一种电磁炉加热线盘的制作方法

文档序号:8734168阅读:413来源:国知局
一种电磁炉加热线盘的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及到一种电磁炉加热线盘。
【背景技术】
[0002]电磁炉又被称为电磁灶,其原理是磁场感应涡流加热。即利用电流通过加热线盘产生磁场,当磁场内磁力线通过铁质锅的底部时,磁力线被切割,从而产生无数小涡流,使铁质锅自身的铁原子高速旋转并产生碰撞磨擦生热而直接加热于锅内的食物。
[0003]加热线盘是由导体线束自内向外盘绕于线圈盘支架上而形成的,加热线盘的好坏对电磁炉的性能具有决定性的影响。传统加热线盘的各个位置的都是导体线束都是相同的,该种方法制成的加热线盘会导致电磁炉中心的磁场较弱,加热不够均匀。

【发明内容】

[0004]本实用新型的目的是提出一种磁场均匀的电磁炉加热线盘。
[0005]本实用新型的电磁炉加热线盘由导体线束自内向外盘绕于线圈盘支架上而形成,关键在于所述线圈盘支架由内支架和环绕于内支架外部的外支架构成,所述内支架上的导体线束的截面面积的总和大于外支架上的导体线束的截面面积的总和。电磁炉加热线盘所产生的磁场的强度是由导体线束的截面面积的总和所决定的,导体线束的截面面积的总和越大,其产生的磁场强度也就越大。根据上述原理,本实用新型将线圈盘支架分为内支架和外支架两部分,并使内支架上的导体线束的截面面积的总和大于外支架上的导体线束的截面面积的总和,从而增强了电磁炉中心的磁场强度,使得电磁炉的磁场强度更加均匀。
[0006]进一步地,所述内支架和外支架上的导体线束均绕成多层,以提高单位面积的功率,从而减少电磁炉加热线盘所占的面积。
[0007]具体来说,所述内支架上的导体线束为2?5层,且每层的导体线束绕6?9圈;所述外支架上的导体线束为I?3层,且每层的导体线束绕5?8圈。
[0008]本实用新型的电磁炉加热线盘通过改变导体线束的绕制方法,增强了电磁炉中心的磁场强度,使得电磁炉的磁场强度更加均匀,具有很好的实用性。
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型的电磁炉加热线盘的截面图。
【具体实施方式】
[0010]下面对照附图,通过对实施实例的描述,对本实用新型的【具体实施方式】如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明。
[0011]实施例1:
[0012]如图所示,本实施例的电磁炉加热线盘由导体线束3自内向外盘绕于线圈盘支架上而形成,关键在于所述线圈盘支架由内支架I和环绕于内支架I外部的外支架2构成,所述内支架I上的导体线束3的截面面积的总和大于外支架2上的导体线束3的截面面积的总和。
[0013]具体来说,所述内支架I上的导体线束3为4层,且每层的导体线束3绕6圈;所述外支架2上的导体线束3为2层,且每层的导体线束3绕5圈,以提高单位面积的功率,从而减少电磁炉加热线盘所占的面积。
[0014]电磁炉加热线盘所产生的磁场的强度是由该位置导体线束3的截面面积的总和所决定的,导体线束3的截面面积的总和越大,该位置所产生的磁场强度也就越大。根据上述原理,本实用新型将线圈盘支架分为内支架I和外支架2两部分,并使内支架I上的导体线束3的截面面积的总和大于外支架2上的导体线束3的截面面积的总和,从而增强了电磁炉中心的磁场强度,使得电磁炉的磁场强度更加均匀。
【主权项】
1.一种电磁炉加热线盘,由导体线束自内向外盘绕于线圈盘支架上而形成,其特征在于所述线圈盘支架由内支架和环绕于内支架外部的外支架构成,所述内支架上的导体线束的截面面积的总和大于外支架上的导体线束的截面面积的总和。
2.根据权利要求1所述的电磁炉加热线盘,其特征在于所述内支架和外支架上的导体线束均绕成多层。
3.根据权利要求2所述的电磁炉加热线盘,其特征在于所述内支架上的导体线束为2?5层,且每层的导体线束绕6?9圈;所述外支架上的导体线束为I?3层,且每层的导体线束绕5?8圈。
【专利摘要】本实用新型的目的是提出一种磁场均匀的电磁炉加热线盘。本实用新型的电磁炉加热线盘由导体线束自内向外盘绕于线圈盘支架上而形成,关键在于所述线圈盘支架由内支架和环绕于内支架外部的外支架构成,所述内支架上的导体线束的截面面积的总和大于外支架上的导体线束的截面面积的总和。电磁炉加热线盘所产生的磁场的强度是由导体线束的截面面积的总和所决定的,导体线束的截面面积的总和越大,其产生的磁场强度也就越大。根据上述原理,本实用新型将线圈盘支架分为内支架和外支架两部分,并使内支架上的导体线束的截面面积的总和大于外支架上的导体线束的截面面积的总和,从而增强了电磁炉中心的磁场强度,使得电磁炉的磁场强度更加均匀。
【IPC分类】F24C7-06, H05B6-40
【公开号】CN204442732
【申请号】CN201420855814
【发明人】阮保清, 池关可
【申请人】阮保清
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月30日
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