专利名称：Cmos型图像读取传感器芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光电传感器半导体芯片，详细讲是一种CMOS型图像读取传感器芯片。
背景技术：
我们知道，现有的接触式图像传感器所采用的CMOS型图像读取传感器芯片，芯片上设有光电转换传感器素子，相对应地还设有模拟开关，每个图像读取传感器芯片上还有一个串行移位寄存器，控制光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，模拟开关的控制端依序与移位寄存器的输出端连接，信号输出时是以光电转换传感器素子为单位依次串行输出，导致输出效率低，读取速度慢。
发明内容
本实用新型解决技术的问题是，解决CMOS型图像读取传感器在读取黑白图像信息时，是以光电转换传感器素子为单位依次串行输出，导致输出效率低，读取速度慢的问题。提供一种因为奇次位、偶次位光电转换传感器素子分别输出使得读取黑白图像信息速度快的CMOS型图像读取传感器芯片。
本实用新型的技术方案是，芯片上设有光电转换传感器素子，相对应地还设有模拟开关，每个图像读取传感器芯片上还有一个串行移位寄存器，其主要结构特点是，控制奇次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，控制偶次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，奇偶次位光电转换传感器素子呈两组输出，相邻两个模拟开关的控制端连接到一起，并依序与移位寄存器的输出端连接。
作为光电转换传感器素子，可以是光敏三极管也可以是光敏二极管。
本实用新型的有益效果是，由于控制奇次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，控制偶次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，奇偶次位光电转换传感器素子呈两组输出，相邻两个模拟开关的控制端连接到一起，并依序与移位寄存器的输出端连接，使奇次位的光电转换传感器素子与偶次位光电转换传感器素子分别依次串行输出，可以使读取速度提高一倍。本实用新型适用于接触式图像传感器。
是本实用新型的一种实施方式的示意图。
实施方式从图中可以看出，芯片上设有光电转换传感器素子1，相对应地还设有模拟开关2，每个图像读取传感器芯片上还有一个串行移位寄存器3，控制奇次位光电转换传感器素子1的模拟开关2的输出端连接到一起，即以第1位、第3位、第5位……，依次类推的规律连接到一起；控制偶次位光电转换传感器素子1的模拟开关2的输出端连接到一起，即以第2位、第4位、第6位……，依次类推的规律连接到一起，奇偶次位光电转换传感器素子1呈两组输出；相邻两个模拟开关2的控制端连接到一起，并依序与移位寄存器3的输出端连接，即模拟开关2的控制端以第1位与第2位、第3位与第4位、第5位与第6位……，依次类推的规律连接到一起，共用一个移位寄存器3的输出端，可以使读取速度提高一倍。光电转换传感器素子1可以是光敏三极管也可以是光敏二极管。
权利要求1.一种CMOS型图像读取传感器芯片，芯片上设有光电转换传感器素子，相对应地还设有模拟开关，每个图像读取传感器芯片上还有一个串行移位寄存器，其特征是控制奇次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，控制偶次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，奇偶次位光电转换传感器素子呈两组输出，相邻两个模拟开关的控制端连接到一起，并依序与移位寄存器的输出端连接。
2.根据权利要求1所述的CMOS型图像读取传感器芯片，其特征是所说的光电转换传感器素子是光敏三极管。
3.根据权利要求1所述的CMOS型图像读取传感器芯片，其特征是所说的是光敏二极管。
专利摘要一种CMOS型图像读取传感器芯片，涉及一种光电传感器半导体芯片，芯片上设有光电转换传感器素子，相对应地还设有模拟开关，每个图像读取传感器芯片上还有一个串行移位寄存器，控制奇次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，控制偶次位光电转换传感器素子的模拟开关的输出端连接到一起，奇偶次位光电转换传感器素子呈两组输出，相邻两个模拟开关的控制端连接到一起，并依序与移位寄存器的输出端连接，使奇次位的光电转换传感器素子与偶次位光电转换传感器素子分别依次串行输出，可以使读取速度提高一倍，适用于接触式图像传感器。
文档编号H04N5/335GK2653699SQ0321724
公开日2004年11月3日 申请日期2003年5月12日 优先权日2003年5月12日
发明者王翥, 细川信一郎 申请人:山东华菱电子有限公司