专利名称：电致发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种由EL(电致发光)显示器件代表的电光器件，该EL显示器件包含形成于基片上的半导体元件(使用半导体薄膜的元件，典型地，薄膜晶体管)，以及涉及一种用该电光器件做显示器的电子器件。特别地，本发明涉及制造这些器件的方法。
近年来，在基片上形成薄膜晶体管(下文称为TFT)的工艺已取得了显著的进步，并正在进行将TFT应用于有源矩阵型显示器件中。特别地，使用多晶硅薄膜的TFT比使用非晶硅薄膜的传统TFT具有更高的电场迁移率，因此能够进行更快的操作。因此，过去由基片外的激励电路对像素进行控制，现在由形成在相同基片上的激励电路对像素进行控制，像素形成在该基片上。
对这种有源矩阵型显示器件的关注是盼望着不同的优点，例如生产成本的降低，显示器件尺寸的缩小以及生产量和生产能力的增加，就是将所有不同类型的电路和元件安装到同一个基片上的结果。
在有源矩阵型EL显示器件中，为每一个像素提供由TFT形成的开关元件，当控制电流的激励元件由该开关元件操作时，EL层发光。目前的主流EL层结构为三层或四层的层状结构，是由EastmanKodak公司的Tang等提出的。
然而，最近，许多人认为多层的元件结构将引起制造工艺的复杂化和生产成本的增加。在这方面，人们尝试通过将特殊杂质元素掺入光发射层且利用其作为电传输层或电注入层来减少层数。
例如，Idmitsu Kosan有限公司提出将作用很小的铯(Cs)在发光层表面附近掺入发光层(distylarylene衍生物)，将掺杂区作为电子传输层(电子杂志主办的第六次FPD会议，83-88页)考虑到在上述多层EL元件中存在的问题来设计本发明。因此，本发明的目的是提供在保持或改善EL元件性能的同时减少层数的工艺。更准确地说，本发明的目的在于提供一种EL显示器件的新的制造方法，这种类型的EL显示器件是一种从形成元件的基片的一侧发射光的类型。
本发明的另一个目的是降低生产成本，以提供一种便宜的EL显示器件。本发明的再一个目的是降低将便宜的EL显示器件作为其显示器的电子器件(电子装置)的生产成本。
根据本发明，将特殊杂质元素掺入光发射层以使掺杂区起到载流子传输层(或载流子注入层)的作用，由此减少EL元件的光发射层的层数。
特别地，在阳极附近的光发射层掺入卤族元素以促进空穴的传输。另一方面，在阴极附近的光发射层掺入碱金属元素或碱土金属元素来促进电子的传输。可以在杂质元素的掺杂步骤中使用包括质量分离的离子掺杂或不包括质量分离的离子注入。
本发明的特征在于上述特殊杂质元素的掺入是在没有发现可能引起光发射层退化因素的状态下完成的。详细地说，将特殊杂质元素掺入光发射层，同时避免暴露到外界空气(特别是氧气)中。因此在不造成光发射层退化的情况下改善空穴或电子的传输。
作为典型例子，EL元件从底部依次由阴极、光发射层和阳极层叠组成，透过形成在阳极上的钝化膜掺入特殊杂质元素。在这种情况下，理想的情况是在一次也不将元件暴露到外界空气的情况下完成从形成阳极到形成钝化膜的工艺。用来完成这种过程的适当设备是多室系统(也称为族工具系统)薄膜形成设备，该多室系统结合了不同类型的处理室或嵌入系统的薄膜形成设备。
附图中
图1A至1D是显示制造EL显示器件工艺的图；图2A至2D是显示制造EL显示器件工艺的图；图3A和3B是显示制造EL显示器件工艺的图；图4是显示制造EL显示器件工艺的图；图5是显示制造EL显示器件工艺的图；图6A至6D是显示制造EL显示器件工艺的图；图7是显示制造EL显示器件工艺的图；图8A和8B是在发射光之前和之后显示EL显示器件状态的图；图9是显示薄膜形成设备的结构的图；图10是显示EL显示器件结构的图；图11是显示EL显示器件结构的剖面图；及图12A至12F是显示电子器件示例的图。参考图1A至1D对本发明的实施例进行描述。首先，利用已知方法使TFT102、103形成在基片101上。虽然任何基片都可以用作基片101，但最好选用玻璃基片、陶瓷基片、塑料基片以及不锈钢基片(图1A)。
TFT102、103可以是任意结构。然而，由于其均为控制流入像素电极104、105的电流的TFT，期望其具有可通过产生热量及热载流子效应减少退化的结构。另一方面，过大电流会产生热量使EL层退化，因此，在某些情况下，可延伸沟道长度或放置电阻以抑制过度的电流。
要注意的是，尽管图1A至1D图示了TFT好象在一个像素中仅有一个TFT形成，但实际上，可以有两个TFT，一个是开关TFT，另一个是电流控制TFT(图1A至1D所示为这个)。各TFT的排列可按照日本专利申请特开平8-241018所公开的图1的图示(其中用T1和T2表示TFT)。
像素电极104、105是由具有高反射率的材料形成的。特别地，可选用包含铝为主要成份(包含50wt％或更多铝)的材料。从EL元件发射的光线中，朝基片101侧发射的一束几乎完全在像素电极104、105上反射并从那里退出。
接着，利用图9所示薄膜形成设备形成EL元件。在图9中，参考符号901表示装片室，用于装卸基片，也称做负荷锁定室。图1A中所示基片设于其中的载体902布置在该室中。装片室901可分成基片装载室和基片卸载室。
参考符号903表示共用室，该共用室包括传送基片的机构904(下文称为传送机构)。共用室903分别通过门905a至905f与多个处理室(由906至910表示)相通。
各个处理室通过门905a至905f与共用室903完全隔离，提供气密空间。因此，如果在每个处理室中设置排气泵，就可以在真空中进行处理。可用的排气泵可以是液压旋转泵、机械增压泵、涡轮泵和低温泵，其中最好是低温泵，原因是它在排放水汽上是有效的。
基片首先通过传送机构904传送到共用室903，然后传送到第一汽相薄膜形成处理室906。在第一汽相薄膜形成处理室906中，由包含碱金属元素或碱土金属元素的金属薄膜形成阴极106、107。可以采用蒸发或溅射形成薄膜。在该实施例中，使用比例为10∶1的镁银联合蒸发所获得的MgAg合金。
由于阴极106、107是在与TFT相连接的像素电极104、105上形成的，所以能接收从TFT102、103输出的电流。总之，阴极106、107能与TFT102、103建立电连接。
接着，基片从第一汽相薄膜形成处理室906传送到溶液施用处理室907。在溶液施用处理室907中，通过旋涂施用包含EL材料的溶液形成包含聚合物基的EL材料的聚合物前体(polymer precursor)。在该实施例中，用以氯仿溶解聚乙烯咔唑的溶液作为包含EL材料的溶液。当然，也可以用其他聚合物基的EL材料(典型地，聚苯次亚乙烯基，聚碳酸酯等)和其他有机溶剂(典型地，二氯乙烷，四氢呋喃等)组合。
随后，将基片从溶液施用处理室907传送到煅烧处理室908。在煅烧处理室908中，通过煅烧处理(热处理)聚合EL材料。在该实施例中，通过加热器加热一个阶段，使得在50-150℃(最好110-120℃)的温度对整个基片进行热处理。这样，过量的氯仿被挥发掉，形成由聚乙烯咔唑制成的聚合物基的发光层108。(图1B)接着，基片从煅烧处理室908传送到第二汽相薄膜形成处理室909。在那里通过在聚合物基的发光层108上溅射或蒸发由透明导电薄膜形成阳极109。对于阳极109，可以使用由例如氧化铟和氧化锡的混合物(ITO)或氧化铟和氧化锌的混合物制成的透明导电薄膜。在该实施例中，使用将10-15％的氧化锡与氧化铟混合所获得的混合物。
然后，基片从第二汽相薄膜形成处理室909传送到第三汽相薄膜形成处理室910。在那里，通过溅射或蒸发由绝缘膜或最好是包含硅的绝缘膜形成钝化膜110。提供钝化膜110是为了保护发光层108不受潮或不被氧化。因此，最好用几乎不包含氧的氮化硅薄膜或氧化硅薄膜作为钝化膜。
作为钝化膜110，所使用的绝缘膜可以包含Si(硅)、Al(铝)、N(氮)、O(氧)和M(M至少是一种稀土元素，最好是从Ce(铈)、Yb镱)、Sm(钐)、Er(铒)、Y(钇)、La(镧)、Gd(钆)、Dy(镝)和Nd(钕)中选出的至少一种元素)。
通过这种方式，获得图1C所示的状态。此后，基片从第三汽相薄膜形成处理室910传送到放置在装片室901内的载体902上。由此完成了利用图9所示薄膜形成设备的一系列处理。
使用图9所示薄膜形成设备的一个好处是可以连续执行从形成阴极106到形成钝化膜110的工艺而从不会将基片暴露到空气(尤其是水汽)中。换言之，所有的工艺都是在真空或惰性气体环境下完成的，从而不会造成发光层的退化。
此外，薄膜形成设备还设有用于旋涂的处理室，这使得能够形成使用聚合物基的EL材料的EL元件。当然，通过蒸发或溅射形成发光层108也是可能的。
因此，在获得图1C所示状态之后，透过钝化膜110和阳极109掺杂杂质元素。在该实施例中，卤族元素(典型地，氟、氯、溴或碘)是掺杂剂。在这一点上，进行掺杂使得卤族元素的浓度在阳极109和发光层108之间的界面附近是最高的。阳极和发光层之间的界面附近指从阳极和发光层之间的界面沿发光层的深度向下延伸100nm(通常50nm)。不会造成阳极中是否包含卤族元素的问题。(图1D)这样形成的掺有卤族元素的区域111充当一个便于使载体(空穴，在该例中)从阳极109移动到发光层108、提高光发射效率的区域。即，区域111基本充当空穴传送层(或空穴注入层)。因此，该区域在本说明书中称为空穴传输区。
因此，消除了对在发光层108上分别形成空穴传送层的需要，简化了EL显示器件的制造工艺。此外，本发明的优点还在于不再担心发光层108退化，因为直到透过钝化膜在上面形成薄膜之后才执行杂质元素掺杂步骤。参考图2A-2D描述该实施例。首先在基片201上形成辅助电极202和阴极203。在使用掩模的同时通过蒸发和溅射选择性地连续地使电极和阳极成层。尽管在图2A中未示出，但形成有多个在深度方向上以图中预定间隔延伸的电极，形成带。
辅助电极202使有主要包含铝、铜或银且具有很低电阻率的材料形成的电极。在该实施例中，用MgAg合金作为阴极203，其上成层的低电阻电极作为辅助以增强导电性，从而减小薄膜厚度。因此低电阻电极称为辅助电极。
然后，形成发光层204，以便覆盖辅助电极202和阴极203。在该实施例中，Alg3(三-8-chinolinato-铝)是基于单体的EL材料，利用掩模通过蒸发选择性地形成。(图2B)随后，阳极205由透明导电薄膜形成带，以便与阴极203垂直。利用掩模的蒸发或溅射适于形成该薄膜。在本实施例中，用将氧化锡或氧化锌与氧化铟混合所得到的混合物作为阳极205。
接着形成钝化膜206覆盖阳极205。在本实施例中，在整个表面上形成氮化硅薄膜作为钝化膜206。当然可以用实施例1中提到的其他绝缘膜来代替。图3A示出了在图2C状态下沿线A-A’剖开的器件剖视图。
在得到图2C所示状态之后，透过钝化膜206和阳极205使器件掺以卤族元素。在这一点上，与实施例1类似，进行掺杂使得卤族元素的浓度在阳极205和发光层204之间的界面附近是最高的。结果，在阳极205和发光层204之间的界面附近形成空穴传输区207，提高光发射效率。(图2D)图3B示出了在图2D状态下沿线B-B’剖开的器件剖视图。但是，与正好在阳极205下面的区域相比，208所表示的区域在更深的层次上掺杂卤族元素，因为区域208位于阳极205和相邻阳极205之间。
如上所述，根据该实施例，消除了对在发光层204上分别形成空穴传送层的需要，简化了EL显示器件的制造工艺。此外，本发明的优点还在于不再担心发光层204退化，因为直到透过钝化膜在上面形成薄膜之后才执行杂质元素掺杂步骤。本实施例描述了将实施例1中掺杂用的杂质元素变为其他元素的情况。必要时引用实施例1中所用的符号。
首先，在实施例1的步骤之后，得到图1C所示状态。然后执行图4所示的杂质元素掺杂步骤。在本实施例中，阴极107和发光层108之间的界面附近掺入碱金属元素，其中典型的例子包括Li(锂)、Na(钠)、K(钾)、Cs(铯)或碱土金属元素，碱土金属元素中典型的例子包括Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)和Ba(钡)。这里，阴极和发光层之间的界面附近指从阴极和发光层之间的界面在发光层的深度方向上向上延伸100nm(通常50nm)。不会造成阴极中是否包含碱金属元素或碱土金属元素的问题。
这样形成的掺有碱金属元素或碱土金属元素的区域401充当一个促进载流子(电子，在本例中)从阴极107移动到发光层108的区域。即，区域401基本充当电子传送层(或电子注入层)。因此，在本说明书中该区域称为电子传输区。
如上所述，消除了对在发光层108下分别形成电子传送层的需要，简化了EL显示器件的制造工艺。此外，本发明的优点还在于不再担心发光层108退化，因为直到透过钝化膜在上面形成薄膜之后才执行杂质元素掺杂步骤。
本实施例可以与实施例1相结合。为了详细描述，如果将两个实施例合并，发光层108和阳极109之间的界面附近掺有卤族元素以形成空穴传输区，同时在发光层108和阴极107之间的界面附近掺有碱金属元素或碱土金属元素以形成电子传输区。本实施例描述了将实施例2中掺杂用的杂质元素变为其他元素的情况。必要时引用实施例2中所用符号。
首先，在实施例2的步骤之后，得到图2C所示状态。然后执行图5所示的杂质元素掺杂步骤。在本实施例中，阴极203和发光层204之间的界面附近掺入碱金属元素，其中典型的例子包括Li(锂)、Na(钠)、K(钾)、Cs(铯)或碱土金属元素，碱土金属元素中典型的例子包括Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)和Ba(钡)。被掺杂的阴极203和发光层204之间的界面附近与实施例2相同。结果，形成电子传输区501。
如上所述，消除了对在发光层204下分别形成电子传送层的需要，简化了EL显示器件的制造工艺。此外，本发明的优点还在于不再担心发光层204退化，因为直到透过钝化膜在上面形成薄膜之后才执行杂质元素掺杂步骤。
本实施例可以与实施例2相结合。为了详细描述，如果将两个实施例合并，发光层204和阳极205之间的界面附近掺有卤族元素以形成空穴传输区，同时在发光层204和阴极203之间的界面附近掺有碱金属元素或碱土金属元素以形成电子传输区。本实施例中示出了EL显示器件的一个例子，其中利用本发明，使发光区与不发光区区别开来，从而控制位置以形成空穴传输区和电子传输区。
首先，将基片601放入图9所示的薄膜形成设备的载体902中，搬运基片的载体902设在装片室901中。然后将基片601传送到第一汽相薄膜形成处理室906，通过蒸发Al-LiF合金形成阴极602。Al-LiF合金使通过联合蒸发铝(Al)和氟化锂(LiF)得到的。(图6A)然后，基片传送到溶液施用处理室907。在那里，通过旋涂将溶解了聚苯次亚乙烯基的二氯钾溶液施加到基片上形成聚合物前体。基片进一步传送到煅烧处理室908。在那里，执行聚合热处理，从而形成聚苯次亚乙烯基的发光层603。(图6B)下一步，基片传送到第二汽相薄膜形成处理室909。在那里由氧化铟和氧化锌的混合物形成阳极604。基片进一步传送到第三汽相薄膜形成处理室910。在那里由氮化硅薄膜形成钝化膜605。(图6C)在得到图6C所示状态之后，基片返回装片室901，从薄膜形成设备中取出。从形成阴极602到形成钝化膜605的工艺是连续执行的，绝不会使器件暴露在空气中。不用掩模或类似物在基片的整个表面上形成所有薄膜。
接着，在钝化膜606上形成抗蚀剂层，在这种状态下执行杂质元素掺杂步骤。在本实施例中，用卤族元素作为杂质元素来掺杂发光层603和阳极604之间的界面附近。由此在发光层603中选择性地形成空穴传输区607。
在本实施例中，在发光层603和阳极604的附近选择性地形成空穴传输区607。当对发光层603施加电压时，仅有形成空穴传输区607的部分发光。换言之，在本实施例中，调整EL元件的驱动电压使得发光层603本身不发光，或者发射亮度极低的光。进行进一步的调整使得用同样的驱动电压使形成空穴传输区607的部分发射具有足够亮度的光。调整所发射的光的亮度的对比度，使得形成空穴传输区607的区域的亮度是未形成空穴传输区607的区域的亮度的103或者更大(最好104或更大)倍。
图8A和8B示出了该显示器件中的发光轮廓。图8A示出了电压施加到发光层之前的状态。图中，虚线画出的图形的内部是掺杂了杂质元素(在本实施例中是卤族元素)的区域，而图形的外围是未掺杂杂质元素的区域。
图8B示出了电压施加到发光层之后的状态。图8A中掺杂了杂质元素的区域发光，使得该区域在视觉上被识别为发光区。另一方面，图8A中未掺杂杂质元素的区域不发光，与电压的施加无关。
如上所述，根据本实施例，通过掺杂卤族元素就能实现选择性地仅从空穴传输区发光。即，通过光刻工艺能将发光区和不发光区区分开来。此外，本实施例在工艺中仅需要一次形成图案。换言之，无须形成阳极或阴极图案。因此制造工艺非常简单，具有生产成本低的优点。本实施例描述了将实施例5中掺杂用的杂质元素变为其他元素的情况。必要时引用实施例5中所用符号。
首先，在实施例5的步骤之后，得到图6C所示状态。然后执行图7所示的杂质元素掺杂步骤。在本实施例中，阴极602和发光层603之间的界面附近掺入碱金属元素或碱土金属元素。阴极602和发光层603之间的界面附近掺杂有杂质元素。结果，形成电子传输区501。
通过本实施例也可以实现如图5中的选择性的发光控制。即，根据本实施例，仅通过电子传输区部分选择性地发光是可能的。
本实施例可以与实施例5相结合。为了详细描述，如果将两个实施例合并，发光层603和阳极604之间的界面附近掺有卤族元素以形成空穴传输区，同时在发光层603和阴极602之间的界面附近掺有碱金属元素或碱土金属元素以形成电子传输区。本实施例示出了一个例子，其中用实施例1或3制造有源矩阵型EL显示器件，器件中像素部分及其驱动电路整体形成在同一基片上。参考图10和11进行解释。
图10中，参考符号10表示基片，11表示像素部分，12表示源侧驱动电路，13表示门侧驱动电路。来自各个驱动电路的线路通过输入/输出线路14-16和FPC17连接到外部器件。线路14是将视频信号、时钟信号等发送到源侧驱动电路12的线路。线路15是将时钟信号或类似信号发送到门侧驱动电路13的线路。线路16是为像素部分11提供将送给EL元件的电流的线路。
设有密封部件(也称为外壳部件)18以便至少覆盖像素部分，最好是驱动电路和像素部分。密封部件18具有拱形部分的外形或者为片状，拱形部分的内部尺寸(深度)比像素部分11的外部尺寸(高度)大。粘合剂(也称为密封剂)19将密封部件18固定到基片10上，使得密封部件18和基片10一起形成气密空间。在这点上，EL元件达到了完全密封在气密空间内的状态，完全切断了通向外部空气的通道。可提供多个外壳部件18。
密封部件18的优选材料是绝缘物质，例如玻璃或聚合物。但是，在图10的顶视图中，EL光朝图的前方发射，因此需要使用光导材料。例如，可以指定非晶体玻璃(硼硅玻璃、石英等)、晶体玻璃、陶瓷玻璃、有机树脂(丙烯酸树脂、丙乙烯基树脂、聚碳酸酯基树脂、环氧基树脂等)、硅铜基树脂。
可以用环氧基树脂、丙烯酸酯基树脂或类似物作为粘合剂19。也可用热固化树脂或光固化树脂作为粘合剂。但是，要求用作粘合剂19的材料传输尽可能少的氧气和水汽。
密封部件18和基片10之间的间隙(在图11中由20表示)最好充以不活泼气体(氩、氦、氮等)。填充物不必限于气体，而是也可以使用惰性液体(由全氟代烷烃为代表的液体氟代碳或类似物)。日本专利申请特开平8-78519中公开了其他合适的惰性液体。
在间隙20中放干燥剂也是有效的。作为干燥剂，可以使用日本专利申请特开平9-148066中公开的材料。典型地使用氧化钡。
如图11所示，在像素部分形成多个像素，每个像素具有分立的EL元件。形成像素电极21之后，利用掩模通过蒸发形成发光层22，利用另一个掩模在其上形成阳极23，制造具有图11所示截面结构的EL元件。在本实施例中，用图9所示的多腔室薄膜形成设备连续形成像素电极(也称为阴极)21、发光层22、阳极23和钝化膜24。
阳极23与由参考符号25表示的区域中的输入/输出线路26相连接。输入/输出线路26是电源线，用于为阳极23提供给定电压，该线路通过导电粘合材料27与FPC17连接。
在形成TFT的源布线和漏布线的同时形成输入/输出线路26。如果输入/输出线路26是由主要含铝的材料形成的且用ITO薄膜形成阳极23，就会在线路与阳极接触的部分上出现铝的腐蚀，这是不可取的。在这种情况下，用将氧化铟和氧化锌混合所得到的混合物作为阳极23就可以避免腐蚀问题。
输入/输出线路26通过密封部件18和基片10之间的间隙(它不是空的而是充以粘合剂19因此粘合剂必须浇得足够厚以至找平输入/输出线路所形成的水平差)并连接FPC17。尽管在这里描述时用的是输入/输出线路26，但其他输入/输出线路14同样连接到在密封部件18下面通过的FPC17。
实施例7中描述了在像素部分的外围形成源侧驱动电路和门侧驱动电路的结构。在像素部分中形成驱动电路也是可能的，这将在本实施例中加以解释。在那种情况下，所有从发光层发出的光从基片的相对侧离开，在基片和像素电极之间产生没有光能通过的死区。
因此，在该死区可以形成任何元件或电路而不会影响图象的显示。因此，在死区中形成驱动电路能进一步减小基片尺寸。
本实施例基本概念的细节见本申请人提交的日本专利申请特开平11-182590所述。递交的说明书完全参考本发明的实施例8。通过执行实施例1-4制造的EL显示器件是自发光型的，因此在亮处清晰度高于液晶显示器件。这就是为什么本发明的器件能用作直视型EL显示的原因。
可以认为，宽视角是EL显示所保留的液晶显示的优点之一。因此，当在大屏幕上观看电视广播时，可推荐采用EL显示将本发明用于对角线为30英寸或更大(通常，40英寸或更大)的显示器(显示监视器)。
本发明不仅可用作EL显示器(个人计算机的监视器、接收电视广播的监视器、广告显示监视器等)，而且可用作不同类型的电子器件的显示器。
这种电子器件包括摄影机、数字相机、眼镜型显示器(头部固定的显示器)、汽车导航系统、个人计算机、与显示器一体的视频游戏机、便携式信息终端(笔记本电脑、蜂窝电话、电子书籍等)，以及配有记录媒质的图象重现器件(尤其是，配有能重现记录媒质的显示器的设备，记录媒质例如光盘(CD)、激光影碟(LD)以及数字视盘(DVD)和其中记录的显示图象)。这些电子器件的例子如图12A-12F所示。
图12A示出了个人计算机，它包括主体2001、外壳2002、显示监视器2003和键盘2004。可用本发明作为显示监视器2003。
图12B示出了摄象机，它包括主体2101、显示监视器2102、音频输入部件2103、操作开关2104、电池2105和图象接收部件2106。可用本发明作为显示监视器2102。
图12C示出了头部安装型EL显示器的一部分(右手侧)，它包括主体2201、信号电缆2202、固定带2203、显示监视器2204、光学系统2205和显示器件2206。可用本发明作为显示器件2206。
图12D示出了配有记录媒质的图象重现器件(尤其是DVD播放器)，它包括主体2301、记录媒质(CD，LD，DVD或类似物)2302、操作开关2303、显示监视器(a)2304和显示监视器(b)2305。显示监视器(a)主要显示图象信息，而显示监视器(b)主要显示字符信息。可用本发明作为显示监视器(a)和(b)。可应用本发明的配有记录媒质的其他图象重现器件包括CD播放器、游戏机和类似器件。
图12E示出了便携式(移动)计算机，它包括主体2401、摄像部件2402、图象接收部件2403、操作开关2404和显示监视器2405。可用本发明作为显示监视器2405。
图12F示出了EL显示器，它包括外壳2501、支架2502和显示监视器2503。可用本发明作为显示监视器2503。由于具有宽视角，在大屏幕显示器中，尤其在对角先延伸10英寸或更长(更特别的，30英寸或更长)的显示器中，EL显示器优于液晶显示器。
如果在未来对EL材料的发光亮度进行改进，就可以将本发明用于正投或背投式投影仪，用透镜或类似物对包括输出的图象信息的光进行放大和投影。
根据本发明，在保持或改进EL元件性能时可以减少层数。由此可以降低EL显示器件的生产成本。此外，具有这种廉价EL显示器件的电子器件(电子器件)作为显示器可以降低生产成本。
权利要求
1.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中卤族元素包含在所述发光层的一部分中，并且其中所述部分与所述阳极接触。
2.根据权利要求1的照相机，其中所述卤族元素包含在所述阳极中。
3.根据权利要求1的照相机，其中所述卤族元素包含在所述钝化膜中。
4.根据权利要求1的照相机，其中所述部分包括有包含卤族元素的区域和不包含卤族元素的区域。
5.根据权利要求1的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
6.根据权利要求1的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
7.根据权利要求1的照相机，其中所述部分具有100nm或更小的厚度。
8.根据权利要求1的照相机，其中所述卤族元素通过所述钝化膜被掺杂。
9.根据权利要求1的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
10.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括形成在基片上的TFT；夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中所述阴极电连接到所述TFT，其中卤族元素包含在所述发光层的一部分中，并且其中所述部分与所述阳极接触。
11.根据权利要求10的照相机，其中所述卤族元素包含在所述阳极中。
12.根据权利要求10的照相机，其中所述卤族元素包含在所述钝化膜中。
13.根据权利要求10的照相机，其中所述部分包括有包含卤族元素的区域和不包含卤族元素的区域。
14.根据权利要求10的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
15.根据权利要求10的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
16.根据权利要求10的照相机，其中所述部分具有100nm或更小的厚度。
17.根据权利要求10的照相机，其中所述卤族元素通过所述钝化膜被掺杂。
18.根据权利要求10的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
19.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种包含在所述发光层的一部分中，其中所述部分与所述阴极接触，并且其中碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种通过所述钝化膜被掺杂。
20.根据权利要求19的照相机，其中在所述钝化膜中存在包含碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种的区域和不包含碱金属元素或碱土金属元素的区域。
21.根据权利要求19的照相机，其中所述部分包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种的区域和不包含碱金属元素或碱土金属元素的区域。
22.根据权利要求19的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
23.根据权利要求19的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
24.根据权利要求19的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
25.根据权利要求19的照相机，其中所述部分具有100nm或更小的厚度。
26.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括形成在基片上的TFT；夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中所述阴极电连接到所述TFT，其中碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种包含在所述发光层的一部分中，其中所述部分与所述阳极接触，并且其中碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种通过所述钝化膜被掺杂。
27.根据权利要求26的照相机，其中在所述钝化膜中存在包含碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种的区域和不包含碱金属元素或碱土金属元素的区域。
28.根据权利要求26的照相机，其中所述部分包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种的区域和不包含碱金属元素或碱土金属元素的区域。
29.根据权利要求26的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
30.根据权利要求26的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
31.根据权利要求26的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
32.根据权利要求26的照相机，其中所述部分具有100nm或更小的厚度。
33.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中卤族元素通过所述钝化膜被选择性地掺杂到所述发光层。
34.根据权利要求33的照相机，其中所述卤族元素包含在所述阳极中。
35.根据权利要求33的照相机，其中所述卤族元素包含在所述钝化膜中。
36.根据权利要求33的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
37.根据权利要求33的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
38.根据权利要求33的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
39.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括夹在阴极和阳极之间的发光层；和形成在所述阳极上的钝化膜，其中碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种通过所述钝化膜被选择性地掺杂到所述发光层。
40.根据权利要求39的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
41.根据权利要求39的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
42.根据权利要求39的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
43.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括在阴极和阳极之间包含有机材料的层；以及所述阳极上的钝化膜，其中所述层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述阳极接触，其中仅所述第一部分包括卤族元素，并且其中至少所述第二部分用作发光层。
44.根据权利要求43的照相机，其中所述卤族元素包含在所述阳极中。
45.根据权利要求43的照相机，其中所述卤族元素包含在所述钝化膜中。
46.根据权利要求43的照相机，其中所述卤族元素通过所述钝化膜被掺杂。
47.根据权利要求43的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
48.根据权利要求43的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
49.根据权利要求43的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
50.一种照相机，包括主体和附着于该主体的显示监控器，所述显示监控器包括在阴极和阳极之间包含有机材料的层；以及所述阳极上的钝化膜，其中所述层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述阳极接触，其中仅所述第一部分包括碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种，其中至少所述第二部分用作发光层，并且其中碱金属元素和碱土金属元素其中的所述至少一种通过所述钝化膜被掺杂。
51.根据权利要求50的照相机，其中所述阴极包括有包含碱金属元素和碱土金属元素其中至少一种的金属膜，而所述阳极包括透明导电膜。
52.根据权利要求50的照相机，其中所述钝化膜是包含硅的绝缘膜。
53.根据权利要求50的照相机，其中所述照相机是摄影照相机。
全文摘要
为了在保持和改进EL元件性能的同时减少层数，从而降低成本。在像素电极(104，105)上形成阴极(106，107)、发光层(108)、阳极(109)和钝化膜(110)。此后，透过钝化膜(110)和阳极(109)在发光层(108)和阳极(109)之间的界面附近掺入卤族元素。这导致用作空穴传输层的空穴传输区(111)的形成，从而提高了光发射效率。
文档编号H04N5/247GK1877880SQ20061010160
公开日2006年12月13日 申请日期2000年7月24日 优先权日1999年7月23日
发明者山崎舜平 申请人:株式会社半导体能源研究所