双向拉伸的聚酰亚胺复合膜的制作方法

文档序号:10444557阅读:436来源:国知局
双向拉伸的聚酰亚胺复合膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种聚酰亚胺复合膜,尤其是一种表面平坦,且具有遮蔽电路效果的双向拉伸的聚酰亚胺复合膜。
【背景技术】
[0002]聚酰亚胺树脂热稳定性高且具有优异的绝缘性,机械强度,及抗化学腐蚀性,常用于多种电子加工材料,如用于集成电路的绝缘层。
[0003]双向拉伸聚酰亚胺薄膜(Β0ΡΙ,被称为黄金膜)是一种具有高模量、高强度、低吸水率、耐水解、高绝缘性能及耐高温的电子新材料。聚酰亚胺薄膜已经广泛应用于电子材料,其中,集成电路板所用的聚酰亚胺要求厚度更薄,功能化,多元化。故此要求聚酰亚胺薄膜生产厂家开发出多品种,多元化的产品来满足不同的电子厂商的使用。
[0004]然而目前生产的聚酰亚胺薄膜存在色度差异较大等质量问题,不易遮蔽电路布局图案从而容易被同行抄袭,同时相对较大幅度提高了薄膜生产成本。

【发明内容】

[0005]本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种表面平坦,且可以遮蔽电路布局图案,防止被抄袭的双向拉伸的聚酰亚胺复合膜。
[0006]本实用新型的目的是这样实现的:
[0007]—种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜,它包括薄膜层,该薄膜层的厚度为7?75微米,所该薄膜层表面设置有着色剂层,所述着色剂层是油墨层,所述薄膜层覆在集成电路板的底面,该集成电路板的顶部设有芯片,所述芯片侧面为倾斜面,芯片底面通过装片胶粘结到集成电路板上,所述装片胶延伸至芯片侧面,所述芯片正面与集成电路板表面之间通过金属线相连接,所述芯片周围填充有塑封料。
[0008]与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
[0009]这种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜薄膜层的表面粘接有着色剂层,所述着色剂层是粘接在聚酰亚胺膜上的不同颜色的油墨层,是根据客户要求的不同颜色,不同功能而改变的油墨层,聚酰亚胺膜和着色剂层构成复合叠层结构,利用复合层结构的特定的厚度以及不同颜色的复合膜的特点,不但满足集成电路的超薄的需求,而且更适合用于保护电路图案需求的消费性电子产品。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型双向拉伸的聚酰亚胺复合膜的层状结构示意图。
[0011]图2为图1中集成电路板的结构示意图。
[0012]其中:薄膜层1、着色剂层3、集成电路板4、芯片5、装片胶6、金属线7、塑封料8。【具体实施方式】
[0013]下面结合实施例及其附图进一步叙述本实用新型。具体实施例只是为了进一步清楚说明本实施新型聚酰亚胺薄膜生产中混合气体回收装置成及结构,不构成对本实用新型权利要求的限制。
[0014]如图1所示,一种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜,它包括薄膜层I,该薄膜层I为聚酰亚胺膜,该聚酰亚胺膜的厚度为7?75微米,所该薄膜层I表面设置有着色剂层3,所述着色剂层3是粘接在聚酰亚胺膜上的不同颜色的油墨层,所述薄膜层I覆在集成电路板4的底面,如图2所示,所述集成电路板4的顶部设有芯片5,所述芯片5侧面为倾斜面,芯片5底面通过装片胶6粘结到集成电路板4上,所述装片胶6延伸至芯片5侧面,所述芯片5正面与集成电路板4表面之间通过金属线7相连接,所述芯片5周围填充有塑封料8。
[0015]这种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜在集成电路生产完成后,即可以用聚酰亚胺膜和油墨层来挡住集成电路,遮蔽电路布局图案,防止被抄袭,并且薄膜外表面平坦。
【主权项】
1.一种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜,其特征在于:它包括薄膜层(1),该薄膜层(I)的厚度为7?75微米,所该薄膜层(I)表面设置有着色剂层(3),所述着色剂层(3)是油墨层,所述薄膜层(I)覆在集成电路板(4)的底面,该集成电路板(4)的顶部设有芯片(5),所述芯片(5)侧面为倾斜面,芯片(5)底面通过装片胶(6)粘结到集成电路板(4)上,所述装片胶(6)延伸至芯片(5)侧面,所述芯片(5)正面与集成电路板(4)表面之间通过金属线(7)相连接,所述芯片(5)周围填充有塑封料(8)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜,其特征在于:它包括薄膜层(1),该薄膜层(1)的厚度为7~75微米,所该薄膜层(1)表面设置有着色剂层(3),所述着色剂层(3)是油墨层,所述薄膜层(1)覆在集成电路板(4)的底面。这种双向拉伸的聚酰亚胺复合膜薄膜层的表面粘接有着色剂层,所述着色剂层是粘接在聚酰亚胺膜上的不同颜色的油墨层,聚酰亚胺膜和着色剂层构成复合叠层结构,利用复合层结构的特定的厚度以及不同颜色的复合膜的特点,不但满足集成电路的超薄的需求,而且更适合用于保护电路图案需求的消费性电子产品。
【IPC分类】H05K1/18, H05K1/02
【公开号】CN205356798
【申请号】CN201620115741
【发明人】徐作骏, 张磊
【申请人】江阴骏友电子股份有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2016年2月5日
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