一种在厚铜PCB板上加工微小线宽线距的方法与流程

一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法
技术领域
1.本发明属于pcb板加工技术领域，具体涉及一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法。


背景技术：

2.现有技术中通过蚀刻方法制作pcb板上的线宽线距，蚀刻方法加工8mil（210um）的线距的能力是3oz（105um）铜，加工6oz的铜厚无法做到8mil的线宽线距离（在pcb行业中， oz（盎司）是长度单位，1oz表示在1平方英尺的面积上平均铜箔的重量是28.35克，即用单位面积的重量来表示铜箔的平均厚度；1oz=35um=1.2mil）。


技术实现要素：

3.为解决现有技术中的不足，本发明提供一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，实现了在大于等于6oz铜厚的pcb板上加工小于等于8mil的线宽线距的目的。
4.为达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，包括：将厚铜pcb板上需要加工的线宽线距的区域分为第一加工区域和第二加工区域，所述第一加工区域指要加工的线宽线距大于指定的尺寸，所述第二加工区域指要加工的线宽线距小于等于指定的尺寸；在厚铜pcb板上贴干膜；通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距，加工后不退膜；通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距，加工后退膜。
5.进一步地，所述厚铜pcb板指铜厚大于等于6oz的pcb板上，所述指定的尺寸为8mil。
6.进一步地，所述通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距，加工后退膜，包括：当4mil＜线宽线距的尺寸≤8mil时，采用捞针进行控深捞，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；当线宽线距的尺寸≤4mil时，采用uv镭射加工，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；对机械加工后的厚铜pcb板进行二次蚀刻，以去除所述微小槽底部残留的铜，二次蚀刻后退膜。
7.进一步地，所述二次蚀刻后退膜，指第一加工区域和第二加工区域同时退膜。
8.进一步地，当4mil＜线宽线距的尺寸≤8mil时，采用捞针进行控深捞，加工深度与总铜厚相等；当线宽线距的尺寸≤4mil时，采用uv镭射加工，加工深度与总铜厚相等。
9.进一步地，通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距时，蚀刻速度按照总铜厚减去0.5oz铜厚对应的速度进行蚀刻。
10.与现有技术相比，本发明所达到的有益效果：本发明通过采用机械加工的方法在大于等于6oz铜厚的pcb板上加工小于等于8mil的线宽线距，实现了在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的目的；打破了本领域内pcb板上的线宽线距只能通过蚀刻方法制作，机械加工方法等非蚀刻方法只能用于制作pcb板上的通孔的固有认识。
附图说明
11.图1是本发明实施例一中经过曝光、显影后的厚铜pcb板的状态示意图；图2是本发明实施例一中对图1进行蚀刻后的厚铜pcb板的状态示意图；图3是本发明实施例一中对图2进行机械加工时的厚铜pcb板的状态示意图；图4是本发明实施例一中对图2进行机械加工后的厚铜pcb板的状态示意图；图5是本发明实施例一中对图4进行二次蚀刻后的厚铜pcb板的状态示意图；图6是本发明实施例一中对图5进行退膜后的厚铜pcb板的状态示意图；其中，1、干膜；2、厚度≥6oz的铜层；3、基材；a、大于8mil的线宽线距；b、小于等于8mil的线宽线距。
具体实施方式
12.下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
13.实施例一：一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，具体加工步骤如下：1、首先准备6oz或以上铜厚的覆铜板；2、将厚铜pcb板上需要加工的线宽线距的区域分为第一加工区域和第二加工区域，所述第一加工区域指要加工的线宽线距大于指定的尺寸，所述第二加工区域指要加工的线宽线距小于等于指定的尺寸；即，在工程资料设计部分，线宽线距大于8mil的部分按普通的内层做法设计，但是小于等于8mil线宽线距的位置按正片处理设计，对此位置的进行干膜曝光保护起来，不进行蚀刻；3、通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距，加工后不退膜；具体地，在厚铜pcb板上贴干膜；根据工程资料设计进行进行贴干膜，曝光，显影，蚀刻，通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距时，蚀刻速度按照总铜厚减去0.5oz铜厚对应的速度（即蚀刻速度为铜厚15μm的速度）进行蚀刻，蚀刻后不褪膜，如图1、图2所示；4、通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距；当4mil＜线宽线距的尺寸≤8mil时，采用捞针进行控深捞，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；当线宽线距的尺寸≤4mil时，采用uv镭射加工，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；具体地，本实施例中，使用0.15mm（对应8mil线距）或0.12mm（对应7mil线距）或0.10mm(对应6mil线距离)的捞针进行控深捞，如果线距为4mil 与5mil则用uv 镭射烧出0.05宽的微小槽，这些槽的深度为总铜厚减去15um，即捞槽后余留铜厚度0.5oz；如图3、图4所示；5、对机械加工后的厚铜pcb板进行二次蚀刻，以去除所述微小槽底部残留的铜，二次蚀刻后退膜；即，对捞过槽还未去膜的步骤4中的板子用hoz的蚀刻速度进行二次蚀刻；如图5所示；6、二次蚀刻后进行退膜，将第一加工区域和第二加工区域同时退膜，如图6所示。
14.传统工艺中，通过蚀刻方法制作pcb板上的线宽线距，蚀刻方法加工8mil（210um）的线距的能力是3oz（105um）铜，加工6oz的铜厚无法做到8mil的线宽线距离，因此，对于在大于等于6oz铜厚的pcb板上加工小于等于8mil的线宽线距本领域内普遍认为无法做到，也没有很好的替代方案，成为长期困扰技术人员的一大难题。本实施例通过采用机械加工的
方法在大于等于6oz铜厚的pcb板上加工小于等于8mil的线宽线距，打破了本领域内pcb板上的线宽线距只能通过蚀刻方法制作，捞针、uv镭射等传统机械加工方法等非蚀刻加工方法等只能用于制作pcb板上的通孔的固有认识，通过蚀刻与机械加工相结合的方法，实现了在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的目的。
15.实施例二：本实施例与实施例一的区别仅在于，在通过捞针、uv镭射进行机械加工时，形成的微小槽，其深度与铜等高，这样就不需要再进行二次蚀刻，机械加工后直接退膜。
16.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，包括：将厚铜pcb板上需要加工的线宽线距的区域分为第一加工区域和第二加工区域，所述第一加工区域指要加工的线宽线距大于指定的尺寸，所述第二加工区域指要加工的线宽线距小于等于指定的尺寸；在厚铜pcb板上贴干膜；通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距，加工后不退膜；通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距，加工后退膜。2.根据权利要求1所述的在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，所述厚铜pcb板指铜厚大于等于6oz的pcb板上，所述指定的尺寸为8mil。3.根据权利要求2所述的在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，所述通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距，加工后退膜，包括：当4mil＜线宽线距的尺寸≤8mil时，采用捞针进行控深捞，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；当线宽线距的尺寸≤4mil时，采用uv镭射加工，加工深度为总铜厚减去15μm，形成微小槽；对机械加工后的厚铜pcb板进行二次蚀刻，以去除所述微小槽底部残留的铜，二次蚀刻后退膜。4.根据权利要求3所述的在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，所述二次蚀刻后退膜，指第一加工区域和第二加工区域同时退膜。5.根据权利要求2所述的在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，当4mil＜线宽线距的尺寸≤8mil时，采用捞针进行控深捞，加工深度与总铜厚相等；当线宽线距的尺寸≤4mil时，采用uv镭射加工，加工深度与总铜厚相等。6.根据权利要求1所述的在厚铜pcb板上加工微小线宽线距的方法，其特征在于，通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距时，蚀刻速度按照总铜厚减去0.5oz铜厚对应的速度进行蚀刻。

技术总结
本发明公开了PCB板加工技术领域的一种在厚铜PCB板上加工微小线宽线距的方法，包括将厚铜PCB板上需要加工的线宽线距的区域分为第一加工区域和第二加工区域，所述第一加工区域指要加工的线宽线距大于指定的尺寸，所述第二加工区域指要加工的线宽线距小于等于指定的尺寸；在厚铜PCB板上贴干膜；通过蚀刻方法加工第一加工区域内的线宽线距，加工后不退膜；通过非蚀刻加工方法加工第二加工区域内的线宽线距，加工后退膜，实现了在大于等于6oz铜厚的PCB板上加工小于等于8mil的线宽线距的目的。PCB板上加工小于等于8mil的线宽线距的目的。PCB板上加工小于等于8mil的线宽线距的目的。


技术研发人员：王永军
受保护的技术使用者：沪士电子股份有限公司
技术研发日：2021.11.19
技术公布日：2022/2/18