一种高带外抑制的放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高带外抑制的放大器，包括输入接口、输出接口、盒体以及设置在盒体内的滤波器、低噪放大器、射频双刀双掷开关、电池；输入接口、输出接口设置在盒体上，输入接口通过通讯电缆与滤波器的输入端相连接，滤波器的输出端与射频双刀双掷开关相连接，射频双刀双掷开关与低噪放大器的输入端相连接，低噪放大器的输出端与射频双刀双掷开关相连接，射频双刀双掷开关通过通讯电缆与输出接口相连接；电池与低噪放大器相连接。本实用新型通过内置高抑制的滤波器、内置射频双刀双掷开关可以选择低噪放大器的通或断，以满足更多无线电测试的需求，提供更多测试功能；通过内置电池可支持放大器连续野外工作。
【专利说明】
一种高带外抑制的放大器
技术领域
[0001]本实用新型涉及放大器技术领域，特别涉及一种高带外抑制的放大器。
【背景技术】
[0002]近年来，无线电领域的运用越来越广泛，从1997年世界无线电大会(WRC-97)为风廓线雷达业务划分，将风廓线雷达作为无线电定位业务后，出现了一大批风廓线雷达，风廓线雷达是通过向高空发射不同方向的电磁波束，接收并处理这些电磁波束因大气垂直结构不均匀而返回的信息进行高空风场探测的一种遥感设备。但是与风廓线雷达相适配的放大器却层次不齐，无法满足风廓线雷达的更多测试功能，也常常出现在野外无法连续使用的情况，一次检测需要带多台放大器，且不便携带，没有内置高带外抑制的滤波器，使无线电监测方面更加复杂，设备更加多种多样。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型为解决上述技术问题提供一种满足更多测试需求的、可连续在野外使用的高带外抑制的放大器，解决在野外无法连续使用、一次检测需要带多台放大器的技术问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:
[0005]—种高带外抑制的放大器，包括输入接口、输出接口、盒体以及设置在盒体内的滤波器、低噪放大器、射频双刀双掷开关、电池;所述输入接口、输出接口设置在盒体上，所述输入接口通过通讯电缆与滤波器的输入端相连接，所述滤波器的输出端与射频双刀双掷开关的第一接口相连接，所述射频双刀双掷开关的第二接口与低噪放大器的输入端相连接，所述低噪放大器的输出端与射频双刀双掷开关的第三接口相连接，所述射频双刀双掷开关的第四接口通过通讯电缆与输出接口相连接;所述电池与低噪放大器相连接。
[0006]本实用新型有益效果是:通过内置高抑制的滤波器，滤除其他干扰信号，抑制杂散电平得到一个特定频率的电源信号;通过内置射频双刀双掷开关可以选择低噪放大器的通或断，以满足更多无线电测试的需求，提供更多测试功能;通过内置电池可支持放大器连续野外工作;应用于风廓线雷达信号的测量，提高频谱分析仪的动态范围和接收灵敏度。
[0007]作为本实用新型的一种优选结构，为了改善无法手动切换低噪放大器的通或断问题，所述高带外抑制的放大器还包括设置在盒体上的开关按钮，所述开关按钮连接并控制射频双刀双掷开关，所述第一接口与第四接口常闭设置，所述第一接口与第二接口常开设置，所述第二接口与第三接口常闭设置，所述第三接口与第四接口常开设置。如此，通过设置在盒体上的开关按钮即可手动切换低噪放大器的通或断。
[0008]作为本实用新型的一种优选结构，为了改善低噪放大器无法进行滤波和缓冲的问题，所述低噪放大器包括增益级、滤波级以及缓冲级，所述低噪放大器的输入端与增益级相连接，所述增益级与滤波级相连接，所述滤波级与缓冲级相连接，所述缓冲级与低噪放大器的输出端相连接。如此，通过固定或可变增益来放大低噪放大器输入的信号，通过滤波级对放大信号进行滤波，通过缓冲级对滤波信号进行缓冲，并输出信号。
[0009]作为本实用新型的一种优选结构，所述增益级包括第一NPN型场效应晶体管，所述第一 NPN型场效应晶体管的源极接地，栅极与低噪放大器的输入端相连接，漏极与滤波级相连接;所述滤波级包括电感器、第一电容器、第二电容器，所述缓冲级包括第二 NPN型场效应晶体管，所述电感器的一端与第一NPN型场效应晶体管的漏极相连接，电感器的另一端与第二 NPN型场效应晶体管的源极相连接，所述第一电容器与电感器相并联，所述第二电容器的一端与第一 NPN型场效应晶体管的漏极相连接，第二电容器的另一端接地;所述第二 NPN型场效应晶体管的栅极与外部偏压相连接，第二 NPN型场效应晶体管的漏极与低噪放大器的输出?而相连接。
[0010]作为本实用新型的一种优选结构，为了改善没有限制带外抑制条件的问题，所述滤波器的工作频率为1.2 3 GHZ至1.415 GH Z。如此，达到高抑制的滤波器的带外抑制工作频率。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型高带外抑制的放大器的结构示意图；
[0012]图2为本实用新型高带外抑制的放大器的内部电路图；
[0013]图3为本实用新型高带外抑制的放大器的低噪放大器框图；
[0014]图4为本实用新型高带外抑制的放大器实施例的低噪放大器电路图。
[0015]标号说明:
[0016]1、输入接口 ；2、输出接口 ；3、盒体;4、开关按钮；
[0017]31、滤波器;32、低噪放大器;33、射频双刀双掷开关;34、电池；
[0018]35、通讯电缆；
[0019]301、增益级；302、滤波级；303、缓冲级。
【具体实施方式】
[0020]为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0021]请一并参照图1、图2，如图所示可知，本实用新型高带外抑制的放大器包括输入接口 1、输出接口 2、盒体3，输入接口 1、输出接口 2设置在盒体3的端面上，盒体3上还设有电源接口、开关按钮4，电源接口与电池相连接，用于给电池充电，盒体内设有滤波器31、低噪放大器32、射频双刀双掷开关33、电池34、通讯电缆35，输入接口 I通过通讯电缆35与滤波器31的输入端相连接，滤波器31的输出端与射频双刀双掷开关33的第一接口相连接，射频双刀双掷开关33的第二接口与低噪放大器32的输入端相连接;低噪放大器32的输出端与射频双刀双掷开关33的第三接口相连接，射频双刀双掷开关33的第四接口通过通讯电缆35与输出接口 2相连接。电池34与低噪放大器32、射频双刀双掷开关33相连接，并给低噪放大器32、射频双刀双掷开关33供电。
[0022]本实施例中，开关按钮4连接并控制射频双刀双掷开关33，常态下所述第一接口与第四接口常闭设置，所述第一接口与第二接口常开设置，所述第二接口与第三接口常闭设置，所述第三接口与第四接口常开设置。开关按钮4不按就是第一接口和第四接口常闭相连通，第二接口和第三接口常闭相连通，开关按钮4按下去就是第一接口和第二接口常闭相连通，第三接口和第四接口常闭相连通。通过射频双刀双掷开关33可以切换低噪放大器32的通断，满足更多无线电检测的需求，根据实际出发，使用更加方便。输入接口 1、输出接口 2为射频接口，前面板输出；电池为DCl5V，3A的内置锂电池，可连续工作5小时;本实用新型的工作作温度范围为O?+45°C、重量为2.5kg;盒体3的尺寸(WXHXD)为160 X89 X 230mm;通讯电缆35为型号TC18-03-03-1000的电缆组件。滤波器31选用的带通滤波器，工作频率在1.23GHz到1.415GHz之间，细分了本实用新型的应用范围，抑制杂散电平。
[0023]如图3所示，本实施例中，低噪放大器32包括增益级301、滤波级302、缓冲级303，增益级301从低噪放大器32的输入端接收LNA输入信号，以固定或可变增益来放大所述LNA输入信号，并提供放大信号。滤波级302通过滤波器响应来对所述经放大信号进行滤波并提供经滤波信号。缓冲级303对所述经滤波信号进行缓冲并提供供LNA输出信号。
[0024]如图4所示，本实施例中，所述增益级301包括第一NPN型场效应晶体管，所述第一NPN型场效应晶体管的源极接地，栅极与低噪放大器32的输入端相连接，漏极与滤波级302相连接;所述滤波级302包括电感器、第一电容器、第二电容器，所述缓冲级303包括第二 NPN型场效应晶体管，所述电感器的一端与第一 NPN型场效应晶体管的漏极相连接，电感器的另一端与第二 NPN型场效应晶体管的源极相连接，所述第一电容器与电感器相并联，所述第二电容器的一端与第一 NPN型场效应晶体管的漏极相连接，第二电容器的另一端接地;所述第二 NPN型场效应晶体管的栅极与外部偏压相连接，第二 NPN型场效应晶体管的漏极与低噪放大器32的输出端相连接。外部偏压可由反馈电路提供，也可以为电源加电阻提供，从而形成自给偏压和固定偏压，可根据实际需求而设置。电池43提供电源电压。第二电容器在所要的信号频率下提供高阻抗且在高于所要的信号频率的高频率下提供低阻抗。电感器及第一电容器与第二电容器可经设计以获得所要信号的所要低通特性以及干扰信号的所要阻带特性。
[0025]使用过程中，将滤波器31、低噪放大器32、射频双刀双掷开关33、电池34设置好，调好所需参数，将本实用新型设置在天线和风廓线雷达之间，用于风廓线雷达信号的测量，提高频谱分析仪的动态范围和接收灵敏度。根据实际情况，射频双刀双掷开关可选择放大器的通/断，以提供更多的测试功能。内置电池34可支持放大器连续野外工作5小时以上。
[0026]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效形状或结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种高带外抑制的放大器，其特征在于:包括输入接口、输出接口、盒体以及设置在盒体内的滤波器、低噪放大器、射频双刀双掷开关、电池； 所述输入接口、输出接口设置在盒体上，所述输入接口通过通讯电缆与滤波器的输入端相连接，所述滤波器的输出端与射频双刀双掷开关的第一接口相连接，所述射频双刀双掷开关的第二接口与低噪放大器的输入端相连接，所述低噪放大器的输出端与射频双刀双掷开关的第三接口相连接，所述射频双刀双掷开关的第四接口通过通讯电缆与输出接口相连接； 所述电池与低噪放大器相连接。2.根据权利要求1所述的高带外抑制的放大器，其特征在于:所述高带外抑制的放大器还包括设置在盒体上的开关按钮，所述开关按钮连接并控制射频双刀双掷开关，所述第一接口与第四接口常闭设置，所述第一接口与第二接口常开设置，所述第二接口与第三接口常闭设置，所述第三接口与第四接口常开设置。3.根据权利要求1所述的高带外抑制的放大器，其特征在于:所述低噪放大器包括增益级、滤波级以及缓冲级，所述低噪放大器的输入端与增益级相连接，所述增益级与滤波级相连接，所述滤波级与缓冲级相连接，所述缓冲级与低噪放大器的输出端相连接。4.根据权利要求3所述的高带外抑制的放大器，其特征在于:所述增益级包括第一NPN型场效应晶体管，所述第一 NPN型场效应晶体管的源极接地，栅极与低噪放大器的输入端相连接，漏极与滤波级相连接； 所述滤波级包括电感器、第一电容器、第二电容器，所述缓冲级包括第二 NPN型场效应晶体管，所述电感器的一端与第一NPN型场效应晶体管的漏极相连接，电感器的另一端与第二 NPN型场效应晶体管的源极相连接，所述第一电容器与电感器相并联，所述第二电容器的一端与第一 NPN型场效应晶体管的漏极相连接，第二电容器的另一端接地； 所述第二 NPN型场效应晶体管的栅极与外部偏压相连接，第二 NPN型场效应晶体管的漏极与低噪放大器的输出端相连接。5.根据权利要求1所述的高带外抑制的放大器，其特征在于:所述滤波器的工作频率为1.23GHz至1.415GHz。
【文档编号】H03F3/189GK205584140SQ201620435319
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年5月13日
【发明人】朱辉
【申请人】福州博讯通电子有限公司