胶体的去除方法

文档序号:8343561阅读:5224来源:国知局
胶体的去除方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种胶体的去除方法,特别是涉及一种适用于电子产品上的胶体的去 除方法。
【背景技术】
[0002] 印刷电路板制备中,一般通过焊接将各个芯片电性连接于衬底上。为了提高芯片 与衬底的连接强度,通常于芯片边缘涂抹胶体,胶体通过毛细作用渗入芯片与衬底之间,当 胶体固化后可将芯片牢固连接于衬底上。当芯片与衬底上的电路连接不良时,需将芯片从 衬底上拔出,并去除填充胶,W重新焊接芯片。然而,由于胶体的材料成分一般为环氧树脂, 其固化后附着力非常强,采用人工刮除时较为困难,导致加工效率的降低;且人工刮除胶体 时,易导致其周围电子元件的损坏,降低了产品良率。

【发明内容】

[0003] 鉴于上述内容,有必要提供一种效率较高且不损伤产品的胶体的去除方法。
[0004] -种胶体的去除方法,用于去除涂覆在基板上的胶体,该基板上邻近该胶体间隔 装设有多个配件,该胶体的去除方法包括W下步骤:在该基板上涂覆一遮蔽层,该遮蔽层完 全覆盖该多个配件,完全或部分覆盖该胶体;固化该遮蔽层;去除位于该胶体上的部分遮 蔽层,W露出该胶体;将基板放置在除胶药水中浸泡,W软化胶体,并使胶体的粘性将低,该 遮蔽层能够耐该除胶药水W保护该多个配件;刮除软化后的胶体;去除剩余的遮蔽层。
[0005] 本发明的胶体去除方法,通过除胶药水软化胶体,从而使胶体更易去除,提高了加 工效率;另外,通过遮蔽层覆盖胶体周围区域,从而在去除胶体时,不会损伤其周围的配件, 提局了广品良率。
【附图说明】
[0006] 图1是本发明实施方式的胶体的去除方法的流程示意图。
[0007] 图2至图7是本发明实施方式的胶体的去除过程的剖面示意图。
[0008] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种胶体的去除方法,用于去除涂覆在基板上的胶体,该基板上邻近该胶体间隔装 设有多个配件,该胶体的去除方法包括W下步骤: 在该基板上涂覆一遮蔽层,该遮蔽层完全覆盖该多个配件,至少部分覆盖该胶体; 固化该遮蔽层; 去除位于该胶体上的部分遮蔽层,W露出该胶体; 将基板放置在除胶药水中浸泡,W软化胶体,并使胶体的粘性将低,该遮蔽层能够耐该 除胶药水W保护该多个配件; 刮除软化后的胶体; 去除剩余的遮蔽层。
2. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于;该遮蔽层的成分为娃系或氣 系树脂。
3. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于:该除胶药水为芳香族溶剂、醋 类溶剂、丽类溶剂、醇離类溶剂、亚讽类溶剂及醜胺类溶剂中的一种或多种。
4. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于;在将基板放置在除胶药水中 浸泡时,需预设一浸泡温度及一浸泡时间,W使胶体可充分地软化。
5. 如权利要求4所述的胶体的去除方法中,其特征在于;该浸泡温度为10(Tl2(rC,该 浸泡时间为6(Tl20min。
6. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于:去除该遮蔽层的方法为撕除、 浸泡溶解及高压设备去除中的一种或多种。
7. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于:采用激光控制系统去除位于 胶体上的部分遮蔽层。
8. 如权利要求7所述的胶体的去除方法中,其特征在于;激光控制系统去除位于胶体 上的部分遮蔽层前,提供一掩模,该掩模上开设有与该胶体的形状相配合的照射孔,将该掩 模设置于基板上并使照射孔对应胶体,激光控制系统发出的激光经照射孔照射在胶体上并 去除胶体。
9. 如权利要求1所述的胶体的去除方法中,其特征在于:固化该遮蔽层的方法采用UV 固化、室温固化及高温固化中的一种或多种。
【专利摘要】一种胶体的去除方法,用于去除涂覆在基板上的胶体,该基板上邻近该胶体间隔装设有多个配件,该胶体的去除方法包括以下步骤:在该基板上涂覆一遮蔽层,该遮蔽层完全覆盖该多个配件,完全或部分覆盖该胶体;固化该遮蔽层;去除位于该胶体上的部分遮蔽层,以露出该胶体;将基板放置在除胶药水中浸泡,以软化胶体,并使胶体的粘性将低,该遮蔽层能够耐该除胶药水以保护该多个配件;刮除软化后的胶体;去除剩余的遮蔽层。上述方法去除胶体的效率较高,且不损伤配件,提高了产品良率。
【IPC分类】H05K3-22
【公开号】CN104661442
【申请号】CN201310586321
【发明人】张明仁, 葛智逵, 吴长锦
【申请人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月21日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1