专利名称：一种单线通讯电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电信号的通讯电路，特别是涉及一种单线通讯电路。
技术背景传统的单线通讯电路，一直受通讯线距离的制约影响。通讯线越长，线间电容量愈 大，干扰愈大。因此传统的单线通讯电路仅限于短距离通讯。
发明内容本实用新型的目的是提供一种单线通讯电路，将高电平数据和低电平数据分开发 送，发送低电平时，使用强下拉电路，使通讯线上的线电容电荷及干扰电荷快速放电；加入 基极消容电路，接收低电平数据时可使通讯线上的线电容电荷、干扰电荷及三极管基极的 结电容电荷快速放电。因此消除了线间电容的影响，增强了抗干扰能力，加大了通讯距离。为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案一种单线通讯电路，它包括第一 MCU、第一高电平数据发送电路，第一低电平数据发送电路、第一数据接收电路、第二 MCU、第 二高电平数据发送电路，第二低电平数据发送电路、第二数据接收电路、一根数据线。上述方案中，第一MCU的1\0 口分别与第一数据接收电路的输出端、第一低电平数 据发送电路的输入端、第一高电平数据发送电路输入端相连。所述第一数据接收电路的输 入端、第一低电平数据发送电路的输出端、第一高电平数据发送电路输出端与通讯线相连。 所述第二 MCU的1\0 口分别与第二数据接收电路的输出端、第二低电平数据发送电路的输 入端、第二高电平数据发送电路输入端相连。所述第二数据接收电路的输入端、第二低电平 数据发送电路的输出端、第二高电平数据发送电路输出端与通讯线相连。所述第一 MCU与 第二 MCU之间通过一条通讯线相互通讯。本实用新型在单线通讯电路中将高电平数据和低电平数据分开发送，在发送低电 平时，强行拉低通讯线，使通讯线上的线电容电荷及干扰电荷快速放电。加入基极消容电 路，接收低电平数据时可使通讯线上的线电容电荷、干扰电荷及三极管基极的结电容电荷 快速放电。消除了因通讯线加长容量增大的困扰，增强了抗干扰能力，增大了通讯长度。实 现了单线通讯距离可在长距离通讯中的实施。
图1是本实用新型的电路框图；图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
图1中(1)为第一 MCU，⑵为第一数据接收电路，⑶为第一低电平数据发送电 路，⑷为第一高电平数据发送电路，(5)为通讯线，(6)为第二 MCU，(7)为第二数据接收电 路，(8)为第二低电平数据发送电路，(9)为第二高电平数据发送电路。[0010]第一MCU(I)发送数据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送。低电 平数据使用第一低电平数据发送电路(3)发送，高电平数据使用第一高电平数据发送电路 ⑷发送。第二 MCU(6)发送数据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送；低电 平数据使用第二低电平数据发送电路(8)发送，高电平数据使用第二高电平数据发送电路 (9)发送。见图2，第一低电平数据发送电路(3)由三极管Tl和电阻R1、R2组成。电阻Rl 一端接第一 MCU的I/O 口 SEND1L，另一端接三极管Tl基极，电阻R2 —端接三极管Tl集电 极，另一端接通讯线(5)，三极管发射极接地。当第一 MCU(I)需要发送低电平时，SENDlL置 位，SENDlH清0，三极管Tl导通，使通讯线(5)上的线电容电荷及干扰电荷快速放电，通讯 线(5)被强行拉低。第一高电平数据发送电路(4)包括三极管T2、T4，电阻R3、R4、R5、R6，二极管D2组 成。电阻R3 —端接第一 MCU的I/O 口 SEND1H，一端接三极管T2基极，三极管T2的发射极 接地，电阻R5 —端接正电源12V，一端接三极管T2的集电极，电阻R4—端接三极管T2的集 电极，一端接三极管T4的基极。三极管T4的发射极接正电源12V，集电极接二极管D2的正 极，负极接电阻R6，R6的另一端接通讯线(5)。当第一 MCU(I)需要发送高电平时，SENDlL 清0，SENDlH置位，T2导通，T4的基极被拉低，T4导通，将通讯线(5)拉高。第一数据接收电路⑵包括三极管T3，电阻R7、R8、R9、R10，二极管D1。电阻R7 一端接第一 MCU(I)的正电源，另一端接三极管T3的集电器及第一 MCU(I)的数据接收I/O 口 RECEIVE1，三极管T3的发射极接地，基极接电阻R8及二极管Dl的负极，电阻R8另一端 接地，二极管Dl正极接电阻R9，R9另一端接通讯线(5)，电阻RlO —端接地，另一端接通讯 线(5)。当通讯线(5)为高电平时，三极管T3导通，RECEIVE1被拉低为低电平。当通讯线 (5)为低电平时，三极管T3截止，RECEIVE1为高电平。将RECEIVEI1接收的数据取反即为 接收的数据。此电路中，电阻R8消容电阻，与三极管T3的基极并联，当通讯线(5)发送低 电平时，通讯线(5)上的线电容电荷、干扰电荷及三极管T3基极的结电容电荷经电阻R8快 速放电，T3迅速截止。第一MCU(I)的1\0 口分别与第一数据接收电路(2)的输出端、第一低电平数据发 送电路⑶的输入端、第一高电平数据发送电路⑷输入端相连。第二低电平数据发送电路(8)由三极管Tll和电阻R11、R12组成。电阻Rll—端 接第二MCU的I/O 口 SEND2L，另一端接三极管Tll基极，电阻R12—端接三极管Tll集电极， 另一端接通讯线(5)，三极管Tll发射极接地。当第二 MCU(6)需要发送低电平时，SEND2L 置位，SEND2H清0，三极管Tll导通，使通讯线(5)上的线电容电荷及干扰电荷快速放电，通 讯线(5)被强行拉低。第二高电平数据发送电路(9)包括三极管112、114，电阻1 13、1 14、1 15、1 16，二极 管D12组成。电阻R13—端接第二 MCU的I/O 口 SEND2H，一端接三极管T12基极，三极管 T12的发射极接地，电阻R15 —端接正电源12V，一端接三极管T12的集电极，电阻R14 —端 接三极管T12的集电极，一端接三极管T14的基极。三极管T14的发射极接正电源12V，集 电极接二极管D12的正极，负极接电阻R16，R16的另一端接通讯线(5)。当第二 MCU(6)需 要发送高电平时，SEND2L清0，SEND2H置位，T12导通，T14的基极被拉低，T14导通，将通讯线(5)拉高。第二数据接收电路(7)包括三极管1!3，电阻1 17、1 18、1 19、1 20，二极管011。电 阻R17—端接第二 MCU(6)的正电源，另一端接三极管T13的集电器及第二 MCU(6)的数据 接收I/O 口 RECEIVE2，三极管T13的发射极接地，基极接电阻R18及二极管Dll的负极，电 阻R18另一端接地，二极管Dll正极接电阻R19，R19另一端接通讯线(5)，电阻R20 —端接 地，另一端接通讯线(5)。当通讯线(5)为高电平时，三极管T13导通，RECEIVE2被拉低为 低电平。当通讯线(5)为低电平时，三极管T13截止，RECEIVE2为高电平。将RECEIVEI2接 收的数据取反即为接收的数据。此电路中，电阻R18消容电阻，与三极管T13的基极并联， 当通讯线(5)发送低电平时，通讯线(5)上的线电容电荷、干扰电荷及三极管T13基极的结 电容电荷经电阻R18快速放电，T13迅速截止。第二MCU(6)的1\0 口分别与第二数据接收电路(7)的输出端、第二低电平数据发 送电路⑶的输入端、第二高电平数据发送电路(9)输入端相连。第一 MCU⑴与第二 MCU(6)之间通过一条通讯线(5)通讯。
权利要求1.本实用新型涉及一种单线通讯电路，包括第一MCU(l)、第一数据接收电路O)、第 一低电平数据发送电路(3)、第一高电平数据发送电路G)、通讯线(5)、第二 MCU(6)、第二 数据接收电路(7)、第二低电平数据发送电路(8)、第二高电平数据发送电路(9)，其特征在 于第一 MCU(I)的1\0 口分别与第一数据接收电路O)的输出端、第一低电平数据发送电 路(3)的输入端、第一高电平数据发送电路(4)输入端相连；第一数据接收电路( 的输入 端、第一低电平数据发送电路C3)的输出端、第一高电平数据发送电路(4)输出端与通讯线 (5)相连；第二 MCU(6)的1\0 口分别与第二数据接收电路(7)的输出端、第二低电平数据 发送电路⑶的输入端、第二高电平数据发送电路(9)输入端相连；第二数据接收电路(7) 的输入端、第二低电平数据发送电路(8)的输出端、第二高电平数据发送电路(9)输出端与 通讯线( 相连；第一 MCU(I)与第二 MCU(6)之间通过一条通讯线( 相互通讯。
2.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第一MCU(I)发送数 据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送，低电平数据使用第一低电平数据 发送电路C3)发送，高电平数据使用第一高电平数据发送电路(4)发送。
3.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第二MCU (6)发送数 据时，高电平数据和低电平数据使用不同电路进行发送；低电平数据使用第二低电平数据 发送电路(8)发送，高电平数据使用第二高电平数据发送电路(9)发送。
4.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第一低电平数据发 送电路(3)由三极管Tl和电阻Rl、R2组成；电阻Rl —端接第一 MCU的I/O 口 SEND1L，另 一端接三极管Tl基极，电阻R2 —端接三极管Tl集电极，另一端接通讯线(5)，三极管Tl发 射极接地；当第一 MCU (1)需要发送低电平时，SENDlL置位，SENDlH清0，三极管Tl导通，使 通讯线(5)上的线电容电荷及干扰电荷快速放电，通讯线(5)被强行拉低。
5.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第二低电平数据发 送电路⑶由三极管Tll和电阻Rll、R12组成；电阻Rll—端接第二 MCU的I/O 口 SEND2L， 另一端接三极管Tll基极，电阻R12 —端接三极管Tll集电极，另一端接通讯线( ，三极管 Tll发射极接地；当第二 MCU(6)需要发送低电平时，SEND2L置位，SEND2H清0，三极管Tll 导通，使通讯线(5)上的线电容电荷及干扰电荷快速放电，通讯线(5)被强行拉低。
6.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第一数据接收电路 (2)中电阻R8为消容电阻，与三极管T3的基极并联，当通讯线(5)发送低电平时，通讯线 (5)上的线电容电荷、干扰电荷及三极管T3基极的结电容电荷经电阻R8快速放电，T3迅速 截止。
7.根据权利要求1中所述的一种单线通讯电路，其特征在于所述第二数据接收电路 (7)电阻R18为消容电阻，与三极管T13的基极并联，当通讯线(5)发送低电平时，通讯线 (5)上的线电容电荷、干扰电荷及三极管T13基极的结电容电荷经电阻R18快速放电，T13 迅速截止。
专利摘要本实用新型涉及一种单线通讯电路，本电路包括第一MCU、第一数据接收电路、第一低电平数据发送电路、第一高电平数据发送电路、通讯线、第二MCU、第二数据接收电路、第二低电平数据发送电路、第二高电平数据发送电路。所述第一MCU与第二MCU通过一条通讯线通讯。本实用新型的优点在本电路中将高、低电平数据分开发送。发送低电平数据时，强拉低通讯线，使通讯线上的线电容电荷及干扰电荷快速放电。数据接收电路中有基极消容电路，接收低电平数据时使通讯线上的线电容电荷、干扰电荷及三极管基极结电容电荷快速放电。因此消除了因通迅线加长容量增大的困扰，增强了抗干扰能力，增大了通讯长度。实现了单线通讯可在长距离通讯中使用。
文档编号H04B3/02GK201854277SQ201020568878
公开日2011年6月1日 申请日期2010年10月19日 优先权日2010年10月19日
发明者陈童静 申请人:曼瑞德自控系统(乐清)有限公司