专利名称：通信模块的制作方法
技术领域：
本发明的特定方面涉及通信模块。
背景技术：
近来，随着移动通信系统的发展，移动电话单元迅速普及。诸如移动电话单元这样的无线通信装置覆盖多频带并且被系统化。单个无线通信设备具有多个无线通信装置。例如，覆盖多个频率带的移动电话单元是已知的。该移动电话单元具有多个天线双工器，以便覆盖多个频率带。天线双工器用来分离具有不同频率的发射信号和接收信号，并且具有发射滤波器和接收滤波器。近来，使得能够减小尺寸的声波滤波器被用作发射滤波器或者接收滤波器。通常，天线双工器具有设置在不同芯片中的发射滤波器和接收滤波器被安装在基板上的结构。近来，考虑安装的简化，正在制造发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中的天线双工器。日本专利申请公开No. 2000-349586和No. 2007-134795公开了一种结构，在该结构中，两个或更多个天线双工器被容纳在单个封装中，天线双工器中的发射滤波器被设置在单个芯片中，并且天线双工器中的接收滤波器被设置在单个芯片中。日本专利申请公开No. 2011-9882(下文称为文件3)、No. 2001-267868和No. H10-190390公开了包括具有不同厚度并且由不同材料构成的IDT (叉指型换能器)电极的多个声波滤波器被设置在单个芯片中。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种包括多个双工器的通信模块，其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。
图I例示根据第一比较示例的通信模块的示意性截面图；图2A和图2B例示根据第一比较示例的通信模块的第一双工器的发射滤波器和接收滤波器的示意性截面图；图3例示根据第二比较示例的通信模块的示意性截面图；图4例示根据第二比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图；图5例示根据第三比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图；图6A至图6C例示示出第一发射-接收芯片的制造方法的示意性截面图；图7A至图7C例示示出第一发射-接收芯片的制造方法的示意性截面图8例示具有根据第一实施方式的通信模块的无线通信单元的框图；图9例示根据第一实施方式的通信模块的示意性截面图；图IOA例示发射芯片的示意性截面图；图IOB例示接收芯片的示意性截面图；图IlA至图IlC例示发射芯片的第一制造方法的示意性截面图；图12A至图12C例示发射芯片的第二制造方法的示意性截面图；图13例示根据第一实施方式的修改实施方式的通信模块的示意性截面图； 图14例示具有根据第二实施方式的通信模块的无线通信部的框图；图15例示根据第二实施方式的通信模块的框图；图16例示设置了第三双工器和第四双工器的接收芯片和用于GSM的接收芯片的单个接收芯片的示意性截面图；以及图17A至图17C例示具有多个双工器的通信模块的框图。
具体实施例方式考虑到安装的简化，优选的是，天线双工器的发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中。当发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中时，发射滤波器和接收滤波器彼此一起形成。因此，各个IDT电极由相同的材料构成并具有相同的厚度。发射滤波器要求高电力耐受性。因此，发射滤波器的IDT电极由实现高电力耐受性的材料构成。在这种情况下，接收滤波器的IDT电极也由实现高电力耐受性的材料构成。然而，相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受性。当接收滤波器的IDT电极由实现高电力耐受性的材料构成时，IDT电极的电阻可能增加，并且传输损耗可能劣化。当利用文件3公开的方法将发射滤波器和接收滤波器设置在单个芯片中时，实现了发射滤波器的高持续性和接收滤波器的低传输损耗。然而，制造工序可能很复杂。因此，成本可能增加。首先，将给出根据第一比较示例的通信模块的描述。图I例示该通信模块的示意性截面图。图2A例示该通信模块的第一双工器的发射滤波器的示意性截面图。图2B例示该通信模块的第一双工器的接收滤波器的示意性截面图。如图I所例示，该通信模块具有安装在印刷基板200上的两个双工器(第一双工器220和第二双工器230)。第一双工器220的发射-接收频带与第二双工器230的发射-接收频带不同。第一双工器220具有安装在基板202上的第一发射滤波器222和第一接收滤波器224。第一发射滤波器222的芯片与第一接收滤波器224的芯片不同。第一发射滤波器222和第一接收滤波器224被密封部分204密封。第一发射滤波器222和第一接收滤波器224是表面声波滤波器等。如图2A所例示，第一发射滤波器222具有以下结构IDT电极208被设置在压电基板206上，并且反射电极210在IDT电极208的两侧被设置压电基板206上。第一发射滤波器222的IDT电极208和反射电极210具有两层结构，在该两层结构中，Ti和Al-l%Cu按照此顺序从压电基板206侧层压。如图2B所例示，第一接收滤波器224具有位于压电基板206上的IDT电极208和反射电极210,第一发射滤波器222也一样。第一接收滤波器224的IDT电极208和反射电极210具有Al_l%Cu等的单层结构。“Al_l%Cu”是Cu按照1%的重量百分比混合到Al中的合金。
第二双工器230具有安装在基板202上的第二发射滤波器232和第二接收滤波器234。第二发射滤波器232的芯片与第二接收滤波器234的芯片不同。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234被密封部分204密封。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234是表面声波滤波器等。第二发射滤波器232和第二接收滤波器234的示意性截面图与图2A和图2B所例示的第一发射滤波器222和第一接收滤波器224的示意性截面图相同。因此，省略其解释。发射滤波器要求高电力耐受性。为此，第一发射滤波器222和第二发射滤波器232的IDT电极208具有Ti和Al-l%Cu的两层结构，以实现高电力耐受性。另一方面，相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受 性。为此，第一接收滤波器224和第二接收滤波器234的IDT电极具有Al-l%Cu的单层结构，以实现低损耗和低电阻。根据第一比较示例，第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器能够实现高电力耐受性，第一双工器220和第二双工器230的接收滤波器能够实现由低电阻允许的低传输损耗。表面声波滤波器的IDT电极的最优厚度根据频率带波动。然而，IDT电极的厚度可以优化，因为关于第一双工器220和第二双工器230，发射滤波器的芯片不同于接收滤波器的芯片。然而，第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器和接收滤波器可以被单独地制造和单独地安装。因此，制造和安装的工序的数量可能增加，并且成本可能增加。接着，将给出根据第二比较示例的通信模块的描述。图3例示该通信模块的示意性截面图。图4例示该通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的示意性截面图。如图3所例示，第二比较示例的通信模块与第一比较示例的通信模块的不同之处在于发射滤波器和接收滤波器被设置在第一双工器220和第二双工器230的单个芯片中。下文中，包括发射滤波器和接收滤波器的单个芯片被称作发射-接收芯片。第一双工器220的发射-接收芯片被称作第一发射-接收芯片226。第二双工器230的发射-接收芯片被称作第二发射-接收芯片236。如图4所例示，第一发射-接收芯片226具有以下结构发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A以及接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B被设置在单个压电基板206上。通常，在这种情况下，发射滤波器的IDT电极208A和接收滤波器的IDT电极208B彼此一起形成。因此，发射滤波器的IDT电极208A和接收滤波器的IDT电极208B由相同的材料构成并具有相同的厚度。第二发射-接收芯片236具有与第一发射-接收芯片226相同的截面。图4例示该截面图。因此，省略其解释。高电力耐受性对于发射滤波器是必需的，并且对于天线双工器是必要的。因此，发射滤波器的IDT电极208A具有Ti和Al-l%Cu的两层结构，以在第一发射-接收芯片226和第二发射-接收芯片236中实现高电力耐受性。接收滤波器的IDT电极208B具有Ti和Al-l%Cu的两层结构，因为接收滤波器的IDT电极208B与发射滤波器的IDT电极208A—起形成。根据第二比较示例，发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中，并且发射滤波器和接收滤波器的IDT电极彼此一起形成。因此，可以简化制造和安装的工序。第一双工器220和第二双工器230的发射滤波器能够实现高电力耐受性。然而，接收滤波器的IDT电极208B也具有Ti和Al-l%Cu的两层结构。因此,相比于如第一比较示例的情况中的接收滤波器的IDT电极具有Al-l%Cu的单层结构的情况，电阻变得更大并且传输损耗劣化。
接着，将给出对根据第三比较实施方式的通信模块的描述。第三比较示例的通信模块具有与第二比较示例的通信模块相同的截面。图3例示该截面。因此，省略其解释。图5例示第三比较示例的通信模块的第一双工器的发射-接收芯片的截面图。第二双工器的发射-接收芯片具有与第一双工器的发射-接收芯片相同的截面。因此，省略其解释。如图5所例示，第一发射-接收芯片226与第二比较示例的通信模块的不同之处在于发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A具有Ti和Al_l%Cu的两层结构，接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B具有Al_l%Cu的单层结构。图6A至图7C例示示出第一发射-接收芯片226的制造方法的示意性截面图。如图6A所例示，将Ti膜212和Al-l%Cu膜214通过溅射法等按照此顺序形成在压电基板206上。如图6B所例示，将抗蚀剂216形成在Al-l%Cu膜214上。并且，抗蚀剂216被形成为图案。在该工序中，抗蚀剂216被形成为图案，以使得要作为发射滤波器的IDT电极208A和反射电极2IOA的区域被保护。如图6C所例示，Ti膜212和Al_l%Cu膜214经过利用抗蚀剂216作为掩模的蚀刻工序。因而，形成发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A。在接收滤波器的区域中，去除全部Ti膜212和Al-l%Cu膜214。并且，压电基板206的上表面被露出。如图7A所例示，抗蚀剂216形成在压电基板206、IDT电极208A和反射电极210A上。并且抗蚀剂216被形成为图案。在该工序中，抗蚀剂216被形成为图案，以使得压电基板206上的要形成IDT电极208B和反射电极210B的区域被露出。如图7B所例示，Al_l%Cu膜214通过化学气相沉积法等形成在压电基板206和抗蚀剂216上。如图7C所例示，通过剥离法等去除抗蚀剂216和抗蚀剂216上的Al_l%Cu膜214。因而，形成接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B。通过该工序，形成了第一发射-接收芯片226。可以通过蚀刻法等来形成接收滤波器的IDT电极208B和反射电极210B。可以通过剥离法等来形成发射滤波器的IDT电极208A和反射电极210A。 根据第三比较示例，发射滤波器和接收滤波器被设置在单个芯片中。因此，可以简化安装工序。在第一双工器220和第二双工器230中，发射滤波器能够实现高电力耐受性，接收滤波器能够实现由低电阻允许的低传输损耗。然而，工序的数量变得更多并且成本增力口，因为需要图6A至图7C的制造工序。下面描述在不增加成本的情况下具有实现发射滤波器的高电力耐受性和接收滤波器的低传输损耗的天线双工器的通信模块。[第一实施方式]图8例示具有根据第一实施方式的通信模块的无线通信单元的框图。如图8所例示，该无线通信单元具有天线10、天线开关12、第一实施方式的通信模块14、功率放大器16、低噪放大器18、滤波器20和滤波器21以及RFIC 22。通信模块14具有第一双工器40和第二双工器50。第一双工器40具有第一发射滤波器42和第一接收滤波器44。第二双工器50具有第二发射滤波器52和第二接收滤波器54。第一发射滤波器42和第二发射滤波器52是阶梯型表面声波滤波器。第一接收滤波器44和第二接收滤波器54是双模耦合型表面声波滤波器。第一双工器40的发射-接收频带不同于第二双工器50的发射-接收频带，并且不与第二双工器50的发射-接收频带交叠。也就是说，第一发射滤波器42的发射频带不同于第二发射滤波器52的发射频带，并且不与第二发射滤波器52的发射频带交叠。第一接收滤波器44的接收频带不同于第二接收滤波器54的接收频带，并且不与第二接收滤波器54的接收频带交叠。例如，第一双工器40是WCDMA (宽频带码分多址)系统的频带5的双工器。第二双工器50是WCDMA系统的频带8的双工器。也就是说，第一发射滤波器42的发射频带是824MHz至849MHz。第一接收滤波器44的接收频带是869MHz至894MHz。第二发射滤波器52的发射频带是880MHz至915MHz。第二接收滤波器54的接收频带是925MHz至 960MHz。第一双工器40和第二双工器50经过天线端子(频带5和频带8)连接到天线开关12。天线开关12连接到天线10。因而，天线开关12能够从第一双工器40和第二双工器50中选择电连接到天线10的双工器。第一发射滤波器42和第二发射滤波器52经过功率放大器16和滤波器20连接到RFIC 22。连接到第一发射滤波器42的滤波器20是选择性地允许与第一发射滤波器42相同的通带通过的带通滤波器。连接到第二发射滤波器52的滤波器20是选择性地允许与第·二发射滤波器52相同的通带通过的带通滤波器。第一接收滤波器44和第二接收滤波器54经过低噪放大器18和滤波器21连接到RFIC 22。连接到第一接收滤波器44的滤波器21是选择性地允许与第一接收滤波器44相同的通带通过的带通滤波器。连接到第二接收滤波器54的滤波器21是选择性地允许与第二接收滤波器54相同的通带通过的带通滤波器。将给出对WCDMA的发射信号和接收信号的发射和接收的描述。RFIC 22向滤波器20输出高频率波的发射信号。滤波器20对发射信号进行滤波，并向功率放大器16输出经滤波的发射信号。功率放大器16对发射信号进行放大，并向第一双工器40(或者第二双工器50)输出经放大的发射信号。第一双工器40 (或者第二双工器50)对发射信号进行滤波，并向天线开关12的天线端子输出经滤波的发射信号。天线开关12向天线端子输出接收信号。第一双工器40 (或者第二双工器50)对接收信号进行滤波,并向低噪放大器18输出经滤波的接收信号。低噪放大器18对接收信号进行放大，并向滤波器21输出经放大的接收信号。滤波器21对接收信号进行滤波并向RFIC 22输出经滤波的接收信号。滤波器21可以输出平衡信号。按照这种方式，第一双工器40和第二双工器50的各个发射滤波器允许从RFIC 22输出的发射信号通过，但是不允许输入到天线端子的接收信号通过。第一双工器40和第二双工器50的各个接收滤波器允许输入到天线端子的接收信号通过，但是不允许从RFIC 22输出的发射信号通过。图9例示通信模块14的示意性截面图。如图9所例示,在通信模块14中，发射封装46和接收封装56被安装在印刷基板24上。发射封装46具有以下结构发射芯片48通过由Au等构成的凸块26以芯片倒装方式安装在由HTCC (高温共烧陶瓷)等构成的基板28上。类似地，接收封装56具有以下结构接收芯片58通过凸块26以芯片倒装方式安装在基板28上。发射芯片48和接收芯片58被由成型树脂等构成的密封部分30密封。基板28可以是除HTCC以外的基板。例如，由LTCC (低温共烧陶瓷)构成的基板或印刷基板可以被用作基板28。发射芯片48和接收芯片58可以被由树脂等而不是由成型树脂构成的顶部板密封。接着，将给出对发射芯片48和接收芯片58的描述。图IOA例示发射芯片48的示意性截面图。图IOB例示接收芯片58的示意性截面图。如图IOA所例示，发射芯片48具有以下结构第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36被设置在由LT (钽酸锂)、LN (铌酸锂)等构成的单个压电基板32上。反射电极36沿声波的传播方向设置在IDT电极34的两侧。IDT电极34和反射电极36具有Ti和Al-l%Cu按照此顺序从压电基板32侧层压的两层结构。在IDT电极34和反射电极36中，Ti具有160nm的厚度，Al_l%Cu具有210nm的厚度。因此，IDT电极34和反射电极36的总厚度是370nm。因而，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34被设置在单个压电基板32上，由相同的材料构成，具有相同层数，并且具有相同的厚度。关于表面声波滤波器，IDT电极的最优厚度根据频率波动。第一发射滤波器42的发射频带是824MHz至849MHz。第二发射滤波器52的发射频带是880MHz至915MHz。在精 确意义上，第一发射滤波器42的IDT电极34的最优厚度可以不同于第二发射滤波器52的IDT电极34的最优厚度。然而，第一发射滤波器42的发射频带接近第二发射滤波器52的发射频带。第一发射滤波器42的IDT电极的最优厚度接近第二发射滤波器52的IDT电极的最优厚度。因此，第一发射滤波器42的IDT电极34的厚度可以与第二发射滤波器52的IDT电极34的厚度相同。在这种情况下，优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34的共同厚度是IDT电极关于第一发射滤波器42的发射频带的最优厚度与IDT电极关于第二发射滤波器52的发射频带的最优厚度之间的平均值。如图IOB所例示，接收芯片58具有以下结构第一接收滤波器44的IDT电极34和反射电极36以及第二接收滤波器54的IDT电极34和反射电极36被设置在由LT、LN等构成的单个压电基板32上。反射电极36沿声波的传播方向设置在IDT电极34的两侧。IDT电极34和反射电极36具有Al-l%Cu等的单层结构。在IDT电极34和反射电极36中，Al-l%Cu具有372. 5nm的厚度。因此，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34被设置在单个压电基板32上，由相同的材料构成，具有相同层数，并且具有相同的厚度。第一接收滤波器44的接收频带(869MHz至894MHz)接近第二接收滤波器54的接收频带(925MHz至960MHz)。第一接收滤波器44的IDT电极34的最优厚度接近第二接收滤波器54的IDT电极34的最优厚度。因此，第一接收滤波器44的IDT电极34的厚度可以与第二接收滤波器54的IDT电极34的厚度相同。在这种情况下，优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34的共同厚度是IDT电极关于第一接收滤波器44的接收频带的最优厚度与IDT电极关于第二接收滤波器54的接收频带的最优厚度之间的平均值。接着，将给出对制造发射芯片48的方法的描述。可以通过与发射芯片48相同的方法来制造接收芯片58。因此，省略制造接收芯片58的方法。图IlA至图IlC例示制造发射芯片48的第一方法的示意性截面图。如图IlA所例示，Ti膜60和Al-l%Cu膜62通过溅射法等按照此顺序形成在压电基板32上。如图IlB所例示，抗蚀剂64形成在Al_l%Cu膜62上并且被形成为图案。在这种情况下，抗蚀剂64被形成为图案，以使得要作为第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36的区域被保护。如图IlC所例示，Ti膜60和Al_l%Cu膜62经过利用抗蚀剂64作为掩模的蚀刻工序。因而，由相同的材料构成、具有相同层数并且具有相同的厚度的第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36和第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36彼此一起形成在单个压电基板32上。图12A至图12C例示制造发射芯片48的第二方法的示意性截面图。如图12A所例示，将抗蚀剂64形成在压电基板32上并且形成为图案。在这种情况下，抗蚀剂64被形成为图案，以使得压电基板32的要形成第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36和第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36的区域被暴露。如图12B所例示，Ti膜60和Al_l%Cu膜62按照此顺序通过化学气相沉积法等形成在压电基板32和抗蚀剂64上。如图12C所例示，通过剥离法去除抗蚀剂64和抗蚀剂64上的Ti膜60和Al-l%Cu膜62。因而，由相同的材料构成、具有相同层数并且具有相同的厚度的第一发射滤波器42的IDT电极34和反射电极36以及第二发射滤波器52的IDT电极34和反射电极36彼此一起形成在单个压电基板32上。如图9所例不，印刷基板24和基板28具有内部互连线38。从而，发射芯片48和接收芯片58经过凸块26电连接到内部互连线38。电连接到内部互连线38并且要连接到外部电路的连接端子39被设置在印刷基板24的背面。当发射信号从外部电路输入到连接端子39时，该发射信号经过内部互连线38传送到发射芯片48。当接收信号从接收芯片58输出时，该接收信号经过内部互连线38传送到连接端子39。如上所述，如图8所例示，根据第一实施方式的通信模块14具有发射频带彼此不同并且彼此不交叠、接收频带彼此不同并且彼此不交叠的两个双工器(第一双工器40和第二双工器50)。如图IOA所例示，第一双工器40的第一发射滤波器42和第二双工器50的第二发射滤波器52的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。如图IOB所例示，第一双工器40的第一接收滤波器44和第二双工器50的第二接收滤波器54的IDT电极34由相同的材料构成并且在单个压电基板32上具有相同的厚度。在第一实施方式中，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52被设置在单个芯片中并且用作发射芯片48，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54被设置在单个芯片中并且充当接收芯片58。在这种情况下，相比第一比较示例，可以简化安装工艺。如参照图IlA至图IlC以及图12A至图12C所述，发射芯片48和接收芯片58的制造工序的数量比参照图6A至图7C所述的第一发射-接收芯片226的制造工序的数量更少。这就导致减少了安装成本和制造成本。发射滤波器的IDT电极的材料、层数和厚度等可以与接收滤波器的IDT电极的材料、层数和厚度等不同，因为第一发射滤波器42和第二发射滤波器52被设置在单个芯片中，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54被设置在单个芯片中。也就是说，发射滤波器的IDT电极可以具有Ti和Al-l%Cu的两层结构，以实现高电力耐受性；接收滤波器的IDT电极可以具有Al-l%Cu的单层结构，以实现低电阻。因此，可以实现发射滤波器的高电力耐受性和接收滤波器的低传输损耗。如上所述，根据第一实施方式，可以在不增加成本的情况下提供包括具有高电力耐受性和低传输损耗的天线双工器的通信模块。当第一发射滤波器42和第二发射滤波器52用作发射芯片48，并且第一接收滤波器44和第二接收滤波器54用作接收芯片58时，可以彼此独立地定位发射滤波器和接收滤波器。因而，可以改进发射滤波器与接收滤波器之间的隔离特性。在第一实施方式中，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34是具有Ti和Al-l%Cu的两层结构的电极，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34是具有Al-l%Cu的单层结构的电极。然而，结构不限于此。优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34是材料、层数和厚度满足发射滤波器要求的特性的电极。优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34是材料、层数和厚度满足接收滤波器要求的特性的电极。具体地说，要求发射滤波器具有高电力耐受性。相比于发射滤波器，接收滤波器不要求高电力耐受性。然而，要求接收滤波器具有低电阻，以实现低传输损耗。因此，优选的是，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34具有比第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34更高的电力耐受性。优选的是，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34的电阻比第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34的电阻更低。除了 Ti和Al_l%Cu的两层结构以外，第一发射滤波器42和第二发射滤波器52的IDT电极34可以具有包括由Ti构成的下层和主要由Al构成的上层的其它两层结构。除了 Al-l%Cu的单层结构以外，第一接收滤波器44和第二接收滤波器54的IDT电极34可以具有主要由Al构成的单层结构。在第一实施方式中，第一双工器40是WCDMA系统的频带5的双工器，第二双工器50是WCDMA系统的频带8的双工器。然而，结构不限于此。当发射滤波器的各个发射频带彼此接近时，发射滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并在单个压电基板上具有相同的厚度。当接收滤波器的各个接收频带彼此接近时，接收滤波器的IDT电极可以由相同的材料构成并在单个压电基板上具有相同的厚度。因此优选的是，第一双工器40的发射频带接近第二双工器50的发射频带，第一双工器40的接收频带接近第二双工器50的接收频带。参照WCDMA系统的频率带，在频带I至频带4和频带9中以及在频带5、频带6和频带8中，各个发射频带彼此接近，各个接收频带彼此接近。因此，第一双工器40可以是频带I至频带4和频带9的双工器中的一种,第二双工器50可以是频带I至频带4和频带9的另一种。另选地，第一双工器40可以是频带5、频带6和频带8的双工器中的一种，第二双工器50可以是频带5、频带6和频带8的双工器的另一种。[表I]
权利要求
1.一种通信模块，该通信模块包括 多个双工器， 其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。
2.根据权利要求I所述的通信模块,其中 所述发射滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上；并且 所述接收滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。
3.根据权利要求I或2所述的通信模块，其中，所述发射滤波器的所述IDT电极的电力耐受性高于所述接收滤波器的所述IDT电极的电力耐受性。
4.根据权利要求I或2所述的通信模块，其中，所述接收滤波器的所述IDT电极的电阻小于所述发射滤波器的所述IDT电极的电阻。
5.根据权利要求I或2所述的通信模块，该通信模块还包括具有与所述多个双工器中的所述接收滤波器的接收频带不同的接收频带的另一接收滤波器， 其中，所述另一接收滤波器的IDT电极与所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述接收滤波器的所述IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。
6.根据权利要求I或2所述的通信模块，其中，所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述发射滤波器包括WCDMA系统的频带I和频带2、频带2和频带3、频带2和频带4或者频带5和频带8的发射滤波器。
7.根据权利要求I或2所述的通信模块，其中，所述多个双工器中的所述至少两个双工器的所述接收滤波器包括WCDMA系统的频带I和频带2、频带2和频带3、频带I和频带4或者频带5和频带8的接收滤波器。
全文摘要
本发明提供一种通信模块，该通信模块包括多个双工器，其中，至少所述多个双工器中的具有不同发射频带的至少两个双工器的发射滤波器的IDT电极或者所述多个双工器中的具有不同接收频带的至少两个双工器的接收滤波器的IDT电极由相同的材料构成，具有相同的厚度，并且被设置在单个压电基板上。
文档编号H04B1/40GK102957447SQ20121029890
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月21日 优先权日2011年8月22日
发明者山下高志 申请人:太阳诱电株式会社