动态分频器电路的制作方法
【专利摘要】本发明涉及用于将输入RF信号(312)划分为频分RF信号(316)的分频器电路(300)。该电路包括RF对(310)、与互阻抗放大器(302)串联耦合的开关-四对(306)和双对发射极跟随器(318)。电路(300)包括用于给RF对的第一放大器路径提供第一DC路径以及给开关-四对(306)和互阻抗放大器(302)的串联布置的第二放大器路径提供第二DC路径的耦合元件Rfc1..Rfc4、Z1、Z2、Z7、Z8。第一DC路径独立于第二DC路径。提供RF连接以耦合第一和第二放大器路径以将信号从第一放大器路径传输到第二放大器路径。
【专利说明】动态分频器电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及动态分频器电路领域。
【背景技术】
[0002]动态分频器(DFD)是例如被用于汽车雷达系统的毫米波(30-300GHZ)收发器的重要组件。这种系统通常包括一连串分频器。动态分频器通常被用作第一级分频器。由于其高频率性能，例如高操作频率和高带宽，DFD往往基于再生分频器。
[0003]DFD 的第一个例子是由 Rainer H.Derksen 和 Hans-Martin Rein 在 1988 年 3 月的第36卷第3号第537-541页的关于微波理论与技术的IEEE事务的“单片集成在标准双极技术的7.3-GHz动态分频器”被公开的。在毫米波频带操作的DFD的第二个例子是由NilsPohl等人在2009年10月的第44卷期号10第2655-2662页的固态电路IEEE杂志的“具有80GHz中心频率的超宽调谐范围的SiGe双极VC0”被公开的。
[0004]图1示意性地呈现了已知的现有技术DFD 100的拓扑结构。互阻抗放大器102、开关-四对电路106和RF-对电路110的串联布置耦合于电压电源轨V+和V-之间。高频输入信号112在RF-对电路100的输入端口被接收，其中RF-对电路100放大高频输入信号112，并给开关-四对电路106提供放大的高频信号108。开关-四对电路106向互阻抗放大器102提供包括混合频率信号的信号104，其中互阻抗放大器102放大接收的信号并且给发射极跟随器118的两个级提供放大的信号114。发射极跟随器118的两个级的输出信号116被反馈给开关-四对电路106。输出信号116包括信号，该信号的频率是高频输入信号112的频率的一半。开关-四对电路106将放大的高频信号108与发射极跟随器118的两个级的输出信号116进行混合。发射极跟随器118的两个级的输出信号116也被提供给提供分频输出信号122的输出发射极跟随器电路120。分频输出信号122的频率是高频输入信号112的频率的一半。发射极跟随器电路120和发射极跟随器118的两个级耦合于电源电压线V+、V-之间。
[0005]图2示意性地呈现了现有技术DFD的电路200。图1的电路的不同元件被显示。高频输入信号112从输入放大器电路被接收。RF-对电路110包括在共同发射模式布置的差分对双极型晶体管，这意味着每个晶体管在其基极接收另一个信号，集电极是RF-对电路110的输出节点以及晶体管的发射极彼此耦合。开关-四对电路106包括双差分对双极型晶体管并且每个差分对在共同发射模式中被布置。差分对的晶体管被耦合，以便如果两个晶体管的基极耦合于相同的控制信号，集电极耦合于开关-四对电路106的另一个输出终端。RF-对电路110和开关-四对电路106的组合形成了充当混频电路的Gilbert-单元。开关-四对电路106的输出信号被提供给互阻抗放大器102。连同发射极跟随器118的两个级，互阻抗放大器102提供足够大的增益以在毫米波频谱范围内操作DFD。输出发射极跟随器电路120充当了附加缓冲器以驱动另一级/电路系统，并防止DFD反馈回路被另一级/电路加载的太多。
[0006]现有技术DFD的运作需要至少5伏的相对较高的电压电源以给毫米波段内的频率获得高品质DFD。此外，输出发射极跟随器电路120必须在相对高的电流操作点工作以提供有利的高频性能。因此，已知的DFD电路不能在低电压(例如，3.3伏)和低功率电路中使用。
【发明内容】
[0007]如所附权利要求所描述的，本发明提供了一种动态分频器电路、集成电路、半导体器件、毫米波收发器和雷达系统。
[0008]本发明的特定实施例在从属权利要求中被陈述。
[0009]根据下文中描述的实施例，本发明的这些或其它方面将会很明显并且被阐述。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]根据附图，仅仅通过举例的方式，本发明的进一步细节、方面和实施例将被描述。在附图中，类似的符号被用于表示相同的或功能相似的元素。为了简便以及清晰，附图中的元素不一定按比例绘制。
[0011]图1示意性地显示了现有技术的动态分频器(DFD)电路，
[0012]图2示意性地显示了另一个现有技术的DFD电路，
[0013]图3a示意性地显示了根据本发明的第一方面的动态分频器电路的实施例的例子，
[0014]图3b示意性地显示了 RF-对的实施例的例子，
[0015]图3c示意性地显示了开关-四对的实施例的例子，
[0016]图4示意性地显示了动态分频器电路的例子。
【具体实施方式】
[0017]由于实施本发明的装置大部分是由本领域所属技术人员所熟知的电子元件以及电路组成，电路的细节不会在比上述所说明的认为有必要的程度大的任何程度上进行解释。对本发明基本概念的理解以及认识是为了不混淆或偏离本发明所教之内容。
[0018]图3a示意性地显示了根据本发明的第一方面的动态分频器电路的实施例的例子。电路300具有第一电压电源线V+和第二电压电源线V-。电路300包括RF对310，其包括差分对第一放大器元件A1、A2并且包括第一差分控制终端320，其中RF对310在其上接收输入RF信号312。RF对310在图3b中被示意性地画出。第一放大器元件Al、A2在第一放大器路径Pll、P12中被布置。第一放大器兀件Al、A2接收输入RF信号312,因此,第一放大器路径P11、P12响应于所接收的输入RF信号312。在本文档的上下文中，放大器路径是其导电性是通过将电流或电压应用于放大元件的控制终端而被控制的路径。因此，例如，放大器元件Al在其控制终端接收从其中差分控制终端320接收的RF输入信号，并根据所接收的信号调节位于其另外两个终端之间的放大器路径Pll的导电性。例如，如果放大器元件Al是由晶体管实现的，放大器路径Pll将被连接到集电极和晶体管的发射极。
[0019]电路300还包括在图3c中被示意性描绘的开关-四对306。开关-四对306包括在第一对放大器路径P21、P22中被布置的第一差分对放大元件A4、A5。开关-四对306包括在第二对放大器路径P23、P24中被布置的第二差分对放大元件A6、A7。开关-四对306具有耦合于双第二放大器路径的差分输出终端324。开关-四对306还具有双第二放大器路径也耦合于此的第二放大器路径终端328。差分对在交叉耦合布置中被布置，这意味着:第一对放大元件A4、A5的第一放大元件A4耦合于第差分输出终端324和第一个第二放大器路径终端328之间；第一对放大兀件A4、A5的第二放大兀件A5稱合于第二个差分输出终端324和第一个第二放大器路径终端328之间；第二对放大元件A6、A7的第一放大元件A6耦合于第二个差分输出终端324和第二个第二放大器路径终端328之间；第二对放大元件A6、A7的第二放大元件A7耦合于第差分输出终端324和第二个第二放大器路径终端328之间。因此，第一对第二放大器路径P21、P22提供了差分输出终端324和第一个第二放大器路径终端328之间的放大器路径。第二对第二放大器路径P23、P24提供了差分输出终端324和第二个第二放大器路径终端328之间的放大器路径。开关-四对306还包括用于接收反馈信号316的第二差分控制终端322。放大元件A4耦合于第二差分控制终端322以及放大元件A5耦合于另一个第二差分控制终端322。放大元件A6耦合于第二差分控制终端322以及放大元件A7耦合于另一个第二差分控制终端322。因此，双第二放大器路径P2..P24响应于反馈信号316。此外，耦合于相同第二差分控制终端322的放大元件A4/A6、A5/A7耦合于不同的差分输出终端324和不同的第二放大器路径终端328。在图3c的配置中，放大器路径P22、P24相互交叉。开关-四对306将在第二差分控制终端322接收的反馈信号316与在第二放大器路径终端328接收的信号进行混合，并给差分输出终端324提供混合信号304。
[0020]电路300还包括互阻抗放大器302，其从开关-四对306的差分输出终端304接收混合信号304，并给后续电路提供放大的信号314。互阻抗放大器302具有小的输入和输出阻抗，并具有位于宽带高频范围内甚至高频的恒定传递函数。传递函数表示为相对于其输入电流的电压输出。互阻抗放大器302被用于DFD以在相对宽频带获得高频操作。
[0021]电路300还包括包含跟随器输入终端326的双对发射极跟随器318，其中跟随器输入终端326从互阻抗放大器302接收放大的信号314。双对发射极跟随器318缓冲放大的信号314，并提供反馈信号316，这与电路300的输出信号在同一时间。反馈/输出信号316的频率等于输入RF信号312的频率除以2。
[0022]RF对310通过耦合元件Rfcl、Rfc2、Zl、Z2耦合于DC电压电源轨V+、V_之间。第一放大器路径P11、P12耦合于该RF-对310DC路径。开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置通过耦合元件Rfc3、Rfc4、Z7、Z8耦合于DC电压电源轨V+、V_之间。第二放大器路径P21..P24耦合于开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置的DC路径。RF对310的DC路径以及开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置彼此独立。由RF-对310放大的输入RF信号312通过RF连接从第一放大器路径Pll、P12传输到双第二放大器路径P21…P24，其中该RF连接由RF连接元件C1、C2、Z3、Z4、Z5、Z6形成。该RF连接不传输或传送DC路径的DC电压，因此该RF连接有助于RF-对310的并行DC-路径以及开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置的独立。
[0023]RF-对310DC-路径包括RF阻气门Rfcl、Rfc2，其不传输放大的RF信号，但允许DC电流通过RF-对310DC-路径。换句话说，RF阻气门Rfcl、Rfc2防止了放大的输入RF信号被提供给DC电压电源线V+。RF-对310DC-路径的耦合元件还可能包括传输线Z1、Z2。RF阻气门Rfcl、Rfc2具有第一和第二终端。它们耦合于至DC电压电源线V+的第一终端。传输线Z1、Z2具有第一和第二终端。传输线Z1、Z2的第一终端被连接到RF阻气门Rfcl、Rfc2的第二终端，并且传输线Zl、Z2的第二终端被连接到RF-对310。RF阻气门Rfcl、Rfc2和传输线Zl、Z2之间的共同点是一个点，其中RF连接在该点耦合于第一放大器路径。
[0024]开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置的DC-路径包括RF阻气门Rfc3、Rfc4,其不传输放大的RF信号，但允许DC电流通过相应的DC-路径。换句话说，RF阻气门Rfc3、Rfc4防止了放大的输入RF信号被提供给DC电压电源线V-。相应的DC-路径的耦合元件还可能包括传输线Z7、Z8。RF阻气门Rfc3、Rfc4具有第一和第二终端。它们耦合于至另一个DC电压电源线V-而不是RF-对310的RF阻气门Rfcl、Rfc2所耦合的电压电源线V+的第一终端。传输线Z7、Z8具有第一和第二终端。传输线Z7、Z8的第一终端被连接到RF阻气门Rfc3、Rfc4的第二终端，并且传输线Tl、Z8的第二终端被连接到开关-四对306的第二放大器路径终端328。RF阻气门Rfc3、Rfc4和传输线Z7、Z8之间的共同点是一个点，其中RF连接在该点耦合于双第二放大器路径。
[0025]RF阻气门Rfcl、Rfc2在低频(以及DC)信号处有低阻抗，而在输入RF信号312频率处有高阻抗。它们可以被实现为传输线，该传输线具有基本上等于输入RF信号312的波长的四分之一的长度。
[0026]RF连接包括可以是电容器C1、C2的DC隔离元件。RF连接还可能包括传输线Z3、Z4、Z5、Z6。每个RF连接可以被安排为第一传输线Z3、Z4，DC隔离元件Cl、C2和第二传输线Z5、Z6的串联连接。
[0027]相比于图1和图2的已知的动态分频器电路100、200，平行于开关-四对306和互阻抗放大器302的串联布置的DC-路径的RF-对310DC-路径给RF-对310提供了更多的空间，并且还给开关-四对306和互阻抗放大器302提供了更多的空间。如果子电路的空间更大(相对于DC电源电压被表示)，相比于必须被提供给已知动态分频器电路的DC电源电压，DC电源电压可以被减小。电源电压可以例如被减小到3.3伏。较低的电源电压允许电路300在低电压应用中的集成。此外，由于较低的电源电压的结果，电路的功耗也可以被减小。而且，由于RF-对310处于独立的DC路径中，RF-对310的第一放大器元件Al、A2的操作点可以独立于第二放大器元件A4、A5、A6、A7和互阻抗放大器302的操作点被优化。而且，第二放大器元件A4、A5、A6、A7和互阻抗放大器302的操作点可以被进一步优化。因此，电路可以更好地被优化以用于更高频操作。
[0028]RF-对310DC路径中的传输线Z1、Z2连同RF连接中的传输线Z3、Z4连同RF连接中的传输线Z5、Z6可以被配置，以便由RF对形成的放大器的输出阻抗匹配闭环混合器的输出阻抗，其中闭环混合器包括开关-四对306、互阻抗放大器302和双对发射极跟随器318。如果阻抗匹配在RF-对310电路/第一放大器路径P12、P11和闭环布置的输出阻抗之间被执行，较高的增益峰值被提供，其增加了最大操作频率。此外，由于较高的增益峰值，在双对发射极跟随器318之后，不需要附加对发射极跟随器来缓冲电路300的输出处的划分的RF信号316。这样的附加对发射极跟随器在已知的电路中是所需的以给后续电路提供足够的驱动力。由于阻抗匹配，并且因此较高的增益峰值，附加输出级可以被省略。
[0029]图4示意性地显示了动态分频器电路400的例子。所显示的电路400基本上包括与电路300相同的元件并且电路300的元件在电路400中被显示。RF输入信号的312在两个被虚线包围的终端被接收。晶体管Ql和Q2形式了 RF对410，其在DC路径中分别由R13、Zl、Rfcl和R13、Z2和Rfc2形成。晶体管Q1、Q2形成了第一放大器元件A1、A2。晶体管Ql、Q2在共同发射极模式配置中形成了差分对晶体管。Ql和Q2的发射极彼此耦合，晶体管Ql、Q2的基极耦合于RF输入信号312的不同的组件，并且它们的集电极耦合于RF对410的不同的输出终端。开关-四对406由形成了图3的开关-四对放大器306的放大器元件A4、A5、A6的晶体管Q4、Q5、Q6、Q7形成。晶体管Q4、Q7形成了由发射极耦合的晶体管对(Q4/Q5、Q6/Q7)形成的两个差分放大器级，其中该发射极耦合的晶体管对的输出被连接到(电流相加)反相。互阻抗放大器402由晶体管Q14、Q16、RU R2、R6和R7形成。双对发射极跟随器418由晶体管Q8、Qll、Q18、Q23形成。晶体管Q8、Qll、Q18、Q23形成了发射极跟随器的串联。晶体管Q8、Q11、Q18、Q23在发射极跟随器模式中被布置。划分的RF信号在终端OUTB和OUT被提供。
[0030]给RF对410以及开关-四对406和互阻抗放大器402的串联布置提供独立DC路径的耦合元件与图3中的元件类似:RF阻气门Rfcl、Rfc2、Rfc3、Rfc4。用于阻抗匹配的传输线是Zl、Z2、Z3、TA、Z5、Z6、Z7和Z8。并且DC隔离元件由电容器Cl、C2形成。
[0031]如果图4的电路400在半导体器件的集成电路上被实现，电容器Cl、C2由mim电容器形成。mim电容器是由半导体器件的两个金属层之间的寄生电容器形成的“金属绝缘体金属”电容器。
[0032]实验已经表明图4的动态分频器电路400在高频处，例如85GHz很好的操作。此夕卜，输入RF信号频率(例如，76.5GHz，而不是85GHz)的频率的显著偏差、与室温(125摄氏度)的显著偏差或使用不同的电源电压(例如，3.0伏，而不是3.3伏)仍然产生了动态分频器电路400的适当运行。
[0033]动态分频器电路300、400特别适合于在毫米波段，例如，在30_300Ghz之间操作。动态分频器电路300、400可以被用于收发器，其中该收发器在毫米波段操作。这样的收发器例如是77GHz汽车雷达应用的一部分。
[0034]注意，晶体管Q1-Q23被示意性描绘为npn双极晶体管。适用于在图3和图4的电路300、400中使用的任何其它类型的晶体管可以被使用。应了解，场效应晶体管和金属氧化物场效应晶体管，例如互补型金属氧化物场效应晶体管也可以被使用。DC电源电压线用V+、V-、Vcc, Vss表示。这些DC电源电压线可能携带任何合适的电压并且指示不建议每个DC电源电压线的特定电压。本发明所指的信号指具有相对高频率的替代信号。它们可以是交变电流信号和/或交流电压信号。此外，单一信号可能包括单一交流电流/电压或一个以上相关的交流电流/电压。
[0035]在前面的说明中，参照本发明实施例的特定例子已经对本发明进行了描述。然而，很明显各种修改和变化可以在不脱离所附权利要求中所陈述的本发明的宽范围精神及范围的情况下被做出。例如，连接可以是任何类型的连接，该连接适于通过中间器件从各自的节点、单元或器件传输信号或将信号传输至各自的节点、单元或器件。因此，除非暗示或说明，连接可以例如是直接连接或间接连接。
[0036]本发明所描述的半导体衬底可以是任何半导体材料或材料的组合，例如砷化镓、娃错、娃晶绝缘体(SOI)、娃、单晶娃等等，以及上面的组合。
[0037]关于具体导电类型或电位极性，虽然本发明已被描述，技术人员知道导电类型和电位极性可以是相反的。
[0038]上述一些实施例，如果适用的话，可以通过使用各种不同信号处理电路被实现。例如，虽然图3以及其中的讨论描述了示例动态分频器电路，该示例架构仅仅是为了提供用于讨论本发明公开各个方面的有用参考。当然，结构的描述是为了便于讨论，并且只是根据本发明公开可以被使用的多种不同类型的适当架构中的其中一个。本领域所属技术人员将认识到逻辑块之间的界限仅仅是说明性的并且替代实施例可能合并逻辑块或电路元素或在各种逻辑块或电路元素上强加替代的分解功能。
[0039]因此，应了解本发明描述的架构仅仅是示范的，并且事实上实现相同功能的很多其它架构可以被实现。从抽象的但仍有明确意义上来说，为达到相同功能的任何元件的布置是有效的“关联”，以便实现所需功能。因此，本发明中为实现特定功能的任意两个元件的结合可以被看作彼此“相关联”以便实现所需功能，不论架构或中间元件。同样地，任意两个元件这样的关联也可以被看作是“可操作性连接”或“可操作性耦合”于对方以实现所需功能。
[0040]又如，在实施例中，说明的动态分频器电路300是位于单一集成电路上的电路或在相同器件内被实现的电路。或者，动态分频器电路300可能包括任何数量的单独集成电路或彼此互连的单独器件。
[0041]此外，本发明不限于在非程序化硬件中被实现的物理器件或单元，但也可以应用在可编程器件或单元中。这些器件或单元通过操作能够执行所需的器件功能。而且，器件可以物理地分布在多个装置，同时在功能上作为单一器件进行操作。
[0042]然而，其它修改、变化和替代也是可能的。说明书和附图相应地被认为是从说明性的而不是严格意义上来讲的。
[0043]在权利要求中，放置在括号之间的任何参考符号不得被解释为限定权利要求。词“包括”不排除其它元素或随后在权利要求中列出的那些步骤的存在。此外，本发明所用的“a”或“an”被定义为一个或多个。并且，在权利要求中所用字语如“至少一个”以及“一个或多个”不应该被解释以暗示通过不定冠字“a”或“an”引入的其它权利要求元素限定任何其它特定权利要求。所述特定权利要求包括这些所介绍的对发明的权利元素，所述权利元素不仅仅包括一个这样的元素。即使当同一权利要求中包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠字，例如“a”或“an”。使用定冠字也是如此。除非另有说明，使用术语如“第一”以及“第二”是用于任意区分这些术语描述的元素的。因此，这些术语不一定表示时间或这些元素的其它优先次序。某些措施在相互不同的权利要求中被列举的事实并不表示这些措施的组合不能被用于获取优势。
【权利要求】
1.一种用于在毫米波段操作并且用于将输入RF信号(312)划分为分频的RF信号(316)的动态分频器电路(300、400)，所述动态分频器电路(300、400)包括: -包括第一放大器元件(A1、A2、Q1、Q2)的差分对并且包括用于接收输入RF信号(312)的第一差分控制终端(320)的RF对(310、410)，所述差分对包括响应于所述输入RF信号(312)的第一放大器路径(P11、P12)， -包括位于交叉耦合布置的第二放大器元件(A4..A7、Q4..Q7)的双差分对并且包括用于接收反馈信号(316)的第二差分控制终端(322)的开关-四对(306、406)，所述双差分对包括响应于所述反馈信号(316)的双第二放大器路径(P21..P24)，所述开关-四对(306、406)包括与所述双第二放大器路径(P21..P24)连接的差分输出终端(324)， -与所述开关-四对(306、406)串联耦合并且被配置为放大所述差分输出终端(324)的信号的互阻抗放大器(302、402), -用于缓冲从所述互阻抗放大器(302、402)接收的放大信号的双对发射极跟随器(318、418)，所述双对发射极跟随器(318、418)包括用于从所述互阻抗放大器(302、402)接收所述放大信号的跟随器输入终端(326)以及包括用于提供所述反馈信号(316)和所述分频的RF信号(316)的输出终端， -DC 电压电源轨(V+、V-、Vcc、Vss)， -用于向所述第一放大器路径(P11、P12)提供所述DC电压电源轨(V+、V-、VCC、VSS)之间的第一 DC连接的第一耦合元件(Rfcl、Rfc2、Zl、Z2)， -用于向所述双第二放大器路径(P21..P24)提供所述DC电压电源轨(V+、V-、VCC、VSS)之间的第二 DC连接的第二耦合元件(Rfc3、Rfc4、Tl、Z8)，所述第二 DC连接平行于所述第一 DC连接，以及 -位于所述第一放大器路径(P11、P12)和双第二放大器路径(P21..P24)之间用于将RF信号从所述第一放大器路径(P11、P12)传输到所述双第二放大器路径(P21..P24)的RF连接。
2.根据权利要求1所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述第一耦合元件包括耦合于所述RF对(310、410)和所述DC电源电压轨中的第一个DC电源电压轨(V+、Vcc)之间的 RF 阻气门(Rfcl, Rfc2) ο
3.根据前述权利要求中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述第一耦合元件包括耦合于所述RF对(310、410)和所述DC电源电压轨中的第一个DC电源电压轨(V+、Vcc)之间的传输线(Z1、Z2)。
4.根据权利要求2和3所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF阻气门(Rfcl、Rfc2)包括第一终端和第二终端，所述传输线(Z1、Z2)包括第一终端和第二终端，以及所述RF阻气门(Rfcl、Rfc2)通过所述第一终端被连接到所述DC电压电源轨中的第一个DC电源电压轨(V+、Vcc)并且所述传输线(Zl、Z2)通过所述第一终端被连接到所述RF阻气门(Rfcl, Rfc2)的所述第二终端以及通过所述第二终端被连接到所述RF对(310、410)。
5.根据权利要求2、3、或4中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF阻气门(Rfcl、Rfc2)是长度基本上等于所述RF对(310、410)的基础频率的四分之一波长的传输线。
6.根据前述权利要求中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述第二耦合元件包括耦合于所述开关四对(306、406)和所述DC电源电压轨中的第二个DC电源电压轨(V-、Vss)之间的RF阻气门(Rfc3、Rfc4)。
7.根据前述权利要求中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述第二耦合元件包括耦合于所述开关-四对(306、406)和所述DC电压电源轨中的第二个DC电源电压轨(V-、Vss)之间的传输线(Z7、Z8)。
8.根据权利要求6和7所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF阻气门(Rfc3、Rfc4)包括第一终端和第二终端，所述传输线(Z7、Z8)包括第一终端和第二终端，以及所述RF阻气门(Rfc3、Rfc4)通过所述第一终端被连接到所述DC电压电源轨中的第二个DC电源电压轨(V-、Vss)并且所述传输线(Z7、Z8)通过所述第一终端被连接到所述RF阻气门(Rfc3、Rfc4)的所述第二终端以及通过所述第二终端被连接到所述开关四对(306、406)。
9.根据权利要求6、7、8中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF阻气门(Rfc3、Rfc4)是长度基本上等于所述输入RF信号(312)的基础频率的四分之一波长的传输线。
10.根据前述权利要求中的任何一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF连接包括用于将所述第一放大器路径(Pll、P12)的DC电压从所述双第二放大器路径(P21..P24)的DC电压进行隔离的DC隔离元件(Cl、C2)。
11.根据权利要求10所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述DC隔离元件(Cl、C2)包括电容器(C1、C2)。
12.根据前述权利要求中的任一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述RF连接包括耦合于所述第一放大器路径(P11、P12)和所述双第二放大器路径(P21..P24)之间的传输线(Z3、Z5、Z4、Z6)。
13.根据权利要求12所述的动态分频器电路(300、400)，其中每个RF连接包括串联耦合的两个传输线(Z3/Z5、Z4/Z6)。
14.根据权利要求10和13所述的动态分频器电路(300、400)，其中单一RF连接的所述DC隔离元件(C1、C23)被布置在所述两个传输线(Z3/Z5、Z4/Z6)之间并且耦合于所述两个传输线(Z3/Z5、Z4/Z6)。
15.根据权利要求12-14中的任一个所述的动态分频器电路(300、400)，其中所述传输线(Z1..Z8)被配置为将由所述RF对(310、410)形成的放大器的输出阻抗与包括所述开关-四对(306、406)、互阻抗放大器(302、402)以及所述双对发射极跟随器(318、418)的闭环混合器的输入阻抗进行匹配。
16.一种集成电路，包括根据权利要求1-15中的任何一个所述的动态分频器电路(300.400)。
17.一种半导体器件，包括根据权利要求1-15中的任何一个所述的动态分频器电路(300.400)或包括根据权利要求16所述的集成电路。
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，当引用权利要求11-15中的任一个时，所述电容器(C1、C2)是mim电容器。
19.一种毫米波收发器，包括根据权利要求1-15中的任何一个所述的动态分频器电路(300.400)或包括根据权利要求16所述的集成电路或包括根据权利要求17或18所述的半导体器件。
20.—种雷达系统,包括根据权利要求1-15中的任何一个所述的动态分频器电路(300,400)或包括根据权利要求16所述的集成电路或包括根据权利要求17或18所述的半导体器件或包括根据权利要求19所述的毫米波收发器。
【文档编号】H03K23/00GK104247259SQ201280072511
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2012年4月20日 优先权日:2012年4月20日
【发明者】阿克巴尔·哈齐诺, 萨韦里奥·特罗塔 申请人:飞思卡尔半导体公司