性连接,其中,所述第一?103管的栅极与第三匪03管的栅极的电性连接点为所述的第二输入端。
9.根据权利要求4所述的触发器,其特征在于:所述第一匪03管的栅极与第二?103管的栅极电性连接,其中,所述第一匪03管的栅极与第二 ?103管的栅极电性连接为所述的第三输入端。
【文档编号】H03K3/3565GK103840798SQ201210491246
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月27日 优先权日:2012年11月27日
【发明者】刘敬波, 王斌, 赵秋奇, 刘俊秀, 石岭 申请人:深圳艾科创新微电子有限公司, 深圳集成电路设计产业化基地管理中心
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