一种高频高速有机基板的制备新工艺的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种高频高速有机基板的制备新工艺，通过混料、铜箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、层压复合及收卷，即可制备得到高频高密度有机基板，上述制备方法采用连续化、大面积生产方式，制备工艺简单，且制备的高频高密度有机基板材料厚度均匀且可控制、溶剂挥发完全，无气孔及明显的缺陷，收卷整齐，从而能够实现高频高密度有机基板材料的大面积连续性稳定生产。
【专利说明】
一种高频高速有机基板的制备新工艺
技术领域
[0001]本发明涉及材料制备技术领域，尤其是涉及一种高频高速有机基板的制备新工
-H-
O
【背景技术】
[0002]高频高速有机基板材料作用是搭载、固定电子元器件，利用其表面或内部形成的电路图形，进行电路连接，同时兼有绝缘、导热、隔离及保护元器件。随着封装技术由传统的二维集成封装向三维集成封装方向发展，高频高速有机基板材料已经成为高频高速有机基板材料的首选材料之一。
[0003]传统的高频高速有机基板材料一般采用玻璃纤维布作为增强材料，与之相应的高频高速有机基板材料生产工艺主要是采用将玻璃纤维布浸渍于高频高速有机基板材料浆料中，烘干并形成半固化片后两面覆铜箔层压复合得到。高频高速有机基板材料要求基板材料厚度较薄，因此无玻璃纤维布增强的高频高速有机基板材料是未来的发展趋势。而现有的有机基板材料制备工艺并无法应用于尚频尚速用有机基板材料。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供了一种尚频尚速的有机基板的制备方法，弥补现有的有机基板材料制备工艺并无法应用于高频高速用有机基板材料。
[0005]为实现上述目的，本发明采用下述技术方案:
[000?] —种尚频尚速有机基板的制备新工艺，依次包括下述步骤:
[0007]混料:将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、无机填料以及有机溶剂混合均匀得到高频高速有机基板浆料；
[0008]铜箔放卷:转动铜箔放卷器，配合放卷的速度放出铜箔；
[0009]涂布:在所述铜箔的一个表面涂布所述高频高速有机基板浆料；
[0010]烘干:将涂布后的铜箔进行烘干以除去所述铜箔表面的溶剂；
[0011 ] 二次放卷:将烘干后的铜箔进行放卷；
[0012]层压复合:将两片涂布了所述高频高速有机基板浆料的涂布经过加热的压辊层压复合，得到尚频尚速有机基板；
[0013]收卷:将层压复合后的高频高速有机基板收卷。
[0014]在一些实施例中，所述无机填料为二氧化硅、氮化硼;所述有机溶剂为2-丁酮，丙酮以及N‘N二甲基甲酰胺。
[0015]在一些实施例中，所述铜箔放卷的速度为I?20m/min。
[0016]在一些实施例中，所述铜箔的厚度为12μπι-35μπι，宽度为300-600mm。
[0017]在一些实施例中，所述涂布的速度为I?20m/min，涂布湿膜单层厚度5?20μπι。
[0018]在一些实施例中，所述烘干是将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱进行烘干。
[0019]在一些实施例中，所述层压复合的温度为80_200°C，层压复合压力为l_20MPa。
[0020]本发明的优点是:
[0021]本发明提供的高频高速有机基板的制备新工艺，通过混料、铜箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、层压复合及收卷，即可制备得到高频高密度有机基板，上述制备方法采用连续化、大面积生产方式，制备工艺简单，且制备的高频高密度有机基板材料厚度均匀且可控制、溶剂挥发完全，无气孔及明显的缺陷，收卷整齐，从而能够实现高频高密度有机基板材料的大面积连续性稳定生产。
【附图说明】
[0022]图1为本发明实施例提供的高频高速有机基板的制备新工艺步骤流程图。
【具体实施方式】
[0023]请参考图1，一种尚频尚速有机基板的制备新工艺，依次包括下述步骤:
[0024]步骤S110:混料，将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、无机填料以及有机溶剂在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料;所述无机填料为二氧化硅、氮化硼;所述有机溶剂为2-丁酮，丙酮以及N ‘ N二甲基甲酰胺。
[0025]步骤S120:铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为I?20m/min，铜猜厚度为12ym-35ym，宽度为300-600mm。
[0026]步骤S130:涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为I?20m/min，涂布湿膜单层厚度5?20μηι。
[0027]步骤S140:烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为60-150°(:，烘干时间为5-301^11。
[0028]步骤S150: 二次放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷。
[0029]步骤S160:层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压复合，层压复合温度为80-200°C，层压复合压力为l_20MPa;
[0030]步骤S170:收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0031]本发明提供的高频高速有机基板的制备新工艺，通过混料、铜箔放卷、涂布、烘干、二次放卷、层压复合及收卷，即可制备得到高频高密度有机基板，上述制备方法采用连续化、大面积生产方式，制备工艺简单，且制备的高频高密度有机基板材料厚度均匀且可控制、溶剂挥发完全，无气孔及明显的缺陷，收卷整齐，从而能够实现高频高密度有机基板材料的大面积连续性稳定生产。
[0032]下面为具体实施例部分。
[0033]实施例1
[0034]a)混料，将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、二氧化硅以及2-丁酮在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料；
[0035]b)铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为Im/min，铜箔厚度为12μηι，宽度为300mm;
[0036]c)涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为lm/min，涂布湿膜单层厚度20μηι;
[0037]d)烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为60 °C，烘干时间为30min;
[0038]e)放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷；
[0039]f)层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压复合，层压复合温度为200°C，层压复合压力为IMPa;
[0040]g)收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0041 ] 实施例2
[0042]a)将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、氮化硼以及丙酮在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料；
[0043]b)铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为20m/min，铜箔厚度为35μηι，宽度为600mm;
[0044]c)涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为20m/min，涂布湿膜单层厚度5μηι ；
[0045]d)烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为150 °C，烘干时间为5min;
[0046]e)放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷；
[0047]f)层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压复合，层压复合温度为80°C，层压复合压力为20MPa;
[0048]g)收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0049]实施例3
[0050]a)将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、氮化硼以及N‘N二甲基甲酰胺在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料；
[0051 ] b)铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为1m/min，铜箔厚度为18μπι，宽度为480mm;
[0052]c)涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为1m/min，涂布湿膜单层厚度ΙΟμπι;
[0053]d)烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为120 °C，烘干时间为20min;
[0054]e)放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷；
[0055]f)层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压复合，层压复合温度为150°C，层压复合压力为1MPa;
[0056]g)收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0057]实施例4
[0058]a)将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、二氧化硅以及丙酮在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料；
[0059]b)铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为5m/min，铜箔厚度为35μηι，宽度为600mm;
[0060]c)涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为I?20m/min，涂布湿膜单层厚度5?20μπι，所述的铜箔厚度为12μπι-35μπι，宽度为300-600mm;
[0061 ] d)烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为60-150°(:，烘干时间为5-301^11;
[0062]e)放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷；
[0063]f)层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压炅合，层压炅合温度为80_200 C，层压炅合压力为5MPa;
[0064]g)收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0065]实施例5
[0066]a)将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、氮化硼以及2-丁酮在混料机中混合均匀得到高频高速有机基板材料浆料；
[0067]b)铜箔放卷，将铜箔放卷器转动，配合放卷的速度放出金属膜。放卷速度为I?20m/min，铜猜厚度为 12μηι-35μηι，宽度为 300-600mm ；
[0068]c)涂布，在铜箔的一表面涂布的高频高速有机基板材料浆料，涂布速度为I?20m/min，涂布湿膜单层厚度5?20μπι，所述的铜箔厚度为12μπι-35μπι，宽度为300-600mm;
[0069]d)烘干，将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱中烘干除溶剂，烘干的温度为60-150°(:，烘干时间为5-301^11;
[0070]e)放卷，将在铜箔一表面涂布了高频高速有机基板材料浆料的铜箔配合从烘箱中送出来的铜箔进行放卷；
[0071]f)层压复合，将两片涂布了高频高速有机基板材料浆料的涂布进过加热的压辊层压炅合，层压炅合温度为80_200 C，层压炅合压力为1MPa;
[0072]g)收卷，将层压复合后的高频高速有机基板収起。
[0073]当然本发明的高频高速有机基板的制备新工艺还可具有多种变换及改型，并不局限于上述实施方式的具体结构。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
【主权项】
1.一种高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，依次包括下述步骤: 混料:将双马来酰亚胺-氰酸酯树脂、无机填料以及有机溶剂混合均匀得到高频高速有机基板浆料； 铜箔放卷:转动铜箔放卷器，配合放卷的速度放出铜箔； 涂布:在所述铜箔的一个表面涂布所述高频高速有机基板浆料； 烘干:将涂布后的铜箔进行烘干以除去所述铜箔表面的溶剂； 二次放卷:将烘干后的铜箔进行放卷； 层压复合:将两片涂布了所述高频高速有机基板浆料的涂布经过加热的压辊层压复合，得到尚频尚速有机基板； 收卷:将层压复合后的高频高速有机基板收卷。2.根据权利要求1所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述无机填料为二氧化硅、氮化硼;所述有机溶剂为2-丁酮，丙酮以及N‘N二甲基甲酰胺。3.根据权利要求1所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述铜箔放卷的速度为I?20m/min。4.根据权利要求3所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述铜箔的厚度为 12μηι-35μηι，宽度为 300_600mm。5.根据权利要求1所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述涂布的速度为I?20m/min，涂布湿膜单层厚度5?20μηι。6.根据权利要求1所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述烘干是将涂布后的铜箔进入容许金属膜连续穿过的长烘箱进行烘干。7.根据权利要求1所述的高频高速有机基板的制备新工艺，其特征在于，所述层压复合的温度为80-200 °C，层压复合压力为l_20MPa。
【文档编号】H05K3/00GK105960098SQ201610343125
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】孙蓉, 曾小亮, 么依民, 许建斌
【申请人】深圳先进技术研究院