电平转换电路、用于驱动高压器件的驱动电路以及相应的方法
【专利摘要】本发明提供了电平转换电路、用于驱动高压器件的驱动电路以及相应的方法。所述用于驱动高压器件的驱动电路，包括：稳压二极管，其阴极连接至高压供电电压，其阳极经过电阻器接至低电压域的地电位；高压PMOS晶体管，其栅极与所述电阻器的阳极连接，其漏极接至所述低电压域的地电位，其源极可操作以提供高电压域的地电位；电平转换器，可操作以将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号并输出所述第二信号；以及低压驱动电路，可操作以接收所述第二信号，并且将所述第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。本发明使得可以用低压器件驱动高压器件，以简单有效的方式实现了对高压器件的驱动。
【专利说明】电平转换电路、用于驱动高压器件的驱动电路以及相应的方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例主要涉及电子电路设计的【技术领域】，具体而言，涉及电平转换电路、使用低压器件来驱动高压器件的驱动电路、电平转换方法以及使用低压器件来驱动高压器件的驱动方法。
【背景技术】
[0002]传统的晶体管、CMOS等半导体器件一般工作在低压(即，高压信号电平与低压信号电平之间相差5伏)下。，这样的低压器件的特点是高速、低功耗和低的热耗散。但是，在新一代电子产品设计中，低压晶体管或者CMOS电平已不再占据逻辑电路的统治地位。半导体器件的制造厂商随之推出了可以在高压(即，高压信号电平与低压信号电平之间的电压差大于5伏)下能够正常工作的半导体器件。虽然这种高压器件在很多时候极大地满足了应用需求，但是与低压器件相比，其不利方面是设计制造复杂、成本高、低速、高功耗和高的热耗散等。
[0003]另一方面，高压CMOS等半导体器件必然需要更高的电压(如大于5V)来驱动，这要求驱动级由能承受更高的电压的器件来构造，势必增大集成电路的尺寸，增加了成本，同时对散热的要求也更高。
【发明内容】
[0004]本发明的目的之一在于提供一种使用低压器件以在低压域的信号来控制高压器件的方案。
[0005]根据本发明的一个方面，提供了一种用于驱动高压器件的驱动电路，包括:稳压二极管，其阴极连接至高压供电电压，其阳极经过电阻器接至低电压域的地电位；高压PMOS晶体管，其栅极与电阻器的阳极连接，其漏极接至低电压域的地电位，其源极可操作以提供高电压域的地电位；电平转换器，其工作电压端连接至高压供电电压，其第一接地端接至低电压域的地电位，其第二接地端接至高电压域的地电位，电平转换器可操作以将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号并输出第二信号；以及低压驱动电路，连接在高压供电压与高电压域的地电位之间，可操作以接收第二信号，并且将第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。
[0006]在一个例子中，低压驱动电路包括:低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收第二信号，它们的漏极连接在一起用于提供第三信号。低压PMOS晶体管的源极接至高压供电电压，低压NMOS晶体管的源极接至高电压域的地电位。
[0007]在一个例子中，低压驱动电路包括低压运算放大电路，其输入端用于接收第二信号，其输出端用于提供第三信号。
[0008]在一个例子中，还包括:高压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管。高压PMOS晶体管的源极和高压NMOS晶体管的源极分别接至高压供电电压和低电压域的地电位；高压PMOS晶体管的栅极用于接收所述第三信号；高压NMOS晶体管的栅极用于接收所述第一信号；高压PMOS晶体管的漏极和高压NMOS晶体管的漏极连接在一起用于提供第四信号。
[0009]在一个例子中，第一信号的变化范围在O伏与5伏之间，第二信号和第三信号的变化范围在高压供电电压减5伏与高压供电电压之间，第四信号的变化范围在O伏与高压供电电压之间。
[0010]在一个例子中，高压供电电压为100伏或100伏以下的任一预定电压值。
[0011]在一个例子中，高压供电电压为8伏、12伏、20伏、24伏、48伏中的一个。
[0012]在一个例子中，电平转换器包括多个开关元件。
[0013]在一个例子中，电平转换器包括串联的第一反相器和第二反相器，其中第一反相器工作在高压供电电压与低电压域的地电位之间，用于接收所述第一信号；并且其中第二反相器工作在高压供电电压与高电压域的地电位之间，用于提供所述第二信号。
[0014]根据本发明的另一个方面，提供了一种用于驱动高压器件的方法，包括:利用稳压二极管、高压PMOS晶体管和电阻器提供一个高电压域的地电位，其中稳压二极管的阴极连接至高压供电电压，其阳极经过电阻器接至低电压域的地电位，并且其中高压PMOS晶体管的栅极与电阻器的阳极连接，其漏极接至低电压域的地电位，其源极可操作以提供高电压域的地电位；利用电平转换器将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号，其中电平转换器的工作电压端连接至高压供电电压，其第一接地端接至低电压域的地电位，并且其第二接地端接至高电压域的地电位；以及利用低压驱动电路将第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。
[0015]在一个例子中，低压驱动电路包括:低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收第二信号，它们的漏极连接在一起用于提供第三信号，低压PMOS晶体管的源极接至高压供电电压，低压NMOS晶体管的源极接至高电压域的地电位。
[0016]在一个例子中，低压驱动电路包括低压运算放大电路，其输入端用于接收第二信号，其输出端用于提供第三信号。
[0017]在一个例子中，还包括:利用串联的高压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管、基于第一信号和第三信号提供第四信号。高压PMOS晶体管的源极和高压NMOS晶体管的源极分别接至高压供电电压和低电压域的地电位；高压PMOS晶体管的栅极用于接收第三信号；高压NMOS晶体管的栅极用于接收所述第一信号；高压PMOS晶体管的漏极和高压NMOS晶体管的漏极连接在一起用于提供第四信号。
[0018]在一个例子中，第一信号的变化范围在O伏与5伏之间，第二信号和第三信号的变化范围在高压供电电压减5伏与高压供电电压之间，第四信号的变化范围在O伏与高压供电电压之间。
[0019]在一个例子中，其中高压供电电压为100伏或100伏以下的任一预定电压值。
[0020]根据本发明的实施方式，由于不再以高压器件来驱动和控制高压器件，代之以低压器件来驱动和控制高压器件，因而减少了电路设计中高压管的使用，减少了成片的尺寸和面积，使得高压器件的电平转换器和驱动级高速、低功耗和低热耗散工作。
[0021]在说明书中所描述的特点和优点并非全部，尤其是，结合附图和说明书，许多附加的特征和优点将对于本领域普通技术人员而言将是明显的。此外，应当指出的是，本说明书中所使用的用语主要是出于可读性和指导性的目的而被选择的，并且可能不是被选择以描述或限制创造性的技术方案。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]通过结合附图考虑如下详细描述，本发明实施例的教导可以被很容易地理解。
[0023]图1示出了根据本发明一个实施方式的驱动电路示意图；
[0024]图2是本发明一个实施方式中的电平转换器的电路示意图；以及
[0025]图3是本发明一个实施方式中的另一电平转换器的电路示意图。
[0026]在说明书中和/或在附图中出现的各种缩写词定义如下:
[0027]CMOS互补金属氧化物半导体
[0028]IN输入
[0029]MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
[0030](简称 MOS 管)
[0031]NMOSN 型 MOSFET
[0032]PMOSP 型 MOSFET [0033]OUT输出
[0034]OUTs电平转换器的输出
[0035]OUTd驱动级的输出
[0036]Rl电阻器
[0037]VDDH高压供电电压(如高压电源电压)、
[0038]或高压供电端
[0039]VH相对高压供电端
[0040]VL相对低压供电端
[0041]VSS逻辑地
[0042]VFG浮动地电压
[0043]Vthp半导体器件的阈值电压
[0044]VZ稳压管的反向击穿电压
[0045]ZD稳压二极管
[0046]LV PMOS低压 PMOS
[0047]HV PMOS高压 PMOS
[0048]LV NMOS低压 NMOS
[0049]HV NMOS高压 NMOS
[0050]MP1、MP2、MP3PMOS 管[0051 ]MNl、MN2、MN3 NMOS 管
【具体实施方式】
[0052]附图和下面的描述仅通过说明的方式涉及本发明的诸多实施例。从下述讨论中应当注意到，此处描述的结构和方法的备选实施例将很容易地被认为是可以在不脱离本发明原理的情况下而被使用的可行的备选方案。
[0053]现在将详细参照本发明的若干实施例，在附图中示出了其示例。应当注意到，只要可行，在附图中可以使用相似或者相同的附图标记，并且它们可以用以指示相似或者相同的功能。附图仅出于说明的目的而描述本发明的若干实施例。本领域技术人员将很容易从下面的描述中认识到此处说明的结构和方法的备选实施例可以在不脱离此处描述的实施例的原理的情况下而被使用。只要可行，下面所述的方法步骤未必按所例示的顺序执行。
[0054]作为示例，在以下的描述中，将信号幅度在高压信号电平和低压信号电平之间的电压差小于或等于5伏的电压范围称为低电压域，S卩O伏-5伏。将在这样的电压域中正常工作的器件称为低压器件。将信号幅度在高压信号电平和低压信号电平之间的电压差大于5伏的电压范围称为高电压域，将在这样的电压域中正常工作的器件称为高压器件。
[0055]图1示出了根据本发明一个实施方式的驱动电路示意图。该示例性电路包括电平转换器110、驱动级120和输出级。输出级包括高压PMOS管160和高压NMOS管170。
[0056]电平转换器110可操作地用于接收电平在低电压域的高电平和低电平之间变化的输入信号101，并且输出电平在高电平(高压供电电压VDDH)和低电平(或称浮动地电压VFG)之间变化的输出信号102。电平转换器110的工作电压端连接至高压供电电压VDDH，其第一接地端接至所述低电压域的地电位VSS，其第二接地端接至高电压域的地电位。在一个例子中，高压供电电压为100伏或100伏以下的任一预定电压值。在另外一些例子中，高压供电电压为8伏、12伏、20伏、24伏、48伏中的一个。高电压域的地电位由以下详述的浮动地电压产生级提供。
[0057]浮动地电压产生级包括稳压二极管ZD 130、电阻器Rl 140和高压PMOS管MP3150。稳压二极管ZD的阴极接至高压供电端VDDH其阳极通过电阻器Rl接地VSS。稳压二极管ZD的阳极连接到高压PMOS管MP3的栅极，高压PMOS管MP3的漏极接地VSS，高压PMOS管MP3的源极可操作以提供上述高电压域的地电位。
[0058]在图1所示出的本发明实施例的原理性电路图的工作过程中，高压供电端VDDH(或者电源端)的电压大于稳压二极管ZD的反向击穿电压VZ，则A点的电压VA，S卩，高压PMOS管MP3的栅极和漏极之间的电压Vgd，为VDDH-VZ，于是MP3不导通，则MP3的源极的电压(即图1中的B点的电压，可标识为浮动地电压VFD)为
[0059]VFG = VDDH-VZ-Vthp,
[0060]其中VFG代表所述浮动地电压，VDDH代表高压供电电压，VZ代表所述稳压二极管的反向击穿电压，Vthp代表所述高压PMOS管的阈值电压。根据CMOS管的特性，Vthp等于MOS管的漏极和源极之间的电压Vds。
[0061]根据本发明的一个实施例，稳压二极管ZD通常选取为其反向击穿电压VZ等于约6伏，MOS管的阈值电压通常为-1伏，则浮动地电压VFG = VDDH-Vz-Vthp = VDDH-5伏。
[0062]根据本发明的一个实施例，高压供电端VDDH的电压选取为20伏，则得到的浮动地电压VFe约为15V。可替换地，本发明实施例的电源电压VDDH还可以选择为8V、12V、24V、36V、48V等，甚至高达100V也是可行的。可替换地，也可以选取其反向击穿电压为6V之外的其他值。
[0063]根据本发明的实施例，电阻器Rl的选取根据稳压二极管的伏安特性，选取适当的电阻器Rl使得稳压二极管ZD的稳压特性更好。
[0064]根据本发明的一个实施例，浮动地电压产生级可以产生VDDH-5伏的高电压域的地电位。[0065]如上所述的电平转换器110可操作以将收到的低电压域中的第一信号101转换为高电压域中的第二信号102并输出该第二信号102。电平转换器110的具体实现方式可以本领域内公知的任何形式，不构成对本发明的限制。后文将参照图2和图3描述本发明实施方式中的两个电平转换器110的例子。
[0066]应当理解，上述第一信号101既可以是数字信号也可以是模拟信号；相应地，上述第二信号102也可以是数字信号或者模拟信号。
[0067]根据本发明的一个实施例，在第一信号101为低电压域的地电位(如,0V)信号时，电平转换器110输出高电压域的地电位信号(在一个例子中，为15V)作为第二信号102 ；在第一信号101为低电压域的高电位(如,5V)信号时，电平转换器110输出高电压域的高电位信号(在一个例子中，为20V)作为第二信号102。
[0068]根据本发明的又一个实施例,在第一信号101为低电压域的地电位(如,0V)与低电压域的高电位(如，5V)之间变化的信号时，电平转换器110输出在高电压域的地电位信号(在一个例子中，为15V)与高电压域的高电位信号(在一个例子中，为20V)之间变化的信号作为第二信号102。
[0069]虽然上述实施例是以5V的低电压域为例进行说明的，但本领域技术人员将理解低电压域和高电压域是相对的概念。上述实施例中5伏的低电压域仅是示例性的。本发明的方案将适应于1.8伏的电压域、6V的电压域、10伏的电压域、24V的电压域、等等。
[0070]图1还示例性示出了驱动级120和输出级。在这个例子中，驱动级120包括串联在一起的低压PMOS管MPl和低压NMOS管丽I。低压PMOS管MPl和低压NMOS管丽I是互补的，即，其中一个导通时，另一个截止，反之亦然。低压PMOS管MPl和低压NMOS管MNl的栅极同连接到电平转换器110的输出端，可操作以接收所述第二信号102。低压PMOS管MPl的源极连接到高压供应电压VDDH。低压NMOS管丽I的源极连接到前述的高电压域的地电位，即，浮动地VFG。低压PMOS管MPl和低压NMOS管丽I的漏极连接在一起用于提供第三信号103。这样，驱动级120将第二信号102适配为可以驱动高压器件的第三信号103。
[0071]在另一个例子中，驱动器120包括一个低压运算放大器(或电路)，其工作在前述高压供电电压与高压域的地电位之间，用于将第二信号102放大为第三信号103，以便以足够的功率来驱动高压器件(如，输出级中包括的高压MOS管160)。
[0072]图1还示出了一个可选的输出级。该输出级包括:串联的高压PMOS晶体管160和高压NMOS晶体管170 ;高压PMOS晶体管160的源极和高压NMOS晶体管170的源极分别接至高压供电电压VDDH和低电压域的地电位VSS ;高压PMOS晶体管160的栅极用于接收第三信号103，高压NMOS晶体管170的栅极用于接收第一信号101，高压PMOS晶体管160的漏极和高压NMOS晶体管170的漏极连接在一起用于提供第四信号104。
[0073]在上例中，串联在一起的PMOS管和NMOS管是互补的(S卩，一个MOS管导通时，另一个MOS管截止；反之亦然)，所以图1所示的驱动电路可以实现以下功能。
[0074]在第一信号101为低电压域的地电位(如,0V)信号时,第四信号104也为低电压域的地电位(如，0V)信号。在第一信号101为低电压域的高电位(如，5V)信号时，第四信号104则为高电压域的高电位(如，20V)信号。
[0075]在第一信号101在低电压域的地电位(如，0V)和低电压域的高电位(如，5V)之间变化时，第四信号104则在低电压域的地电位(如，0V)信号和高电压域的高电位(如，20V)之间变化。
[0076]由上述可见，虽然本发明实施例的输出级工作于高电压域，其工作电压范围可从VSS到VDDH(例如，0V-20V)，但是可以采用低器件(如，低压MOS管，低压运算放大器)来实现驱动级。相比高压器件，本发明的实施例减少了高压器件的数量，从而节省了芯片尺寸和面积，降低了成本。
[0077]图2是本发明一个实施方式中的电平转换器的电路示意图。如图2所示，电平转换器110包括串联的第一反相器210和第二反相器202，其中第一反相器201工作在高压供电电压VDDH与低电压域的地电位VSS之间，用于接收第一信号101 ;第二反相器202工作在高压供电电压VDDH与高电压域的地电位(即，前文所述的VFD ;如，VDDH-5V)之间，用于提供第二信号102。
[0078]图3是本发明一个实施方式中的另一电平转换器的电路示意图。如图3所示，电平转换器110包括多个开关元件(比如，Ml至M8)。如图3所示，端子IN_L用于接收图1中的第一信号101，端子Vsa用于接至图1中的VSS，端子Vddh用于接至图1中的VDDH，端子0UT_H用于输出图1中的第二信号102。端子Vm上的电压可从端子Vddh上的电压分压得到。
[0079]应当理解，除了图2和图3所示的电平转换器110之外，可以采用本领域中的任何适当的电平转换器，只要这样的电平转换器能够将图1中的第一信号101转换为图1中的第二信号102。
[0080]在另外的实施方式中，提供了一种用于驱动高压器件的方法。该方法包括:
[0081]利用稳压二极管130、高压PMOS晶体管150和电阻器140提供一个高电压域的地电位VFG，中稳压二极管130的阴极连接至高压供电电压VDDH，其阳极经过电阻器140接至低电压域的地电位VSS，并且其中高压PMOS晶体管150的栅极与电阻器140的阳极连接，其漏极接至低电压域的地电位VSS，其源极可操作以提供高电压域的地电位VFG ；
[0082]利用电平转换器110将收到的低电压域中的第一信号101转换为高电压域中的第二信号102，其中电平转换器110的工作电压端连接至高压供电电压VDDH，其第一接地端接至低电压域的地电位VSS，并且其第二接地端接至高电压域的地电位VFG ;以及
[0083]利用低压驱动电路120将第二信号102适配为可以驱动高压器件的第三信号103。
[0084]在一个例子中，低压驱动电路120包括:低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收第二信号102，它们的漏极连接在一起用于提供第三信号103，低压PMOS晶体管的源极接至高压供电电压VDDHdSS NMOS晶体管的源极接至高电压域的地电位VFG。
[0085]在一个例子中，低压驱动电路120包括低压运算放大电路，其输入端用于接收第二信号102，其输出端用于提供第三信号103。
[0086]在一个例子中，该方法还包括:利用串联的高压PMOS晶体管160和高压NMOS晶体管170、基于第一信号101和第三信号103提供第四信号104。高压PMOS晶体管160的源极和高压NMOS晶体管170的源极分别接至高压供电电压VDDH和低电压域的地电位VSS ；高压PMOS晶体管160的栅极用于接收第三信号103 ;高压NMOS晶体管170的栅极用于接收所述第一信号101 ;高压PMOS晶体管160的漏极和高压NMOS晶体管170的漏极连接在一起用于提供第四信号104。[0087]在一个例子中，第一信号101的变化范围在O伏与5伏之间，第二信号102和第三信号103的变化范围在高压供电电压VDDH减5伏与高压供电电压VDDH之间，第四信号104的变化范围在O伏与高压供电电压VDDH之间。
[0088]在一个例子中，其中高压供电电压VDDH为100伏或100伏以下的任一预定电压值。
[0089]因此，虽然已经说明和描述了本发明的若干实施例和应用，但是应该理解，本发明不限于本文所描述内容的精确结构和组件，以及对于本领域技术人员而言将是显而易见的各种修改、改变和变化可以在本文描述的方法和装置的布置、操作和细节方面做出，而不会背离本发明的精神和范围。
【权利要求】
1.一种用于驱动高压器件的驱动电路，包括: 稳压二极管，其阴极连接至高压供电电压，其阳极经过电阻器接至低电压域的地电位； 高压PMOS晶体管，其栅极与所述电阻器的阳极连接，其漏极接至所述低电压域的地电位，其源极可操作以提供高电压域的地电位； 电平转换器，其工作电压端连接至所述高压供电电压，其第一接地端接至所述低电压域的地电位，其第二接地端接至所述高电压域的地电位，所述电平转换器可操作以将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号并输出所述第二信号；以及 低压驱动电路，连接在所述高压供电压与所述高电压域的地电位之间，可操作以接收所述第二信号，并且将所述第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中所述低压驱动电路包括:低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收所述第二信号，它们的漏极连接在一起用于提供所述第三信号，所述低压PMOS晶体管的源极接至所述高压供电电压，所述低压NMOS晶体管的源极接至所述高电压域的地电位。
3.根据权利要求1所述的驱动电路，其中所述低压驱动电路包括低压运算放大电路，其输入端用于接收所述第二信号，其输出端用于提供所述第三信号。
4.根据权利要求2或3所述的驱动电路，还包括:高压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管，所述高压PMOS晶体管的源极和所述高压NMOS晶体管的源极分别接至所述高压供电电压和所述低电压域的地电位，所述高压PMOS晶体管的栅极用于接收所述第三信号，所述高压NMOS晶体管的栅极用于接收所述第一信号，所述高压PMOS晶体管的漏极和所述高压NMOS晶体管的漏极连接在·一起用于提供第四信号。
5.根据权利要求4所述的驱动电路，其中所述第一信号的变化范围在O伏与5伏之间，所述第二信号和所述第三信号的变化范围在所述高压供电电压减5伏与所述高压供电电压之间，所述第四信号的变化范围在O伏与所述高压供电电压之间。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其中所述高压供电电压为100伏或100伏以下的任一预定电压值。
7.根据权利要求6所述的驱动电路，其中所述高压供电电压为8伏、12伏、20伏、24伏、48伏中的一个。
8.根据权利要求1所述的驱动电路，所述电平转换器包括多个开关元件。
9.根据权利要求1所述的驱动电路，所述电平转换器包括串联的第一反相器和第二反相器，其中所述第一反相器工作在所述高压供电电压与所述低电压域的地电位之间，用于接收所述第一信号；并且其中所述第二反相器工作在所述高压供电电压与所述高电压域的地电位之间，用于提供所述第二信号。
10.一种用于驱动高压器件的方法，包括: 利用稳压二极管、高压PMOS晶体管和电阻器提供一个高电压域的地电位，其中所述稳压二极管的阴极连接至高压供电电压，其阳极经过所述电阻器接至低电压域的地电位，并且其中所述高压PMOS晶体管的栅极与所述电阻器的阳极连接，其漏极接至所述低电压域的地电位，其源极可操作以提供所述高电压域的地电位； 利用电平转换器将收到的低电压域中的第一信号转换为高电压域中的第二信号，其中所述电平转换器的工作电压端连接至所述高压供电电压，其第一接地端接至所述低电压域的地电位，并且其第二接地端接至所述高电压域的地电位；以及 利用低压驱动电路将所述第二信号适配为可以驱动高压器件的第三信号。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述低压驱动电路包括:低压PMOS晶体管和低压NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起用于接收所述第二信号，它们的漏极连接在一起用于提供所述第三信号，所述低压PMOS晶体管的源极接至所述高压供电电压，所述低压NMOS晶体管的源极接至所述高电压域的地电位。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述低压驱动电路包括低压运算放大电路，其输入端用于接收所述第二信号，其输出端用于提供所述第三信号。
13.根据权利要求11或12所述的方法，还包括:利用串联的高压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管、基于所述第一信号和所述第三信号提供第四信号，其中所述高压PMOS晶体管的源极和所述高压NMOS晶体管的源极分别接至所述高压供电电压和所述低电压域的地电位，所述高压PMOS晶体管的栅极用于接收所述第三信号，所述高压NMOS晶体管的栅极用于接收所述第一信号，所述高压PMOS晶体管的漏极和所述高压NMOS晶体管的漏极连接在一起用于提供所述第四信号。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一信号的变化范围在O伏与5伏之间，所述第二信号和所述第三信号的变化范围在所述高压供电电压减5伏与所述高压供电电压之间，所述第四信号的变化范围在O伏与所述高压供电电压之间。
15.根据权利要求10-12中任一项所述的方法，其中所述高压供电电压为100伏或100伏以下的任 一预定电压值。
【文档编号】H03K19/0185GK103856205SQ201210518346
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年12月5日 优先权日:2012年12月5日
【发明者】齐伟 申请人:艾尔瓦特集成电路科技（天津）有限公司