专利名称：电容传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及作为话筒或振动传感器等使用的电容传感器。
背景技术：
以往，如(日本)特开2001-145196号公报中所记载的，作为电容传感器已知一种电容式话筒，包括导电性膜；安装在导电性膜中且在边缘形成边缘环部的导电性加强板；以及安装在导电膜中与导电性加强板隔离配置的导电性振动膜，通过导电性加强板的边缘环部与导电性膜卡合，在导电性膜以及导电性加强板之间形成间隙。
而且，现有的电容式话筒，还仅在与导电性膜中比较难变形的部分相对的边缘环部导电性加强板和导电性膜卡合，抑制导电性膜的变形传递到导电性加强板上。
而且，现有的电容式话筒，即使通过在导电性膜以及导电性加强板之间形成的间隙积极地容许导电性膜的变形，抑制导电性膜的变形传递到导电性加强板上。
但是，存在由于在上述现有的话筒中积极地容许导电性膜的变形，所以伴随导电性膜的变形导电性膜内的空间也变形，频率特性变差的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种可以抑制频率特性的恶化的电容传感器。
本发明的电容传感器包括导电性外壳，具有开口部以及与所述开口部相对的对置部；固定电极，经由所述开口部安装在所述导电性外壳的内部；导电性的振动膜，安装在所述导电性外壳的内部，比所述固定电极靠近所述开口部侧，并与所述固定电极隔离配置；导电性的振动膜保持部，安装在所述导电性外壳的内部并保持所述振动膜；电路安装基板，安装在所述导电性外壳的内部，分别经由所述导电性外壳以及所述振动膜保持部与所述固定电极以及所述振动膜电连接；以及变形抑制部，抑制所述对置部的变形。所述变形抑制部具有在所述导电性外壳以及所述振动膜之间，且比所述振动膜的可振动部分的外周更靠近内侧配置的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器抑制对置部的变形，所以可以抑制对置部的变形造成的频率特性的恶化。
而且，本发明的电容传感器中，所述固定电极以及所述变形抑制部具有一体形成的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与固定电极以及变形控制部分为其它部件的情况相比较，可以减少部件的件数。
而且，本发明的电容传感器具有所述振动膜具有层叠导电性物质的树脂薄膜的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与仅通过金属形成振动膜的情况相比，可以减轻振动膜的重量，所以与仅通过金属形成振动膜的情况相比，可以提高灵敏度。
而且，本发明的电容传感器具有所述振动膜保持部为导电体以及绝缘体的复合体的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与振动膜保持部仅由导电体形成的情况相比较，可以使导电性外壳以及振动膜之间的寄生电容下降，并可以提高灵敏度。
而且，本发明的电容传感器还具有以下结构所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔，所述导电性外壳的所述音孔的总面积比所述固定电极的所述音孔的总面积大，所述固定电极的所述音孔的总面积大于所述振动膜的可振动部分的总面积的1/100并小于所述振动膜的可振动部分的总面积的1/10。
按照该结构，本发明的电容传感器可以将充分的声压传送到振动膜，并可以得到充分的灵敏度。
而且，本发明的电容传感器具有所述振动膜的厚度大于1μm小于3μm的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以同时实现高灵敏度和高成品率。
而且，本发明的电容传感器具有所述振动膜的基本谐振频率大于10KHz小于35KHz的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以同时实现高灵敏度和高成品率。
而且，本发明的电容传感器具备附带在所述固定电极上的驻极体(electret)材料，并具有所述驻极体材料的厚度大于3μm小于25μm的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以同时实现高灵敏度和高成品率。
而且，本发明的电容传感器具备安装在所述导电性外壳上并与所述导电性外壳电连接的导电性罩，并具有所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔，且所述导电性外壳的音孔被所述导电性罩覆盖的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以防止导电性外壳的外部的电磁噪声经由导电性外壳的音孔侵入导电性外壳的内部，所以可以抑制导电性外壳的外部的电磁噪声到达振动膜。
而且，本发明的电容传感器具有所述导电性罩为导电性物质以及非导电性物质的复合体的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与导电性罩仅由导电性物质形成的情况相比较，可以使导电性罩容易制造。
而且，本发明的电容传感器具备在所述导电性外壳以及所述固定电极之间配置的导电性隔板(spacer)，并具有所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与导电性外壳以及固定电极相互直接接触的情况相比，因为从形成导电性外壳的音孔的面到固定电极的距离长，所以可以抑制导电性外壳的外部电磁噪声到达振动膜。
而且，本发明的电容传感器具有所述固定电极的所述音孔的至少一部分与所述导电性外壳的所述音孔以外的部分相对的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与固定电极的音孔的全部与导电性外壳的音孔相对的结构相比，可以抑制导电性外壳的外部的电磁噪声到达振动膜。
而且，本发明的电容器传感器具有所述固定电极与所述振动膜的外周部形状不同的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与固定电极和振动膜的外周部形状相同的情况相比较，可以降低振动膜的可振动部分以外的部分和固定电极之间的寄生电容，并可以提高输出电压。
而且，本发明的电容传感器具有在所述导电性外壳的所述振动膜保持部侧的面上附带绝缘部的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与绝缘部和导电性外壳独立的情况相比较，可以减少部件件数。
而且，本发明的电容传感器在所述导电性外壳以及所述振动膜保持部之间具备绝缘部，并具有所述绝缘部与所述导电性外壳独立的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与绝缘部被附带到导电性外壳上的情况相比，由于结构简单，所以可以容易地被制造。
而且，本发明的电容传感器具有所述绝缘体为金属的母材和在所述母材的表面施加的绝缘材料的复合体的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器和绝缘部仅由绝缘材料形成的情况相比较，可以提高绝缘部的刚性。
而且，本发明的电容传感器具备在所述振动膜保持部和所述电路安装基板之间配置的导电性部件，并具有所述电路安装基板经由所述导电性部件与所述振动膜保持部电连接的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以通过导电性部件容易地进行高度的调整。
而且，本发明的电容传感器具有可与外部的机器电连接的端子，和与所述端子电连接并除去噪声的噪声除去部，并具有所述噪声除去部被安装在所述电路安装基板上的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以除去通过与外部的机器电连接的端子从外部输入的噪声。
而且，本发明的电容传感器具有具备电连接到所述端子并被安装到所述电路安装基板上的非线性电阻元件的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器可以提高抗ESD(静电放电)性。
而且，本发明的电容传感器具有具备嵌入所述电路安装基板的内部的元件的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与元件被安装到电路安装基板上的情况相比较，可以减小电路安装基板和振动膜的间隔，所以可以降低高度。
而且，本发明的电容传感器具有具备通过印刷以及薄膜处理的至少一种方法在所述电路安装基板上形成的元件的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与元件通过焊料被安装到安装基板上的情况相比较，可以减小电路安装基板和振动膜的间隔，所以可以降低高度。
而且，本发明的电容传感器具有具备在所述电路安装基板上安装的裸芯片(bare chip)的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器与芯片通过封装被安装在电路安装基板上的情况相比较，可以减小电路安装基板和振动膜的间隔，所以可以降低高度。
而且，本发明的电容传感器具有包括附带在所述导电性外壳的所述固定电极侧的面上的绝缘部，和电连接所述导电性外壳和所述固定电极之间的导通部的结构。
按照该结构，本发明的电容传感器即使不除去导电性外壳的固定电极侧的面上附带的绝缘部，导电性外壳以及固定电极也被相互导通，所以与通过除去导电性外壳的固定电极侧的面上附带的绝缘体而使导电性外壳以及固定电极相互导通的情况相比较，可以容易地制造。
而且，本发明的电容传感器具有具备如下部件的结构导电性外壳，具有互相相对的一对开口部；固定电极，经由所述开口部被压入所述导电性外壳中；导电性的振动膜，安装在所述导电性外壳的内部，与所述固定电极隔离配置；导电性的振动膜保持部，安装在所述导电性外壳的内部，并保持所述振动膜；以及电路安装基板，安装在所述导电性外壳的内部，分别经由所述导电性外壳以及所述振动膜保持部与所述固定电极以及所述振动膜电连接。
按照该结构，本发明的电容传感器可以抑制由导电性外壳的变形引起的频率特性的恶化。
本发明的电容传感器的特征以及长处与以下的附图通过后面的记载变得明确。
图1是本发明的第一实施方式的电容传感器的侧面截面图。
图2是与图1所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的侧面截面图。
图3(a)是图1所示的电容传感器的电路图，图3(b)是表示图1所示的电容传感器的有效电容、固定电极以及振动膜之间的寄生电容、FET(场效应晶体管)的输入电容的关系式的图。
图4(a)～(f)是表示图1所示的电容传感器的固定电极的平面图。
图5(a)～(c)是与图4(a)～(f)中所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的固定电极的平面图。
图6(a)是图1所示的电容传感器的振动膜以及振动膜保持部的上面图，图6(b)是图1所示的电容传感器的振动膜以及振动膜保持部的下面图。
图7是与图3(a)所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的电路图。
图8是表示图1所示的电容传感器的实验结果的图。
图9是表示图1所示的电容传感器的与图8所示的实验结果不同的实验结果的图。
图10是表示图1所示的电容传感器的与图8以及图9所示的实验结果不同的实验结果的图。
图11是图1所示的电容传感器作为话筒使用时的图1所示的电容传感器的正面图。
图12(a)是图1所示的电容传感器的电路安装基板上安装的FET的后面图，图12(b)是与图12(a)所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的电路安装基板上安装的FET的后面图。
图13(a)～(h)是图1所示的电容传感器的电路安装基板的规定的制造工艺中的侧面图。
图14(a)～(e)是与图13所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的电路安装基板的规定制造工艺中的侧面图。
图15是与图13以及图14所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的电路安装基板的侧面截面图。
图16是与图3(a)以及图7所示的例子不同的例子中的图1所示的电容传感器的电路图。
图17本发明的第二实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
图18本发明的第三实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
图19本发明的第四实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
图20本发明的第五实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
图21是图20所示的电容传感器的导电性外壳的平面图。
图22本发明的第六实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
图23本发明的第七实施方式的电容传感器的侧面的截面图。
具体实施例方式
以下使用
本发明的实施方式。
(第一实施方式)首先，说明第一实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。
如图1所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器10具备导电性外壳20，具有开口部22a以及与开口部22a相对的对置部22b并形成音孔20a；绝缘部21，附带在导电性外壳20的内部侧的面上；固定电极30，在导电性外壳20的内部与导电性外壳20接触配置；驻极体材料31，层叠在与固定电极30的导电性外壳20的接触面侧的相反侧的面上；隔板40，导电性外壳20的内部与驻极体材料31接触配置；振动膜51，在导电性外壳20的内部与隔板40接触，比固定电极30靠近导电性外壳20的开口部22a侧配置；振动膜保持部52，配置在导电性外壳20的内部，并保持振动膜51；电路安装基板60，在导电性外壳20的内部与振动膜保持部52接触配置，并覆盖导电性外壳20的内部；以及导电性罩70，从导电性外壳20的外部覆盖导电性外壳20的音孔20a。
另外，如图2所示，电容传感器10通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间具备导电性部件53，可以容易进行高度的调整。以下，通过电容传感器10具备导电性部件53的结构说明电容传感器10。
这里，通过铝、锌白铜、SUS等工业上比较便宜且抗腐蚀性高，而且导电率高的金属形成导电性外壳20较为理想。另外，该金属的表面，还可以以提高导通性或防腐性为目的而被镀金。
而且，从加工整型的容易性，和使与电容传感器10的灵敏度没有关系的寄生电容减少的必要性考虑，通过电容率比较低的树脂，或者树脂和金属的复合体形成绝缘部21较理想。例如，绝缘部21可以是被热粘接或者涂敷到导电性外壳20上的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PP(聚丙烯)、PEN(聚-2，6-萘二甲酸乙二纯酯)、FEP(聚氟化乙烯丙烯共聚物)等树脂薄膜，也可以是环氧树脂系等的粘结剂。这里，由于树脂的电容率一般比空隙的电容率大，所以如果导电性外壳20不和振动膜保持部52以及导电性部件53电/物理连接，则绝缘部21可以取各种厚度或配置。例如绝缘部21，通过在导电性外壳20的内部部分地被涂敷，或分散配置也可以。但是，绝缘部21取减小导电性外壳20和振动膜保持部52以及导电性部件53的寄生电容的厚度和配置较为理想。
另外，附带绝缘部21的导电性外壳20，例如，将热粘接或涂敷成为绝缘部21的绝缘树脂的层叠金属片拉深加工为外壳形状后，通过将在形成导电性外壳20的音孔20a的面上的绝缘树脂使用喷射工作法等除去，可以容易地制造。
而且，固定电极30被形成音孔30a。这里，为了抑制来自外部的声压的反射或谐振，导电性外壳20的音孔20a的总面积最好比固定电极30的音孔30a大。例如，作为话筒使用电容传感器10时，固定电极30的音孔30a的总面积，对于振动膜51中没有通过振动膜保持部52固定的可振动的部分(以下成为“可振部”)51a的总面积，小于1/10并大于1/1000较理想。即，固定电极30的音孔30a的总面积对于振动膜51的可振部51a的总面积大于1/10时，固定电极30以及振动膜51之间有效的电容降低，所以电容传感器10难以得到充分的灵敏度。而且，固定电极30的音孔30a的总面积对于振动膜51的可振部51a的总面积小于1/1000时，电容传感器10无法将充分的声压传送到振动膜51。另外，电容传感器10作为振动传感器使用时，不必导入声压，所以没有该限制。
而且，固定电极30在比振动膜51的可振部51a的外周51b靠近内侧处具有抑制导电性外壳20的对置部22b的变形的变形抑制部32。从而，电容传感器10可以抑制对置部22b的变形造成的频率特性的恶化。另外，电容传感器10中，由于固定电极30以及变形抑制部32一体形成，所以与固定电极30以及变形抑制部32为分别的部件的情况相比较，可以减少部件件数，但固定电极30以及变形抑制部32为分别的部件的结构也可以。
而且，固定电极30由SUS、或实施了镀镍等的防腐处理的黄铜、锌白铜等金属形成较理想，其金属表面也可以以进一步提高导通性或防腐性为目的而被镀金。另外，电容传感器10中，由于可以通过和导电性外壳20相比抗弯强度大的材料形成固定电极30，所以可以容易地实现轻型化、小型化中的强度稳定性。
而且，驻极体材料31由FEP形成较理想，通过涂敷或薄膜的热粘接等接合到固定电极30。而且，驻极体材料31，在固定电极30被插入导电性外壳20的内部之前，预先通过电子束或电晕(corona)放电等被带电，从而得到高带电电位。
而且，隔板40也可以由PET、PP、PPS(对聚苯硫)、PEN等绝缘性高且吸湿性比较小，而且难以塑性变形、应力破坏，而且加工性优良的树脂形成。
而且振动膜51可以由兼具导电性和抗腐蚀性的Au、Pt、Ti等形成，但由在导电性高分子薄膜或PET、PP、PPS、PEN等绝缘性的树脂薄膜中，使用例如真空蒸镀法或阴极真空喷镀法，层叠作为导电性物质的Au、Ni、Pt、Ti、V、W、Ta等形成的材料来形成比较理想。振动膜51，在由层叠导电性物质的树脂薄膜形成的情况下，与仅由金属形成的情况相比较，可以减轻重量，所以与仅由金属形成的情况相比较，可以提高电容传感器10的灵敏度。另外振动膜51被配置为和振动膜保持部52电导通。例如，如上所述，在振动膜51由将绝缘性树脂薄膜和金属多层化的材料形成的情况下，通过由环氧树脂系粘接剂等接合金属蒸镀面和振动膜保持部52，可以容易地确保导通。
而且，振动膜保持部52以将振动膜51的张力保持一定为目的，希望机械强度高，特别是最好由SUS、锌白铜、黄铜等金属，或金属和树脂等的复合体形成。
而且，导电性部件53，与振动膜保持部52一样，最好由金属或金属和树脂等的复合体形成。
另外，由于除了绝缘部21外，中间还插有空隙，所以导电性外壳20、振动膜保持部52和导电性部件53不进行互相的直接导通。
而且，电路安装基板60，JFET(接合型场效应晶体管)或者MOSFET(金属氧化膜半导体场效应晶体管)等未图示的感抗变换元件和放大电路被配置在导电性外壳20的内部侧，通过在导电性部件53侧构图形成的阻抗变换元件的栅极与导电性部件53电连接，通过在与导电性部件53侧相反侧被作为图形伸出的阻抗元件的源极与导电性外壳20的一部分20b电连接。从而，伴随固定电极30以及振动膜51之间的电容的变化的电位的变化可以作为阻抗变换元件的漏极以及源极见的电阻值的变化检测。另外，如图所示，电路安装基板60通过卷边和铆接被压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，从而可以通过阻抗变换元件的源极和导电性外壳20的一部分20b电连接，但也可以使用超声波粘接或焊接等在阻抗变换元件的源极与导电性外壳20的一部分20b电连接。
另外，导电性罩70不仅可以阻止从导电性外壳20的音孔20a进入灰尘，也可以抑制导电性外壳20外部的电磁噪声经由导电性外壳20的音孔20a侵入导电性外壳20的内部，所以可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51而影响振动膜51。
而且，导电性罩70也可以由例如金属纤维、或对树脂纤维实施了碳化或镀敷的合成纤维、或树脂纤维和金属纤维的复合体、或在树脂纤维中合成金属填充物等的材料形成。导电性罩70还可以由在非导电性罩上使用喷镀或真空蒸镀、电镀等层叠导通面的材料形成。导电性罩70在为导电性物质以及非导电性物质的复合体的情况下，和仅由导电性物质形成的情况相比较，可以容易地制造。
另外，导电性外壳20以及导电性罩70可以通过树脂系粘接剂或有导电性的两面胶带相互接合，从而被容易地导通。而且，导电性罩70也可以在与导电性外壳20的接合面相反侧的面实施使用氟元素系化合物的防水处理。
另外，电容传感器10，在图1以及图2中只表示了截面结构，但也可以取圆柱或四棱柱等各种形状。
而且，电容传感器10，在作为例如阻抗变换元件使用FET时，如图3(a)所示，构成具有以下元件的电路可与外部的机器电连接的端子10a、集成FET以及二极管并被安装在电路安装基板60上的IC芯片10b、以及由固定电极30和振动膜51构成的电容器10c。而且，考虑在电容传感器10的有效电容(Ceff)、固定电极30和振动膜51之间的寄生电容(Cs)、FET的输入电容(Ciss)之间，如图3(b)所示的关系成立。即，电容传感器10可以使寄生电容下降，所以可以使输出电压升高。
例如，在电容传感器10取圆柱形状且振动膜51的形状为圆形的情况下，固定电极30通过取如图4所示的形状，可以使其与振动膜51之间的寄生电容下降。图4(a)所示的固定电极30其形状为圆形，并被形成3个音孔30a。与此相反，图4(b)所示的固定电极30，其外周部被削除并设置削除部30b，从而振动膜51和外周部形状不同，成为使其和振动膜51的可振部51a以外的部分(以下称为“非可振部”)51c(参照图1)之间的寄生电容降低的结构。该固定电极30的削除部30b也可以成为到达振动膜51的可振部51a相对的面。例如，图4(c)所示的固定电极30成为以下结构使削除部30b到达振动膜51的可振部51a相对的面并将削除部30b的一部分作为音孔，由于可以经由削除部30b的一部分从导电性外壳20侧向振动膜51侧导入声压，所以没有中心部的音孔30a(参照图4(b))。另外，在图4(a)所示的固定电极30的音孔30a的总面积，与图4(c)所示的固定电极30的削除部30b中可从导电性外壳20侧向振动膜51侧导入声压的部分的总面积相等时，图4(c)所示的固定电极30存在于振动膜51的有效振动幅度大的与振动膜51的中心部相对的位置，所以与在振动膜51的中心部相对的位置形成音孔30a的图4(a)所示的固定电极30相比较，可以提高电容传感器10的灵敏度。同样，固定电极30取如图4(d)～(f)所示的结构较理想。
而且，电容传感器10取四棱柱的形状且振动膜51的形状为四边形时，固定电极30通过取图5所示的形状，可以降低其与振动膜51之间的寄生电容。图5(a)所示的固定电极30，其形状为四边形，且被形成三个音孔30a。与此相反，图5(b)所示的固定电极30为如下结构其外周部被消除并设置削除部30b，由此与振动膜51外周部的形状不同，并使其和振动膜51的非可振部51c之间的寄生电容下降。该固定电极30的削除部30b也可以到达振动膜51的可振部51a相对的面。例如，图5(c)所示的固定电极30为以下结构使削除部30b到达振动膜51的可振部51a相对的面，并将削除部30b的一部分作为音孔，由于可以经由削除部30b的一部分将声压从导电性外壳20侧导入振动膜51侧，所以没有中心部的音孔30a(参照图5(b))。另外，图5(a)所示的固定电极30的音孔30a的总面积，与图5(c)所示的固定电极30的削除部30b中可从导电性外壳20侧将声压导入振动膜51侧的部分的总面积相等时，图5(c)所示的固定电极30存在于振动膜51的有效面积大的与振动膜51的中心部相对的位置，所以与在振动膜51的中心部相对的位置形成音孔30a的图5(a)所示的固定电极30相比较，可以提高电容传感器10的灵敏度。
而且，电容传感器10取圆柱的形状且振动膜51的形状为圆形时，如图6所示，振动膜保持部52通过设为导电体52a以及绝缘体52b的复合体，与仅由导电体形成的情况相比较，可以使其与导电性外壳20之间的寄生电容降低，并可以提高电容传感器10的灵敏度。这里，图6所示的振动膜保持部52可以通过绝缘树脂和金属的一体成型品等容易地实现。另外，导电性部件53也可以取与振动膜保持部52相同的结构，从而使其与导电性外壳20之间的寄生电容降低，并提高电容传感器10的灵敏度。
另外，如图7所示，电路安装基板60也可以安装以下元件集成通过释放PET、二极管、以及FET的栅极上的剩余电荷从而提高输出响应性的高电阻R1的IC芯片10d；以及由电容性元件C以及电阻元件R2构成并连接在FET的漏极以及源极之间作为噪声除去部的CR低通滤波器10e。
电容传感器10通过具备在FET的漏极以及源极之间连接的CR低通滤波器10e，可以除去通过端子10a从外部输入的噪声。而且，电容传感器10通过具备作为噪声除去部的以下电路除了连接在FET的漏极以及源极之间的CR低通滤波器10e以外还使用电感性元件L的CRL、CL或RL电路；或仅通过一个以上的电容性元件C组成的旁路(by-pass)电容电路，从而可以除去FET的漏极以及源极之间的噪声。另外，作为经由端子10a从外部输入的噪声，例如在移动电话中作为电容式话筒使用电容传感器10时，有通过移动电话的电波接收的噪声。
进而，电容传感器10通过在FET的漏极以及源极之间具备非线性电阻元件，可以提高抗ESD性。
此外，IC芯片10d的高电阻R1理想为例如100MΩ以上10GΩ以下，特别希望在1GΩ以上10GΩ以下。而且，CR低通滤波器10e的电容性元件C理想为10PF以上10nF以下，电阻元件R2理想为10Ω以上1000Ω以下。
关于如以上构成的电容传感器10的具体实施例，所名最合适的结构和特性。
(实施例1)作为电容传感器10，制作高度为1.4mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容性话筒。这里，作为导电性外壳20使用板厚为0.12mm的锌白铜，作为绝缘部21使用在成为导电性外壳20的锌白铜上热粘接的PET薄膜。而且，作为固定电极30使用在厚度为0.2mm的SUS材料上层叠厚度为12.5μm的FEP，并在280V带电的材料。而且，作为振动膜保持部52、导电性部件53，任何一个都使用厚度为0.3mm的SUS材料。而且，作为振动膜51使用在具有各种厚度的PET薄膜上蒸镀厚度为20nm的Au或者厚度为70nm的Ni的材料，作为隔板40使用厚度为38μm的PET。分别组装到电容式话筒上，测定灵敏度。
如图8所示的结果，从电容传感器10的灵敏度的观点出发，振动膜51的PET的膜厚有最优值，振动膜51的厚度为1μm以下，电容传感器10的灵敏度偏差大。
从而判明，在振动膜51的厚度大于1μm小于3μm时，同时实现电容传感器10的高灵敏度和高成品率。
另外，在作为振动膜51使用PET的情况之外，也调查了作为振动膜51使用PPS、PEN、PP等薄膜的情况，也得到与使用PET作为振动膜51的情况大致相同的结果。
(实施例2)作为电容传感器10，制作高度1.4mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒。这里，作为导电性外壳20，使用板厚为0.12mm的锌白铜，作为绝缘部21使用在成为导电性外壳20的锌白铜上热粘接的FET薄膜。而且，作为固定电极30使用在厚度为0.2mm的SUS材料上层叠厚度为12.5μm的FEP，并在280V带电的材料。而且，作为振动膜保持部52、导电性部件53，任何一个都使用厚度为0.3mm的SUS材料。而且，作为隔板40使用厚度为0.3μm的PP。而且，作为振动膜51使用在厚度为2.5μm的PPS薄膜上蒸镀厚度为20nm的Au的材料，将可以把对振动膜保持部52的安装张力改变为各种的材料组装到电容式话筒上，并调查振动膜51的基本谐振频率f0和灵敏度的关系。
如图9所示的结果，从电容传感器10的灵敏度的观点出发，振动膜51的基本谐振频率f0中有最优值，特别在振动膜51的基本谐振频率f0小于或等于10KHz，电容传感器10的灵敏度偏差大，振动膜51的基本谐振频率f0大于或等于大约35KHz，电容传感器10可以得到充分的灵敏度。
从而判明，振动膜51的基本谐振频率f0比10KHz大且比35KHz小时，同时实现电容传感器10的高灵敏度和高成品率。
另外，在作为振动膜51使用PET的情况之外，也调查了作为振动膜51使用PET、PEN、PP等薄膜的情况，也得到与使用PPS作为振动膜51的情况大致相同的结果。
(实施例3)作为电容传感器10，制作高度1.4mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒。这里，作为导电性外壳20，使用板厚为0.12mm的锌白铜，作为绝缘部21使用在成为导电性外壳20的锌白铜上涂布树脂的材料。而且，作为固定电极30准备在厚度为0.2mm的SUS材料上层叠具有各种厚度FEP，并分别在280V带电的材料。而且，作为振动膜保持部52、导电性部件53，任何一个都使用厚度为0.3mm的SUS材料。而且，作为振动膜51，使用在厚度为1.5μm的PET薄膜上蒸镀厚度为40nm的Ti的材料。分别将其组装到电容式话筒，并调查固定电极30的FEP薄膜的厚度和灵敏度的关系。
如图10所示的结果，从电容传感器10的灵敏度的观点出发，固定电极30的FEP的厚度中有最优值，特别在固定电极30的FEP厚度在3μm以下时，电容传感器10的灵敏度偏差大。
从而判明，驻极体材料31的厚度大于3μm且小于25μm时，同时实现电容传感器10的高灵敏度和高成品率。
(实施例4)作为电容传感器10，制作高度为大约1.5mm，形状为圆柱且直径为4mm的电容式话筒，和高度为大约1.0mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒。这里，作为导电性外壳20，使用板厚为0.12mm的锌白铜，作为绝缘部21使用在成为导电性外壳20的锌白铜上实施绝缘涂布加工的材料。而且，作为固定电极30，使用在厚度为0.1mm的SUS材料上层叠厚度为12.5μm的FEP，且在200V～300V带电的材料。而且，作为振动膜保持部52、导电性部件53，任何一个都使用厚度为0.4mm的SUS材料。另外，在高度为1.0mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒中，不具备导电性部件53。而且，作为振动膜51使用在厚度为2.5μm的PET薄膜上蒸镀厚度为70nm的Ni的材料，作为隔板40使用厚度为38μm的PET。分别组装到电容式话筒上，并测定灵敏度。
测定的结果，在高度为1.5mm，形状为圆柱且直径为4mm的电容式话筒中，得到-48dB～-44dB的灵敏度，在高度为1.0mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒，达到-45dB～-38dB的灵敏度。而且，这些电容传感器的频率特性直到20KHz之前表示大致一样的值。
(实施例5)作为电容传感器10，制作高度为1.5mm，形状为圆柱且直径为6mm的电容式话筒。这里，作为导电性外壳20，使用板厚为0.12mm的锌白铜，作为绝缘部21使用在成为导电性外壳20的锌白铜上实施绝缘涂布加工的材料。而且，作为固定电极30，使用在厚度为0.1mm的SUS材料上层叠厚度为12.5μm的FEP，且在200V～300V带电的材料。而且，作为振动膜保持部52、导电性部件53，任何一个都使用厚度为0.4mm的SUS材料。而且，作为振动膜51使用在厚度为1.5μm的PET薄膜上蒸镀厚度为70nm的Ni的材料，作为隔板40使用厚度为38μm的PET。分别组装到电容式话筒上，并测定灵敏度。
测定的结果，在实施例5的电容传感器10中，得到-37dB～-30dB的高灵敏度。
而且证实，如图11所示，在该电容传感器10中安装用于抑制振动的弹性体81以及导电性弹性体82，在替代未图示的移动电话的通常的话筒，进行离开多个通话者大约30cm的免提(hands free)通话时，可以充分地听到在具备通常的话筒的移动电话中听不到的多人的会话。另外，在图11中，弹性体81也可以是橡胶，导电性弹性体82也可以是弹簧。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
如图2所示，首先，在附带绝缘部21的导电性外壳20的内部，依次插入附带驻极体材料31的固定电极30、隔板40、附带振动膜51的振动膜保持部52、导电性部件53、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52、导电性部件53以及电路安装基板60被固定在导电性外壳20的内部。
最后，通过将导电性罩70接合在导电性外壳20上，而构成电容传感器10。
另外，电路安装基板60中，IC电路被安装在裸芯片上时，与IC电路通过封装被安装的情况相比较，可以减小其与振动膜51的间隔，所以可以降低电容传感器10的高度。从而，作为电路安装基板60的安装，IC电路的裸芯片安装较理想。
这里，如图12(a)所示，FET61的裸芯片的电极形状可以为在后面设置漏极61a以及源极61b，并在未图示的表面设置栅极的电极形状，也可以是如图12(b)所示，在后面设置漏极61a、源极61b以及栅极61c的电极形状。而且，每个电极可以通过螺栓凸点(bump)、电镀凸点或者焊球等通常的裸芯片安装中使用的结构来实现。而且，FET61的裸芯片为图12(a)所示的电极形状时，在将后面的漏极61a以及源极61b在电路安装基板60上的区域(land)中倒装片(flip chip)安装后，将表面的栅极使用引线接合等连接到电路安装基板60的安装面。而且，FET61的裸芯片为图12(b)所示的电极形状时，可以将漏极61a、源极61b以及栅极61c同时倒装片安装到电路安装基板60上的区域。
而且，电路安装基板60通过进行例如如下的IC电路裸芯片安装而被制造。
首先，如图13(b)所示，在形成如图13(a)所示的电极62a的玻璃环氧树脂或氧化铝基板等的基板62上，涂布NCP(绝缘性膏)或ACP(各相同性可导通(isotrope conductive)膏)等膏63后，如图13(c)所示，从被涂敷在基板62上的膏63的上面将FET61的裸芯片通过加热，以高定位精度临时压紧。这里，代替在基板62上涂布膏63，也可以在基板62上贴上NCF(绝缘性薄膜)或ACF(各相同性可导通薄膜)。
接着，如图13(d)所示，一次一个，或者同时多个将临时压紧在基板62上的FET61通过在加热压紧装置91中加热压紧在基板62上而完成安装。这里，替代将FET61加热压紧在基板62上，也可以将FET61使用超声波接合等加热压紧以外的裸芯片安装处理而接合在基板62上。
接着，如图13(e)所示，在热压紧FET61的基板62上印刷膏状钎焊料64，如图13(f)所示，从基板62上印刷的膏状钎焊料64的上面，根据需要在基板62上安装电容性元件、电阻元件、电感性元件、非线性电阻元件等芯片部件65之后，如图13(g)所示，将安装在基板62上的芯片部件65通过逆流(reflow)接合到基板62上。
最后，如图13所示，通过从如以上那样制造的集合基板拔掉个别的电路安装基板60，而制造电路安装基板60。这里，例如集合基板通过向后推(pushback)而预先成为半拔出状态，如果预先个别分离，对于裸芯片的基板62的定位精度下降，裸芯片安装的安装生产节拍(tact)下降。而且，通过从如图13(g)所示那样制造的集合基板将个别的电路安装基板60拔下，抑制在个别的电路安装基板60的外周产生灰尘，并提高成品率。
另外，在图13所示的电路安装基板60的制造顺序中，在将芯片部件65安装到基板62之前对FET61进行在基板62的裸芯片安装，但也可以在对FET61进行在基板62的裸芯片安装之前对芯片部件65进行在基板62的安装。而且，电路安装基板60，也可以替代芯片部件65而具备薄片装置，该薄片装置在例如聚酰胺薄片上使用喷镀等薄膜处理同时形成电容性元件、电阻元件或电感性元件和电路图形。
而且，如图14(a)所示，在基板62上预先通过印刷或者薄膜处理形成电容性元件、电阻元件或电感性元件等元件66时，与图13所示的情况相比较，可以减小电路安装基板60和振动膜51的间隔，所以可以降低电容传感器10的高度。
这里，如图14(a)所示，在基板62上预先通过印刷或者薄膜处理形成元件66时，希望电路安装基板60如以下那样制造。
首先，如图14(a)所示，在预先通过印刷或者薄膜处理形成元件66的基板62上，如图14(b)所示，涂敷膏63后，如图14(c)所示，从涂敷在基板62上的膏63的上面将FET61的裸芯片通过加热以高定位精度临时压紧在基板62上。这里，替代在基板62上涂敷膏63，也可以在基板62上粘贴NCF或ACF。
接着，如图14(d)所示，一次一个，或者同时多个将临时压紧在基板62上的FET61通过在加热压紧装置91中加热压紧而在基板62上而完成安装。这里，替代将FET61加热压紧在基板62上，也可以将FET61使用超声波接合等加热压紧以外的裸芯片安装处理而接合在基板62上。
最后，如图14(e)所示，通过从如以上那样制造的集合基板上拔下个别的电路安装基板60，而制造电路安装基板60。
另外，作为电路安装基板60的结构，在图13(h)或图14(e)所示的结构以外，如图15所示，也可以是FET61或元件66被嵌入内部的结构。电路安装基板60，在将FET61或元件66埋入内部时，与FET61或元件66被安装在表面的情况相比较，可以减小其与振动膜51的间隔，所以可以降低电容传感器10的高度。
而且，安装在电容传感器10的内部的裸IC(integrated circuit；集成电路)不仅是FET61，也可以是将数字或者模拟的音频放大器、声音识别电路等IC化安装的电路，或在同一IC电路中形成电容性元件或电阻元件的电路，或者将如后述的将高频方式的电路IC化的电路。
另外，以上，电容传感器10中，在固定电极30上层叠驻极体材料31，所以可以起作为驻极体电容式话筒的作用，但也可以是在固定电极30以及振动膜51的任何一个中都不层叠驻极体31的结构。电容传感器10中，在固定电极30以及振动膜51的任何一个中都不层叠驻极体材料31时，如图16所示，通过利用由固定电极30以及振动膜51形成的电容器的静电电容，和线圈自感L的谐振特性，可以用作高频方式的电容式话筒。另外，电容传感器10中，如图16所示，电路10f也可以被裸芯片安装在电路安装基板60上。
(第二实施方式)首先，说明第二实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第一实施方式的电容传感器10(参照图1)的结构相同的结构，赋予与电容传感器10的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图17所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器100，在形成导电性外壳20的音孔20a的面侧也以接触到固定电极30的状态附带有绝缘部21。
而且，导电性外壳20和固定电极30的电接合通过由激光焊接生成的导通部11实现。
另外，附带绝缘部21的导电性外壳20，例如，仅通过将热粘接或涂敷绝缘树脂的层叠金属片拉深加工为外壳形状而被制造。即，导电性外壳20被拉深加工为外壳形状之后，没有必要使用喷射方法等除去形成音孔20a的面侧的绝缘部21。从而，电容传感器100与电容传感器10相比较，可以容易地制造。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在附带绝缘部21的导电性外壳20的内部依次插入附带驻极体31的固定电极30、隔板40、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，电路安装基板60通过卷边或铆接而被压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，从而固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52以及电路安装基板60被固定到导电性外壳20的内部。
最后，导电性外壳20和固定电极30通过由激光焊接而生成的导通部11被接合后，通过将导电性罩70接合到导电性外壳20来组装，电容传感器100。
另外，电容传感器100如电容传感器10那样，通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，而可以容易地调整高度。
而且，电容传感器100，可以替代通过激光焊接生成导通部11，例如在由预先设置在固定电极30中的突起进行组装时，通过突破绝缘体21从而生成导通部，或由焊料焊接生成导通部，从而可以实现导电性外壳20以及固定电极30之间的电接合。在以固定电极30中预先设置的突起实现导电性外壳20以及固定电极30的电连接时，与通过实施激光焊接实现导电性外壳20以及固定电极30的电接合的情况相比较，电容传感器100被容易地制造。
(第三实施方式)首先，说明第三实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第一实施方式的电容传感器10(参照图1)的结构相同的结构，赋予与电容传感器10的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图18所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器110的结构，与电容传感器10在导电性外壳20以及振动膜保持部52之间具备与导电性外壳20独立的绝缘部111而替代在导电性外壳20中附带的绝缘体21(参照图1)的结构相同。
这里，为了增大固定电极30以及振动膜51的面积从而增大固定电极30和振动膜51的静电电容，必然需要使绝缘部111变薄。另一方面，根据机械的自动安装上的课题，绝缘部111必须具有某一程度的刚性。从而，作为绝缘部111的材料，AS(丙烯腈苯乙烯聚合体)、ABS(丙稀腈丁二烯苯乙烯聚合体)、PMMA(甲基丙烯酸甲酯)、POM(聚缩醛)、PBT(聚丁烯对苯二甲酸酯)、PP、PS(聚苯乙烯)、PET、PC(聚碳酸酯)、PPA(聚邻苯二甲酸)、PPS、PI(聚酰亚胺)、LCP(液晶聚合物)等比较理想，为了使绝缘部111具有更强的刚性，这些树脂和玻璃的复合体或这些树脂和金属的复合体特别理想。例如，绝缘部111以SUS为母材，由在作为母材的SUS的周围施加绝缘体的涂布加工等的复合体等构成较理想。
另外，电容传感器110与在导电性外壳20中附带绝缘体21的电容传感器10相比较，部件件数增加。但是，电容传感器110与电容传感器10相比较，结构简单，并可以容易地被制造，所以即使不在导电性外壳20中附带绝缘部21，也可以将制造工序减少一部分，并可以降低制造成本。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在导电性外壳20的内部依次插入绝缘体111、附带驻极体材料31的固定电极30、隔板40、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52、以及电路安装基板60被固定在导电性外壳20的内部。
最后，通过导电性罩70被接合在导电性外壳20上，而组装电容传感器110。
另外，如电容传感器10，电容传感器110通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，可以容易地进行高度的调整。
(第四实施方式)首先，说明第四实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第三实施方式的电容传感器110(参照图18)的结构同样的结构，赋予与电容传感器110的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图19所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的电容传感器120中，仅仅固定电极30、隔板40以及绝缘部111的大小与电容传感器110不同。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在导电性外壳20的内部依次插入附带驻极体31的固定电极30、隔板40、绝缘部111、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52、以及电路安装基板60被固定在导电性外壳20的内部。
最后，通过将导电性罩70接合在导电性外壳20上，而构成电容传感器120。
电容传感器120，比固定电极30薄且轻的隔板40比绝缘部111先被插入导电性外壳20的内部，所以隔板40被插入导电性外壳20的内部时，隔板40不卡在绝缘部111，且可以比电容传感器110更容易制造。
另一方面，电容传感器110与电容传感器120相比较，可以减小固定电极30以及隔板40，所以与电容传感器120相比较，可以降低材料的成本。
另外，电容传感器120，如电容传感器110那样，通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，可以容易地调整高度。
(第五实施方式)首先，说明第五实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第一实施方式的电容传感器10(参照图1)的结构同样的结构，赋予与电容传感器10的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图20所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的电容传感器130的结构，与电容传感器10具备在导电性外壳20和固定电极30之间配置的导电性隔板131的结构相同。
而且，电容传感器130中，导电性外壳20的音孔20a的形状也和电容传感器10不同。即，在电容传感器130中，固定电极30的音孔30a全部与导电性外壳20的音孔20a以外的部分相对。换言之，在电容传感器130中，固定电极30的音孔30a和导电性外壳20的音孔20a不完全相对。例如，电容传感器130取圆柱形状时，如图21所示，导电性外壳20被形成音孔20a。
另外，从强度和导电性的观点出发，希望导电性隔板131为金属。
这里，电容传感器130与导电性外壳20以及固定电极30相互直接接触的电容传感器10相比较，从形成导电性外壳20的音孔20a的面到固定电极30的距离长，所以可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51。
而且，电容传感器130中，固定电极30的音孔30a和导电性外壳20的音孔20a不完全相对，所以与固定电极30的音孔30a全部与导电性外壳20的音孔20a相对的电容传感器10相比较，可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51。
如以上所说明的，电容传感器130中，因为可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51，所以例如，可以替代导电性罩70，而具备比导电性罩70便宜的非导电性罩。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在附带绝缘部21的导电性外壳20的内部依次插入导电性隔板131、附带驻极体31的固定电极30、隔板40、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，导电性隔板131、固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52、导电性部件53以及电路安装基板60被固定在导电性外壳20的内部。
最后，通过将导电性罩70接合在导电性外壳20上，而构成电容传感器130。
另外，电容传感器130如电容传感器10那样，通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，而可以容易地调整高度。
(第六实施方式)首先，说明第六实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，在本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第四实施方式的电容传感器120(参照图19)的结构同样的结构，赋予与电容传感器120的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图22所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器的电容传感器140的结构，与电容传感器120具备在导电性外壳20和固定电极30之间配置的导电性隔板131的结构相同。
而且，电容传感器140中，导电性外壳20的音孔20a的形状也和电容传感器120不同。即，在电容传感器140中，固定电极30的音孔30a全部与导电性外壳20的音孔20a以外的部分相对。换言之，在电容传感器140中，固定电极30的音孔30a和导电性外壳20的音孔20a完全不相对。
另外，从强度和导电性的观点出发，希望导电性隔板131为金属。
这里，电容传感器140与导电性外壳20以及固定电极30相互直接接触的电容传感器120相比较，从形成导电性外壳20的音孔20a的面到固定电极30的距离长，所以可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51。
而且，电容传感器140中，固定电极30的音孔30a和导电性外壳20的音孔20a完全不相对，所以与固定电极30的音孔30a全部与导电性外壳20的音孔20a相对的电容传感器120相比较，可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51。
如以上所说明的，电容传感器140中，因为可以抑制导电性外壳20的外部的电磁噪声到达振动膜51从而影响振动膜51，所以例如，可以替代导电性罩70，而具备比导电性罩70便宜的非导电性罩。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在导电性外壳20的内部依次插入导电性隔板131、附带驻极体31的固定电极30、隔板40、绝缘部111、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，导电性隔板131、固定电极30、驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52以及电路安装基板60被固定在导电性外壳20的内部。
最后，通过将导电性罩70接合在导电性外壳20上，而构成电容传感器140。
另外，电容传感器140如电容传感器120那样，通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，而可以容易地调整高度。
(第七实施方式)首先，说明第七实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构。另外，实施方式的前端驻极体型的电容传感器的结构中，关于与第一实施方式的电容传感器10(参照图1)的结构同样的结构，赋予与电容传感器10的结构相同的符号，从而省略详细的说明。
如图23所示，本实施方式的前端驻极体型的电容传感器150，具有导电性外壳20互相相对的一对开口部23a以及开口部23b，导电性罩70直接覆盖固定电极30的音孔30a，这一点与电容传感器10不同。
另外，电容传感器150中，导电性外壳20没有象电容传感器10的对置部22b(参照图1)那样覆盖固定电极30的部分，所以可以抑制导电性外壳20的变形造成的频率特性的恶化。
接着，说明本实施方式的电容传感器的制造方法。
首先，在附带绝缘部21的导电性外壳20的内部，经由导电性外壳20的开口部23a，插入附带驻极体31的固定电极30以后，依次插入隔板40、附带振动膜51的振动膜保持部52、电路安装基板60。
接着，通过将电路安装基板60通过卷边或铆接而压紧连接到导电性外壳20的一部分20b，驻极体材料31、隔板40、振动膜51、振动膜保持部52以及电路安装基板60被固定在固定电极30以及导电性外壳20的内部。
最后，通过导电性罩70被接合到固定电极30上，而构成电容传感器150。
另外，电容传感器150如电容传感器10那样，通过在振动膜保持部52以及电路安装基板60之间设置导电性部件53(参照图2)，而可以容易地调整高度。
按照本发明，可以提供一种能够抑制频率特性的恶化的电容传感器。
权利要求
1.一种电容传感器，其特征在于，所述电容传感器包括导电性外壳，具有开口部以及与开口部对置的对置部；固定电极，经由所述开口部被安装在所述导电性外壳的内部；导电性的振动膜，被安装在所述导电性外壳的内部，比所述固定电极更靠近所述开口部侧，与所述固定电极隔离配置；导电性的振动膜保持部，被安装在所述导电性外壳的内部并保持所述振动膜；电路安装基板，被安装在所述导电性外壳的内部，经由所述导电性外壳以及所述振动膜保持部分别与所述固定电极以及所述振动膜电连接；以及变形抑制部，抑制所述对置部的变形，所述变形抑制部被配置在所述导电性外壳以及所述振动膜之间，比所述振动膜的可振动部分的外周更靠近内侧。
2.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述固定电极以及所述变形抑制部被一体地形成。
3.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述振动膜具有层叠了导电性物质的树脂薄膜。
4.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述振动膜保持部为导电体以及绝缘体的复合体。
5.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔，所述导电性外壳的所述音孔的总面积比所述固定电极的所述音孔的总面积大，所述固定电极的所述音孔的总面积大于所述振动膜的可振动部分的总面积的1/1000并小于1/10。
6.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述振动膜的厚度大于1μm小于3μm。
7.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述振动膜的基本谐振频率大于10KHz小于35KHz。
8.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括所述固定电极上附带的驻极体材料，所述驻极体材料的厚度大于3μm小于25μm。
9.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括附带在所述导电性外壳上，并与所述导电性外壳电连接的导电性罩，所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔，所述导电性外壳的音孔被所述导电性罩覆盖。
10.如权利要求9所述的电容传感器，其特征在于所述导电性罩为导电性物质以及非导电性物质的复合体。
11.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括配置在所述导电性外壳以及所述固定电极之间的导电性隔板，所述导电性外壳以及所述固定电极分别被形成音孔。
12.如权利要求11所述的电容传感器，其特征在于所述固定电极的所述音孔的至少一部分与所述导电性外壳的所述音孔以外的部分相对。
13.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于所述固定电极与所述振动膜外周部的形状不同。
14.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括所述导电性外壳的所述振动膜保持部侧附的面上带的绝缘部。
15.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器在所述导电性外壳以及所述振动膜保持部之间具备绝缘部，所述绝缘部与所述导电性外壳独立。
16.如权利要求15所述的电容传感器，其特征在于所述绝缘部为金属的母材和在所述母材的表面施加的绝缘材料的复合体。
17.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括在所述振动膜保持部和所述电路安装基板之间配置的导电性部件，所述电路安装基板经由所述导电性部件与所述振动膜保持部电连接。
18.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器具有可与外部的机器电连接的端子，和与所述端子电连接并除去噪声的噪声除去部，所述噪声除去部被安装在所述电路安装基板上。
19.如权利要求18所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括与所述端子电连接，并被安装到所述电路安装基板上的非线性电阻元件。
20.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括嵌入所述电路安装基板的内部的元件。
21.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括通过印刷以及薄膜处理的至少一种方法而在所述电路安装基板上形成的元件。
22.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器包括所述电路安装基板上安装的裸芯片。
23.如权利要求1所述的电容传感器，其特征在于该电容传感器具有附带在所述导电性外壳的所述固定电极侧的面上的绝缘部，和电连接所述导电性外壳以及所述固定电极之间的导通部。
24.一种电容传感器，其特征在于具备导电性外壳，具有互相对置的一对开口部；固定电极，经由所述开口部被压入所述导电性外壳中；导电性的振动膜，被安装在所述导电性外壳的内部，并被与所述固定电极隔离配置；导电性的振动膜保持部，被安装在所述导电性外壳的内部并保持所述振动膜；以及电路安装基板，被安装在所述导电性外壳的内部，分别经由所述导电性外壳以及所述振动膜保持部被电连接到所述固定电极以及所述振动膜。
全文摘要
本发明的电容传感器(10)包括导电性外壳(20)，具有开口部(22a)以及与开口部(22a)相对的对置部(22b)；固定电极(30)，经由开口部(22a)安装在导电性外壳(20)的内部；导电性的振动膜(51)，被安装在导电性外壳(20)的内部，在开口部(22a)侧被与固定电极(30)隔离配置；导电性的振动膜保持部(52)，被安装在导电性外壳(20)的内部并保持振动膜(51)；电路安装基板(60)，安装在导电性外壳(20)的内部，分别经由导电性外壳(20)以及振动膜保持部(52)电连接到固定电极(30)以及振动膜(51)上；以及变形抑制部(32)，抑制对置部(22b)的变形；所述变形抑制部(32)，在导电性外壳(20)以及振动膜(51)之间，比振动膜(51)的可振动部分(51a)的外周(51b)靠近内侧配置。
文档编号H04R19/00GK1653850SQ03810788
公开日2005年8月10日 申请日期2003年4月4日 优先权日2002年4月5日
发明者平本雅祥, 土井一素, 安野功修, 泽田龙宏 申请人:松下电器产业株式会社