振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体的制作方法

振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种能够与以往相比提高温度补偿型的振荡器的频率稳定性的振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体。振荡器(1)包括：振动元件(3)；振荡电路(10)，其使振动元件(3)进行振荡从而输出振荡信号；温度补偿电路(40)，其在所需的温度范围内对振荡信号的频率的温度特性进行补偿，所述振荡器(1)的制造方法包括：第一温度补偿调节工序(S51、S52)其在多个温度下对频率进行测量，并根据温度与频率之间的关系而对第一温度补偿数据进行计算；第二温度补偿调节工序(S53、S54)，其在第一温度补偿调节工序之后，在多个温度下对通过温度补偿电路(40)并根据第一温度补偿数据而被温度补偿之后的频率进行测量，并根据温度与频率之间的关系而对第二温度补偿数据进行计算。
【专利说明】
振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体
技术领域
[0001]本发明涉及一种振荡器的制造方法、振荡器、电子设备以及移动体。
【背景技术】
[0002]温度补偿型水晶振荡器(TCXO:TemperatureCompensated Crystal Oscillator)具有水晶振子和用于使该水晶振子进行振荡的集成电路(IC:1ntegrated Circuit)，该IC通过在预定的温度范围内对水晶振子的振荡频率与所需的频率(公称频率)的偏差(频率偏差)进行补偿(温度补偿)，从而能够获得较高的频率精度。这样的温度补偿型水晶振荡器(TCXO)例如在专利文献I或专利文献2中已被公开。
[0003]作为温度补偿型水晶振荡器(TCXO)的振子，而利用一种AT切割振子。AT切割振子由于频率温度特性呈3次曲线，与其他切割振子相比，具有能够在较大的温度范围内获得稳定的频率的优点。
[0004]—般而言，在温度补偿调节工序中，在多个温度下对振荡器的频率进行测量，并根据测量所得的频率而生成减小基准温度(例如，25°C)下的频率偏差的温度补偿数据。因此，例如，在将温度补偿范围设为一40°C至+85°C时，由于作为温度补偿范围内与温度补偿范围外的边界的温度(温度补偿范围的一端的温度)的一40°C以及+85°C与基准温度之差最大，因此在一40°C以及+85°C中的至少一方的温度下，频率将变得容易发生急剧变化。于是，由于在该温度附近即使温度稍微变化，温度补偿型振荡器的频率也会较大地变动，因此存在频率稳定性较差的问题。
[0005]专利文献1:日本特开2014 —107862号公报
[0006]专利文献2:日本特开2010 —103802号公报

【发明内容】

[0007]本发明是鉴于如上的问题而完成的，根据本发明的几个方式，能够提供一种能够与现有相比提高温度补偿型的振荡器的频率稳定性的振荡器的制造方法。根据本发明的几个方式，能够提供一种与以往相比提高频率稳定性的温度补偿型的振荡器。另外，根据本发明的几个方式，能够提供一种使用了该振荡器的电子设备以及移动体。
[0008]本发明为用于解决前述课题中的至少一部分而完成的发明，能够作为以下的方式或应用例而实现。
[0009]应用例I
[0010]本应用例所涉及的振荡器的制造方法，其中，所述振荡器包括:振动元件;振荡电路，其使所述振动元件进行振荡从而输出振荡信号;温度补偿电路，其在所需的温度范围内对所述振荡信号的频率的温度特性进行补偿，所述振荡器的制造方法包括:第一温度补偿调节工序，在多个温度下对所述频率进行测量，并根据温度与所述频率之间的关系而对第一温度补偿数据进行计算;第二温度补偿调节工序，在所述第一温度补偿调节工序之后，在多个温度下对通过所述温度补偿电路并根据所述第一温度补偿数据而被温度补偿之后的所述频率进行测量，并根据温度与所述频率之间的关系而对第二温度补偿数据进行计算。[0011 ]通过振动元件和振荡电路，例如，也可以构成皮尔斯振荡电路、倒相型振荡电路、可耳皮兹振荡电路、哈脱利振荡电路等的各种振荡电路。
[0012]根据本应用例所涉及的振荡器的制造方法，即使在根据第一温度补偿数据而被温度补偿之后的频率在所需的温度范围的端处的温度、例如温度补偿范围的端处的温度下发生急剧变化的情况下，也能够在根据第一温度补偿数据而被温度补偿之后的频率的基础上对使温度补偿范围的端处的温度下的频率变化变得较为平缓这样的第二温度补偿数据进行计算。因此，根据本应用例所涉及的振荡器的制造方法，能够与以往相比而提高温度补偿型的振荡器的频率稳定性。
[0013]应用例2
[0014]上述应用例所涉及的振荡器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二温度补偿调节工序中，对如下所述第二温度补偿数据进行计算，即，在所述所需的温度范围的端处的温度下，使通过所述温度补偿电路而被补偿之后的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率为一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二温度补偿数据。
[0015]根据本实施方式的振荡器的制造方法，能够提供一种如下温度补偿型的振荡器，即，通过与以往相比减小所需的温度范围的端处的温度、例如温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率，从而与以往相比而提高频率稳定性的温度补偿型的振荡器。
[0016]应用例3
[0017]上述应用例所涉及的振荡器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述第二温度补偿调节工序中，对如下所述第二温度补偿数据进行计算，即，使所述端处的温度下的所述频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二温度补偿数据。
[0018]根据本实施方式的振荡器的制造方法，能够提供一种如下的温度补偿型的振荡器，即，通过进一步减小所需的温度范围的端处的温度、例如温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率，从而进一步提高频率稳定性的温度补偿型的振荡器。
[0019]应用例4
[0020]上述应用例所涉及的振荡器的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在所述所需的温度范围内，根据所述第二温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率的最大值，与根据所述第一温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值相比而较小。
[0021]根据本实施方式的振荡器的制造方法，能够提供一种如下温度补偿型的振荡器，即，所需的温度范围内的各温度、例如温度补偿范围内的各温度下的频率稳定度均良好的温度补偿型的振荡器。
[0022]应用例5
[0023]本应用例所涉及的振荡器，其具有:振动元件;集成电路，其具有使所述振动元件进行振荡从而输出振荡信号的振荡电路、在所需的温度范围内对所述振荡信号的频率的温度特性进行补偿的温度补偿电路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有与所述振动元件电连接的端子;第一容器，其对所述振动元件进行收纳，并且具有对所述振动元件进行覆盖的第一盖;第二容器，其对所述第一容器以及所述集成电路进行收纳，所述第一容器以与所述第一盖侧相反侧的面面对所述第二容器的内表面的方式而配置，所述集成电路与所述第一面相反侧的面经由粘合部件而与所述第一盖相连接，通过所述温度补偿电路而被补偿之后的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率，在所述所需的温度范围的端处的温度下为一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。
[0024]通过振动元件和振荡电路，例如，也可以构成皮尔斯振荡电路、倒相型振荡电路、可耳皮兹振荡电路、哈脱利振荡电路等的各种振荡电路。
[0025]根据本实施方式的振荡器，包括振荡电路以及温度补偿电路的集成电路经由粘合部件而被连接在对振动元件进行收纳的第一容器的金属制的第一盖上。由此，本实施方式的振荡器由于集成电路的发热会在短时间内传导至振动元件，因此集成电路与振动元件的温度差将变小，由温度补偿电路实施的温度补偿的误差将变小，从而能够提高频率稳定性。因此，本实施方式的振荡器能够提供一种如下振荡器，即，在所需的温度范围的端处的温度、例如温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率与以往相比而变小从而与以往相比而提高了频率稳定性的振荡器。
[0026]应用例6
[0027]上述应用例所涉及的振荡器也可以采用如下方式，S卩，所述端处的温度下的所述频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。
[0028]根据本实施方式的振荡器，由于使所需的温度范围的端处的温度、例如温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率进一步变小，因此能够进一步提高频率稳定性。
[0029]应用例7
[0030]上述应用例所涉及的振荡器也可以采用如下方式，S卩，所述第二容器具有在俯视观察时与所述第一容器以及所述集成电路重叠的第二盖，所述内表面具有配置有配线的面和所述第二盖露出的面，所述第一容器被配置于配置有所述配线的面上。
[0031]根据本实施方式的振荡器，能够与以往相比而提高频率稳定性，并且振动元件与集成电路之间的电连接的自由度提高。
[0032]应用例8
[0033]本应用例所涉及的电子设备具备上述任一个振荡器。
[0034]应用例9
[0035]本应用例所涉及的移动体具备上述任一个振荡器。
[0036]根据这些应用例，由于使用与以往相比提高频率稳定性的温度补偿型的振荡器，因此例如，还能够实现可靠性较高的电子设备以及移动体。
【附图说明】
[0037]图1为本实施方式的振荡器的立体图。
[0038]图2(A)为本实施方式的振荡器的剖视图，图2(B)为本实施方式的振荡器的俯视图，图2(C)为振荡器的仰视图。
[0039]图3为本实施方式的振荡器的功能框图。
[0040]图4为表示振荡器的制造方法的步骤的一个示例的流程图。
[0041]图5为表示现有的温度补偿型振荡器的频率偏差的斜率的一个示例的图。
[0042]图6为表示本实施方式的温度补偿调节工序的步骤的一个示例的流程图。
[0043]图7为表示本实施方式的振荡器的频率偏差的斜率的一个示例的图。
[0044]图8为关于振动元件的频率偏差的说明图。
[0045]图9为表不本实施方式的电子设备的结构的一个不例的功能框图。
[0046]图10为表不本实施方式的电子设备的外观的一个不例的图。
[0047]图11为表不本实施方式的移动体的一个不例的图。
【具体实施方式】
[0048]以下，利用附图来对本发明的优选的实施方式进行详细说明。并且，以下所说明的实施方式并非对权利要求书所记载的本发明的内容进行不当限定的方式。另外，以下所说明的结构并不一定全部为本发明的必要结构要件。
[0049]1.振荡器
[0050]振荡器的结构
[0051]图1以及图2为表示本实施方式的振荡器的构造的一个示例的图。图1为振荡器的立体图，图2(A)为图1的A—A’剖视图。另外，图2(B)为振荡器的俯视图，图2(C)为振荡器的仰视图。但是，图2(B)在没有图2(A)的盖5的状态下进行图示。
[0052]如图1以及图2(A)所示，本实施方式的振荡器I被构成为，包括作为半导体装置的集成电路(IC:1ntegrated Circuit)2、振动元件(振动片)3、封装件4、盖(盖)5以及外部端子(夕卜部电极)6。
[°°53] 作为振动元件3，例如，能够选用水晶振动元件、SAW(Surface Acoustic Wave:表面声波)共振元件、其他压电振动元件或者MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)振动元件等。作为振动元件3的基板材料，能够使用水晶、钽酸锂、铌酸锂等压电单晶、或锆钛酸铅等压电陶瓷等的压电材料、或硅半导体材料等。作为振动元件3的激励方法，既可以利用由压电效应实施的方法，也可以利用由库仑力实施的静电驱动。
[0054]封装件4将集成电路(IC)2和振动元件3收纳于同一空间内。具体而言，在封装件4内设置有凹部，并通过利用盖5来对凹部进行覆盖，从而对集成电路(IC)2和振动元件3进行收纳。在封装件4的内部或凹部的表面上，设置有未图示的配线，所述未图示的配线用于分别与集成电路(IC)2的两个端子(后文所述的图3的XO端子以及XI端子)和振动元件3的两个端子(激励电极3a以及3b)电连接。另外，在封装件4的内部或凹部的表面上，设置有与各外部端子6电连接的未图示的配线，各配线和集成电路(IC)2的各端子通过金等接合引线7而被引线接合。
[0055]如图2(C)所示，振荡器I在底面(封装件4的背面)上设置有四个外部端子6，所述四个外部端子6分别为，作为电源端子的外部端子VDD1、作为接地端子的外部端子VSSldtS输入有频率控制用的信号的端子的外部端子VCl以及作为输出端子的外部端子0UT1。电源电压被供给至外部端子VDDl，外部端子VSSl被接地。
[0056]振动元件3在其表面以及背面处分别具有金属的激励电极3a以及3b，并以与包含激励电极3a以及3b在内的振动元件3的质量相对应的所需的频率(振荡器I所要求的频率)来进行振荡。
[0057]在本实施方式中，振动元件3被收纳于封装件(容器)8内(振动元件3通过被配置于基座8a上的电极衬垫11和导电性粘合材料等的连接部件12而被固定)。封装件8包括基座8a和对基座8a进行密封的盖(Iid)8b，基座8a通过树脂等的粘合部件9而被接合于封装件4中。另外，集成电路(IC)2通过粘合部件9而被接合于盖8b上。
[0058]S卩，如图2(B)所示，在从上表面俯视观察振荡器I时，集成电路(IC)2与封装件8(振动元件3)重叠。在对振动元件3进行收纳的封装件8的盖8b上直接安装有集成电路(IC)2，因此，由于集成电路(IC)2的发热在短时间内传导至振动元件3，因此集成电路(IC)2和振动元件3的温度差将变小，从而由后文所述的温度补偿电路40实施的温度补偿的误差将变小。因此，为了提高频率精度，图2(A)?图2(C)所示的振荡器I的构造更为有效。此外，盖Sb的材料优选为热传导率较高的金属。
[0059]图3为振荡器I的功能框图。如图3所示，振荡器I为，包含振动元件3和用于使振动元件3进行振荡的集成电路(IC)2在内的振荡器，集成电路(IC)2和振动元件3被收纳于封装件4内。
[0060]集成电路(IC)2设置有作为电源端子的VDD端子、作为接地端子的VSS端子、作为输出端子的OUT端子、作为输入有对频率进行控制的信号的端子的VC端子、作为与振动元件3连接的连接端子的XI端子以及XO端子。VDD端子、VSS端子、OUT端子以及VC端子露出于集成电路(102的表面，并分别与被设置于封装件4上的外部端子￥001、￥551、01]11、￥(:1相连接。另外，XI端子与振动元件3的一端(一方的端子)相连接，XO端子与振动元件3的另一端(另一方的端子)相连接。
[0061 ]在实施方式中，集成电路(I C) 2被构成为，包括振荡电路1、输出电路20、频率调节电路30、AFC(Automatic Frequency Control，自动频率控制)电路32、温度补偿电路40、温度传感器50、调压电路60、存储部70以及串行接口(I/F)电路80。并且，集成电路(IC)2附加也可以采用省略或变更这些要素的一部分、或者附加了其他要素的结构。
[0062]调压电路60根据从VDD端子被供给的电源电压VDD(正的电压)，而生成振荡电路
1、频率调节电路30、AFC电路32、温度补偿电路40、输出电路20的一部分或全部的电源电压，或生成成为基准电压的恒定电压。
[0063]存储部70具有非易失性存储器72和寄存器74，并被构成为，能够从外部端子起经由串行接口电路80而对非易失性存储器72或寄存器74进行读取或写入。在实施方式中，由于与振荡器I的外部端子相连接的集成电路(IC)2的端子仅为VDD、VSS、0UT、VC这四个端子，因此，串行接口电路80例如在VDD端子的电压高于阈值时，接收从VC端子输入的时钟信号和从OUT端子输入的数据信号，并对非易失性存储器72或者寄存器74实施数据的读取或写入。
[0064]非易失性存储器72为用于对各种控制数据进行存储的存储部，例如，既可以为EEPROM(Electrically EraSable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)或闪存存储器等的可改写的各种非易失性存储器，也可以为如一次性PR0M(0neTime Programmable Read Only Memory,一次性可编程只读存储器)的不可改写的各种非易失性存储器。
[0065]在非易失性存储器72中，存储有用于对频率调节电路30进行控制的频率调节数据、或用于对温度补偿电路40进行控制的温度补偿数据(I次补偿数据、……、11次补偿数据)。而且，在非易失性存储器72中，还存储有用于分别对输出电路20或AFC电路32进行控制的数据(未图示)。
[0066]频率调节数据为用于对振荡器I的频率进行调节的数据，在振荡器I的频率偏离所需的频率的情况下，通过对频率调节数据进行改写，从而能够以使振荡器I的频率接近于所需的频率的方式进行微调节。
[0067]温度补偿数据(I次补偿数据、……、n次补偿数据)为，在振荡器I的温度补偿调节工序中被计算出的、振荡器I的频率温度特性的补正用的数据，例如，也可以为与振动元件3的频率温度特性的各次数成分相对应的I次?η次的系数值。在此，作为温度补偿数据的最大次数η，而选择如下的值，S卩，抵消振动元件3的频率温度特性，而且，还能够对集成电路(IC)2的温度特性的影响进行补正的值。例如，η也可以为大于振动元件3的频率温度特性的主要次元数的整数值。例如，如果振动元件3为AT切割水晶振动元件，则由于频率温度特性呈3次曲线，且该主要次元数为3，因此，作为η，也可以选择大于3的整数值(例如，5或6)。并且，温度补偿数据既可以包括I次?η次的所有次元数的补偿数据，也可以仅仅包括I次?η次中的一部分次元数的补偿数据。
[0068]被存储于非易失性存储器72中的各数据在集成电路(IC)2的电源接通时(VDD端子的电压从OV起上升至所需的电压时)从非易失性存储器72被传送至寄存器74，并被保持于寄存器74中。而且，在频率调节电路30中输入有被保持于寄存器74中的频率调节数据，在温度补偿电路40中输入有被保持于寄存器74中的温度补偿数据(I次补偿数据、……、n次补偿数据)，在输出电路20或AFC电路32中，也输入有被保持于寄存器74中的各控制用的数据。
[0069]在非易失性存储器72为不可改写的情况下，在振荡器I的检查时，从外部端子经由串行接口电路80而将各数据直接写入寄存器74的各个位中，所述寄存器74中保存有从非易失性存储器72被传送的各数据，并以使振荡器I满足所需的特性的方式，而对各数据被进行调节或选择，并将调节或选择而得的各数据最终写入非易失性存储器72中。另外，在非易失性存储器72为可改写的情况下，也可以在振荡器I的检查时，从外部端子经由串行接口电路80而将各数据写入非易失性存储器72中。但是，由于向非易失性存储器72的写入一般很费时间，因此，在振荡器I的检查时，为了缩短检查时间，也可以采用如下方式，即，从外部端子经由串行接口电路80而将各数据直接写入寄存器74的各个位中，并将调节或选择而得的各数据最终写入非易失性存储器72中。
[0070]振荡电路10通过使振动元件3的输出信号放大并反馈至振动元件3，从而使振动元件3进行振荡，并输出基于振动元件3的振荡的振荡信号。例如也可以通过被保存于寄存器74中的控制数据，而对振荡电路10的振荡段电流进行控制。
[0071]频率调节电路30产生与被保持于寄存器74中的频率调节数据相对应的电压，并将其施加于作为振荡电路10的负载电容而发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，以使预定的温度(例如，25°C)且VC端子的电压成为预定的电压(例如，VDD/2)的条件下的振荡电路10的振荡频率(基准频率)大致为所需的频率的方式进行控制(微调节)。
[0072]AFC电路32产生与VC端子的电压相对应的电压，并将该电压施加于作为振荡电路10的负载电容而发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，振荡电路10的振荡频率(振动元件3的振荡频率)根据VC端子的电压值而被控制。例如，也可以根据被保持于寄存器74中的控制数据，而对AFC电路32的增益进行控制。
[0073]温度传感器50为，输出与其周围的温度相对应的信号(例如，与温度相对应的电压)的感温元件。温度传感器50既可以为温度越高则输出电压越高的正极性的传感器，也可以为温度越高则输出电压越低的负极性的传感器。并且，作为温度传感器50，优选为，在保证了振荡器I的动作的所需的温度范围内，输出电压尽可能相对于温度变化而呈线形变化。
[0074]温度补偿电路40被输入来自温度传感器50的输出信号，并产生用于对振动元件3的频率温度特性进行补偿的电压(温度补偿电压)，并将该电压施加于作为振荡电路10的负载电容而发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，振荡电路10的振荡频率以不依赖于温度而几乎为恒定的方式而被控制。在本实施方式中，温度补偿电路40被构成为，包括I次电压产生电路41 一 I至η次电压产生电路41 一 η以及加法运算电路42。
[0075]I次电压产生电路41 一 I至η次电压产生电路41 一 η分别被输入有来自温度传感器50的输出信号，并根据与被保持于寄存器74中的I次补偿数据至η次补偿数据，而产生用于对频率温度特性的I次成分至η次成分进行补偿的I次补偿电压至η次补偿电压。
[0076]加法运算电路42对I次电压产生电路41 一 I至η次电压产生电路41 一 η分别产生的I次补偿电压至η次补偿电压进行加法运算并输出。该加法运算电路42的输出电压成为温度补偿电路40的输出电压(温度补偿电压)。
[0077]输出电路20被输入有振荡电路10所输出的振荡信号，而生成外部输出用的振荡信号，并经由OUT端子而向外部输出。例如，也可以通过被保存于寄存器74中的控制数据，而对输出电路20中的振荡信号的分频比或输出电平进行控制。
[0078]以该方式构成的振荡器I在所需的温度范围内，不依赖于温度，作为输出与外部端子VCl的电压相对应的恒定的频率的振荡信号的电压控制型的温度补偿型振荡器(如果振动元件3为水晶振动元件，则为VC—TCX0(Voltage Controlled Temperature CompensatedCrystal OsciIlator:压控温补晶体振荡器))而发挥功能。
[0079]振荡器的制造方法
[0080]图4为表示本实施方式的振荡器I的制造方法的步骤的一个示例的流程图。也可以省略或变更图4的工序SlO?S70的一部分，或者附加其他工序。另外，也可以在可能的范围内对各工序的顺序进行适当变更。
[0081]在图4的示例中，首先，将集成电路(IC)2和振动元件3(对振动元件3进行收纳的封装件8)搭载于封装件4中(SlO)。通过工序S10，从而使(IC)2和振动元件3成为如下状态，SP，通过设置于封装件4的内部或凹部的表面上的配线而被连接，从而在向集成电路(IC)2供给电源时，将使集成电路(I C) 2和振动元件3电连接的状态。
[0082]接下来，通过盖5而对封装件4进行密封，并实施热处理，从而将盖5粘合于封装件4上(S20)。通过该工序S20，从而完成振荡器I的组装。
[0083]接下来，对振荡器I的基准频率(基准温度TO (例如，25 °C)的频率)进行调节(S30)。在该工序S30中，在基准温度TO下使振荡器I进行振荡，从而对频率进行测量，并以频率偏差接近于O的方式来确定频率调节数据，。
[0084]接下来，对振荡器I的VC灵敏度进行调节(S40)。在该工序S40中，在基准温度TO下，在对外部端子VCl施加预定的电压(例如，OV或VDD)的状态下，使振荡器I进行振荡，从而对频率进行测量，并以获得所需的VC灵敏度的方式来确定AFC电路32的调节数据。
[0085]接下来，实施振荡器I的温度补偿调节(S50)。该温度补偿调节工序S50的详细进行后文叙述。
[0086]接下来，将通过工序S30、S40以及S50而获得的各数据存储在存储部70的非易失性存储器72中(S60)。
[0087]最后，对振荡器I的频率温度特性进行测量，对是否良好进行判断(S70)。在该工序S70中，在使温度逐渐变化的同时对振荡器I的频率进行测量，在所需的温度范围(例如，一40°C以上且85°C以下)内，对频率偏差是否在预定范围内进行评价，如果频率偏差在预定范围内，则判断为合格品，如果频率偏差不在预定范围内，则判定非合格品。
[0088]振荡器的频率温度特性
[0089]一般而言，在温度补偿调节工序中，在所需的温度范围(例如，一40°C以上且85°C以下)内，于多个温度下对振荡器I的频率进行测量，使用测量结果，并通过以温度(温度传感器的输出电压)为变量的η次式来对振荡器的频率温度特性进行拟合，并将基准温度TO的频率偏差设为O，且生成减小在所需的温度范围内的频率偏差的幅度这样的温度补偿数据(I次补偿数据、…、η次补偿数据)。
[0090]图5为，针对使用通过一般的温度补偿调节工序而获得的温度补偿数据进行温度补偿的现有的温度补偿型振荡器的四个样本，而对频率偏差的斜率(频率偏差相对于温度的斜率，且为以温度对频率偏差进行微分(差分)所得的斜率)的一个示例进行图示的图。在图5中，横轴为温度(单位:°C)，纵轴为频率偏差(单位:ppm)。如图5所示，在任意一个的样本中，频率偏差的斜率(绝对值)在一40 °C处最大，所述一40 0C为温度补偿范围内(一 40 °C以上且85°C以下)与温度补偿范围外的边界的温度(温度补偿范围的一端的温度)，大于土
0.025ppm/°C ( = 土 25ppb/°C )。即，由于将基准温度TO (例如，25 °C)的频率偏差设为O，因此在与基准温度TO之间的差最大的温度补偿范围的端处的温度附近，振荡器相对于温度变化的频率变化量将会变得最大。
[0091]因此，即使在温度补偿范围内振荡器的频率偏差处于预定的范围内，在温度补偿范围的端处的温度下相对于温度变化的频率变动也较大，从而用作频率稳定度的评价指标的、ADEV (Al Ian Deviat1n:阿伦方差)、TDEV (Time Deviat1n:时间偏差)、MT IE (MaximumTime Interval Error最大时间间隔误差)等的特性较差。
[0092]因此，在本实施方式中，在图4的温度补偿调节工序S50中，生成减小温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率的温度补偿数据。图6为表示本实施方式的温度补偿调节工序(图4的S50)的步骤的一个示例的流程图。此外，在图6的流程的开始时，在寄存器74中存储有通过图4的工序S30以及S40而获得的各数据。
[0093]在图6的示例中，首先，在所需的温度范围(例如，一40°C以上且85°C以下的温度范围)中包含的多个温度下对振荡器I的频率进行测量(S51)，根据通过工序S51测量所得的频率而生成第一温度补偿数据(I次补偿数据、……、n次补偿数据)(S52)。在工序S51中，取得未进行温度补偿的振荡器I的频率温度特性。在工序S52中，例如，温度补偿数据的计算程序通过以温度(温度传感器50的输出电压)为变量的η次式，而对通过工序S51测量所得的振荡器I的频率温度特性进行拟合，并将基准温度TO的频率偏差设为0，且生成减小所需的温度范围内的频率偏差的幅度的第一温度补偿数据。该工序S51以及S52(第一温度补偿调节工序)与上述的一般的温度补偿调节工序相同。
[0094]接下来，在非易失性存储器72中未存储通过在多个温度下对振荡器I的频率进行测量而获得的第一温度补偿数据，而在多个温度下对根据该第一温度补偿数据并通过温度补偿电路40而被温度补偿之后的振荡器I的频率进行测量(S53)，并根据在工序S53中测量所得的频率来生成第二温度补偿数据(I次补偿数据、……、n次补偿数据)(S54)。在工序S53中，与工序S51相比，例如在较多的温度下对根据在工序S52中生成的第一温度补偿数据而进行了温度补偿之后的振荡器I的频率进行测量，从而取得振荡器I的频率温度特性。在工序S54中，例如，温度补偿数据的计算程序通过以温度(温度传感器50的输出电压)为变量的η次式而对在工序S53中测量所得的振荡器I的频率温度特性进行拟合，从而生成减小温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率的第二温度补偿数据。例如，在工序S54中，温度补偿数据的计算程序也可以生成如下温度补偿数据，即，使温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差接近于0(其结果为，频率偏差的斜率将变小)，且在所需的温度范围内的频率偏差的幅度处于预定的范围内的第二温度补偿数据。在该工序S53以及S54(第二温度补偿调节工序)中，也可以以使温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率为一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二温度补偿数据。
[0095]而且，在工序S54中获得的第二温度补偿数据作为上述的温度补偿数据(I次补偿数据、……、n次补偿数据)，并通过图6的工序S60而被存储在非易失性存储器72中。
[0096]而且，通过根据需要而被存储在非易失性存储器72中的数据，而使温度补偿电路40发挥功能从而对振荡器I的频率温度特性进行确认。
[0097]图7为表示本实施方式的振荡器I的频率偏差的斜率(以温度而对频率偏差进行微分(差分)所得的斜率)的一个示例的图。在图7中，横轴为温度(单位:°C)，纵轴为频率偏差(单位:ppm)。在图7中，针对如下的各种情况而图示了频率偏差的斜率的坐标图。所述情况为，根据在图6的工序S51以及S52(第一温度补偿调节工序)中获得的第一温度补偿数据进行温度补偿的情况和根据在图6的工序S53以及S54(第二温度补偿调节工序)中获得的第二温度补偿数据进行温度补偿的情况。
[0098]如图7所示，虽然在作为温度补偿范围(一40°C以上且85°C以下)的端处的温度的一40°C下根据第一温度补偿数据进行了温度补偿的情况下的频率偏差的斜率大于+
0.03ppm/°C(=+30ppb/°C)，但是根据第二温度补偿数据进行了温度补偿的情况下的频率偏差的斜率被改善为+0.02ppm/°C(=+20ppb/°C)以下。因此，可以说，根据第二温度补偿数据进行温度补偿的本实施方式的振荡器I，与根据第一温度补偿数据进行温度补偿的一般的振荡器进行比较，作为温度补偿范围(一 40°C以上且85°C以下)的端处的温度的一 40°C下的频率稳定度得到提高。
[0099]另外，在图7的示例中，在根据第二温度补偿数据进行了温度补偿的情况下，与根据第一温度补偿数据进行了温度补偿的情况进行比较，虽然基准温度(25°C)附近的频率偏差的斜率变大，但是温度补偿范围(一 40°C以上且85°C以下)的频率偏差的斜率的范围将缩小至一0.025ppm/°C ( = — 25ppb/°C)以上且+0.025ppm/°C ( =+25ppb/°C )以下。即，在温度补偿范围内，根据第二温度补偿数据而进行了温度补偿时的频率偏差的斜率的最大值(0.025ppm/°C以下的值)与根据第一温度补偿数据而进行了温度补偿时的频率偏差的斜率的最大值(0.03ppm/°C以上的值)相比而较小。因此，可以说，使用第二温度补偿数据进行温度补偿的本实施方式的振荡器I与使用第一温度补偿数据进行温度补偿的一般的振荡器进行比较，温度补偿范围(一 40°C以上且85°C以下)的各温度下的频率稳定度均较为良好。
[0100]此外，在该工序S53以及S54(第二温度补偿调节工序)中，也可以以使温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二温度补偿数据。在图7的示例中，由于使用第二温度补偿数据进行了温度补偿时的一40°C下的频率偏差的斜率为稍微大于+0.01ppm/°C(=+10ppb/°C)的程度，因此，例如，如果稍微增大温度补偿范围(一40°C以上且85°C以下)内的频率偏差的斜率的范围，则还可能为+0.0 lppm/°C ( =+1ppb/°C)以下。
[0101]效果
[0102]如以上所说明的那样，在本实施方式中，在第二温度补偿调节工序(图6的S53以及S54)中，在多个温度下对根据在第一温度补偿调节工序(图6的S51以及S52)中获得的第一频率数据而进行了温度补偿之后的振荡器I的频率进行测量，并根据测量所得的频率来生成第二温度补偿数据。因此，即使根据第一温度补偿数据而进行了温度补偿之后的振荡器I的频率在温度补偿范围的端处的温度下发生急剧变化的情况下，也能够生成如下第二温度补偿数据，即，在根据第一温度补偿数据而进行了温度补偿之后的振荡器I的频率基础上，使温度补偿范围的端处的温度下的频率变化变得更为平缓的第二温度补偿数据。尤其，在第二温度补偿调节工序中，通过以使由温度补偿电路40实施的温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率为一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的方式生成第二温度补偿数据，从而能够提供一种如下温度补偿型的振荡器I，即，即使不使用能够实施多次改写的存储器，而使用非易失性存储器72等的所谓仅能够实施一次数据的改写的存储器(单次编程存储器)，而也使温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率与以往相比而变小(一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下)、从而与以往相比提高频率稳定性(ADEV、TDEV、MTIE等的特性)的温度补偿型的振荡器I。
[0103]另外，通过在第二温度补偿调节工序中，以使由温度补偿电路40实施的温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的方式生成第二温度补偿数据，从而能够提供一种温度补偿范围的端处的温度下的频率偏差的斜率进一步变小(一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下)从而进一步提高频率稳定性的温度补偿型的振荡器I。
[0104]另外，通过在由温度补偿电路40实施的在温度补偿范围内，使根据第二温度补偿数据而被温度补偿时的频率偏差的斜率的最大值，与根据第一温度补偿数据而被温度补偿时的频率偏差的斜率的最大值相比而较小，从而能够提供一种在温度补偿范围的各温度下的频率稳定度均良好的温度补偿型的振荡器I。
[0105]此外，在图4的温度补偿调节工序S50中，优选为，更加准确地对振荡器I的频率温度特性(包含振动元件3的频率温度特性和集成电路(IC) 2的温度特性在内)进行拟合。在此，由于在振荡器I的频率温度特性中振动元件3的频率温度特性为支配性的，因此优选为，更加准确地对振动元件3的频率温度特性进行拟合，换言之，相对于振动元件3的频率温度特性的拟合式的频率偏差较小。
[0106]例如，如果振动元件3为AT切割振动元件，则如图8所示，由于其频率温度特性(图8的实线)呈3次曲线(主要次数为3)，因此优选为，相对于振动元件3的频率温度特性的3次以上的拟合式(图8的虚线)的、振动元件3的频率偏差DF/F尽可能较小。如此，在温度补偿调节工序S50中，即使考虑集成电路(IC)2的温度特性的偏差，也容易生成用于在温度补偿范围(例如，一40°C以上且+85°C以下)内实现频率偏差较小的振荡器I的第二温度补偿数据。其结果为，在图4的工序S70中，由于当对频率偏差处于预定范围内进行评价时为合格品的概率将会变大，因此能够提高成品率。
[0107]由于振动元件3的频率温度特性根据激励电极3a、3b的位置或形状、振动元件3的形状或尺寸等的参数而变化，因此，在振动元件3的设计阶段中，例如，通过以即使在量产时的特性偏差的上限或下限处，在频率温度特性中也不产生倾斜的方式决定参数值，从而能够实现频率偏差DF/F较小的振动元件3。
[0108]而且，在温度补偿调节工序S50中，为了使所生成的第二温度补偿数据进一步反映集成电路(IC)2的温度特性，而通过更高次式来对振荡器I的频率温度特性进行拟合的方式也较为有效。例如，如果振动元件3为AT切割振动元件，则优选为，通过5次以上的式子来对振荡器I的频率温度特性进行拟合。如此，在温度补偿调节工序中，容易生成如下第二温度补偿数据，即，用于实现在集成电路(IC)2的温度特性的基础上、温度补偿范围内的频率偏差还较小的振荡器I的第二温度补偿数据。其结果为，能够进一步提高成品率。
[0109]此外，虽然上述的本实施方式的振荡器I为，具有温度补偿功能和电压控制功能(频率控制功能)的振荡器(VC — TCXO等)，但是也可以为不具有电压控制功能(频率控制功能)的温度补偿型振荡器(TCX0等)。
[0110]2.电子设备
[0?11 ]图9为表不本实施方式的电子设备的结构的一个不例的功能框图。另外，图10为表示作为本实施方式的电子设备的一个示例的智能电话的外观的一个示例的图。
[0112]本实施方式的电子设备300被构成为，包括振荡器310、CPU(Central ProcessingUnit:中央处理器)320、操作部 330、R0M(Read Only Memory,只读存储器)340、RAM (RandomAccess Memory，随机存取存储器)350、通信部360、显示部370。并且，本实施方式的电子设备也可以采用省略或变更图9的结构要素(各部)的一部分，或者附加了其他结构要素的结构。
[0113]振荡器310具备集成电路(IC)312和振动元件313。集成电路(IC)312使振动元件313进行振荡从而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器310的外部端子起向CPU320进行输出。
[0114]0?1]320根据存储于如1340等中的程序，而将从振荡器310输入的振荡信号作为时钟信号，来进行各种计算处理或控制处理。具体而言，CPU320实施与来自操作部330的操作信号相对应的各种处理、为了与外部装置实施数据通信而对通信部360进行控制的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理等。
[0115]操作部330为通过操作键或按钮开关等而被构成的输入装置，并将与用户的操作相对应的操作信号输出至CPU320。
[0116]R0M340对供CPU320实施各种计算处理或控制处理的程序或数据等进行存储。
[0117]RAM350对作为CPU320的工作区域而被使用的、从R0M340读出的程序或数据、从操作部330输入的数据、CPU320根据各种程序而执行的运算结果等进行临时存储。
[0118]通信部360实施用于使CPU320与外部装置之间的数据通信成立的各种控制。
[ΟΙ19] 显示部370为，由IXD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)等构成的显示装置，根据从CPU320输入的显示信号来对各种信息进行显示。在显示部370中也可以设置作为操作部330而发挥功能的触摸屏。
[0120]作为振荡器310，例如通过应用上述的各实施方式的振荡器I，从而能够实现可靠性较高的电子设备。
[0121]作为这种电子设备300而考虑到各种电子设备。例如，可列举出个人计算机(例如，便携式个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、智能电话或移动电话机等的移动体终端、数码照相机、喷墨式喷出装置(例如，喷墨式打印机)，路由器或开关等存储区域网络设备、局域网设备、移动体终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本(也包含附带通信功能的产品)、电子辞典、台式电子计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS(Point of Sale:销售点)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、动作轨迹、动作跟踪、运动控制器、PDR(Precis1n Depth Recorder:步行者航位推算)等。
[0122]作为本实施方式的电子设备300的一个示例，可举出将上述的振荡器310作为基准信号源或者电压可变型振荡器(VCO)等而使用，例如，作为通过有线或无线而与终端之间实施通信的终端基站用装置等而发挥功能的传送装置。作为振荡器310，例如通过应用上述的本实施方式的振荡器I，从而能够以与以往相比而较低的成本来实现例如通信基站等能够利用的、可期望频率精度$父尚、尚性能、尚可靠性的电子设备300。
[0123]另外，作为本实施方式的电子设备300的另一个示例，也可以为包括如下频率控制部的通信装置，即，通信部360接收外部时钟信号，CPU320(处理部)根据该外部时钟信号和振荡器310的输出信号(内部时钟信号)而对振荡器310的频率进行控制的频率控制部。该通信装置例如也可以为，Stratum 3等的基干网络设备或飞蜂窝基站(Femto cell)所使用的通信设备。
[0124]网络设备由于互连着时间同步网络，因此获取着准确的时间。越位于时间同步网络的终端的网络设备则越容易产生同步切断或时间波动(时间偏离)。本实施方式的振荡器310由于能够实现0.1ppm以下的极高精度的频率温度特性，因此对该时间波动进行补正，作为同步切断时的代替的时钟源较为合适。例如，通过具备与Stratum3标准相对应的振荡器310，从而能够实现如下网络设备，S卩，能够实现由对同步以太网的通信方法等进行规定的SyncE(Synchronous Ethernet:同步以太网)标准所规定的干扰、波动以及延迟等条件的网络设备。
[0125]另外，飞蜂窝基站为，移动电话基站(单元)中的、可设想设置在办公室或家庭内的极小规模的基站，飞蜂窝基站所覆盖的电波输出范围的半径为数十米左右。飞蜂窝基站通过宽带回线而连接至移动电话网。即使是建筑物所包围的办公室空间这种的、在现有的结构中无法确保充分的电波状态的场所，通过设置飞蜂窝基站，也能够确保通话。另外，从利用固定通信回线而使移动电话与固定电话融合的服务即FMC(Fixed Mobile Convergence:固定网络与移动网络融合)的导入变得可能的观点出发，飞蜂窝基站也将引起广泛关注。
[0126]3.移动体
[0127]图11为表不本实施方式的移动体的一个不例的图(俯视图)O图11所不的移动体400被构成为，包括振荡器410、实施发动机系统、制动系统、无钥匙进入系统等各种控制的控制器420、430、440、蓄电池450以及备用蓄电池460。并且，本实施方式的移动体也可以采用省略或变更图11的结构要素(各部分)的一部分或者附加了其他结构要素的结构。
[0128]振荡器410具备未图示的集成电路(IC)和振动元件，集成电路(IC)使振动元件进行振荡从而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器410的外部端子向控制器420、430、440进行输出，例如，作为时钟信号而被使用。
[0129]蓄电池450向振荡器410以及控制器420、430、440供给电力。备用蓄电池460在蓄电池450的输出电压与阈值相比较低时，向振荡器410以及控制器420、430、440供给电力。
[0130]作为振荡器410，例如通过应用上述的各实施方式的振荡器I，从而能够实现可靠性较高的移动体。
[0131]作为这样的移动体400，考虑到各种移动体，例如，汽车(也包含电动汽车)，喷气式飞机或直升机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
[0132]本发明并不限于本实施方式，能够在本发明的主旨的范围内进行各种变形实施。
[0133]上述的实施方式和改变例为一个示例，但并限定于此。例如，还能够对各实施方式和各改变例进行适当组合。
[0134]本发明包含与实施方式所说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及效果相同的结构)。此外，本发明包含对实施方式所说明的结构的非本质部分进行置换的结构。此外，本发明包含与实施方式所说明的结构起同样作用效果的结构或者能够实现相同目的的结构。此外，本发明包含向实施方式所说明的结构中附加了公知技术的结构。
[0135]符号说明
[0136]I振荡器;2集成电路(IC) ;3振动元件;3a、3b激励电极;4封装件；5盖;6外部端子(外部电极)；7接合引线;8封装件;8a基座;8b盖;9粘合部件；1振荡电路;11电极衬垫；12连接部件;20输出电路;30频率调节电路;32AFC电路;40温度补偿电路;41 一I I次电压产生电路;41 一η η次电压产生电路;42加法运算电路;50温度传感器;60调压电路;70存储部;72非易失性存储器;74寄存器、80串行接口(I/F)电路;300电子设备；310振荡器;312集成电路(IC); 313振动元件；320CPU ； 330操作部；340R0M ； 350RAM; 360通信部；370显示部；400移动体;410振荡器;420、430、440控制器;450蓄电池;460备用蓄电池。
【主权项】
1.一种振荡器的制造方法，其中，所述振荡器包括: 振动元件； 振荡电路，其使所述振动元件进行振荡从而输出振荡信号； 温度补偿电路，其在所需的温度范围内对所述振荡信号的频率的温度特性进行补偿， 所述振荡器的制造方法包括: 第一温度补偿调节工序，在多个温度下对所述频率进行测量，并根据温度与所述频率之间的关系而对第一温度补偿数据进行计算； 第二温度补偿调节工序，在所述第一温度补偿调节工序之后，在多个温度下对通过所述温度补偿电路并根据所述第一温度补偿数据而被温度补偿之后的所述频率进行测量，并根据温度与所述频率之间的关系而对第二温度补偿数据进行计算。2.如权利要求1所述的振荡器的制造方法，其中， 在所述第二温度补偿调节工序中，对如下所述第二温度补偿数据进行计算，即，在所述所需的温度范围的端处的温度下，使通过所述温度补偿电路而被补偿之后的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率为一20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下的所述第二温度补偿数据。3.如权利要求2所述的振荡器的制造方法，其中， 在所述第二温度补偿调节工序中，对如下所述第二温度补偿数据进行计算，即，使所述端处的温度下的所述频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下的所述第二温度补偿数据。4.如权利要求1所述的振荡器的制造方法，其中， 在所述所需的温度范围内，根据所述第二温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率的最大值，与根据所述第一温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值相比而较小。5.如权利要求2所述的振荡器的制造方法，其中， 在所述所需的温度范围内，根据所述第二温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值，与根据所述第一温度补偿数据而进行温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值相比而较小。6.如权利要求3所述的振荡器的制造方法，其中， 在所述所需的温度范围内，根据所述第二温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值，与根据所述第一温度补偿数据而进行了温度补偿时的所述频率偏差的斜率的最大值相比而较小。7.一种振荡器，其具有: 振动元件； 集成电路，其具有使所述振动元件进行振荡从而输出振荡信号的振荡电路、在所需的温度范围内对所述振荡信号的频率的温度特性进行补偿的温度补偿电路、以及第一面，其中，在所述第一面上，配置有与所述振动元件电连接的端子； 第一容器，其对所述振动元件进行收纳，并且具有对所述振动元件进行覆盖的第一盖； 第二容器，其对所述第一容器以及所述集成电路进行收纳， 所述第一容器以与所述第一盖侧相反侧的面面对所述第二容器的内表面的方式而被配置， 所述集成电路的与所述第一面相反侧的面经由粘合部件而与所述第一盖相连接，通过所述温度补偿电路而被补偿之后的所述振荡信号的、频率偏差相对于温度的斜率，在所述所需的温度范围的端处的温度下为一 20ppb/°C以上且+20ppb/°C以下。8.如权利要求7所述的振荡器，其中， 所述端处的温度下的所述频率偏差的斜率为一 10ppb/°C以上且+10ppb/°C以下。9.如权利要求7所述的振荡器，其中， 所述第二容器具有在俯视观察时与所述第一容器以及所述集成电路重叠的第二盖， 所述内表面具有配置有配线的面和所述第二盖露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配线的面上。10.如权利要求8所述的振荡器，其中， 所述第二容器具有在俯视观察时与所述第一容器以及所述集成电路重叠的第二盖， 所述内表面具有配置有配线的面和所述第二盖露出的面， 所述第一容器被配置于配置有所述配线的面上。11.一种电子设备，其中， 具备权利要求7所述的振荡器。12.—种电子设备，其中， 具备权利要求8所述的振荡器。13.—种电子设备，其中， 具备权利要求9所述的振荡器。14.一种电子设备，其中， 具备权利要求10所述的振荡器。15.—种移动体，其中， 具备权利要求7所述的振荡器。16.—种移动体，其中， 具备权利要求8所述的振荡器。17.—种移动体，其中， 具备权利要求9所述的振荡器。18.—种移动体，其中， 具备权利要求10所述的振荡器。
【文档编号】H03L1/02GK106027036SQ201610173083
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月24日
【发明人】高向真, 大脇卓弥, 小林刚
【申请人】精工爱普生株式会社