可控硅触发器的制作方法

文档序号:7530924阅读:926来源:国知局
专利名称:可控硅触发器的制作方法
技术领域
本实用新型属于电气控制装置,特别涉及一种可控硅触发器。
背景技术
半导体功率器件可控硅已在电控领域或广泛应用,传统的可控硅触发器采用脉冲变压器原理构成,应用很广泛,但在电磁起重设备中需要精确调节可控硅触发角,达到精确调节励磁电压的目的,由于脉冲变压器参数不一致,导致可控硅导通角不一致,结果造成励磁电压不稳定;脉冲变压器采用磁耦合方式,磁体的导磁率不能做到一致,导致耦合度的差异,导致触发电压不一致;变压器耦合方式触发器为双向器件即正向和反向都可以耦合,结果造成高次谐波耦合到原边造成触发不可靠;由于变压器耦合的结构的限制,应用时需多组电源供电才能工作。
发明内容本发明的目的在于克服上述技术不足,提供一种采用光电隔离转换技术和可控硅阳极电压调节技术,可以直接和弱电触发信号连接,解决强、弱电之间的隔离、去掉副供电电源、提高触发脉冲稳定性和可靠性。本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是:一种可控硅触发器,包括触发信号输入电路、线性稳压电路和触发信号输出电路,其特征在于在系统中设置了光电隔离电路一和阳极电压变换电路一。光电隔离电路由光电耦合器MCl、三极管T1、电容C2、C3和电阻R4、R5组成;光电耦合器MCl的1、2脚,并联电阻1 2、1 3、电容(:1,1脚串联电阻1 1和触发信号SI,3、4脚并联电容C2和电阻R4,4脚接电阻R5、R6 一端,5脚接三极管Tl的集电极、阳极电压变换电路中的三极管T2发射极和电阻R9、R8的一端;三极管Tl的发射极接电容C3、电阻R5另一端、电阻R7 —端、可控硅控制极G2 ;阳极电压变换电路一由功率三极管丁4、了2、 二极管01、电阻1 9112组成;功率三极管T4的I脚接电阻Rll、RIO、R12 —端和三极管T2的集电极;2脚接电阻R11、二极管Dl —端,3脚接电阻R9、RlO另一端和三极管T2的基极。本实用新型的有益效果是:该实用新型彻底解决了强、弱电之间隔离问题,使用简单方便;去掉了副供电电源,提高了触发脉冲稳定性和可靠性。
以下结合附图以实施例具体说明。

图1是可控硅触发器的原理框图;图2是图1的电气原理图。图中:1_触发信号输入电路;2-光电隔离电路一;2-1-光电隔离电路二;3-阳极电压变换电路一 ;3-1-阳极电压变换电路二 ; 4-线性稳压电路;5_触发信号输出电路;MC1、MC2-光电耦合器;T4、T14-功率三极管;Tl、Τ2、Τ11、Τ12-三极管;D1、D2_ 二极管;Cl C6-电容;S1、S2-触发信号;Rf R25-电阻;A1、A2-可控硅阳极;G1、G2-可控硅控制极;K1、K2-可控硅阴极。
具体实施方式
实施例,参照附图,一种可控硅触发器,包括触发信号输入电路1、线性稳压电路4和触发信号输出电路5,其特征在于在系统中设置了光电隔离电路2和阳极电压变换电路
3。光电隔离电路2由光电耦合器MC1、三极管Tl、电容C1、C2、C3和电阻R4、R5组成;光电耦合器MCl的1、2脚,并联电阻R2、R3、电容(:1,1脚串联电阻1 1和触发信号31,3、4脚并联电容C2和电阻R4,4脚接电阻R5、R6 一端,5脚接三极管Tl的集电极、阳极电压变换电路3中的三极管T2发射极和电阻R9、R8的一端;三极管Tl的发射极接电容C3、电阻R5另一端、电阻R7—端、可控硅控制极G2 ;阳极电压变换电路一 3由功率三极管T4、T2、二极管D1、电阻R9 R12组成;功率三极管T4的I脚接电阻R11、R10、R12 —端和三极管T2的集电极;2脚接电阻R11、二极管Dl —端,3脚接电阻R9、R10另一端和三极管T2的基极。电路系统中还设有光电隔离电路二(2-1)和阳极电压变换电路二(3-1);光电隔离电路二(2-1)中的光电耦合器MC2的1、2脚并联电阻R15、R13、电容C6,I脚串联电阻R14和触发信号S2,3、4脚并联电容C5、电阻R17,4脚接电阻R18、R16 —端,5脚接三极管Tll集电极、阳极电压变换电路二(3-1)中的三极管T12发射极和电阻R21、R19 一端;三极管Tll的发射极接虫容C4、电阳.R16的另一端、电阻R20和可控硅控制极Gl ;阳极电压变换电路二(3_1)的功率三极管T14的I脚接电阻R22、R24、R23 —端和三极管T12的集电极,2脚接二极管D2 —端和电阻R23另一端。二极管D2接可控硅阳极Al和电阻R8、R13另一端和可控硅阴极K2,电阻R19、R25另一端接可控硅阴极Kl。本专利解决技术问题的原理是:采用光电隔离电路一 2和光电隔离电路二 2-1构成光电转换,做到触发信号和强电完全隔离,代替已有技术的磁耦合。采用线性稳压电路4的线性调节稳压技术,解决阳极电压可以做到副边供电电源问题,代替已有技术的触发器供电电源。通过上面的技术措施,解决了可控硅触发器参数误差较小的目标和触发角不一致的问题,从而彻底解决励 磁电压不稳的技术难题。
权利要求1.一种可控硅触发器,包括触发信号输入电路⑴、线性稳压电路⑷和触发信号输出电路(5),其特征在于在系统中设置了光电隔离电路一⑵和阳极电压变换电路一 (3)。
2.根据权利要求1所述的可控硅触发器,其特征在于光电隔离电路一⑵由光电耦合器MC1、三极管Tl、电容C1、C2、C3和电阻R4、R5组成;光电耦合器MCl的1、2脚,并联电阻R2、R3、电容Cl,I脚串联电阻Rl和触发信号SI,3、4脚并联电容C2和电阻R4,4脚接电阻R5、R6 —端,5脚接三极管Tl的集电极、阳极电压变换电路3中的三极管T2发射极和电阻R9、R8的一端;三极管Tl的发射极接电容C3、电阻R5另一端、电阻R7 —端、可控硅控制极G2。
3.根据权利要求1所述的可控硅触发器,其特征在于阳极电压变换电路一⑶由功率三极管T4、T2、二极管D1、电阻R9 R12组成;功率三极管Τ4的I脚接电阻R11、R10、R12 —端和三极管T2的集电极;2脚接电阻R11、二极管Dl —端,3脚接电阻R9、RlO另一端和三极管T2的基 极。
专利摘要本实用新型属于一种可控硅触发器,包括触发信号输入电路⑴、线性稳压电路⑷和触发信号输出电路⑸,其特征在于在系统中设置了光电隔离电路⑵和阳极电压变换电路⑶;可控硅触发电路由光电耦合器MC1、MC2和功率三极管T4、T14组成;该实用新型彻底解决了强、弱电之间的隔离问题,使用简单方便;去掉了副供电电源,提高了触发脉冲稳定性和可靠性。
文档编号H03K17/72GK203135830SQ20132008215
公开日2013年8月14日 申请日期2013年2月22日 优先权日2013年2月22日
发明者马松林, 李安 申请人:大连星航机电设备有限公司
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