固态成像装置的制作方法

专利名称：固态成像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及诸如CMOS图像传感器或者CCD图像传感器的固态成像装 置，更具体地，涉及具有经过光瞳校正(pupil correction)的微透镜和配线 图案的固态成像装置。
背景技术：
迄今，在CMOS图像传感器中，每个像素都不仅包括将入射光进行光 电转换的光敏二极管(PD)，而且包括多个晶体管和浮置扩散(FD)单元， 该多个晶体管包括传输光电转换所获得的电信号的晶体管(TG)、复位晶体 管(RST)和放大晶体管(AMP)等。当光泄漏到这些有源区域时，发生光 电转换。错误信号由光电转换所产生的电子而产生，并且视为噪声。因此， 通常在CMOS图像传感器中这些区域被遮光以防止光进入到这些区域。另 外，配线包括传输由放大晶体管放大的电信号的信号线、驱动上述晶体管的 控制信号线和电源线等，这些配线防止光到达光敏二极管。
相反，在CCD图像传感器中，每个像素都不仅包括光敏二极管区域， 而且包括用于转移光电转换所获得的电荷的垂直CCD转移区域。因为在光 进入到该区域时产生错误信号，所以该区域必须遮光。
如上所述，在图像传感器中于单元像素中形成遮光区域。
因此，在现有技术的图像传感器中，提出了这样的技术并投入实际应用， 其中对于每个像素在光敏二极管上方形成微透镜和层内透镜(in-layer lens ), 以便有效地将光聚集到光敏二极管上，同时防止光进入形成在该像素中的遮 光区域。
然而，在此情况下，在成像区域(像素阵列部分)的中心部分设置的像 素中，进入光敏二极管的主要光线的角度典型地为0°,并且光垂直地进入光 敏二极管。相反地，通常，在成像区域的周边部分设置的像素中，主要光线 以一定的角度进入光敏二极管。具体地讲，通常在成像区域的周边部分中设 置的像素的主要光线在远离成像区域的中心部分的方向上倾斜地进入光敏二极管。
结果，在成像区域的中心部分上，进行光敏二极管的孔径中心对微透镜 和层内透镜的中心的匹配。然而，在成像区域的周边部分上，当进行光敏二 极管孔径的中心对微透镜和层内透镜的中心的匹配时，光轴相对于倾斜的入 射光而倾斜，并且入射光的一部分进入光敏二极管的外面，导致阴影现象
(shading phenomenon )的发生。
因此，为了处理这种现象，提出并投入实际使用了这样的技术，其中微 透镜、滤色器和层内透镜以这样的方式布置在成像区域的周边部分中，其位 置通过在到成像区域的中心侧方向上的偏移来移动，从而该位置可以适合于 入射光的光轴，由此避免在光敏二极管中产生阴影(例如，见日本未审查专 利申请公开No. 11-186530 )。该技术称为光瞳校正技术，并且应用于配线、 接触和通路等。
在此情况下，如果成像区域周边部分的布局中的布线和微透镜等被平行 移动，则成像区域的周边部分中的布局与成像区域的中心部分中的布局一致。
然而，在进行上面所述的光瞳校正技术的情况下，关于微透镜和层内透 镜，因为没有限制光瞳校正要移动微透镜和层内透镜的位移量，所以可以容 易地进行优化。然而，关于配线，根据像素中元件的布置或者光敏二极管的 孔径形状等，对配线的位移量施加了限制。
因此，作为这些限制的具体示例，以采用三层金属配线结构的像素为例 进行描述。图6是示出在三层金属配线的情况下FD单元附近的元件布置的 示意性平面图。
在该图中，在每个像素中，传输由光电转换获得的信号作为电信号的垂 直信号线110和将FD单元112连接到放大晶体管的栅极(未示出)的内部 配线114通常采用第二层的配线膜形成。另外，接触单元116连接FD单元 112和内部配线114。
应当注意的是，遮光并且用作电源线的配线(作为第三层的金属配线膜) 形成在所示的配线上。
在该配线结构中，当垂直信号线110为了光瞳校正而移动和使用时，垂 直信号线110可以在远离接触单元116的方向(即图中所示的右方向(由箭 头A表示))上相对自由地移动。然而，关于相反方向(即图中所示的左方向(由箭头B表示))，因为不能移动将FD单元112连接到内部配线114的 接触单元116的位置，所以在垂直信号线110以大的量移动时，垂直信号线 IIO会与接触单元接触。因此，不能充分灵活地移动垂直信号线110。
因此，例如，在工艺阶段没有进步并且设计规则没有改变的情况下最小 化像素时，假设没有减少要安装在单元像素中的配线数量，则通过光瞳校正 移动配线的最大移动量(光瞳校正量)由布局限制来确定。当配线的光瞳校 正量小于采用模拟或者理论计算获得的配线的光瞳校正量时，就不能在成像 区域周边的配线上充分地进行光瞳校正。配线引起的阴影就会发生，并且降 低了灵敏度。
而且，当由于阴影而产生的光线因反射或者折射现象泄漏到相邻像素 时，造成所谓混色的图像质量退化。
因此，本发明的目的是通过改善配线层的布置结构来提供能以高灵活性 在配线上进行光瞳校正的固态成像装置。

发明内容
为了实现上述目标，本发明的固态成像装置的特征在于包括像素阵列 部分，其中多个光电转换单元沿着二维方向布置在半导体基板上；配线层， 其中绝缘膜和配线膜堆叠在该像素阵列部分的上部，并且其中一些配线经由 接触单元连接到半导体基板侧；以及微透镜，布置在该配线层上，并且形成 为具有用于光瞳校正的节距，该节距不同于该像素阵列部分中该光电转换单 元的节距。该配线层包括相对于该像素阵列部分的中心部分侧在周边部分侧 上将配线层划分而得到的至少两个划分的区域，预定接触单元和预定配线的 每一个都对应于该像素阵列部分中的像素中的一个设置，并且预定接触单元 和预定配线布置成使得该两个划分的区域之一中的预定接触单元和预定配 线的位置与该两个划分的区域的另一个中相应的预定接触单元和预定配线 的位置相反。
根据本发明，固态成像装置的配线层包括相对于像素阵列部分的中心部 分侧在周边部分侧上将配线层划分而得到的至少两个划分的区域，并且接触 单元和配线布置成两个划分的区域之一中的接触单元和配线的位置与两个
划分的区域的另一个中相对应的接触单元和配线的位置相反，接触单元和配 线的每一个都对应于像素阵列部分的一个像素而设置。因此，接触单元可以
6布置在在成像区域的每个像素位置对配线进行光瞳校正的方向一侧的相反 侧。光瞳校正可以通过自由移动来进行而不干扰4妻触单元。
因此，可以以高度灵活性进行光瞳校正，并且可以在整个成像区域上改 善光接收效率和均匀性。可获得有助于改善固态成像装置的图像质量等效 果。


图1是示出根据本发明实施例的固态成像装置的轮廓的方块图。 图2是示出图1所示固态成像装置的像素电路构造的电路图。
图3是示出成像区域的X-Y坐标的示意图。
图4包括示出在图1所示固态成像装置中采用的配线布局的具体示例的 示意性平面图。
图5包括示出其中图4所示各像素的配线经受光瞳校正的情况的具体示 例的示意性平面图。
图6是 示出在现有技术的固态成像装置中采用的配线布局的具体示例的 示意性平面图。
具体实施例方式
图1是示出根据本发明实施例的固态成像装置的具体示例的平面图，并 且示出了 CMOS图像传感器的示例。另外，图2是示出在图1所示固态成 像装置的像素中的电路构造的电路图。应当注意的是，尽管下面对实施例的 描述将主要涉及CMOS图像传感器，但是本发明同样也可以用于CCD图像
传感器。
如图l所示，该实施例的固态成像装置包括像素阵列部分20,使用沿 二维方向布置的多个像素16来构造成像区域；垂直扫描电路21，通过在垂 直方向上扫描像素阵列部分20的各像素来控制读取像素信号的操作；负载 MOS晶体管电路24，控制从像素阵列部分20的各像素列引出的垂直信号线 28; CDS电路25,获取从像素阵列部分20的各像素列读取的像素信号，并 且采用相关双采样(correlated double sampling )工艺来降低噪声；水平选择 晶体管电路26,将从CDS电路25提供的像素信号输出到水平信号线27;以及水平扫描电路22,依次选择水平方向上的水平选择晶体管电路26以控
制像素信号的输出。
输出到水平信号线27的像素信号经由緩沖放大器传输给后续电路。
而且，如图2所示，像素16的每一个都包括光敏二极管(PD) 1,将 入射光进行光电转换；晶体管(TG) 12,基于转移脉沖(OTRG)将由光电 转换获得的电信号转移到浮置扩散(FD)单元3;复位晶体管(RST) 14, 基于复位脉冲(ORST)将FD单元3的电位复位到电源电压VDD;放大晶 体管(AMP) 13，将FD单元3的电位上的变化转换成电压信号或者电流信 号；以及选择晶体管15，基于选择信号(①SEL)将放大晶体管13的输出连 接到所对应的一条垂直信号线28。
因此，在像素16附近，垂直信号线28和电源线等布置在垂直方向上， 并且读取线17、复位线18和选择线19等布置在水平方向上。
如上所述，在现有技术的固态成像装置中，当在成像区域的周边部分中 对配线进行光瞳校正时，因为诸如接触单元的其它部件是障碍物，所以存在 不能对配线有效地进行光瞳校正的问题。
.该问题是这样引起的，尽管配线通过光瞳校正希望偏移的方向根据成像 区域的部分而不同，但是像素的基本布局(配线之间的位置关系)通常用于 整个成像区域上。换言之，在考虑像素阵列部分(成像区域)分成左右侧两 个的情况下，当对配线进行光瞳校正时，成像区域右侧的区域中的配线在左 方向上偏移，成像区域左侧区域中的配线在右方向上移动。因此，在其中配 线的右侧存在诸如接触单元的障碍物的布局中，关于在成像部分的左桐希望 在右方向上移动的配线，在光瞳校正中存在不足的灵活性。相反，当障碍物 存在于配线的左侧时，关于成像区域的右侧希望在左方向上移动的配线，没 有灵活性。换言之，障碍物存在于配线希望通过光瞳校正而偏移的方向上的 区域以及障碍物存在于位于配线希望通过光瞳校正而偏移的方向上的一侧 的相反侧的区域被混合，并且总体上限制了光瞳校正的有效进行。
应当注意的是，同样，在考虑将像素阵列部分(成像区域)分成上下侧 和左右侧四个的情况下，障碍物存在于配线希望通过光瞳校正而偏移的方向 上的区域以及障碍物存在于位于配线希望通过光瞳校正而偏移的方向上的 一侧的相反侧的区域被混合，并且总体上限制了光瞳校正的有效进行。
因此，在本发明的实施例中，对于像素阵列部分(成像区域)的每个划分的区域改变配线(具体地讲，垂直信号线和接触单元)之间的位置关系， 由此将接触单元布置在位于垂直信号线希望通过光瞳校正而偏移的偏移方 向上的 一侧的相反侧。通过保证垂直信号线的充足的移动量而可以有效进行 光瞳校正，并且改善校正的效果。
而且，在本实施例中，成像区域在像素的数量较大的方向上分成两个， 并且对每个划分的区域改变配线和接触单元之间的位置关系。
例如，要考虑成像元件的标准。在HDTV标准中，横纵比(水平尺寸与 垂直尺寸的比率)为16:9。在NTSC标准中，横纵比为4:3。在单透镜反射 型照相机中，横纵比为3:2。换言之，在所有的标准中，横向的尺寸(水平 方向的尺寸)大于纵向的尺寸(垂直方向的尺寸)。因此，当成像元件采用 四方格子实现时，在水平方向上像素的数量大于在垂直方向上像素的数量。
另外，当使用通过以45。的倾斜角度布置为单元像素的正方形像素来实现偏 斜的像素时，水平方向上的像素数量也大于垂直方向上的像素数量。另外， 通常，入射光线的角度倾向于随着图像高度的增加而增加。在非球面透镜的 情况下，入射光线的角度一直增加，直到图像的高度到达一定值，并且在其
在任何情况下，水平方向上的光瞳校正量倾向于大于垂直方向上的光瞳
校正量。
因此，接下来，参考图3所示的成像区域的坐标进行描述如下。首先， (0, 0),是成像区域30的有效像素的中心，设定为原点。X轴设在水平方 向上，而Y轴设在垂直方向上。Z轴设在从成像表面的光轴方向上。各像素 的位置采用坐标确定。像素的光敏二极管的中心坐标设定为(XI, Yl),其 中XI >0且Yl >0。
这里，考虑对微透镜进行光瞳校正。假设采用光学模拟等确定的X轴的 优选偏移量为Xml (> 0)，且Y轴的优选偏移量为Yml (> 0)，则像素的 微透镜的坐标为(XI -Xml，Yl -Yml )。位于相对于Y轴对称的像素的坐标 为(-Xl，Yl),并且微透镜的优选坐标为(-X1十Xml,Yl-Yml )。
当采用这样的方式进行光瞳校正时，微透镜向成像区域的中心部分的方 向上偏移的位置是用于在成像区域的周边部分中形成微透镜的优选位置。
然而，金属配线、通路插塞和接触插塞需要满足电连接到下层的条件， 这与微透镜、层内透镜和滤色器的情况不同。 一旦确定了中心的布局，根据
9设计规则和连接关系就不可避免地确定了可允许的光瞳校正量。
因此，假设金属配线的光瞳校正量为X轴上的-Xm2和Y轴上的-Ym2, 则经受光瞳校正的金属配线的坐标为对于坐标为(X1，Y1)的像素位置为 (XI -Xml,Yl -Ym2),对于坐标为(Xl,-Yl )的像素位置为(X1 - Xm2,-Y1 + Ym2)，对于坐标为(-Xl,Yl)的像素位置为(-X1十Xml，Yl-Ym2),而 对于坐标为(-Xl,-Yl)的像素位置为(-X1+Xml，-Yl+Ym2)。部件通过 光瞳校正偏移的方向和部件通过光瞳校正偏移的位置根据每个像素的位置 而不同。
换言之，光瞳校正要在成像区域的周边部分中的多个方向上进行。对于 作为尺寸减小的、并且具有配线的偏移量的限制的微细像素，不可能提供满 足光瞳校正的所有上述要求的布局。
因此，在该实施例中，应用这样的配线布局，其采用要进行光瞳校正的 方向根据每个像素的位置而不同的优点。例如，在像素的位置为+X (> 0) 的区域中，对配线进行的光瞳校正的方向仅为-X (< 0)方向，而在像素的 位置为-X (<0)的区域中，对配线进行的光瞳校正的方向仅为+X (>0)方
向。因此，在像素的位置为+x的区域中采用在-x方向上易于进行光瞳校正
的配线布局，而在像素的位置为-X的区域中采用在+x方向易于进行光瞳校
正的配线布局，由此在整个成像区域上提高了光瞳校正的灵活性。
图4包括示出该实施例中采用的配线布局的具体示例的示意性平面图， 并且示出了垂直信号线28、用于提供到FD单元3的连接的接触单元31和 将接触单元31连接到放大晶体管的内部配线32之间的位置关系。
在图4中，示出了在左右两侧的布置在两个划分的区域中的像素的配线， 这两个划分的区域通过相对于成像区域的中心部分侧在周边部分侧将成像 区域划分而获得。图4的部分(A)示出了相对于成像区域的中心布置在左 侧(-X侧)的像素位置上所提供的配线。图4的部分(B)示出了相对于成 像区域的中心布置在右侧(+X侧)的像素位置上所提供的配线。
如图4的部分(A)所示，在布置在成像区域左侧的像素中，接触单元 31和配线32布置在左侧，而垂直信号线28布置在右侧。
相反，如图4的部分(B)所示，在布置在成像区域右侧的像素中，接 触单元31和配线32布置在右侧，而垂直信号线28布置在左侧。
图5包括示出图4所示的各像素的配线经受光瞳校正的情况的具体示例
10的示意性平面图。图5的部分(A)对应于图4的部分(A),图5的部分(B) 对应于图4的部分(B)。
下面将描述上述配线的效果。应当注意的是，这里，为了筒化描述，在 图4的两个像素简单地布置在X轴上的假设下进行下面的描述。因此，只需 要考虑X方向作为要对像素进行光瞳校正的方向。
首先，在图4的部分(A)所示的成像区域左侧的像素中，要对配线进 行光瞳校正的方向为+X方向。在成像区域左侧的像素中，当对配线进行光 瞳校正时，配线28和32向成像区域的中心的方向偏移。换言之，如图5的 部分(A)所示，配线28和32沿右方向(箭头a所示的方向)偏移。
同样，在成像区域右侧的像素中，当对配线进行光瞳校正时，配线28 和32向成像区域的中心的方向偏移。换言之，如图5的部分(B)所示，配 线28和32沿左方向(箭头b所示方向)偏移。
如果图4的部分(A)所示的左侧的像素布局制成图4的部分(B)所 示的右侧的像素布局的情况，则垂直信号线28不能在右方向上移动，这是 由于必须保证配线32与垂直信号线28之间在设计规则上限定的空间，配线 32连接到因连接到FD单元3而不能移动的接触单元31。因此，在成像区域 的周边部分上，入射光由不能移动(其上不能进行光瞳校正)的垂直信号线 遮蔽，这引起灵敏度的下降或者颜色混合。
相反， 在该实施例中，通过利用要进行光瞳校正的方向根据像素位置而 具体确定的优点，根据像素布置的位置改变了基本布局，由此提高了光瞳校 正的灵活性，从而可以抑制配线引起的阴影。可以避免灵敏度的下降，并且 可以避免颜色混合。
应当注意的是，在图4所示的实施例中，描述了这样的示例，其中像素 分成两类，相对于图3所示的成像区域的原点而设置在X轴正方向上的像素 和设置在X轴负方向上的像素，并且描述了X轴上的像素。然而，同样，X 方向上的移动也可以应用到没有设置在X轴上的像素。而且，如上所述，因 为通常布置在X轴方向上的像素数量大于设置在Y轴方向上的像素数量， 所以X轴方向上的校正量较大。因此，可以期待这样的效果，其中通过简单 地将成像区域也相对于Y轴分成左右两半，使光瞳校正的灵活性提高到某种 程度。
然而，作为进一步改善设计的示例，成像区域相对于作为成像区域中心的原点分成上下侧和左右侧四个部分，并且改变了每个像素的基本布局，由 此进一步提高光瞳校正的灵活性，从而可以改善图像质量。例如，关于在图 2所示的水平方向上对应于上述信号线的配线，该配线布置为使得在成像区 域上侧的配线与接触单元之间的位置关系与在成像区域下侧的配线与接触 单元之间的位置关系相反，由此可以期待改善光瞳校正的灵活性。
关于本发明的上述实施例，在下面给定的应用领域中可以获得各种效果。
例如，当照相机安装在诸如移动电话的移动终端中时，强烈要求透镜模 块(透镜和成像元件一体化的一个模块)具有小的厚度，从而透镜模块具有 透镜模块可以安装在移动终端中的小的厚度。关于在这样情况下使用的透
镜，大部分情况下采用具有短出口瞳距(short exit pupil distance )的透镜。 当采用具有短出口瞳距的透镜时，主要光线的入射角倾向于在成像区域的周 边部分上大，并且需要大的光瞳校正量，以便进行光瞳校正，使得光瞳校正 适合于透镜的光轴。
另夕卜，迄今因物理限制移动终端中尚未安装能发光以获得足够光量的闪 光灯(flash )。为了获得足够快的快门速度以避免手的移动造成的图像振颤， 倾向于使用小F值比如F2.8的更亮的透镜。然而，当采用小F值的透镜时， 因为副光线的角度大，所以光不易于进入光敏二极管。
而且，关于成像元件和透镜一体化的透镜模块，为了易于设计后续的产 品，倾向于减小图像传感器的像素尺寸，而将光学尺寸保持为固定尺寸，由 此增加了像素的数量。在此情况下，像素尺寸得到减小，而主要光线的角度 保持为大的。
而且，如上所述，不仅需要对微透镜、滤色器和层内透镜进行光瞳校正， 也需要对满足电连接的条件所需要的金属配线、通路和接触进行光瞳校正。 否则，产生由配线等造成的阴影，并且导致灵敏度降低和颜色混合。相反， 因为配线的金属配线宽度和金属配线空间限定为基于金属配线工艺的设计 规则，所以在实际布局中限制了可进行光瞳校正的范围。举例来说，假如， 尽管作为理论计算或者光学模拟结果的配线偏移量0.5 iim是必要的，但是 在满足设计规则的布局中可允许的偏移量仅为0.3 jim。在此情况下，因为不 能在成像区域的周边部分中对配线充分进行光瞳校正，所以产生配线造成的 阴影，并且在成像区域的周边部分中降低了灵敏度。当配线遮蔽的光泄漏到相邻像素时，产生颜色混合。
相反，在现有技术的方法中，因为仅提供一个基本布局用于进行光瞳校正，所以不能充分地进行光瞳校正。然而，在该实施例中，使用了根据像素布置的位置确定要进行光瞳校正的方向的优点，从而通过根据像素布置的位置而改变基本布局可以提高光瞳校正的灵活性。
例如，在通过使用一个像素布局对所有的像素位置实现光瞳校正的情况下，假设在成像区域左侧的上述的像素中，配线在右方向上可偏移的量为
Hl,并且在成像区域右侧的像素中，配线在左方向上可偏移的量为H2,则在成像区域中可同等地进行光瞳校正的量为Hl和H2的绝对值之间的最小值。相反，在成像区域相对于Y轴分成左右侧两个部分的情况下，并且其中改变像素的基本布局，使得右侧的像素的基本布局和左侧的像素的基本布局彼此不同，则可以以两倍于现有技术中光瞳校正量来进行光瞳校正。
应当注意的是，上述实施例是本发明的一个示例，并且可以对本发明进行进一步的修改。例如，尽管CMOS图像传感器描述为该实施例中的一个示例，但是该实施例同样也可以应用于CCD图像传感器。另外，尽管在实施例中描述了改善垂直信号线与FD的接触单元之间的位置关系的示例，但是该实施例同样也可以应用于改变其它配线与接触或者通路之间的位置关系的情况。
而且，在该实施例中，描述了通过相对于成像区域的中心将成像区域分成上下侧或者左右侧两个部分或者上下侧和左右侧四个部分而获得划分的区域的示例。然而，根据光瞳校正的实际环境等可以采用各种方法作为提供划分的区域的方法。例如，可以提供这样的实施例，其中仅在成像区域的除了中心区域外的周边区域中提供改变配线之间的位置关系的区域。
1权利要求
1、一种固态成像装置，其特征在于包括像素阵列部分，在所述像素阵列部分中多个光电转换单元沿着二维方向布置在半导体基板上；配线层，在所述配线层中绝缘膜和配线膜堆叠在所述像素阵列部分的上部，并且在所述配线层中一些配线经由接触单元连接到所述半导体基板侧；以及微透镜，布置在所述配线层上，并且形成为具有用于光瞳校正的节距，所述节距不同于所述像素阵列部分中所述光电转换单元的节距，其中所述配线层包括通过相对于所述像素阵列部分的中心部分侧在周边部分侧上将配线层划分而得到的至少两个划分的区域，预定接触单元和预定配线的每一个对应于所述像素阵列部分中的像素中的一个设置，所述预定接触单元和所述预定配线布置为使得所述两个划分的区域之一中的所述预定接触单元和所述预定配线的位置与所述两个划分的区域的另一个中的所述预定接触单元和所述预定配线的位置相反。
2、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述配线层包 括第一接触单元和第一配线，所述第一接触单元的每一个都对应于所述像素 阵列部分中的像素中的一个设置，所述第一配线相邻于所述第一接触单元而 不连接到所述第一接触单元，并且在所述划分的区域中，所述第一配线中的每一个都设置成使得所述第一配线比相应的一个第一接触单元更接近于所 述像素阵列部分的中心侧。
3、 根据权利要求2所述的固态成像装置，其特征在于，所述第一配线 以对所述微透镜进行光瞳校正的方向上偏移的节距形成。
4、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述配线层的 所述划分的区域是通过在所述像素阵列部分的垂直方向上划分所述配线层 所获得的区域。
5、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述配线层的 所述划分的区域是通过在所述像素阵列部分的水平方向上划分所述配线层所获得的区域。
6、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述配线层的所述划分的区域是通过在所述像素阵列部分的垂直方向和水平方向的每一 个上划分所述配线层所获得的至少四个区域。
7、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述配线层的 所述划分的区域是通过所述该像素阵列部分的像素数量较大的方向上划分 所述配线层所获得的区域。
8、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述第一接触 单元是连接到用于从所述光电转换单元获得信号电荷的浮置扩散单元的接 触单元。
9、 根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于，所述第一配线 是用于传输像素信号的垂直信号线。
全文摘要
通过改善配线层的布置结构而实现了配线的光瞳校正保证高的自由度。成像区域被分成左右侧两个。设置在成像区域的中心的左侧(-X侧)的像素位置的配线中，接触部分(31)和配线(32)设置在左侧，而垂直信号线(28)设置在右侧。另外，设置在成像区域的中心的右侧(+X侧)像素位置上的配线中，接触部分(31)和配线(32)设置在右侧，而垂直信号线(28)设置在左侧。作为以该方式配线的结果，甚至当配线通过光瞳校正向成像区域中心偏移时，左右侧的垂直信号线(28)在远离接触部分(31)的方向上偏移，所以可以实现高自由度的光瞳校正。
文档编号H04N5/357GK101512766SQ200780033698
公开日2009年8月19日 申请日期2007年8月2日 优先权日2006年9月11日
发明者石渡宏明 申请人:索尼株式会社