专利名称：减少干扰的接收机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种接收机(receiver),尤其涉及可减少干扰(interference)的接收机。
背景技术：
低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)主要是提供接收来自天线的信号所需的增益(gain)与灵敏度(sensitivity)。低噪声放大器属于接收机(receiver)的前端,一个接收机的效能将决定于低噪声放大器的噪声指数。低噪声放大器设计时须注意下列几点稳定度(stability)、噪声指数(noise Figure)、增益(gain),以及输入返回损耗(input return loss)。在传统的GSM(Global System for Mobile Communications)和 CDMA(CodeDivision Multiple Access)双模手机中,低噪声放大器的工作电位是固定值,当大的干扰信号进入低噪声放大器时(例如=GSM信号进入适用于CDMA信号的低噪声放大器)，会造成基带(base band)部分的模拟数字转换器(analog-to-digital converter, ADC)饱和，影响了接收机的效能。
实用新型内容为了克服以上缺点，本实用新型提供一种接收机，可以避免双模手机在GSM模式工作时，CDMA部分的耦合灵敏度急剧下降的问题。本实用新型提供一种接收机，适用于减少干扰，包括天线，用以接收射频信号；射频前端电路，耦接到上述天线；低噪声放大器，经由上述射频前端电路，接收上述射频信号以产生放大信号；一切换器，耦接在上述低噪声放大器和工作电位之间，并根据控制信号决定是否导通；以及处理器，用以产生上述控制信号。
图I是显示根据本实用新型一实施例所述的接收机的示意图；图2是显示根据本实用新型一实施例所述的控制信号的电位对时间关系图；图3A是显示根据本实用新型一实施例所述的接收机的示意图；图3B是显示根据本实用新型另一实施例所述的接收机的示意图；图4是显示根据本实用新型另一实施例所述的接收机的示意图。
具体实施方式
图I是显示根据本实用新型一实施例所述的接收机100的示意图。如图I所示，接收机100包括天线110、射频前端电路120、低噪声放大器130、切换器140，以及处理器150。天线110用以接收射频(radio frequency, RF)信号SR,可以是平面倒F型天线(planarinverted F antenna)、单极天线(monopole antenna)、回路天线(loop antenna)、螺方定天线(helical antenna),或是芯片天线(chip antenna)。射频前端电路120可电性连接到天线110。低噪声放大器130可经由射频前端电路120，接收射频信号SR，并根据射频信号SR产生放大信号SL。值得注意的是，此处的低噪声放大器130可以只适用于CDMA信号。切换器140电性连接在低噪声放大器130和工作电位VDDl (例如3V或I. 8V)之间，并可根据控制信号SC决定是否导通(turn on)。处理器150用以产生控制信号SC。接收机100还包括如混频器(mixer)、本地振荡器(local oscillator)等等常规组件，因为并非本实用新型的重点，故未标示于图上。在本实用新型实施例中，当控制信号SC等于工作电位VDDl时，则切换器140不导通(turn off);而当控制信号SC等于接地电位VSS (例如0V)时，则切换器140导通，其中工作电位VDDl高于接地电位VSS。值得注意的是，本实用新型并不限于此，接收机100也可设计成当控制信号SC等于工作电位VDDl时，则切换器140导通，而当控制信号SC等于接地电位VSS时，则切换器 140不导通。图2是显示根据本实用新型一实施例所述的控制信号SC的电位对时间关系图。如图2所示，控制信号SC为一周期信号，每一周期T包括第一特定时间Pl和第二特定时间P2。在第一特定时间Pl中，控制信号SC等于工作电位VDDl ;而在第二特定时间P2中，控制信号SC等于接地电位VSS。第二特定时间P2为第一特定时间Pl的七倍长。在本实用新型一实施例中，第一特定时间Pl为577μ S，而第二特定时间Ρ2为4039μ S。图3Α是显示根据本实用新型一实施例所述的接收机300的示意图。如图3Α所示，接收机300的切换器为一 PNP双极型晶体管(PNP-type bipolar junction transistor)Ql0 PNP双极型晶体管Ql具有射极、基极，以及集电极，其中射极电性连接到低噪声放大器130，基极经由电阻Rl耦接到处理器150，而集电极电性连接到工作电位VDDl。PNP双极型晶体管Ql的基极还经由电阻Rl接收来自处理器150的控制信号SC，而电阻Rl的电阻值可约为IOkQ。在一些实施例中，电阻Rl可设计为其它数值，例如20k Ω、30k Ω或IOOkQ等
坐寸ο图3B示出根据本实用新型另一实施例所述的接收机350的示意图。如图3B所不，接收机 350 的切换器为一 PMOS 晶体管(P-channel Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor)Ml。PMOS晶体管Ml具有漏极、栅极，以及源极，其中漏极电性连接到低噪声放大器130，栅极经由电阻Rl耦接到处理器150，而源极电性连接到工作电位VDDl。PMOS晶体管Ml的栅极还经由电阻Rl接收来自处理器150的控制信号SC，而电阻Rl的电阻值可以约为IOkQ。在一些实施例中，电阻Rl可设计为其它数值，例如20kQ、30kQ或IOOkQ等等。图4示出根据本实用新型另一实施例所述的接收机400的示意图。如图4所示，接收机400包括天线110、射频前端电路420、低噪声放大器130、切换器(即PNP双极型晶体管Ql)，以及处理器150。射频前端电路420可以包括电容Cl、C2、C3、电阻R2、R3、R4、R5、R6、电感LI、NPN双极型晶体管(NPN-type bipolar junction transistor)Q2、射频切换器(RF switch) 122，以及双工器(duplexer) 124。电容Cl是电性连接在节点NI和接地电位VSS之间；电容C2是电性连接在节点NI和节点N2之间；而电容C3是电性连接在节点N2和接地电位VSS之间，其中节点NI电性连接到天线110，而节点N2电性连接到射频切换器122。电阻R2是电性连接在节点N2和节点N3之间；电阻R3是电性连接在节点N3和另一个工作电位VDD2 (例如3V或I. 8V)之间；电阻R4是电性连接在节点N3和NPN双极型晶体管Q2的基极之间；电阻R5是电性连接在工作电位VDD2和NPN双极型晶体管Q2的集电极之间；而电阻R6是电性连接在PNP双极型晶体管Ql的基极和NPN双极型晶体管Q2的集电极之间。电感LI是电性连接在节点N4和接地电位VSS之间，其中节点N4电性连接到射频切换器122和双工器124。双工器124还电性连接到低噪声放大器130。当接收机400在手机通话模式中，射频切换器122导通，而当接收机400进行测试或维修的时候，射频切换器122不导通。双工器124还可用以接收其它信号，因为并非本实用新型的重点，故未标示于图上。其余组件例如处理器150、低噪声放大器130，以及PNP双极型晶体管Ql和图I、图3A、图3B相似，在此不再重复说明。在本实用新型实施例中，各组件的设定值可以如表一所示。
组件名称设定值
~电容ClDNP (虚位，可插入需要组件)
~电容 C2IOOpF
电容C3DNP (虚位，可插入需要组件)
~电阻 RlIOkQ
~电阻 R2IOkQ
~电阻 R3IOOkQ
~电阻 R4IOkQ
~电阻 R5IOOkQ
~电阻 R6IOkQ
~电感 LI7. 5nH表一接收机400的各组件设定值表一所示的各组件的设定值并非用以限制本实用新型。熟知本技术领域人士可根据设计需求调整各组件的设定值。本实用新型的接收机提供一切换器电性连接在适用于CDMA信号的低噪声放大器和工作电位之间，切换器根据来自处理器的控制信号决定是否导通，这样的设计可以在大的干扰信号(例如GSM干扰信号)进入时关掉低噪声放大器,解决了双模手机在GSM模式工作时，CDMA部分的耦合灵敏度急剧下降的问题。[0028]本实用新型虽以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本实用新型的范围，本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当 视所附权利要求书所界定者为准。
权利要求1.一种接收机，适用于减少干扰，其特征在于，包括 天线，用以接收射频信号； 射频前端电路，耦接到所述天线； 低噪声放大器，经由所述射频前端电路，接收所述射频信号以产生放大信号； 切换器，耦接在所述低噪声放大器和工作电位之间，并根据控制信号决定是否导通；以及 处理器，用以产生所述控制信号。
2.根据权利要求I所述的接收机，其特征在于，当所述控制信号等于所述工作电位时，则所述切换器不导通，而当所述控制信号等于第一电位时，则所述切换器导通，其中所述工 作电位高于所述第一电位。
3.根据权利要求I所述的接收机，其特征在于，所述控制信号为一周期信号，每一周期包括第一特定时间和第二特定时间，在所述第一特定时间中，所述控制信号等于所述工作电位，而在所述第二特定时间中，所述控制信号等于第一电位。
4.根据权利要求3所述的接收机，其特征在于，所述第二特定时间比所述第一特定时间长。
5.根据权利要求I所述的接收机，其特征在于，所述切换器为一PNP双极型晶体管，具有耦接到所述低噪声放大器的射极，耦接到所述处理器的基极，以及耦接到所述工作电位的集电极。
6.根据权利要求5所述的接收机，其特征在于，所述基极还经由电阻接收所述控制信号
7.根据权利要求6所述的接收机，其特征在于，所述电阻器的电阻值为10kQ、20kQ、30k Ω 或 IOOkQ。
8.根据权利要求I所述的接收机，其特征在于，所述切换器为PMOS晶体管，具有耦接到所述低噪声放大器的漏极，耦接到所述处理器的栅极，以及耦接到所述工作电位的源极。
9.根据权利要求8所述的接收机，其特征在于，所述栅极还经由电阻接收所述控制信号。
10.根据权利要求9所述的接收机，其特征在于，所述电阻的电阻值为10kQ、20kQ、30k Ω 或 IOOkQ。
专利摘要一种减少干扰的接收机包括天线、射频前端电路、低噪声放大器、切换器，以及处理器。天线用以接收射频信号。射频前端电路耦接到天线。低噪声放大器经由射频前端电路，接收射频信号以产生放大信号。切换器耦接在低噪声放大器和工作电位之间，并根据控制信号决定是否导通。处理器用以产生控制信号。
文档编号H04B1/10GK202488438SQ20122007519
公开日2012年10月10日 申请日期2012年3月2日 优先权日2012年3月2日
发明者江玮 申请人:美商威睿电通公司