平板型x射线图像传感器及其制造方法

专利名称：平板型x射线图像传感器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种平板型X射线图像传感器及其制造方法。
背景技术：
平板型X射线图像传感器是一种将X光按光强转化为电信号的装置。X光照射物体并且穿透物体后，通过吸收、散射、发射而使光强发生变化，不同区域的不同光强，表示了被照射物体不同区域的内部结构的差异。穿透被照射物体的X光通过平板型X射线图像传感器转化为相应的电信号，最终实现一个与被照射物体内部结构直接相关的灰阶图像。所以平板型X射线图像传感器实现了物体的无损内部成像，是实现无损检测的最佳方法之一，在医疗成像，工业无损探测等领域都得到了广泛的应用和长足的发展。请参考图1，其为现有的一种平板型X射线图像传感器的结构示意图。如图1所示，平板型X射线图像传感器I包括多根扫描线10，与所述扫描线10相交的多根数据线11，设置于所述扫描线10与数据线11交叉处的薄膜晶体管13，以及通过薄膜晶体管13与所述扫描线10及数据线11耦接的光敏器件12。这里以及之后所说的“耦接”具体指的是，所述薄膜晶体管13的栅极与所述扫描线10电连接，其源极/漏极与所述数据线11电连接，其漏极/源极与光敏器件12的一端(可以是光敏器件12的N端或P端)电连接。这里以及之后所说的“电连接”具体指的是，在电学上连接在一起，实现电导通，包括但不限于物理上的直接连接。这里以及之后所说的“光敏器件”一般为光电二极管，如PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。具体的，当使用所述平板型X射线图像传感器I时，可通过对所述扫描线10施加扫描驱动信号以控制薄膜晶体管13的开启与关闭，当所述薄膜晶体管13被打开时，与其电连接的光敏器件12产生的光电流信号可通过与所述光敏器件12耦接的数据线11读出，通过对每一根扫描线10上的薄 膜晶体管13的开启，以及读取每一行光敏器件12的光电流信号，可完成对平板型X射线图像传感器I的信号读取。但是，在上述平板型X射线图像传感器I中，由于每一输出通道都需要单独的采集通道，即当每一行中的2η个薄膜晶体管被打开，读取与其电连接的2η个光敏器件的光电流信号时，需要2η根数据线才能完成，随着平板型X射线图像传感器的分辨率越来越高，所需的扫描线及数据线将越来越多，由此将极大地提高了制造成本。为此，现有技术又提供了一种利用双开关控制扫描线组的平板型X射线图像传感器，请参考图2，其为现有的另一种平板型X射线图像传感器的电路结构示意图。如图2所示，平板型X射线图像传感器2包括多个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线；与所述扫描线组相交的多根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有I个光敏器件，所述数据线两侧的光敏器件分别通过开关单元与所述数据线和扫描线组的两根扫描线耦接。从而，在同样实现每一行读取2η个光敏器件的光电流信号的要求下，利用平板型X射线图像传感器2只需η根数据线，从而减少了数据线，降低了成本。
具体的，扫描线G(2N_1)与扫描线G(2N)作为一扫描线组；提供η根数据线，每一根数据线两侧均设置有光敏器件，即有2η个光敏器件，而与同一根数据线两侧的光敏器件电连接的薄膜晶体管分别耦接一扫描线组中不同的扫描线。当扫描线组中的一扫描线开启时，另一扫描线关闭，即同一时刻只有η个光敏器件的光电流信号可被读取，从而只需η根数据线即可实现；接着，当关闭前例中被开启的扫描线，并开启前例中被关闭的扫描线，读取另η个光敏器件的光电流信号，实现每一行读取2n个光敏器件的光电流信号的要求。例如，打开扫描线G(I)，关闭同一扫描线组的扫描线G (2)，当然，此时由于扫描驱
动信号的不同，其余扫描线(即扫描线G(3)、G(4)......G(2N))也均被关闭，此时，可通过
数据线SI读取光敏器件Dll的光电流信号，通过数据线S2读取光敏器件D21的光电流信号，通过数据线Sn读取光敏器件Dnl的光电流信号；接着，打开扫描线G(2)，关闭扫描线G(1)时(同样的其余扫描线均为关闭)，同样可通过数据线SI读取光敏器件D12的光电流信号，通过数据线S2读取光敏器件D22的光电流信号，通过数据线Sn读取光敏器件Dn2的光电流信号，即利用η根数据线读取了 2n个光敏器件的光电流数据，在数据线不增加的基础上，提高了平板型X射线图像传感器的分辨率。然而，上述的平板型X射线图像传感器2中，每一根数据线两侧均设置有光敏器件，由此在一扫描线组的两根扫描线与相邻数据线相交而成的区域内，具有两个相邻的光敏器件，例如图2中的光敏器件D12与光敏器件D21，由于两个光敏器件之间的距离非常近，所述两个光敏器件之间将产生寄生电容。而当读取该两个光敏器件的光电流信号时，也将读取寄生电容所存储的电荷数，即寄生电容所存储的电荷数将影响光敏器件的光电流信号。此外，由于读取其中一光敏器件的寄生电容的电荷数时，是以另一光敏器件的电位作为参考电位的，因此，当两个光敏器件处于不同电位时，寄生电容对两个光敏器件将产生不同的影响。例如，当读取光敏器件D21时，寄生电容的参考电位为光敏器件D12的电位；而当读取光敏器件D12时，寄生电容的参考电位为光敏器件D21的电位，而作为参考电位的光敏器件D12和光敏器件D21的电位的变化将导致寄生电容的电荷数的变化与不可知。而寄生电容的电荷数被作为数据加载到两个光敏器件的光电流信号中，其对光电流信号的影响很大，甚至可以达到系统噪声的100倍，由此,将导致读取的光敏器件的光电流信号发生较大的偏差。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有的利用双开关控制扫描线组的平板型X射线图像传感器中扫描线组的两根扫描线与相邻数据线相交而成的区域内相邻的光敏器件具有电荷数变化与不可知的寄生电容，从而使得读取的光敏器件的光电流信号发生较大的偏差的问题。为解决上述技术问题，本发明提供一种平板型X射线图像传感器，包括至少I个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线；与所述扫描线组相交的至少2根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的一根扫描线耦接，所述第二光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的另一根扫描线耦接；其中，任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内具有相邻的两个光敏器件，所述相邻的两个光敏器件之间设置有隔离结构，所述隔离结构连接至参考电位。可选的，所述开关单元为薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT的栅极和与其耦接的扫描线电连接，所述薄膜晶体管TFT的源极/漏极和与其耦接的数据线电连接，所述薄膜晶体管TFT的漏极/源极和与其耦接的光敏器件的一端电极连接。可选的，所有所述光敏器件的另外一端电极均连接至公共电位。可选的，所述光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。可选的，所述光敏器件包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。作为一种优选实施方式，所述隔离结构与所述N端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。 作为另一种优选实施方式，所述隔离结构与所述P端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。以上两种实施方式中，所述相邻的两个光敏器件之间、所述隔离结构上设置有绝缘层，各所述隔离结构分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述共同电极层电连接。以上两种实施方式中，相邻数据线之间的隔离结构连接在一起并与地线连接。可选的，所述隔离结构与所述N端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的P端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。可选的，所述隔离结构与所述P端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的N端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。以上两种实施方式中，所述相邻的两个光敏器件之间、所述隔离结构下设置有绝缘层，各所述隔离结构分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述共同电极层电连接。以上两种实施方式中，各所述隔离结构连接在一起并与地线连接。可选的，所述隔离结构分别与所述两个光敏器件之间的寄生电容大小相等。此时，所述隔离结构至所述两个光敏器件的距离可以相等。以上各个实施例中，所述隔离结构可以为导电材料。所述隔离结可以为金属或者透明导电金属氧化物比如ITO或者SnO2。其中，所述透明导电金属氧化物为ITO或者SnO2。以上各个实施例中，在任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内相邻的两个光敏器件分别通过开关单元与所述扫描线组中两根扫描线中不同的扫描线耦接。以上各个实施例中，在任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内相邻的两个光敏器件分别通过开关单元与所述扫描线组中两根扫描线中相同的扫描线耦接。本发明还提供了一种平板型X射线图像传感器的制造方法，包括步骤1、提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层、TFT半导体层的基板；步骤2、形成一金属层，刻蚀所述金属层形成光敏器件的第一端电极层、隔离结构、数据线、TFT源极电极、TFT漏极电极；步骤3、形成一钝化层，刻蚀所述钝化层暴露出光敏器件的第一端电极层；步骤4、形成光敏器件的功能结构层；步骤5、形成一透明导电层，刻蚀所述透明导电层形成第二端电极层，刻蚀所述功能结构层形成各个独立的光敏器件；步骤6、形成一绝缘层，所述绝缘层覆盖光敏器件的第二电极层并填充光敏器件之间的间隙，刻蚀所述绝缘层暴露出光敏器件的第二端电极层；步骤7、形成一第二透明导电层，刻蚀所述第二透明导电层形成公共电极层，所述公共电极层与所述露出的部分光敏器件的第二端电极层接触。可选的，提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层、TFT半导体层的基板的步骤包括提供一基板； 在所述基板上形成一金属层，刻蚀所述金属层形成TFT栅极电极及扫描线；形成一栅绝缘层；形成一半导体层，刻蚀所述半导体层形成TFT有源结构。 可选的，所述光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。可选的，步骤4中所述光敏器件功能结构层为N-1-P或M-1-S。可选的，步骤6中还刻蚀所述绝缘层和所述钝化层暴露出所述隔离结构；步骤7中所述公共电极层还与所述露出的隔离结构接触。可选的，步骤2中所述隔离结构延伸至外部接地端。在本发明提供的平板型X射线图像传感器及其制造方法中，在具有寄生电容的两个光敏器件之间设置有隔离结构，在读取光敏器件的光电流信号时，所述隔离结构可作为参考电位，此外，所述隔离结构与固定电位连接，从而使得其电位值固定，即使得寄生电容的电荷数固定与可知，从而避免了现有技术中由于寄生电容的电荷数变化与不可知，从而使得读取的光敏器件的光电流信号发生较大的误差的问题，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。


图1是现有的一种平板型X射线图像传感器的结构示意图；图2是现有的另一种平板型X射线图像传感器的电路结构示意图；图3是本发明实施例一的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图4是图3所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿A-A'的剖面示意图5a 5g是图3所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时的制造方法沿A-A'的剖面示意图；图6是本发明实施例二的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图7是图6所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿B-B'的剖面示意图；图8a Sg是图3所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时的制造方法沿B-B'的剖面示意图；图9是本发明实施例三的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图10是图9所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿C-C'的剖面示意图；图11是本发明实施例四的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图12是图11所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿D-D'的首I]面不意图；图13是本发明实施例五的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图14是本发明实施例六的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图15是本发明实施例七的平板型X射线图像传感器的俯视示意图；图16是本发明实施例八的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。
具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本发明提供的平板型X射线图像传感器及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。本发明的核心思想在于，提供一种平板型X射线图像传感器及其制造方法，在具有寄生电容的两个光敏器件之间设置有隔离结构，在读取光敏器件的光电流信号时，所述隔离结构可作为参考电位，一般情况下，所述隔离结构与固定电位连接，从而使得其电位值固定，即使得寄生电容的电荷数固定与可知，从而避免了现有技术中由于寄生电容的电荷数变化与不可知，使得读取的光敏器件的光电流信号发生较大的偏差的问题，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。该固定电位在平板型X射线图像传感器工作时是固定的，但具体该固定的电位值为多少，可以根据不同的情况进行调整，例如可以固定在接地电位，也可以固定在某一正电位或负电位。一般情况下，该固定电位由外部电路提供。本发明提供的一种平板型X射线图像传感器，包括至少I个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线；与所述扫描线组相交的至少2根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的一根扫描线耦接，所述第二光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的另一根扫描线耦接；其中，任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内具有相邻的两个光敏器件，所述相邻的两个光敏器件之间设置有隔离结构，所述隔离结构与参考电位连接。如同前文所述，该参考电位一般为固定电位，由外部电路提供；其具体数值可以根据不同的情况进行调整。作为不同的实施方式，本发明提供的平板型X射线图像传感器中任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内所具有相邻的两个光敏器件，可以分别通过各自的开关单元与该扫描线组中的两根扫描线分别耦接；也可以分别通过各自的开关单元与该扫描线组中的同一根扫描线耦接。实施例一请参考图3，其为本发明实施例一的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。为了图示与描述的清晰，图3中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ;以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性或对称性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构131作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器3中具有重复性或对称性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器3均适用。此外，在本实施例的平板型X射线图像传感器3的俯视图中，公共电极层(或称为Com电极)覆盖所述光敏器件D12、D21及隔离结构131，并且一般采用ΙΤ0，为了图示出光敏器件D12、D21及隔离结构131与扫描线组G12，数据线S1、S2以及开关单元T12、T21之间的关系，在图 3中，所述Com电极未示出。具体的，如图3所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线G2电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21分别与不同的扫描线耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构131，所述隔离结构131与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。
已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构131将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构131的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构131与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器3的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管T12、T21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管T21 (当然，在图3中还包括薄膜晶体管T11)，此时，便可通过读取数据线S2，实现对光敏器件D21的光电流信号的读取(当然，在图3中还可通过读取数据线SI，实现对光敏器件Dll的光电流信号的读取)。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管T21接入电路，使得通过薄膜晶体管T21的光敏器件D21与数据线S2之间导通)，而数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。当扫描线G2为开启状态时，即打开薄膜晶体管T12及T22，此时，便可通过读取数据线SI实现对光敏器件D12的光电流信号的读取，通过读取数据线S2实现对光敏器件D22的光电流信号的读取。通过图3以及背景技术的介绍可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即图3中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。图4为图3所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿A-A'的剖面示意图。 如图4所示，平板型X射线图像传感器包括一基板50 ;基板50上形成有栅绝缘层500 ;光敏器件D12形成于栅绝缘层500上，其包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层，具体地说，其包括依次形成在栅绝缘层500上的N端电极层511、设置于N端电极层511上的功能结构层531、设置于功能结构层531上的P端电极层541，此时功能结构层531必然是N端在下、P端在上的。N端电极层511与功能结构层531之间还设置有第一绝缘层52( —般为钝化层)，N端电极层511通过设置于第一绝缘层52中的过孔与功能结构层531的N端连接。其中，功能结构层531包括N型半导体5311层和P型半导体层5312，该功能结构层531的N极一端处设置的N端电极层511与对应的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。需要说明的是，图4中功能结构层531包括N型半导体层5311和P型半导体层5312仅仅是一个示例，其具体结构可以有多种选择，例如，所述光敏器件为PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，对应的功能结构层531自下而上依次为 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件为 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，对应的功能结构层531自下而上依次为M-1-S。同样的，光敏器件D21与光敏器件D12具有相同的结构，即光敏器件D21形成于栅绝缘层500上，其包括依次形成在栅绝缘层500上的N端电极层512、设置于N端电极层512上的功能结构层532、设置于功能结构层532上的P端电极层542，此时功能结构层532必然是N端在下、P端在上的。N端电极层512与功能结构层532之间还设置有第一绝缘层52 ( —般为钝化层)，N端电极层512通过设置于第一绝缘层52中的过孔与功能结构层532的N端连接。其中，功能结构层532包括N型半导体5321层和P型半导体层5322，该功能结构层532的N极一端处设置的N端电极层512与对应的薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接。从图4中可以看出，光敏器件D12与光敏器件D21之间设置有绝缘层，该绝缘层由第一绝缘层52和第二绝缘层55构成。第二绝缘层55不仅填充光敏器件D12与光敏器件D21之间的间隙，还覆盖光敏器件D12与光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能结构层531的P极一端处设置的P端电极层541与光敏器件D21的功能结构层532的P极一端处设置的P端电极层542通过公共电极层56连接在一起并电连接到外部公共电位上。具体的说，P端电极层541通过第二绝缘层55中的过孔与公共电极层56连接，P端电极层542通过第二绝缘层55中的过孔与公共电极层56连接。作为优选实施方式，公共电极层56采用透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)。在实际工艺生产过程中，光敏器件D12与光敏器件D21的相应各层在同一工艺步骤中制备，因此处于同一层，具体的说就是，N端电极层511与N端电极层512位于同一层，N型半导体层5311与N型半导体层5321位于同一层，P型半导体层5312与P型半导体层5322位于同一层，P端电极层541与P端电极层542位于同一层。两个光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构131，并使该隔离结构131与参考电位(一般为固定电位)连接。具体的，图4中该隔离结构131位于N端电极层511、N端电极层512之间，并且通过设置于光敏器件D12与光敏器件D21之间、由第一绝缘层52和第二绝缘层55构成的绝缘层中 的过孔与公共电极层56电连接。通常，该隔离结构131与N端电极层511、N端电极层512位于同一层，并且也通常与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极、薄膜晶体管TFT的漏极电极位于同一层，在同一工艺步骤中制备。该隔离结构131可以采用导电材料，例如金属或者透明导电金属氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),优选采用金属材料，如铝。这一实施方式中，所有隔离结构在物理上是不相连的，只是分别通过设置于该相邻光敏器件之间的绝缘层中的过孔与所述公共电极层电连接，从而实现彼此电连接。如图3中所示，隔离结构131与隔离结构132在物理上不直接连接。优选的，隔离结构131设置于为N端电极层511与N端电极层512正中，即隔离结构131分别与N端电极层511、N端电极层512之间的距离相等，从而可使得隔离结构131分别与两个光敏器件D12、D21之间形成的寄生电容相等。优选的，隔离结构131与扫描线Gl和G2保持6um以上的距尚。在两个光敏器件D12、D21之间设置隔离结构131，使得相邻电极之间的寄生电容被分割为两个大小相等的电容，且两个电容有相同的参考电位。当光敏器件D12与D21数据被读出时，对应的寄生电容对各自的影响效应是等量的，对于数据信号的线性区间这一影响是可以被忽略的。
需要说明的是，图4仅仅为图3所示的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构131沿A-A'的剖面示意图。鉴于平板型X射线图像传感器的重复结构，其他扫描线组与相邻数据线所围区域的相邻光敏器件及其之间设置的隔离结构也采用图4所示的光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构131相同的结构，在此不再重复阐述。另外，图4也仅仅示出了图3的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构131沿A-A'的一种剖面结构。该结构中，各个光敏器件从下而上依次包括N端电极层511、设置于N端电极层511上的功能结构层531、设置于功能结构层531上的P端电极层541，此时功能结构层531是N端在下、P端在上的；隔离结构与N端电极层、数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。但是作为另一种实施方式，图3的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构131沿A-A'的具有另一种剖面结构，该结构与图 4所示的剖面结构很相似，其区别仅在于，各个光敏器件从下而上依次包括P端电极层、设置于P端电极层上的功能结构层、设置于功能结构层上的N端电极层，此时功能结构层是P端在下、N端在上的；此时，隔离结构与P端电极层、数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接；其余结构均可以和图4所示相应结构相同。由此可知，平板型X射线图像传感器中所有的光敏器件均设置在基板上构成如图3所示的阵列，并且每一个光敏器件(优选为光电二级管)均包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。其中，功能结构层包括N型半导体层和P型半导体层，靠近N型半导体层一端设置的电极为N端电极层，靠近P型半导体层一端设置的电极为P端电极层；各个功能结构层的一端(N端电极层或P端电极层)与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接，各个功能结构层的另一端(对应的P端电极层或N端电极层)通过公共电极层连接在一起并连接至外部公共电位。其中，与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接的N端电极层或P端电极层与功能结构层之间还设置有钝化层，N端电极层通过设置于钝化层中的过孔与功能结构层的N端连接。接下去将介绍本实施例的平板型X射线图像传感器的制造方法，具体请参考图5a 5g，其为图3所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时的制造方法沿A-A'的剖面示意图。步骤1、如图5a所示，提供一基板50 ;在所述基板50之上依次形成有TFT栅极电极及扫描线(图5a 5g为沿A-A'的剖面示意图，因此，在本实施例的附图中未示出)、栅绝缘层500、TFT半导体层(未示出)。具体的，提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层500、TFT半导体层的基板50的步骤包括1、提供基板50;2、形成一金属层，刻蚀该金属层形成TFT栅极电极及扫描线；
其中，该金属层直接形成在基板50的表面上，并覆盖整个基板50 ;其形成方法可以采用物理气相沉积法；其刻蚀工艺可以采用传统的光刻工艺。需要说明的是，此处以及本申请文件的其他地方所讲的形成某一层，均指的是在前一步骤完成后，直接在整个基板范围内形成该层。例如这里所说的“形成一金属层”指的就是在前一步骤提供的基板50的表面上直接形成覆盖整个基板范围的金属层。3、形成栅绝缘层500 ;根据前文的定义，这里所说的“形成栅绝缘层500”指的就是在前一步骤形成有TFT栅极电极及扫描线的基板50表面上形成覆盖整个基板范围的栅绝缘层500。因此，所述栅绝缘层500覆盖所述TFT栅极电极及扫描线，并覆盖TFT栅极电极及扫描线未遮盖部分的基板50。4、形成一半导体层，刻蚀所述半导体层形成TFT有源结构。根据前文的定义，这里所说的“形成一半导体层”指的就是在前一步骤形成的栅绝缘层500的表面上形成覆盖整个基板范围的半导体层；然后用传统的光刻工艺刻蚀(一般采用干法刻蚀)该半导体层以形成TFT有源结构(即硅岛)。

接着步骤2，如图5b所示，形成一金属层，刻蚀该金属层形成光敏器件的第一端电极层511及512、隔离结构131 (各个隔离结构131物理上是分开的)以及数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极(未画出)。具体的，该金属层在整个基板范围内形成，覆盖整个基板范围内的栅绝缘层500及其表面上的TFT有源结构，所述金属层可以为铝金属层，采用物理气相沉积的方法形成，采用传统光刻工艺刻蚀所述金属层形成图案化的第一端电极层511及512、隔离结构131以及数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极。优选的，所述隔离结构131与所述第一端电极层511及512的距离相等，从而可使得隔离结构131分别与两个光敏器件形成的寄生电容相等。此外，在本实施例中，利用所述形成第一端电极层511、512及隔离结构131的同一金属层形成薄膜晶体管的源漏电极，并且所述薄膜晶体管的源/漏电极与所述第一端电极层511、512相连，即通过光刻及刻蚀工艺使得所述薄膜晶体管的源/漏电极与所述第一端电极层511、512之间具有金属连接。然后步骤3，如图5c所示，形成第一绝缘层52 ( —般为钝化层)，所述第一绝缘层52覆盖步骤2之后整个基板范围内暴露在外的表面，即覆盖第一端电极层511、512、隔离结构131、数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极、TFT源漏电极间的沟道等。刻蚀该第一绝缘层52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端电极层511、512。图5c中,第一绝缘层52中还被刻蚀形成通孔521以暴露出隔离结构131是一个可选的实施方式；隔离结构131上覆盖的第一绝缘层52可以不开孔。接着步骤4，如图5d所示，形成光敏器件的功能结构层530。该功能结构层530覆盖步骤3之后整个基板范围内暴露出的表面，可以采用现有光敏器件的传统层叠结构。以图5d所示为例，功能结构层530的N端在下、P端在上，N端通过过孔520、522分别与第一端电极层(此时第一端电极层为N端电极层)511、512连接。该功能结构层530的N端设置有N型半导体层5301、P端设置有P型半导体层5302。光敏器件的功能结构层可以为PIN结构(自下而上依次为N-1-P)或MIS结构(自下而上依次为M-1-S)，对应的光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。当然，作为另一种实施方式，功能结构层530也可以为P端在下、N端在上，P端通过过孔分别与第一端电极层(此时第一端电极层为P端电极层)连接。
步骤5，如图5e所示，形成一透明导电层，刻蚀该透明导电层形成第二端电极层(此时第二端电极层为P端电极层)541、542，刻蚀该功能结构层530形成各个独立的光敏器件。在步骤4之后，整个基板范围内显露的表面为功能结构层530的P端表面，该透明导电层(一般为ΙΤ0)在整个基板范围内覆盖该P端表面，可以采用物理气相沉积法形成；然后用光刻工艺刻蚀(可采用湿法刻蚀)该透明导电层以形成图案化的P端电极层541、542 ；接下来采用光刻工艺刻蚀(可采用干法刻蚀)该功能机构层530以形成图案化的功能结构层531和532。至此，就形成了各个独立的光敏器件；所述N端电极层511、通过过孔与其上形成的功能结构层531的N型半导体层5311接触，功能结构层531的P型半导体层5312上形成有P端电极层541，构成了光敏器件D12;所述N端电极层512、通过过孔与其上形成的功能结构层532的N型半导体层5321接触，功能结构层532的P型半导体层5322上形成有P端电极层542，构成了光敏器件D21。当然，作为另一种实施方式，当步骤4中，功能结构层530为P端在下、N端在上时，第二端电极层为N端电极层。步骤5中用光刻工艺刻蚀该透明导电层以形成图案化的第二端电极层541、542和用光刻工艺刻蚀功能结构层530以形成图案化的功能结构层531和532可以共用一个光刻工艺，即刻蚀功能结构层530可以以刻蚀该透明导电层中所形成的图案化的光刻胶为掩膜。接着步骤6，如图5f所示，形成第二绝缘层55 (可采用氮化硅)，所述第二绝缘层55覆盖步骤5之后整个基板范围内所有显露出来的表面，包括第二端电极层541及第二端电极层542，并填充光敏器件之间的间隙(同时覆盖露出的第一绝缘层52)。用光刻工艺刻蚀该第二绝缘层以暴露出光敏器件的第二端电极层541及第二端电极层542，即在所述第二端电极层541上形成接触孔550，在所述第二端电极层542上形成接触孔552。所述第二绝缘层55与前述步骤中形成的第一绝缘层52共同隔绝光敏器件D12及光敏器件D21，同时，还可以光刻工艺刻蚀该第二绝缘层55与第一绝缘层52形成接触孔551以暴露出隔离结构131。

最后步骤7，如图5g所示，形成一第二透明导电层，刻蚀该第二透明导电层以形成图案化的公共电极层56。该第二透明导电层(一般为ΙΤ0)在整个基板范围内覆盖步骤6形成的第二绝缘层55和暴露出的第二端电极层、隔离结构131 ;这样第二端电极层541、542和隔离结构131均通过该第二透明导电层连接在一起，进而可以连接至外部公共电位。在基板边缘出设置有多个引出电极，为了防止这些引出电极之间通过该第二透明导电层短接或者为了减小寄生电容，还需要对该第二透明导电层进行光刻刻蚀形成公共电极56 ;所述公共电极层56覆盖所述第二绝缘层55、第二端电极层541、隔离结构131及第二端电极层542，所述公共电极层56在外部与公共电位连接。所述隔离结构131通过与所述公共电极层56连接，实现了与固定电位连接，从而使得其电位值固定，S卩使得光敏器件D12及光敏器件D21之间的寄生电容的电荷数固定与可知，避免了现有技术中由于光敏器件D12及光敏器件D21之间的寄生电容的电荷数变化与不可知，读取的光敏器件Dl2或者光敏器件D21的光电流信号发生较大的偏差的问题，提高了读取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。实施例二请参考图6，其为本发明实施例二的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图6所示，平板型X射线图像传感器6包括为了图示与描述的清晰，图6中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构161作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器6中具有重复性或对称性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器6均适用。此外，在本实施例的平板型X射线图像传感器6的俯视图中，公共电极层(或称为Com电极)覆盖所述光敏器件D12、D21及隔离结构161，并且一般采用ΙΤ0，为了图示出光敏器件D12、D21及隔离结构161与扫描线组G12，数据线S1、S2以及开关单元T12、T21之间的关系，在图6中，所述Com电极未示出。具体的，如图6所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线G2电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描 线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21分别与不同的扫描线耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构161，所述隔离结构161与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构161将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构161的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构161与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器6的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过 所述薄膜晶体管T12、T21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管T21 (当然，在图6中还包括薄膜晶体管T11)，此时，便可通过读取数据线S2，实现对光敏器件D21的光电流信号的读取(当然，在图6中还可通过读取数据线SI，实现对光敏器件Dll的光电流信号的读取)。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管T21接入电路，使得通过薄膜晶体管T21的光敏器件D21与数据线S2之间导通)，而数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。当扫描线G2为开启状态时，即打开薄膜晶体管T12及T22，此时，便可通过读取数据线SI实现对光敏器件D12的光电流信号的读取，通过读取数据线S2实现对光敏器件D22的光电流信号的读取。通过图6以及背景技术的介绍可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即图6中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。图7为图6所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿B-B'的剖面示意图。如图7所示，平板型X射线图像传感器包括一基板60 ;基板60上形成有栅绝缘层600 ;光敏器件D12形成于栅绝缘层600上，其包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层，具体地说，其包括依次形成在栅绝缘层600上的N端电极层611、设置于N端电极层611上的功能结构层631、设置于功能结构层631上的P端电极层641，此时功能结构层631必然是N端在下、P端在上的。N端电极层611与功能结构层631之间还设置有第一绝缘层62( —般为钝化层)，N端电极层611通过设置于第一绝缘层62中的过孔与功能结构层631的N端连接。其中，功能结构层631包括N型半导体6311层和P型半导体层6312，该功能结构层631的N极一端处设置的N端电极层611与对应的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。需要说明的是，图7中功能结构层631包括N型半导体层6311和P型半导体层6312仅仅是一个示例，其具体结构可以有多种选择，例如，所述光敏器件为PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，对应的功能结构层631自下而上依次为 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件为 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，对应的功能结构层631自下而上依次为M-1-S。同样的，光敏器件D21与光敏器件D12具有相同的结构，即光敏器件D21形成于栅绝缘层600上，其包括依次形成在栅绝缘层600上的N端电极层612、设置于N端电极层612上的功能结构层532、设置于功能结构层532上的P端电极层542，此时功能结构层532必然是N端在下、P端在上的。N端电极层512与功能结构层532之间还设置有第一绝缘层52 ( —般为钝化层)，N端电极层512通过设置于第一绝缘层52中的过孔与功能结构层532的N端连接。其中，功能结构层532包括N型半导体5321层和P型半导体层5322，该功能结构层532的N极一端处设置的N端电极层512与对应的薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接。从图7中可以看出，光敏器件D12与光敏器件D21之间设置有绝缘层，该绝缘层由第一绝缘层62和第二绝缘层65构成。第二绝缘层65不仅填充光敏器件D12与光敏器件D21之间的间隙，还覆盖光敏器件D12与光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能结构层631的P极一端处设置的P端电极层641与光敏器件D21的功能结构层632的P极一端处设置的P端电极层642通过公共电极层66连接在一起并电连接到外部公共电位上。具体的说，P端电极层641通过第二绝缘层65中的过孔与公共电极层66连接，P端电极层642通过第二绝缘层65中的过孔与公共电极层66连接。作为优选实施方式，公共电极层66米用透明导电材料，如氧化·铟锡(ITO)。在实际工艺生产过程中，光敏器件D12与光敏器件D21的相应各层在同一工艺步骤中制备，因此处于同一层，具体的说就是，N端电极层611与N端电极层612位于同一层，N型半导体层6311与N型半导体层6321位于同一层，P型半导体层6312与P型半导体层6322位于同一层，P端电极层641与P端电极层642位于同一层。两个光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构161，并使该隔离结构161与参考电位(一般为固定电位)连接。具体的，图7中该隔离结构161位于N端电极层611、N端电极层612之间，所述隔离结构161延伸至与外部公共电位连接，通常与地线连接。通常，该隔离结构161与N端电极层611、N端电极层612位于同一层，并且也通常与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极、薄膜晶体管TFT的漏极电极位于同一层，在同一工艺步骤中制备。该隔离结构131可以采用导电材料，例如金属或者透明导电金属氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),优选采用金属材料，如铝。这一实施方式中，相邻数据线之间的隔离结构在物理上是相连的，一起与地线连接，在图6中即显示出数据线SI及S2之间、所有扫描线组G12及G34之间的隔离结构连在一起形成一个隔离结构161，当然，本实施例只示出了平板型X射线图像传感器的部分结构，若在数据线S2的另一侧还具有数据线S3，则在数据线S2及S3之间也将具有隔离结构，该隔离结构与隔离结构161都延伸至与外部公共电位连接。优选的，隔离结构161设置于为N端电极层611与N端电极层612正中，即隔离结构161分别与N端电极层611、N端电极层612之间的距离相等，从而可使得隔离结构161分别与两个光敏器件D12、D21之间形成的寄生电容相等。在两个光敏器件D12、D21之间设置隔离结构161，使得相邻电极之间的寄生电容被分割为两个大小相等的电容，且两个电容有相同的参考电位。当光敏器件D12与D21数据被读出时，对应的寄生电容对各自的影响效应是等量的，对于数据信号的线性区间这一影响是可以被忽略的。需要说明的是，图7仅仅为图6所示的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构161沿B-B'的剖面示意图。鉴于平板型X射线图像传感器的重复结构，其他扫描线组与相邻数据线所围区域的相邻光敏器件及其之间设置的隔离结构也采用图7所示的光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构131相同的结构，在此不再重复阐述。另外，图7也仅仅示出了图6的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构161沿B-B'的一种剖面结构。该结构中，各个光敏器件从下而上依次包括N端电极层611、设置于N端电极层611上的功能结构层631、设置于功能结构层631上的P端电极层641，此时功能结构层631是N端在下、P端在上的；隔离结构与N端电极层、数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。但是作为另一种实施方式，图6的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构161沿B-B'的具有另一种剖面结构，该结构与图7所示的剖面结构很相似，其区别仅在于，各个光敏器件从下而上依次包括P端电极层、设置于P端电极层上的功能结构层、设置于功能结构层上的N端电极层，此时功能结构层是P端在下、N端在上的；此时，隔离结构与P端电极层、数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接；其余结构均可以和图7所示相应结构相同。由此可知，平板型X射线图像传感器中所有的光敏器件均设置在基板上构成如图6所示的阵列，并且每一个光敏器件(优选为光电二级管)均包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。其中，功能结构层包括N型半导体层和P型半导体层，靠近N型半导体层一端设置的电极为N端电极层，靠近P型半导体层一端设置的电极为P端电极层；各个功能结构层的一端(N端电极层或P端电极层)与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接，各个功能结构层的另一端(对应的P端电极层或N端电极层)通过公共电极层连接在一起并连接至外部公共电位。其中，与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接的N端电极层或P端电极层与功能结构层之间还设置有钝化层，N端电极层通过设置于钝化层中的过孔与功能结构层的N端连接。接下去将介绍本实施例的平板型X射线图像传感器的制造方法，具体请参考图8a Sg，其为图6所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时的制造方法沿B-B'的剖面示意图。

步骤1、如图8a所示，提供一基板60 ;在所述基板60之上依次形成有TFT栅极电极及扫描线(图8a Sg为沿B-B'的剖面示意图，因此，在本实施例的附图中未示出)、栅绝缘层600、TFT半导体层(未示出)。具体的，提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层600、TFT半导体层的基板60的步骤包括1、提供基板60;2、形成一金属层，刻蚀该金属层形成TFT栅极电极及扫描线；其中，该金属层直接形成在基板60的表面上，并覆盖整个基板60 ;其形成方法可以采用物理气相沉积法；其刻蚀工艺可以采用传统的光刻工艺。需要说明的是，此处以及本申请文件的其他地方所讲的形成某一层，均指的是在前一步骤完成后，直接在整个基板范围内形成该层。例如这里所说的“形成一金属层”指的就是在前一步骤提供的基板60的表面上直接形成覆盖整个基板范围的金属层。3、形成栅绝缘层600 ;根据前文的定义，这里所说的“形成栅绝缘层600”指的就是在前一步骤形成有TFT栅极电极及扫描线的基板60表面上形成覆盖整个基板范围的栅绝缘层600。因此，所述栅绝缘层600覆盖所述TFT栅极电极及扫描线，并覆盖TFT栅极电极及扫描线未遮盖部分的基板60。4、形成一半导体层，刻蚀所述半导体层形成TFT有源结构。根据前文的定义，这里所说的“形成一半导体层”指的就是在前一步骤形成的栅绝缘层600的表面上形成覆盖整个基板范围的半导体层；然后用传统的光刻工艺刻蚀(一般采用干法刻蚀)该半导体层以形成TFT有源结构(即硅岛)。接着步骤2，如图Sb所示，形成一金属层，刻蚀该金属层形成光敏器件的第一端电极层611及612、隔离结构161以及数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极(未画出)。具体的，该金属层在整个基板范围内形成，覆盖整个基板范围内的栅绝缘层600及其表面上的TFT有源结构，所述金属层可以为铝金属层，采用物理气相沉积的方法形成，采用传统光刻工艺刻蚀所述金属层形成图案化的第一端电极层层611及612、隔离结构161以及数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极。优选的，所述隔离结构161与所述第一端电极层611及612的距离相等，从而可使得隔离结构161分别与两个光敏器件形成的寄生电容相等。此夕卜，在本实施例中，利用所述形成第一端电极层611、612及隔离结构161的同一金属层形成薄膜晶体管的源漏电极，并且所述薄膜晶体管的源漏电极与所述第一端电极层611、612相连，即通过光刻及刻蚀工艺使得所述薄膜晶体管的源漏电极与所述N端电极层611、612之间具有金属连接。相邻数据线之间的隔离结构连在一起形成一个隔离结构161，并延伸至与外部公共电位连接，通常与地线连接，实现了与固定电位连接，从而使得其电位值固定，从而可使得后续形成的光敏器件D12及光敏器件D21之间的寄生电容的电荷数固定与可知，避免了现有技术中由于光敏器件D12及光敏器件D21之间的寄生电容的电荷数变化与不可知，读取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光电流信号发生较大的偏差的问题，提高了读取的光敏器件D12或者光敏器件 D21的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。然后步骤3，如图Sc所示，形成第一绝缘层62 ( —般为钝化层)，所述第一绝缘层62覆盖步骤2之后整个基板范围内暴露在外的表面，即覆盖第一端电极层611、612、隔离结构161、数据线、TFT源极电极和TFT漏极电极、TFT源漏电极间的沟道等。刻蚀该第一绝缘层52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端电极层511、512。接着步骤4，如图8d所示，形成光敏器件的功能结构层630。该功能结构层630覆盖步骤3之后整个基板范围内暴露出的表面，可以采用现有光敏器件的传统层叠结构。以图8d所示为例，功能结构层630的N端在下、P端在上，N端通过过孔620、622分别与第一端电极层(此时第一端电极层为N端电极层)611、612连接。该功能结构层630的N端设置有N型半导体层6301、P端设置有P型半导体层6302。光敏器件的功能结构层可以为PIN结构(自下而上依次为N-1-P)或MIS结构(自下而上依次为M-1-S)，对应的光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。当然，作为另一种实施方式，功能结构层530也可以为P端在下、N端在上，P端通过过孔分别与第一端电极层(此时第一端电极层为P端电极层)连接。步骤5，如图Se所示，形成一透明导电层，刻蚀该透明导电层形成第二端电极层(此时第二端电极层为P端电极层)641、642，刻蚀该功能结构层630形成各个独立的光敏器件。在步骤4之后，整个基板范围内显露的表面为功能结构层630的P端表面，该透明导电层(一般为ITO)在整个基板范围内覆盖该P端表面，可以采用物理气相沉积法形成；然后用光刻工艺刻蚀(可采用湿法刻蚀)该透明导电层以形成图案化的P端电极层641、642 ；接下来采用光刻工艺刻蚀(可采用干法刻蚀)该功能机构层630以形成图案化的功能结构层631和632。至此，就形成了各个独立的光敏器件；所述N端电极层611、通过过孔与其上形成的功能结构层631的N型半导体层6311接触，功能结构层631的P型半导体层6312上形成有P端电极层641，构成了光敏器件D12 ;所述N端电极层612、通过过孔与其上形成的功能结构层632的N型半导体层6321接触，功能结构层632的P型半导体层6322上形成有P端电极层642，构成了光敏器件D21。当然，作为另一种实施方式，当步骤4中，功能结构层530为P端在下、N端在上时，第二端电极层为N端电极层。步骤5中用光刻工艺刻蚀该透明导电层以形成图案化的第二端电极层641、642和用光刻工艺刻蚀功能结构层630以形成图案化的功能结构层631和632可以共用一个光刻工艺，即刻蚀功能结构层630可以以刻蚀该透明导电层中所形成的图案化的光刻胶为掩膜。接着步骤6，如图8f所示，形成第二绝缘层65 (可采用氮化硅)，所述第二绝缘层65覆盖步骤5之后整个基板范围内所有显露出来的表面，包括第二端电极层641及第二端电极层642，并填充光敏器件之间的间隙(同时覆盖露出的第一绝缘层62)。用光刻工艺刻蚀该第二绝缘层以暴露出光敏器件的第二端电极层541及第二端电极层542，即在所述第二端电极层641上形成接触孔650，在所述第二端电极层642上形成接触孔651。所述第二绝缘层65与前述步骤 中形成的第一绝缘层62共同隔绝光敏器件D12及光敏器件D21。最后步骤7，如图Sg所示，形成一第二透明导电层，刻蚀该第二透明导电层以形成图案化的公共电极层66。该第二透明导电层(一般为ΙΤ0)在整个基板范围内覆盖步骤6形成的第二绝缘层65和暴露出的第二端电极层；这样第二端电极层641、6426通过该第二透明导电层连接在一起，进而可以连接至外部公共电位。在基板边缘出设置有多个引出电极，为了防止这些引出电极之间通过该第二透明导电层短接或者为了减小寄生电容，还需要对该第二透明导电层进行光刻刻蚀形成公共电极层66 ;所述公共电极层66覆盖所述第二绝缘层65、第二端电极层641及第二端电极层642，所述公共电极层66在外部与公共电位连接。实施例三请参考图9，其为本发明实施例三的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图9所示，平板型X射线图像传感器7包括为了图示与描述的清晰，图9中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ;以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性或对称性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构171作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器7中具有重复性或对称性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器7均适用。具体的，如图9所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线G2电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21分别与不同的扫描线耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构171，所述隔离结构171与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构171将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏 器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构171的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构171与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器7的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管Τ12、Τ21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ21 (当然，在图9中还包括薄膜晶体管Τ11)，此时，便可通过读取数据线S2，实现对光敏器件D21的光电流信号的读取(当然，在图9中还可通过读取数据线SI，实现对光敏器件Dll的光电流信号的读取)。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管Τ21 (此处的“打开”指薄膜晶体管Τ21接入电路，使得通过薄膜晶体管Τ21的光敏器件D21与数据线S2之间导通)，而数据线S2可通过薄膜晶体管Τ21读取光敏器件D21的光电流信号。当扫描线G2为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ12及Τ22，此时，便可通过读取数据线SI实现对光敏器件D12的光电流信号的读取，通过读取数据线S2实现对光敏器件D22的光电流信号的读取。通过图9以及背景技术的介绍可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即图9中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。图10为图9所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿C-C'的剖面示意图。如图10所示，平板型X射线图像传感器包括一基板70 ;基板70上形成有栅绝缘层700 ;公共电极层71形成于栅绝缘层700上，同时，光敏器件D12形成于所述栅绝缘层700上，所述光敏器件D12包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层，具体地说，其包括依次形成在栅绝缘层700上的P端电极层711、设置于P端电极层711上的功能结构层731、设置于功能结构层731上的N端电极层741，此时功能结构层731必然是P端在下、N端在上的。P端电极层711与功能结构层731之间还设置有第一绝缘层72( —般为钝化层)，P端电极层711通过设置于第一绝缘层72中的过孔与功能结构层731的P端连接。其中，功能结构层731包括P型半导体7311层和N型半导体层7312，该功能结构层731的N极一端处设置的N端电极层741通过过孔(未画出)与对应耦接的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。需要说明的是，图10中功能结构层731包括N型半导体层7311和P型半导体层7312仅仅是一个示例，其具体结构可以有多种选择，例如，所述光敏器件为PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件为MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件。同样的，光敏器件D21与光敏器件D12具有相同的结构，即光敏器件D21形成于栅绝缘层700上，其包括依次形成在栅绝缘层700上的P端电极层712、设置于P端电极层712上的功能结构层732、设置于功能结构层732上的N端电极层742，此时功能结构层732必然是P端在下、N端在上的。P端电极层712与功能结构层732之间还设置有第一绝缘层72 ( 一般为钝化层)，P端电极层712通过设置于第一绝缘层72中的过孔与功能结构层732的P端连接。其中，功能结构层732包括P型半导体7321层和N型半导体层7322，该功能结构层732的N极一端处设置的N端电极层742通过过孔(未画出)与对应的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。从图10中可以看出，光敏器件D12与光敏器件D21之间设置有绝缘层，该绝缘层由第一绝缘层72和第二绝缘层75构成。第二绝缘层75不仅填充光敏器件D12与光敏器件D21之间的间隙，还覆盖光敏器件D12与光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能结构层731的P极一端处设置的P端电极层711与光敏器件D21的功能结构层732的P极一端处设置的P端电极层712通过公共电极层71连接在一起并电连接到外部公共电位上。具体的说，P端电极层711、712与公共电极层71位于同一层上，图案化所述P端电极层711、712及公共电极层71时，同时形成所述P端电极层711、712与公共电极层71间的连接结构。作为优选实施方式，公共电极层71采用透明导电 材料，如氧化铟锡(ITO)。在实际工艺生产过程中，光敏器件D12与光敏器件D21的相应各层在同一工艺步骤中制备，因此处于同一层，具体的说就是，P端电极层711与P端电极层712位于同一层，P型半导体层7311与P型半导体层7321位于同一层，N型半导体层7312与N型半导体层7322位于同一层，N端电极层741与N端电极层742位于同一层。两个光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构171，并使该隔离结构171与参考电位(一般为固定电位)连接。具体的，图10中该隔离结构171位于N端电极层741、N端电极层742之间，并且通过设置于光敏器件D12与光敏器件D21之间、位于第一绝缘层72中的过孔与公共电极层71电连接。通常，该隔离结构171与N端电极层741、N端电极层742位于同一层；P端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极、薄膜晶体管TFT的漏极电极位于同一层，在同一工艺步骤中制备，所有P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位。该隔离结构131可以采用导电材料，例如金属或者透明导电金属氧化物(ΙΤ0或者SnO2))，优选采用金属材料，如铝。这一实施方式中，所有隔离结构在物理上是不相连的，只是分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述公共电极层实现彼此电连接。如图9中所示，隔离结构171与隔离结构172在物理上不直接连接。优选的，隔离结构171设置于为N端电极层741与N端电极层742正中，即隔离结构171分别与N端电极层741、N端电极层742之间的距离相等，从而可使得隔离结构171分别与两个光敏器件D12、D21之间形成的寄生电容相等。优选的，隔离结构171与扫描线Gl和G2保持6um以上的距尚。在两个光敏器件D12、D21之间设置隔离结构171，使得相邻电极之间的寄生电容被分割为两个大小相等的电容，且两个电容有相同的参考电位。当光敏器件D12与D21数据被读出时，对应的寄生电容对各自的影响效应是等量的，对于数据信号的线性区间这一影响是可以被忽略的。需要说明的是，图10仅仅为图9所示的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构171沿C-C'的剖面示意图。鉴于平板型X射线图像传感器的重复结构，其他扫描线组与相邻数据线所围区域的相邻光敏器件 及其之间设置的隔离结构也采用图10所示的光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构171相同的结构，在此不再重复阐述。另外，图10也仅仅示出了图9的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构171沿C-C'的一种剖面结构。该结构中，各个光敏器件从下而上依次包括P端电极层711、设置于P端电极层711上的功能结构层731、设置于功能结构层731上的N端电极层741，此时功能结构层731是P端在下、N端在上的；隔离结构与N端电极层位于同一层，P端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。但是作为另一种实施方式，图9的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构171沿C-C'的具有另一种剖面结构，该结构与图10所示的剖面结构很相似，其区别仅在于，各个光敏器件从下而上依次包括N端电极层、设置于N端电极层上的功能结构层、设置于功能结构层上的P端电极层，此时功能结构层是N端在下、P端在上的；此时，隔离结构与P端电极层位于同一层，N端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接；其余结构均可以和图10所示相应结构相同。由此可知，平板型X射线图像传感器中所有的光敏器件均设置在基板上构成如图9所示的阵列，并且每一个光敏器件(优选为光电二级管)均包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。其中，功能结构层包括N型半导体层和P型半导体层，靠近N型半导体层一端设置的电极为N端电极层，靠近P型半导体层一端设置的电极为P端电极层；各个功能结构层的一端(N端电极层或P端电极层)与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接，各个功能结构层的另一端(对应的P端电极层或N端电极层)通过公共电极层连接在一起并连接至外部公共电位。实施例四请参考图11，其为本发明实施例四的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图11所示，平板型X射线图像传感器8包括为了图示与描述的清晰，图11中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上， 实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构181作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器8中具有重复性或对称性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器8均适用。具体的，如图11所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线G2电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21分别与不同的扫描线耦接。在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构181，所述隔离结构181与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管T13、T14、T23、T24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构181将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构181的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构181与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器8的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管T12、T21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管T21 (当然，在图11中还包括薄膜晶体管Tll)，此时，便可通过读取数据线S2，实现对光敏器件D21的光电流信号的读取(当然，在图11中还可通过读取数据线SI，实现对光敏器件Dll的光电流信号的读取)。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管T21接入电路，使得通过薄膜晶体管T21的光敏器件D21与数据线S2之间导通)，而数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。当扫描线G2为开启状态时，即打开薄膜晶体管T12及T22，此时，便可通过读取数据线SI实现对光敏器件D12的光电流信号的读取，通过读取数据线S2实现对光敏器件D22的光电流信号的读取。通过图11以及背景技术的介绍可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即图11中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了 寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。图12为图11所示的平板型X射线图像传感器采用一种光敏器件的结构时沿D-D'的首I]面不意图。如图12所示，平板型X射线图像传感器包括一基板80 ;基板80上形成有栅绝缘层800 ;公共电极层81形成于栅绝缘层800上，同时，光敏器件D12形成于所述栅绝缘层800上，所述光敏器件D12包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层，具体地说，其包括依次形成在栅绝缘层800上的P端电极层811、设置于P端电极层811上的功能结构层831、设置于功能结构层831上的N端电极层841，此时功能结构层831必然是P端在下、N端在上的。P端电极层811与功能结构层831之间还设置有第一绝缘层72( —般为钝化层)，P端电极层811通过设置于第一绝缘层72中的过孔与功能结构层831的P端连接。其中，功能结构层831包括P型半导体8311层和N型半导体层8312，该功能结构层831的N极一端处设置的N端电极层841通过过孔(未画出)与对应的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。需要说明的是，图12中功能结构层831包括N型半导体层8311和P型半导体层8312仅仅是一个示例，其具体结构可以有多种选择，例如，所述光敏器件为PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件为MIS (metal-1nsulator-semi conductor)型光敏器件。同样的，光敏器件D21与光敏器件D12具有相同的结构，即光敏器件D21形成于栅绝缘层800上，其包括依次形成在栅绝缘层800上的P端电极层812、设置于P端电极层812上的功能结构层832、设置于功能结构层832上的N端电极层842，此时功能结构层832必然是P端在下、N端在上的。P端电极层812与功能结构层832之间还设置有第一绝缘层72 ( 一般为钝化层)，P端电极层812通过设置于第一绝缘层72中的过孔与功能结构层832的P端连接。其中，功能结构层832包括P型半导体8321层和N型半导体层8322，该功能结构层832的N极一端处设置的N端电极层842通过过孔(未画出)与对应的薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接。从图12中可以看出，光敏器件D12与光敏器件D21之间设置有绝缘层，该绝缘层由第一绝缘层82和第二绝缘层85构成。第二绝缘层85不仅填充光敏器件D12与光敏器件D21之间的间隙，还覆盖光敏器件D12与光敏器件D21之间的上方。光敏器件D12的功能结构层831的P极一端处设置的P端电极层811与光敏器件D21的功能结构层832的P极一端处设置的P端电极层812通过公共电极层81连接在一起并电连接到外部公共电位上。具体的说，P端电极层811、812与公共电极层81位于同一层上，图案化所述P端电极层811、812及公共电极层81时，同时形成所述P端电极层811、812与公共电极层81间的连接结构。作为优选实施方式，公共电极层81采用透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)。在实际工艺生产过程中，光敏器件D12与光敏器件D21的相应各层在同一工艺步骤中制备，因此处于同一层，具体的说就是，P端电极层811与P端电极层812位于同一层，P型半导体层8311与P型半导体层8321位于同一层，N型半导体层8312与N型半导体层8322位于同一层，N端电极层841与N端电极层842位于同一层。两个光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构181，并使该隔离结构181与参考电位(一般为固定电位)连接。具体的，图12中该隔离结构181位于N端电极层841、N端电极层842之间，所述隔离结 构181延伸至与外部公共电位连接，通常各隔离结构连接在一起并与地线连接。通常，该隔离结构181与N端电极层841、N端电极层842位于同一层；P端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极、薄膜晶体管TFT的漏极电极位于同一层，在同一工艺步骤中制备，所有P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位。该隔离结构131可以采用导电材料，例如金属或者透明导电金属氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),优选采用金属材料，如铝。这一实施方式中，相邻数据线之间的隔离结构在物理上是相连的，在图11中即显示出数据线SI及S2之间、所有扫描线组G12及G34之间的隔离结构连在一起形成一个隔离结构181，当然，本实施例只示出了平板型X射线图像传感器的部分结构，若在数据线S2的另一侧还具有数据线S3，则在数据线S2及S3之间也将具有隔离结构，该隔离结构与隔离结构181都延伸至与外部公共电位连接。优选的，隔离结构181设置于为N端电极层841与N端电极层842正中，即隔离结构181分别与N端电极层841、N端电极层842之间的距离相等，从而可使得隔离结构181分别与两个光敏器件D12、D21之间形成的寄生电容相等。在两个光敏器件D12、D21之间设置隔离结构181，使得相邻电极之间的寄生电容被分割为两个大小相等的电容，且两个电容有相同的参考电位。当光敏器件D12与D21数据被读出时，对应的寄生电容对各自的影响效应是等量的，对于数据信号的线性区间这一影响是可以被忽略的。需要说明的是，图12仅仅为图11所示的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构181沿D-D'的剖面示意图。鉴于平板型X射线图像传感器的重复结构，其他扫描线组与相邻数据线所围区域的相邻光敏器件及其之间设置的隔离结构也采用图12所示的光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构181相同的结构，在此不再重复阐述。另外，图12也仅仅示出了图11的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构181沿D-D'的一种剖面结构。该结构中，各个光敏器件从下而上依次包括P端电极层811、设置于P端电极层811上的功能结构层831、设置于功能结构层831上的N端电极层841，此时功能结构层831是P端在下、N端在上的；隔离结构与N端电极层位于同一层，P端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。但是作为另一种实施方式，图11的平板型X射线图像传感器中扫描线组G12与相邻数据线S1、S2所围区域的相邻光敏器件D12、D21及其之间设置的隔离结构181沿D-D'的具有另一种剖面结构，该结构与图12所示的剖面结构很相似，其区别仅在于，各个光敏器件从下而上依次包括N端电极层、设置于N端电极层上的功能结构层、设置于功能结构层上的P端电极层，此时功能结构层是N端在下、P端在上的；此时，隔离结构与P端电极层位于同一层，N端电极层与数据线、薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接；其余结构均可以和图12所示相应结构相同。 由此可知，平板型X射线图像传感器中所有的光敏器件均设置在基板上构成如图11所示的阵列，并且每一个光敏器件(优选为光电二级管)均包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。其中，功能结构层包括N型半导体层和P型半导体层，靠近N型半导体层一端设置的电极为N端电极层，靠近P型半导体层一端设置的电极为P端电极层；各个功能结构层的一端(N端电极层或P端电极层)与对应的薄膜晶体管的漏极/源极电连接，各个功能结构层的另一端(对应的P端电极层或N端电极层)通过公共电极层连接在一起并连接至外部公共电位。实施例五请参考图13，其为本发明实施例五的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图13所示，平板型X射线图像传感器9包括为了图示与描述的清晰，图13中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构191作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器9中具有重复性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器9均适用。此外，在本实施例的平板型X射线图像传感器9的俯视图中，公共电极层(或称为Com电极)覆盖所述光敏器件D12、D21及隔离结构191，并且一般采用IT0，为了图示出光敏器件D12、D21及隔离结构191与扫描线组G12，数据线S1、S2以及开关单元T12、T21之间的关系，在图13中，所述Com电极未示出。具体的，如图13所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线G2耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线Gl耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21与相同的扫描线Gl耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构191，所述隔离结构191与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构191将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位 值作为参考电位，而是将隔离结构191的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构191与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器9的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管Τ12、Τ21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ12、Τ21，此时，便可通过读取数据线S1、S2，实现对光敏器件D12、D21的光电流信号的读取。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T12、T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管Τ12、Τ21接入电路，使得通过薄膜晶体管T12、T21的光敏器件D12、D21分别与数据线S1、S2之间导通)，而数据线SI可通过薄膜晶体管T12读取光敏器件D12的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。此外，当打开扫描线G2时，数据线SI可通过薄膜晶体管Tll读取光敏器件Dll的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T22读取光敏器件D22的光电流信号。通过图13以及背景技术的介绍可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即图13中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。在本实施例中，图13中E-E^的剖面图与图4中A-A^的剖面图相同，具体可参考图4中A-A'的剖面图以进一步了解本实施例提供的平板型X射线图像传感器9。实施例六请参考图14，其为本发明实施例六的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图14所示，平板型X射线图像传感器10包括为了图示与描述的清晰，图14中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。

此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构IlOl作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器10中具有重复性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器10均适用。此外，在本实施例的平板型X射线图像传感器10的俯视图中，公共电极层(或称为Com电极)覆盖所述光敏器件D12、D21及隔离结构1101，并且一般采用ΙΤ0，为了图示出光敏器件D12、D21及隔离结构IlOl与扫描线组G12，数据线S1、S2以及开关单元T12、T21之间的关系，在图14中，所述Com电极未示出。具体的，如图14所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线G2耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线Gl耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21与相同的扫描线Gl耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构1101，所述隔离结构IlOl与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管T13、T14、T23、T24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构IlOl将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构IlOl的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构IlOl与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器10的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管Τ12、Τ21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ12、Τ21，此时，便可通过读取数据线S1、S2，实现对光敏器件D12、D21的光电流信号的读取。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T12、T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管Τ12、Τ21接入电路，使得通过薄膜晶体管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分别与数据线S1、S2之间导通)，而数据线SI可通过薄膜晶体管T12读取光 敏器件D12的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。此外，当打开扫描线G2时，数据线SI可通过薄膜晶体管Tll读取光敏器件Dll的光电流信号 ，数据线S2可通过薄膜晶体管T22读取光敏器件D22的光电流信号。通过图14以及背景技术的介绍可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即图14中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。在本实施例中，图14中F-Γ的剖面图与图6中B-B^的剖面图相同，具体可参考图6中B-B'的剖面图以进一步了解本实施例提供的平板型X射线图像传感器10。实施例七请参考图15，其为本发明实施例七的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图15所示，平板型X射线图像传感器11包括为了图示与描述的清晰，图15中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构Illl作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器11中具有重复性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器11均适用。具体的，如图15所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线G2耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线Gl耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21与相同的扫描线Gl耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、 S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构1111，所述隔离结构Illl与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管T13、T14、T23、T24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构Illl将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构Illl的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构Illl与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器11的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管Τ12、Τ21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ12、Τ21，此时，便可通过读取数据线S1、S2，实现对光敏器件D12、D21的光电流信号的读取。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T12、T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管Τ12、Τ21接入电路，使得通过薄膜晶体管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分别与数据线S1、S2之间导通)，而数据线SI可通过薄膜晶体管T12读取光敏器件D12的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。此外，当打开扫描线G2时，数据线SI可通过薄膜晶体管Tll读取光敏器件Dll的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T22读取光敏器件D22的光电流信号。通过图15以及背景技术的介绍可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即图15中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。在本实施例中，图15中GW的剖面图与图9中C-CT的剖面图相同，具体可参考图9中C-C'的剖面图以进一步了解本实施例提供的平板型X射线图像传感器11。实施例八请参考图16，其为本发明实施例八的平板型X射线图像传感器的俯视示意图。如图16所示，平板型X射线图像传感器12包括为了图示与描述的清晰，图16中只示意性的画出了两个扫描线组(扫描线Gl与扫描线G2组成的扫描线组G12 ；以及扫描线G3与扫描线G4组成的扫描线组G34)以及两根数据线(数据线SI及数据线S2)，需要说明的是，由于平板型X射线图像传感器结构的重复性，在本实施例公开的基础上，实现包括更多个扫描线组及更多根数据线的平板型X射线图像传感器是清楚并且易于实现的。此外，在本实施例接下去的描述中，将以扫描线组G12以及数据线S1、S2以及其间的光敏器件D12、D21，隔离结构1121作为重点描述对象，由于上述结构在整个平板型X射线图像传感器12中具有重复性，须知此部分结构具有的性能将对于整个平板型X射线图像传感器12均适用。具体的，如图16所示，在扫描线组G12的两根扫描线G1、G2之间、数据线SI两侧分别设置有光敏器件Dll和光敏器件D12，数据线S2两侧分别设置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT) Tll与所述数据线SI和所述两根扫描线中的一根扫描线G2耦接，光敏器件D12通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T12与所述数据线SI和所述两根扫描线中的另一根扫描线Gl耦接；光敏器件D21通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T21与所述数据线S2和所述两根扫描线中的一根扫描线Gl耦接，光敏器件D22管通过开关单元(优选为薄膜晶体管TFT)T22与所述数据线S2和所述两根扫描线中的另一根扫描线G2耦接。具体的说，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T12的漏极/源 极电连接，所述薄膜晶体管T12的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T12的源极/漏极与所述数据线SI电连接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)与所述薄膜晶体管T21的漏极/源极电连接，所述薄膜晶体管T21的栅极与所述扫描线Gl电连接，所述薄膜晶体管T21的源极/漏极与所述数据线S2电连接。即在本实施例中，所述扫描线组G12和数据线S1、S2相交而成的区域内设置的两个相邻光敏器件D12、D21通过薄膜晶体管T12、T21与相同的扫描线Gl耦接。在扫描线组G12的两根扫描线Gl、G2与相邻的两根数据线S1、S2相交而成的区域内的两个相邻的光敏器件D12、D21之间设置有隔离结构1121，所述隔离结构1121与参考电位(一般为固定电位)连接。扫描线组G34与数据线S1、S2交叉位置关系以及相应的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶体管T13、T14、T23、T24的设置与扫描线组G12相同，在此不再重复。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均连接至公共电位。已知光敏器件D12、D21之间具有寄生电容，通过所述隔离结构1121将所述光敏器件D12、D21进行隔离，具体的，当读取光敏器件D12的光电流信号时，寄生电容的参考电位将不再以光敏器件D21的电位值作为参考电位，而是将隔离结构1121的电位值作为参考电位。而在本发明实施例中，将所述隔离结构1121与固定电位连接，由此，当读取光敏器件D12的电位值时，寄生电容的参考电位将是一固定值，即所述固定电位的电位值。从而，在读取光敏器件D12时，所读取的寄生电容的电荷数是一定的并且可知的，由此，该电荷数对于光敏器件D12的影响是一定的并且可知的。当需要知道光敏器件D12所读取的光电流信号的精确值时，只需将寄生电容的影响去除即可，而寄生电容的电荷数是一定并且可知的，从而去除其对光敏器件D12的影响是易于实现的。由此，提高了读取的光敏器件D12的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器12的可靠性。同样的，也能正确、可靠地读取光敏器件D21的光电流信号。通过所述薄膜晶体管Τ12、Τ21可实现对光敏器件D12、D21中的光电流信号的读取。具体的，当扫描线Gl为开启状态时，即打开薄膜晶体管Τ12、Τ21，此时，便可通过读取数据线S1、S2，实现对光敏器件D12、D21的光电流信号的读取。即当扫描线Gl为开启状态时，打开薄膜晶体管T12、T21 (此处的“打开”指薄膜晶体管Τ12、Τ21接入电路，使得通过薄膜晶体管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分别与数据线S1、S2之间导通)，而数据线SI可通过薄膜晶体管T12读取光敏器件D12的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T21读取光敏器件D21的光电流信号。此外，当打开扫描线G2时，数据线SI可通过薄膜晶体管Tll读取光敏器件Dll的光电流信号，数据线S2可通过薄膜晶体管T22读取光敏器件D22的光电流信号。通过图16以及背景技术的介绍可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即图16中每一行上具有四个像素，而在此，只通过两根数据线SI及S2即实现了对同一行四个像素数据的读取，由此可见，减少了扫描线的数量，降低了成本。而通过本发明所提供的上述结构，进一步避免了寄生电容造成的读取的光敏器件的光电流信号的偏差，提高了读取的光敏器件的光电流信号的正确性、可靠性，从而提高了平板X光感应器的可靠性。在本实施例中，图16中H-W的剖面图与图12中D-N的剖面图相同，具体可参考图12中D-D'的剖面图以进一步了解本实施例提供的平板型X射线图像传感器12。上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
权利要求
1.一种平板型X射线图像传感器，其特征在于，包括 至少I个扫描线组，每一所述扫描线组包括两根扫描线； 与所述扫描线组相交的至少2根数据线，在任一所述扫描线组的两根扫描线之间、任一所述数据线两侧分别设置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的一根扫描线耦接，所述第二光敏器件通过开关单元与所述数据线和所述两根扫描线中的另一根扫描线耦接； 其中，任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内具有相邻的两个光敏器件，所述相邻的两个光敏器件之间设置有隔离结构，所述隔离结构连接至参考电位。
2.如权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述开关单元为薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管TFT的栅极和与其耦接的扫描线电连接，所述薄膜晶体管TFT的源极/漏极和与其耦接的数据线电连接，所述薄膜晶体管TFT的漏极/源极和与其耦接的光敏器件的一端电极连接。
3.如权利要求2所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的另外一端电极均连接至公共电位。
4.如权利要求3所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。
5.如权利要求3所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述光敏器件包括N端电极层、P端电极层、设置于所述N端电极层和P端电极层之间的功能结构层。
6.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述N端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。
7.如权利要求6所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。
8.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述P端电极层、所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层。
9.如权利要求8所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位，各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。
10.如权利要求7或9所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述相邻的两个光敏器件之间、所述隔离结构上设置有绝缘层，各所述隔离结构分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述共同电极层电连接。
11.如权利要求7或9所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，相邻数据线之间的隔离结构连接在一起并与地线连接。
12.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述N端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的P端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的P端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的N端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。
13.如权利要求5所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构与所述P端电极层位于同一层；所有所述光敏器件的N端电极层与所述数据线、所述薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极位于同一层，所有所述光敏器件的N端电极层通过公共电极层电连接在一起并连接至公共电位；各所述光敏器件的P端电极层和与其耦接的薄膜晶体管TFT的漏极/源极连接。
14.如权利要求12或13所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述相邻的两个光敏器件之间、所述隔离结构下设置有绝缘层，各所述隔离结构分别通过设置于所述绝缘层的过孔与所述共同电极层电连接。
15.如权利要求12或13所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，各所述隔离结构连接在一起并与地线连接。
16.如权利要求1所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构分别与所述两个光敏器件之间的寄生电容大小相等。
17.如权利要求16所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构至所述两个光敏器件的距离相等。
18.如权利要求1-9、12-13、16-17中的任一项所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结构为导电材料。
19.如权利要求18中的任一项所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述隔离结为金属或者透明导电金属氧化物比如ITO或者Sn02。
20.如权利要求19中的任一项所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，所述透明导电金属氧化物为ITO或者SnO2。
21.如权利要求1-9、12-13、16-17中的任一项所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，在任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内相邻的两个光敏器件分别通过开关单元与所述扫描线组中两根扫描线中不同的扫描线耦接。
22.如权利要求1-9、12-13、16-17中的任一项所述的平板型X射线图像传感器，其特征在于，在任一所述扫描线组的两根扫描线与相邻的两根所述数据线相交而成的区域内相邻的两个光敏器件分别通过开关单元与所述扫描线组中两根扫描线中相同的扫描线耦接。
23.一种平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，包括 步骤1、提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层、TFT半导体层的基板； 步骤2、形成一金属层，刻蚀所述金属层形成光敏器件的第一端电极层、隔离结构、数据线、TFT源极电极、TFT漏极电极； 步骤3、形成一钝化层，刻蚀所述钝化层暴露出光敏器件的第一端电极层； 步骤4、形成光敏器件的功能结构层； 步骤5、形成一透明导电层，刻蚀所述透明导电层形成第二端电极层，刻蚀所述功能结构层形成各个独立的光敏器件； 步骤6、形成一绝缘层，所述绝缘层覆盖光敏器件的第二电极层并填充光敏器件之间的间隙，刻蚀所述绝缘层暴露出光敏器件的第二端电极层； 步骤7、形成一第二透明导电层，刻蚀所述第二透明导电层形成公共电极层，所述公共电极层与所述露出的部分光敏器件的第二端电极层接触。
24.如权利要求23所述的平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，提供一其上依次形成有TFT栅极电极及扫描线、栅绝缘层、TFT半导体层的基板的步骤包括 提供一基板； 在所述基板上形成一金属层，刻蚀所述金属层形成TFT栅极电极及扫描线； 形成一栅绝缘层； 形成一半导体层，刻蚀所述半导体层形成TFT有源结构。
25.如权利要求23所述的平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，所述光敏器件为PIN型光电二极管或MIS型光电二极管。
26.如权利要求25所述的平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤4中所述光敏器件功能结构层为N-1-P或M-1-S。
27.如权利要求23所述的平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤6中还刻蚀所述绝缘层和所述钝化层暴露出所述隔离结构；步骤7中所述公共电极层还与所述露出的隔离结构接触。
28.如权利要求23所述的平板型X射线图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤2中所述隔离结构延伸至外部接地端。
全文摘要
本发明提供一种平板型X射线图像传感器及其制造方法。在每两列像素共享一条数据线的图像传感器阵列中，在中间没有数据线的相邻两列像素中间，配置具有一定电位的导电电极，从而将相邻两列像素隔离开，避免了像素之间的串扰和其他干扰。该电极同时具有对光电变换元器件施加合适电压以及将各个像素的光电变换元器件的电极连接到外部公共电源的作用。
文档编号H04N5/32GK103050499SQ20111030877
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者黄忠守, 陈艳光, 邱承彬, 金利波, 夏军, 凌严 申请人:上海天马微电子有限公司