一种射频宽带限幅器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高频测量领域，具体涉及一种高频测量保护领域。
【背景技术】
[0002]矢量网络分析仪接收机输入电平受输入放大器输入电平的限制，一般<+20dbm。实际测试时，由于静电、接地不良或者瞬间尖峰信号使矢量网络分析仪接收机端口的末级放大管、射频开关损坏。由此，设计一种宽频带的限幅器来保护矢量网络分析仪接收机的输入端口电路不被损坏显得非常必要。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是解决矢量网络分析仪接收机端口的末级放大管、射频开关容易受静电或瞬间尖峰信号影响而损坏问题。
[0004]本实用新型提出了一种射频宽带限幅器，包含一个金属屏蔽腔体、输入接头、输出接头，所述的金属屏蔽腔体内还包含有限幅保护电路;所述的限幅保护电路的信号通路依次为:输入接头(RF IN)、输入电容、第一静电释放二极管组、第一等效电感、第二静电释放二极管组、第二等效电感、第三静电释放二极管组、输出接头(RF OUT);所述的第一等效电感和第二等效电感为PCB走线产生;所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组及第三静电释放二极管组均由两组静电释放二极管子单元组成;所述的两组静电释放二极管子单元一端与信号通路的连线连接，另一端与信号地连接;所述的静电释放二极管子单元由四个静电释放二极管按负极接正极方式顺序连接而成，其中一个负极与正极的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的一端，相隔两个静电释放二极管的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的另一端。
[0005]进一步的，所述的限幅保护电路还包含有微带可调试电路;所述的微带可调试电路为PCB块状或带状走线，微带可调试电路的一端与第三静电释放二极管组的信号通路连线连接，另一端与输出接头相连。
[0006]进一步的，所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组、第三静电释放二极管组均具有等效电容;所述的等效电容由静电释放二极管本体结电容产生，所述结电容的范围在0.3pF?0.6pF0
[0007]本实用新型工作原理是一种自控衰减器，当高频信号输入功率较小时无衰减通过，当输入功率增大到超过门限电平时，会由于静电释放二极管组的限幅作用而使衰减迅速增大，当输入功率超过门限电平后，输出功率不再增加。
[0008]本实用新型的优点是:
[0009]⑴采用的限幅电路对超过门限电平的大功率输入信号有效限幅，保护了矢量网络分析仪的接收机后级敏感电路和器件；
[0010]⑵采用的电容设计起到了隔离直流的作用，避免了直流电压损坏仪器内部，同时不影响仪器使用频率范围的插入损耗；
[0011]⑶采用静电释放二极管组成限幅器的无源方案，器件体积小，适用于批量生产和调试。
【附图说明】
[0012]附图1为本实用新型的限幅电路原理图。
[0013]附图2为本实用新型的金属屏蔽腔体外观图。
[0014]附图3为本实用新型的PCB版图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0016]实施例1
[0017]—种射频宽带限幅器，如附图1、附图2所示，具有一个金属屏蔽腔体、输入接头、输出接头，金属屏蔽腔体内还有限幅保护电路。所述的限幅保护电路的信号通路依次为:输入接头(RF IN)、输入电容、第一静电释放二极管组、第一等效电感、第二静电释放二极管组、第二等效电感、第三静电释放二极管组、输出接头(RF OUT);所述的第一等效电感和第二等效电感为PCB走线产生;所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组及第三静电释放二极管组均由两组静电释放二极管子单元组成;所述的两组静电释放二极管子单元一端与信号通路的连线连接，另一端与信号地连接;所述的静电释放二极管子单元由四个静电释放二极管按负极接正极方式顺序连接而成，其中一个负极与正极的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的一端，相隔两个静电释放二极管的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的另一端;所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组、第三静电释放二极管组均具有等效电容;所述的等效电容由静电释放二极管本体结电容产生，所述结电容的范围在0.3pF?0.6pF;所述的输入电容取值范围为50nF?200nF;所述的第一等效电感与第二等效电感取值范围为1.2nH?2.4nH;所述的输入接头与输出接头包含SMA系列接头;进一步的，所述的限幅保护电路还包含有微带可调试电路;所述的微带可调试电路为PCB块状或带状走线，微带可调试电路的一端与第三静电释放二极管组的信号通路连线连接，另一端与输出接头相连。由于零件与生产工艺的参数分布性，在实际批量生产时，通过打磨去掉适量的PCB块状面积以调整电路参数，如附图3圆圈部分所示。
[0018]作为优选方案，输入电容取值为10nF;第一静电释放二极管组的等效电容为
0.73pF;第二静电释放二极管组的等效电容为1.257pF;第三静电释放二极管组的等效电容为0.73pF;第一等效电感与第二等效电感均为2.182nH;所述的静电释放二极管为ESD0P4RFL;所述的输入接头与输出接头为SMA-50K。
[0019]本实施例的工作原理是一种自控衰减器，当高频信号输入功率较小时无衰减通过，当输入功率增大到超过门限电平时，会由于静电释放二极管组的限幅作用而使衰减迅速增大，当输入功率超过门限电平后，输出功率不再增加。
[0020]本实施例的优点是:
[0021]⑴采用的限幅电路对超过门限电平的大功率输入信号有效限幅，保护了矢量网络分析仪的接收机后级敏感电路和器件；
[0022]⑵采用的电容设计起到了隔离直流的作用，避免了直流电压损坏仪器内部，同时不影响仪器使用频率范围的插入损耗；
[0023]⑶采用静电释放二极管组成限幅器的无源方案，器件体积小，适用于批量生产和调试。
[0024]以上，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种射频宽带限幅器，包含一个金属屏蔽腔体、输入接头、输出接头，其特征在于:所述的金属屏蔽腔体内还包含有限幅保护电路;所述的限幅保护电路的信号通路依次为:输入接头(RF IN)、输入电容、第一静电释放二极管组、第一等效电感、第二静电释放二极管组、第二等效电感、第三静电释放二极管组、输出接头(RF OUT);所述的第一等效电感和第二等效电感为PCB走线产生;所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组及第三静电释放二极管组均由两组静电释放二极管子单元组成;所述的两组静电释放二极管子单元一端与信号通路的连线连接，另一端与信号地连接;所述的静电释放二极管子单元由四个静电释放二极管按负极接正极方式顺序连接而成，其中一个负极与正极的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的一端，相隔两个静电释放二极管的连接端引出接线为静电释放二极管子单元的另一端。2.根据权利要求1所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的限幅保护电路还包含有微带可调试电路;所述的微带可调试电路为PCB块状或带状走线，微带可调试电路的一端与第三静电释放二极管组的信号通路连线连接，另一端与输出接头相连。3.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的第一静电释放二极管组、第二静电释放二极管组、第三静电释放二极管组均具有等效电容，所述的等效电容由静电释放二极管本体结电容产生，所述结电容的范围在0.3pF?0.6pF。4.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的输入电容的取值范围为50nF?200nF。5.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的第一等效电感与第二等效电感的取值范围为1.2nH?2.4nH06.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的输入接头与输出接头包含SMA系列接头。7.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的输入电容为10nF08.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的第一等效电感与第二等效电感的取值均为2.182nH09.根据权利要求1或2所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的静电释放二极管包含 ESD0P4RFL。10.根据权利要求3所述的一种射频宽带限幅器，其特征在于:所述的第一静电释放二极管组的等效电容为0.73pF、第二静电释放二极管组的等效电容为1.257pF、第三静电释放二极管组的等效电容为0.73pF。
【专利摘要】本实用新型提出一种射频宽带限幅器，包含一个金属屏蔽腔体、输入接头、输出接头，所述的金属屏蔽腔体内还包含有限幅保护电路；所述的金属屏蔽腔体内还包含限幅保护电路；所述的限幅保护电路的信号通路依次为：输入接头(RF？IN)、输入电容、第一静电释放二极管组、第一等效电感、第二静电释放二极管组、第二等效电感、第三静电释放二极管组、输出接头(RF？OUT)；所述的第一等效电感和第二等效电感为PCB走线产生。本实用新型的优点是：对超过门限电平的大功率输入信号进行有效限幅，保护了矢量网络分析仪的接收机后级敏感电路和器件；采用了静电释放二极管组成限幅器的无源设计，器件体积小，适用于批量生产和调试。
【IPC分类】H03G11/02
【公开号】CN205179001
【申请号】CN201521016085
【发明人】郑兆祥
【申请人】成都天大仪器设备有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月8日