Ttl驱动的高速全桥mosfet驱动器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器。包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器，所述的信号（sinPD）经高速光电耦合器（TLP115）隔离后输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的输入端，驱动芯片（MIC5020）的输出端（GATE）与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020）的（非FAULT）端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453）的关断端（SD）。本实用新型具有电路简单，抗干扰能力强，可靠性高等优点。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种基于感应无线技术的中低速磁浮列车位置、速度检测及自动 控制领域应用的设备。 TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动器
【背景技术】
[0002] 感应无线技术（INDUCTION RADIO)广泛应用于大型移动机械(如焦炉四大车、堆取 料机、行车、矿车等)的位置识别、车地通讯及其自动化控制。感应无线测速技术因其不但具 有非接触性而且很高的可靠性、抗干扰能力及冗余能力也很好的应用在磁浮列车的测速定 位上。
[0003] 在磁浮列车的测速定位的设备中，载波发生器产生的载波信号不停的往编码电缆 上发送信号，其中，编码电缆是作为高速功率开关的负载的，因而驱动能力是很重要的一个 环节，需同时满足以下几个方面需求：
[0004] 1、全桥驱动；
[0005] 2、需与TTL电平接口；
[0006] 3、工作频率要求高；
[0007] 4、可靠性要求高；
[0008] 5、死区时间控制恰当；
[0009] 6、占空比的调整。
[0010] 而目前还未有既具有TTL电平信号输入又具有高速频率的高可靠性全桥mosfet 驱动控制装置。
【发明内容】
[0011] 为了满足上述需求，本实用新型提供了一种基于TTL驱动的高速全桥MOSFET驱动 器。该装置电路简单、能够在TTL电平下满足高速全桥MOSFET的驱动。
[0012] 本实用新型解决的是在高频率的TTL信号情况下全桥mosfet驱动的问题，因该驱 动器是用于磁浮列车的测速定位，故还需绝对高的可靠性。
[0013] 本实用新型包括高速全桥驱动芯片、低边mosfet驱动器、高速光电耦合器等，其 电路如图所示。TTL信号（sinro)经高速光电耦合器（TLP115)隔离后输出到电流感应低边 mosfet驱动芯片（MIC5020)的输入端，驱动芯片（MIC5020)的输出端（GATE)与一射极偏置 的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020)的非FAULT端连接到共射 三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯片（IRS2453)的关断 端（SD)。该三极管用于调节全桥mosfet驱动芯片（IRS2453)的振荡定时电容输入端。当过 流时，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020)的非FAULT端输出故障信号，经共射三极管 控制全桥mosfet驱动芯片（IRS2453)的关断端（SD)禁止全桥mosfet驱动芯片（IRS2453) 工作。
[0014] 本实用新型具有电路简单，抗干扰能力强，可靠性高等优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 附图1是本实用新型的电路原理图。
[0016] 图中：
[0017] SinPD :TTL 信号输入；
[0018] L01、L02 :低边桥臂输出信号；
[0019] H01、H02 :高边桥臂输出信号；
[0020] OUT-：高压浮动输出负端；
[0021] 0UT+ :高压浮动输出正端；
【具体实施方式】
[0022] 下面结合附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限 于此。
[0023] 如图所示，本实用新型由高速光电隔离电路、电流感应低边mosfet驱动电路、高 速全桥mosfet驱动电路、三极管射极偏置电路等组成。
[0024] 来自连接器（J2)的TTL信号（SinPD)与高速光电隔离器（U5)的输入端（1脚）相 连，高速光电隔离器（U5)的输出端（5脚）通过电容（C8)与电流感应低边mosfet驱动芯片 (U1)的输入端（2脚）相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（U1)的输出端（8脚）通过电阻 R2与三极管Q1基极相连，通过调整三极管射极偏置电压为全桥mosfet驱动芯片（U2)的振 荡定时电容输入端（3脚)提供死区调整电压，该电压在小于1/3VCC大于1/6VCC波形较佳。
[0025] 上述实施例为本实用新型较佳实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实 施例的限制，其他的任何为背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、 组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种TTL驱动的高速全桥mosfet驱动器，其特征在于包括高速全桥驱动芯片、低 边mosfet驱动器、高速光电耦合器，TTL信号（sinPD)经高速光电耦合器（TLP115)隔离后 输出到电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020)的输入端，驱动芯片（MIC5020)的输出端 (GATE)与一射极偏置的双极性三极管相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（MIC5020)的非 FAULT端连接到共射三极管Q4的基极，共射三极管Q4的集电极连接到全桥mosfet驱动芯 片（IRS2453)的关断端（SD)。
2. 根据权利要求1所述的一种TTL驱动的高速全桥mosf et驱动器，其特征在于所述的 来自连接器（J2)的TTL信号（SinPD)与高速光电隔离器（U5)的输入端（1脚）相连，高速 光电隔离器（U5)的输出端（5脚）通过电容（C8)与电流感应低边mosfet驱动芯片（U1)的 输入端（2脚）相连，电流感应低边mosfet驱动芯片（U1)的输出端（8脚）通过电阻R2与三 极管Q1基极相连，通过调整三极管射极偏置电压为全桥mosfet驱动芯片（U2)的振荡定时 电容输入端（3脚)。
【文档编号】H03K17/78GK203896325SQ201420288938
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月3日 优先权日:2014年6月3日
【发明者】曹俭荣 申请人:岳阳高新技术产业开发区天元电子技术有限公司