一种圆柱形球面晶片石英晶体元件制造方法
【专利摘要】本发明是一种圆柱形球面晶片石英晶体元件制造方法，该方法经切片、研磨、倒边、腐蚀、清洗、镀膜得到晶片；再将晶片置于晶体元件基座上，点胶固定，频率微调，封装，即得晶体元件；在晶片加工时用倒边机对晶片的边缘进行球筒倒边和直筒倒边处理，球筒倒边量为900～920KHz，直筒倒边量为50～80KHz，晶片的牵引率不大于5ppm/pF。本发明制造方法设计合理，通过该方法制得的晶体无件牵引率小，Q值高。本发明制得的晶体元件可以有效地减小线路分布电容变化对整机频率的影响，使整机的频率有效寿命时间增加近一倍，达到了提高整机稳定性的目的。
【专利说明】一种圆柱形球面晶片石英晶体元件制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种晶体元件的制造方法，特别是一种圆柱形球面晶片石英晶体元件 制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着科技发展，石英晶体广泛应用于种类电子产品，从家用电器到电子通讯设备， 从电子玩具到尖端的航天航空，及各种数码产品。使用量迅速增大。我国的石英晶体元件 的产量也迅猛增长，技术水平和质量水平也有较大的提高。然而，小型化，长期稳定性还有 很大的发展和研究空间。
[0003] 石英晶体兀件在电路中替代了 LC振荡电路，是由于石英晶体兀件具有较1?的稳 定性，等效电容和等效电感值不会变化。任何一个整机电路，都是有很多各类电子元件组 成，因而电路中就存在分布电容，随着时间的推移，其它电子元件的参数会发生变化，导致 电路的分布电容发生变化。一个晶体元件的频率的准确与否，是由负载电容密切相关，分布 电容的变化，就等于负载电容的变化，从而造成线路的频率漂移，使频率失准，牵引率越大， 造成整机精度下降，甚至失效。晶体元件的牵引率越大，造成的不良越严重。
【发明内容】
[0004] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种方法设计合理、小 牵引率、高Q值的圆柱形球面晶片石英晶体元件制造方法。
[0005] 本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种圆 柱形球面晶片石英晶体元件制造方法，其特点是：该方法经切片、研磨、倒边、腐蚀、清洗、 镀膜得到晶片；再将晶片置于晶体元件基座上，点胶固定，频率微调，封装，即得晶体元件； 在晶片加工时用倒边机对晶片的边缘进行球筒倒边和直筒倒边处理，球筒倒边量为900? 920KHz，直筒倒边量为50?80 KHz，晶片的牵引率不大于5ppm/pF。
[0006] 本发明方法中，切片、研磨、腐蚀、清洗、镀膜，点胶固定，频率微调，封装等操作方 法如无特别说明，均采用现有技术中晶体元件制造方法中的常规操作方法。
[0007] 本发明所述的制造方法中：晶片的频率优选为12MHz，晶片厚度优选为0. 14_。 锻月旲在晶片上形成的电级大小优选为2. 9mmX0· 8mm。研磨后的晶片的最终频率优选为 10900KHZ ±20KHz。球筒倒边后的晶体频率优选为11210KHZ ±20KHz，直筒倒边后的晶片的 频率优选为11820KHz±20KHz。腐蚀后的晶片的频率优选不高于12150KHZ ;清洗时水基清 洗剂清洗去除晶片表面各种污染物。
[0008] 以下对本发明的原理进行进一步的阐述。下述公式1为频率公形式： 式中：F为频率，LI为动态电感，Cl为动态电容，CO为静态电容， CL为负载电容(含线路的分布电容)。
[0009] 公式2为牵引率公式：
【权利要求】
1. 一种圆柱形球面晶片石英晶体元件制造方法，其特征在于：该方法经切片、研磨、倒 边、腐蚀、清洗、镀膜得到晶片；再将晶片置于晶体元件基座上，点胶固定，频率微调，封装， 即得晶体元件；在晶片加工时用倒边机对晶片的边缘进行球筒倒边和直筒倒边处理，球筒 倒边量为900?920KHZ，直筒倒边量为50?80 KHz，晶片的牵引率不大于5ppm/pF。
2. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：晶片的频率为12MHz，晶片厚度为 0· 14mm〇
3. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：镀膜在晶片上形成的电级大小为 2. 9mmX0. 8mm。
4. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：研磨后的晶片的最终频率为 10900KHz±20KHz。
5. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：球筒倒边后的晶体频率为 112 ΙΟΚΗζ ± 20KHz，直筒倒边后的晶片的频率为11820KHz ± 20KHz。
6. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：腐蚀后的晶片的频率不高于 12150KHZ ;清洗时水基清洗剂清洗去除晶片表面各种污染物。
【文档编号】H03H9/19GK104158510SQ201310179504
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2013年5月16日 优先权日:2013年5月16日
【发明者】朱爱发 申请人:朱爱发