远程大功率调频发射器的制造方法
远程大功率调频发射器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种远程大功率调频发射器，其特征包括：12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路。本实用新型使用NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率,将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。试验证明：本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
【专利说明】远程大功率调频发射器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子技术与无线通讯【技术领域】，涉及一种远程大功率调频发射器。
【背景技术】
[0002]大多数调频发射器电路由于没有功率放大级，输出功率很低，有效发射距离一般只有IOOm左右。本实用新型使用NPN型晶体管,利用变容二极管调节闻频振荡电路的振荡频率，将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。
[0003]试验证明:本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50 Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
[0004]以下详细说明本实用新型所述的远程大功率调频发射器在实施过程中所涉及的有关技术内容。
实用新型内容
[0005]发明目的及有益效果:本实用新型使用NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率，将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。
[0006]试验证明:本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50 Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
[0007]电路工作原理:本实用新型所述的远程大功率调频发射器由驻极体话筒MIC将声音信号转变为音频电流，将NPN型晶体管VTl设计成高频振荡器(VHF波段)，高频振荡电路内用变容二极管Dl来调节调频无线话筒的频率，并且利用音频信号对振荡电路中的变容二极管Dl进行调频。由NPN型晶体管VT1、闻频振荡线圈LI组成闻频振荡电路，闻频振荡电路输出功率约为50mW。由次级线圈LI将信号送到NPN型晶体管VT2 (2N3866)构成的VHF甲类功放级，将振荡信号输出功率放大4~5倍。因此，在NPN型晶体管VT2的集电极可得到≥300mff的射频功率。
[0008]技术特征:远程大功率调频发射器，它包括12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路，其特征在于:
[0009]拾音电路:它由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容Cl和电阻R2组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻Rl的一端和耦合电容Cl的一端，耦合电容Cl的另一端通过电阻R2接变容二极管Dl的负极，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻Rl的另一端接电路正极VCC ；[0010]振荡频率调节电路:它由线性电位器RP和变容二极管Dl组成，线性电位器RP的一端接电路正极VCC，线性电位器RP的活动端接变容二极管Dl的负极，线性电位器RP的另一端和变容二极管Dl的正极接电路地GND ；
[0011]晶体管偏置电路:它由NPN型晶体管VT1、电阻R3、电容C2和电阻R4组成，NPN型晶体管VTl的基极接电阻R3的一端、电容C2的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R4的另一端接电路地GND ；
[0012]高频振荡电路:它由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1、负反馈电容C4、负反馈电阻R5组成，NPN型晶体管VTl的集电极接电容C3的一端和负反馈电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，负反馈电容C4的另一端接NPN型晶体管VTl的发射极和负反馈电阻R5的一端，负反馈电阻R5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VTl的集电极通过高频振荡线圈LI接电路正极VCC ；
[0013]甲类功放及发射电路:它由高频振荡线圈次级L2、NPN型晶体管VT2、高频发射线圈L3、电位器RP2和电容C5、耦合电容C6及发射天线ATX组成，NPN型晶体管VT2的基极通过高频振荡线圈次级L2接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极接电位器RP2的一端及其活动端和电容C5的一端，电位器RP2的另一端和电容C5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT2的集电极通过高频发射线圈L3接电路正极VCC，耦合电容C6的一端接NPN型晶体管VT2的集电极，耦合电容C6的另一端接发射天线ATX ；
[0014]12V直流电源正极与电路正极VCC相连，12V直流电源负极与电路地GND相连。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]附图1是本实用新型提供的远程大功率调频发射器一个实施例电路工作原理图。【具体实施方式】
[0016]按照附图1所示的远程大功率调频发射器电路工作原理图和【专利附图】
【附图说明】，并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本实用新型，以下结合实施例对本实用新型的相关技术作进一步的描述。
[0017]元器件的选择及其技术参数
【权利要求】
1.一种远程大功率调频发射器，它包括12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路，其特征在于: 所述的拾音电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容Cl和电阻R2组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻Rl的一端和耦合电容Cl的一端，耦合电容Cl的另一端通过电阻R2接变容二极管Dl的负极，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻Rl的另一端接电路正极VCC ； 所述的振荡频率调节电路由线性电位器RP和变容二极管Dl组成，线性电位器RP的一端接电路正极VCC，线性电位器RP的活动端接变容二极管Dl的负极，线性电位器RP的另一端和变容二极管Dl的正极接电路地GND ； 所述的晶体管偏置电路由NPN型晶体管VT1、电阻R3、电容C2和电阻R4组成，NPN型晶体管VTl的基极接电阻R3的一端、电容C2的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R4的另一端接电路地GND ； 所述的高频振荡电路由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1、负反馈电容C4、负反馈电阻R5组成，NPN型晶体管VTl的集电极接电容C3的一端和负反馈电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，负反馈电容C4的另一端接NPN型晶体管VTl的发射极和负反馈电阻R5的一端，负反馈电阻R5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VTl的集电极通过高频振荡线圈LI接电路正极VCC ； 所述的甲类功放及发射电路由高频振荡线圈次级L2、NPN型晶体管VT2、高频发射线圈L3、电位器RP2和电容C5、耦合电容C6及发射天线ATX组成，NPN型晶体管VT2的基极通过高频振荡线圈次级L2接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极接电位器RP2的一端及其活动端和电容C5的一端，电位器RP2的另一端和电容C5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT2的集电极通过高频发射线圈L3接电路正极VCC，耦合电容C6的一端接NPN型晶体管VT2的集电极，耦合电容C6的另一端接发射天线ATX ； 所述的12V直流电源的正极与电路正极VCC相连，12V直流电源的负极与电路地GND相连。
【文档编号】H04B1/04GK203416244SQ201320373446
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】周芸 申请人:周芸
【专利摘要】本实用新型提供了一种远程大功率调频发射器，其特征包括：12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路。本实用新型使用NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率,将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。试验证明：本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
【专利说明】远程大功率调频发射器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电子技术与无线通讯【技术领域】，涉及一种远程大功率调频发射器。
【背景技术】
[0002]大多数调频发射器电路由于没有功率放大级，输出功率很低，有效发射距离一般只有IOOm左右。本实用新型使用NPN型晶体管,利用变容二极管调节闻频振荡电路的振荡频率，将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。
[0003]试验证明:本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50 Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
[0004]以下详细说明本实用新型所述的远程大功率调频发射器在实施过程中所涉及的有关技术内容。
实用新型内容
[0005]发明目的及有益效果:本实用新型使用NPN型晶体管，利用变容二极管调节高频振荡电路的振荡频率，将声音信号调制成为调频波。因前级电路只使用一只NPN型晶体管，电路受到的牵扯和干扰少，使得高频振荡电路的频率比较稳定，适合用于课堂教学、文体娱乐等。
[0006]试验证明:本实用新型使用普通分立元件制作的远程大功率调频发射器，实现了调频无线话筒电路结构简单，制作容易、高频振荡频率稳定、耗电少等目的，远程大功率调频发射器配合使用50 Ω同轴电缆和八木天线，有效发射距离可达2000m。
[0007]电路工作原理:本实用新型所述的远程大功率调频发射器由驻极体话筒MIC将声音信号转变为音频电流，将NPN型晶体管VTl设计成高频振荡器(VHF波段)，高频振荡电路内用变容二极管Dl来调节调频无线话筒的频率，并且利用音频信号对振荡电路中的变容二极管Dl进行调频。由NPN型晶体管VT1、闻频振荡线圈LI组成闻频振荡电路，闻频振荡电路输出功率约为50mW。由次级线圈LI将信号送到NPN型晶体管VT2 (2N3866)构成的VHF甲类功放级，将振荡信号输出功率放大4~5倍。因此，在NPN型晶体管VT2的集电极可得到≥300mff的射频功率。
[0008]技术特征:远程大功率调频发射器，它包括12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路，其特征在于:
[0009]拾音电路:它由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容Cl和电阻R2组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻Rl的一端和耦合电容Cl的一端，耦合电容Cl的另一端通过电阻R2接变容二极管Dl的负极，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻Rl的另一端接电路正极VCC ；[0010]振荡频率调节电路:它由线性电位器RP和变容二极管Dl组成，线性电位器RP的一端接电路正极VCC，线性电位器RP的活动端接变容二极管Dl的负极，线性电位器RP的另一端和变容二极管Dl的正极接电路地GND ；
[0011]晶体管偏置电路:它由NPN型晶体管VT1、电阻R3、电容C2和电阻R4组成，NPN型晶体管VTl的基极接电阻R3的一端、电容C2的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R4的另一端接电路地GND ；
[0012]高频振荡电路:它由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1、负反馈电容C4、负反馈电阻R5组成，NPN型晶体管VTl的集电极接电容C3的一端和负反馈电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，负反馈电容C4的另一端接NPN型晶体管VTl的发射极和负反馈电阻R5的一端，负反馈电阻R5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VTl的集电极通过高频振荡线圈LI接电路正极VCC ；
[0013]甲类功放及发射电路:它由高频振荡线圈次级L2、NPN型晶体管VT2、高频发射线圈L3、电位器RP2和电容C5、耦合电容C6及发射天线ATX组成，NPN型晶体管VT2的基极通过高频振荡线圈次级L2接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极接电位器RP2的一端及其活动端和电容C5的一端，电位器RP2的另一端和电容C5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT2的集电极通过高频发射线圈L3接电路正极VCC，耦合电容C6的一端接NPN型晶体管VT2的集电极，耦合电容C6的另一端接发射天线ATX ；
[0014]12V直流电源正极与电路正极VCC相连，12V直流电源负极与电路地GND相连。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]附图1是本实用新型提供的远程大功率调频发射器一个实施例电路工作原理图。【具体实施方式】
[0016]按照附图1所示的远程大功率调频发射器电路工作原理图和【专利附图】
【附图说明】，并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本实用新型，以下结合实施例对本实用新型的相关技术作进一步的描述。
[0017]元器件的选择及其技术参数
【权利要求】
1.一种远程大功率调频发射器，它包括12V直流电源、拾音电路、振荡频率调节电路、晶体管偏置电路、高频振荡电路、甲类功放及发射电路，其特征在于: 所述的拾音电路由驻极体话筒MIC、电阻R1、耦合电容Cl和电阻R2组成，驻极体话筒MIC的输出端D接电阻Rl的一端和耦合电容Cl的一端，耦合电容Cl的另一端通过电阻R2接变容二极管Dl的负极，驻极体话筒MIC的金属外壳端S与电路地GND相连，电阻Rl的另一端接电路正极VCC ； 所述的振荡频率调节电路由线性电位器RP和变容二极管Dl组成，线性电位器RP的一端接电路正极VCC，线性电位器RP的活动端接变容二极管Dl的负极，线性电位器RP的另一端和变容二极管Dl的正极接电路地GND ； 所述的晶体管偏置电路由NPN型晶体管VT1、电阻R3、电容C2和电阻R4组成，NPN型晶体管VTl的基极接电阻R3的一端、电容C2的一端和电阻R4的一端，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电容C2的另一端和电阻R4的另一端接电路地GND ； 所述的高频振荡电路由NPN型晶体管VT1、电容C3、高频振荡线圈L1、负反馈电容C4、负反馈电阻R5组成，NPN型晶体管VTl的集电极接电容C3的一端和负反馈电容C4的一端，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，负反馈电容C4的另一端接NPN型晶体管VTl的发射极和负反馈电阻R5的一端，负反馈电阻R5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VTl的集电极通过高频振荡线圈LI接电路正极VCC ； 所述的甲类功放及发射电路由高频振荡线圈次级L2、NPN型晶体管VT2、高频发射线圈L3、电位器RP2和电容C5、耦合电容C6及发射天线ATX组成，NPN型晶体管VT2的基极通过高频振荡线圈次级L2接电路地GND，NPN型晶体管VT2的发射极接电位器RP2的一端及其活动端和电容C5的一端，电位器RP2的另一端和电容C5的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT2的集电极通过高频发射线圈L3接电路正极VCC，耦合电容C6的一端接NPN型晶体管VT2的集电极，耦合电容C6的另一端接发射天线ATX ； 所述的12V直流电源的正极与电路正极VCC相连，12V直流电源的负极与电路地GND相连。
【文档编号】H04B1/04GK203416244SQ201320373446
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】周芸 申请人:周芸
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