发声装置的振膜结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种发声装置的振膜结构，其包括：一薄膜层、一第一电路薄膜层，透过一第一电解接合层固定于薄膜层的第一侧；一第二电路薄膜层，透过一第二电解接合层固定于薄膜层的第二侧；多个穿孔，穿透第一电路薄膜层、薄膜层及第二电路薄膜层；以及多个导电层，设置在各个所述穿孔的一内周壁上，以与该第一电路薄膜层以及该第二电路薄膜层相接触。本实用新型的振膜结构藉由电解接合的方式代替传统的背胶将电路薄膜层固定于薄膜层的两侧，藉此使振膜结构的厚度大幅下降。
【专利说明】发声装置的振膜结构
【技术领域】
[0001]本实用新型关于一种振膜结构，特别关于利用电解接合将金属线圈固定于振膜的薄膜上，藉此大幅降低发声装置单体的厚度的振膜结构。
【背景技术】
[0002]根据结构以及发声的原理不同，发声装置的种类可以分为动圈式喇叭、压电喇叭、陶瓷压电喇叭以及纸喇叭等许多种类，其中，最常见即为传统的动圈式喇叭。动圈式喇叭的结构，主要是将一漆包线圈缠绕于圆型管柱的外周围后构成一音圈后，再将音圈的一端胶合于一振膜的一侧后置放于磁铁的一侧，以形成动圈式喇叭的单体。在利用此种单体发声时，使对应的音频电流通过漆包线圈，使得线圈的磁场透过电磁感应发生变化而带动振膜振动，藉此振动空气而发声。动圈式喇叭单体具有中低频的音效佳的优点，然而，由于其体积较大，动圈式喇叭并不适用于小体积的装置之中，此外，由于动圈式喇叭的单体厚度较后，其高频的性能也较差。
[0003]在现有的一些单体结构中，音圈大都是以背胶的方式固定在薄膜上。由于目前业界中可用的背胶都具有一定的厚度，因此，此种固定方式会使得单体整体的厚度变得较厚，进而导致如耳机等发声装置的单体以及耳机整体的尺寸无法变小；此外，当需要增加发声装置的灵敏度时，一般来说会透过增加线圈的数量来增加单体的磁通量密度，然而，由于传统使用背胶的固定方式会使得线圈数量增加后的单体厚度变得过厚，因而对发声装置及耳机的设计造成了限制。
实用新型内容
[0004]基于上述理由，本实用新型的目的在于提供一种振膜结构，其利用电解接合代替背胶的方式将金属线圈固定于薄膜上以构成发声装置的振膜，藉此大幅降低振膜的厚度。
[0005]本实用新型的另一目的在于提供一种振膜结构，其利用电解接合方式将多个金属线圈与多个薄膜交替迭加固定，使得振膜结构在厚度不变的条件下可以具有更大的磁通量。
[0006]为达成前述目的，本实用新型提供一种振膜结构，其包括:一薄膜层、一第一电路薄膜层、一第二电路薄膜层以及至少一导电结构。所述薄膜层具有一第一侧以及一第二侧。所述第一电路薄膜层透过一第一电解接合层固定于薄膜层的第一侧，且其一端具有一第一接触端子。所述第二电路薄膜层透过一第二电解接合层固定于薄膜层的第二侧，且其一端具有一第二接触端子。所述至少一导电结构穿透薄膜层连接第一电路薄膜层以及第二电路薄膜层。
[0007]根据本发明的一实施例，所述导电结构包括一穿孔以及一导电层。所述穿孔自第一电路薄膜层的一外表面穿过薄膜层穿透至第二电路薄膜层的一外表面。所述导电层设置在穿孔的一内周壁上，且导电层同时与第一电路薄膜层以及第二电路薄膜层相接触。
[0008]此外，本实用新型提供另一种振膜结构，其包括:一薄膜层、一第一电路薄膜层、至少一迭合层、一第二电路薄膜层以及多个导电结构。所述薄膜层具有一第一侧以及一第二侦U。所述第一电路薄膜层透过一第一电解接合层固定于薄膜层的第一侧，且其一端具有一第一接触端子。所述至少一迭合层的每一者包括:一第三电路薄膜层以及一迭合薄膜层。所述迭合薄膜层透过一迭合电解接合层固定于第三电路薄膜层；其中，该至少一迭合层中最外侧的第三电路薄膜层透过一第三电解接合层固定于薄膜层的第二侧。所述第二电路薄膜层透过一第二电解接合层固定于至少一迭合层中最外侧的迭合薄膜层，且其一端具有一第二接触端子。其中，在第一电路薄膜层、第二电路薄膜层以及至少一第三电路薄膜层中每两个相邻的电路薄膜层透过至少一导电结构相连接。
[0009]根据本实用新型的一实施例，所述导电结构的每一者包括一穿孔以及一导电层。所述穿孔自该两个相邻的电路薄膜层中的前一者穿过两个相邻的电路薄膜层之间的该迭合薄膜层或该薄膜层穿透至两个相邻的电路薄膜层中的后一者。所述导电层设置在穿孔的一内周壁上，且导电层与该两个相邻的电路薄膜层相接触。
[0010]根据本实用新型的一实施例，所述振膜结构进一步包括多个覆盖部分，所述覆盖部分在第一电路薄膜层的外表面以及第二电路薄膜层的外表面上围绕各个所述穿孔设置，且所述覆盖部分分别与所述穿孔中的各个导电层相接触。
[0011]根据本实用新型的一实施例，所述振膜结构包括多个迭合层，且每两个迭合层之间透过迭合电解接合层相互固定。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为显示根据本实用新型第一实施例的振膜结构的立体分解图；
[0013]图2为显示根据本实用新型第一实施例的振膜结构的侧视剖面图；
[0014]图3为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的立体分解图；
[0015]图4为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的侧视剖面图；
[0016]图5为显示根据本实用新型第三实施例的振膜结构的立体分解图。
[0017]其中，附图标记说明如下:
[0018]11薄膜层
[0019]111 第一侧
[0020]112 第二侧
[0021]12迭合薄膜层
[0022]21第一电路薄膜层
[0023]211第一接触端子
[0024]22第二电路薄膜层
[0025]221第二接触端子
[0026]23迭合层
[0027]3 第三电路薄膜层
[0028]41第一电解接合层
[0029]42第二电解接合层
[0030]43第三电解接合层
[0031]44迭合电解接合层
[0032]5、5a、5b 穿孔
[0033]51 导电层
[0034]52覆盖部分
[0035]110、210、220、30a、30b 孔洞
【具体实施方式】
[0036]以下配合图式及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
[0037]图1为显示根据本实用新型第一实施例的振膜结构的立体分解图；图2为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的侧视剖面图。如图1以及图2所示，根据本实用新型第一实施例所提供的振膜结构，主要包括了一薄膜层11、一第一电路薄膜层21、一第二电路薄膜层22以及一导电结构。
[0038]所述薄膜层11具有一第一侧111以及一第二侧112。在本实用新型中，采用无胶铜作为所述的第一电路薄膜层21以及第二电路薄膜层22，且透过电解接合的方式将第一电路薄膜层21以及第二电路薄膜层22分别固定于薄膜层11的两侧，以形成例如耳机等发声装置的振膜。如图2所示，第一电路薄膜层21与第二电路薄膜层22分别具有一第一接触端子211以及一第二接触端子221，第一电路薄膜层21藉由电解接合的方式透过第一电解接合层41固定于薄膜层11的第一侧111，而第二电路薄膜层22藉由电解接合的方式透过第二电解接合层42固定于薄膜层11的第二侧112。在此值得一提的是，为了方便辨识，各个电解接合层的厚度并未依照实际的比例绘示，实际的电解接合层的厚度比图中所示的比例更薄。此外电路薄膜层的材质不限于无胶铜，任何其他可导电并且可透过电解接合的方式固定于薄膜层上的材质皆为合适的材质。
[0039]薄膜层11、第一电路薄膜层21以及第二电路薄膜层22上分别形成有相对应的多个孔洞110、210、220，使得第一电路薄膜层21及第二电路薄膜层22固定于薄膜层11的两侧时会形成穿透振膜的穿孔5。如图1所示，由于薄膜层11、第一电路薄膜层21以及第二电路薄膜层22上分别形成有四个孔洞，因此，本实用新型中的振膜总共具有四个穿孔5。由于在发声时，需透过电流将第一电路薄膜层21及第二电路薄膜层22导电，藉此使得其磁场发生变化并带动薄膜层11振动空气发声，因此，所述穿孔5的内周壁上分别以选镀的方式镀有一层导电层51，以将第一电路薄膜层21及第二电路薄膜层22彼此电性连接。如图2所示，在第一电路薄膜层21的外表面以及第二电路薄膜层22的外表面上每个穿孔5的周缘皆形成有一覆盖部分52，且所述覆盖部分52皆与各个导电层51相接触，以进一步确保第一电路薄膜层21及第二电路薄膜层22之间的电性连接。
[0040]本实用新型第一实施例中所提供的振膜结构，利用电解接合的方式将无胶铜构成的第一电路薄膜层21及第二电路薄膜层22固定于薄膜层11的两侧，并且利用选镀的方式在穿孔5中形成导电层51，藉此使得振膜结构整体的厚度得以大幅变薄；更准确地来说，相较于现有用背胶方式将金属线圈固定于薄膜上的振膜，本实用新型所提供的振膜结构可以将振膜的厚度从8.75 μ m降到4 μπι。如此一来，可以使得发声装置的单体以及发声装置本身的尺存大幅缩小，也因此，本实用新型所提供的振膜结构非常适合应用于如耳机等小尺寸的发声装置中。
[0041]耳机的磁通量对耳机的灵敏度有很大的影响，具有较高磁通量的耳机，可以透过较小的功率发出较大的声音。在不增加耳机振膜的平面面积的条件下，一般来说透过迭加金属线圈数量的方式来增加振膜的磁通量，若采用现有背胶的固定方式，会导致振膜整体的厚度过厚；因此，本实用新型的第二及第三实施例便针对上述问题提出另一种振膜结构。
[0042]图3为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的立体分解图，而图4为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的侧视剖面图。如图3及图4所示，根据本实用新型第二实施例的振膜结构与第一实施例中的振膜结构类似，同样包括了一薄膜层11、一第一电路薄膜层21以及一第二电路薄膜层22，两者的差异处主要在于，第二实施例中的振膜结构进一步设置了一迭合层23。
[0043]与第一实施例类似，第二实施例中的薄膜层11具有一第一侧111以及一第二侧112，所述的第一电路薄膜层21以及第二电路薄膜层22分别具有一第一接触端子211及第二接触端子221且同样由无胶铜所构成，第一电路薄膜层21由电解接合的方式透过第一电解接合层41被固定在薄膜层11的第一侧111。第二实施例中的迭合层23，由一第三电路薄膜层3以及一迭合薄膜层12所构成，且第三电路薄膜层3由电解接合的方式透过迭合电解接合层44固定于迭合薄膜层12上。迭合层23的第三电路薄膜层3由电解接合的方式透过第三电解接合层43固定于薄膜层11的第二侧112，而第二电路薄膜层22则是由电解接合的方式透过第二电解接合层42固定于迭合层23迭合薄膜层12，如图4所示。
[0044]在本实用新型所提供的振膜结构中，每两个相邻的电路薄膜层透过至少一导电结构相连接。更详而言，如图3所示，第一电路薄膜层21、薄膜层11及第三电路薄膜层3上分别设置有相对应的孔洞210、110及30a，而第三电路薄膜层3、迭合薄膜层12及第二电路薄膜层22上分别设置有相对应的孔洞30b、120及220。当振膜结构透过上述的方式固定之后，孔洞210、110及30a会形成穿孔5a，孔洞30b、120及220会形成穿孔5b，且所述穿孔5a及所述穿孔5b中皆以选镀的方式镀有一层导电层51，如图4所示。穿孔5a中的导电层51将第一电路薄膜层21与第三电路薄膜层3电性连接，而穿孔5b中的导电层51将第三电路薄膜层3与第二电路薄膜层22电性连接，藉此在第一接触端子211及第二接触端子221之间形成一电路。
[0045]此外，与第一实施例中类似，在第一电路薄膜层21的外表面上的每个穿孔5a的周缘以及第二电路薄膜层22的外表面上的每个穿孔5b的周缘皆形成有一覆盖部分52，且所述覆盖部分52皆与各个导电层51相接触，以进一步确保第一接触端子211与第二接触端子221之间的电性连接。
[0046]透过第二实施例所提供的振膜结构，可以在不会大幅增加振膜整体厚度的情形下迭加金属线圈以增加振膜的磁通量，藉此维持耳机单体以及耳机的小尺寸并提高耳机的灵敏度，提供设计者在设计耳机时更多的选择。
[0047]本实用新型所提供的振膜结构，其迭合层23的数量并不限于第二实施例中的单一一层。图5为显示根据本实用新型第三实施例的振膜结构的立体分解图，如图5所示，第三实施例中的振膜结构与第二实施例中的振膜结构几乎相同，两者之间的差异仅在于迭合层23的数量。
[0048]在第三实施例中，振膜结构具有N个迭合层23，且每两个相邻的迭合层23之间，由电解接合的方式透过迭合电解接合层44将相邻的第三电路薄膜层3以及迭合薄膜层12相互固定(未显示于图5中)。此外，相迭的N个迭合层23中，最外侧的第三电路薄膜层3由电解接合的方式透过迭合电解接合层44固定于薄膜层11的第二侧112，而最外侧的迭合薄膜层12由电解接合的方式透过第二电解接合层42固定于第二电路薄膜层22。在第三实施例的振膜结构的第一电路薄膜层21、第二电路薄膜层22及所有的第三电路薄膜层3之中，每两个相邻的电路薄膜层中的前一者透过导电结构穿过两个相邻的电路薄膜层之间的迭合薄膜层或薄膜层连接至两个相邻的电路薄膜层中的后一者。透过上述的配置，设计人员可以根据耳机对于磁通量的需求调整迭合层的数量23。
[0049]由以上实施例可知，本实用新型所提供的振膜结构确具产业上的利用价值，以上的叙述仅为本实用新型的较佳实施例说明，熟悉本领域的技术人员可依据上述的说明而作其它种种的改良，这些改变仍属于本实用新型的精神及以下所界定的专利范围中。
【权利要求】
1.一种发声装置的振膜结构，其特征在于，包括: 一薄膜层，具有一第一侧以及一第二侧； 一第一电路薄膜层，透过一第一电解接合层固定于该薄膜层的该第一侧，且其一端具有一第一接触端子； 一第二电路薄膜层，透过一第二电解接合层固定于该薄膜层的该第二侧，且其一端具有一第二接触端子；以及 至少一导电结构，穿透该薄膜层连接该第一电路薄膜层以及该第二电路薄膜层。
2.根据权利要求1所述的振膜结构，其特征在于，该至少一导电结构包括: 一穿孔，自该第一电路薄膜层的一外表面穿过该薄膜层穿透至该第二电路薄膜层的一外表面；以及 一导电层，设置在该穿孔的一内周壁上，该导电层同时与该第一电路薄膜层以及该第二电路薄膜层相接触。
3.根据权利要求2所述的振膜结构，其特征在于，进一步包括多个覆盖部分，所述覆盖部分在该第一电路薄膜层的一外表面以及该第二电路薄膜层的一外表面上围绕该穿孔设置，且所述覆盖部分与该穿孔中的该导电层相接触。
4.一种发声装置的振膜结构，其特征在于，包括: 一薄膜层，具有一第一侧以及一第二侧； 一第一电路薄膜层，透过一第一电解接合层固定于该薄膜层的该第一侧，且其一端具有一第一接触端子； 至少一迭合层，每一个该迭合层包括: 一第三电路薄膜层；以及 一迭合薄膜层，透过一迭合电解接合层固定于该第三电路薄膜层； 其中，该至少一迭合层中最外侧的该第三电路薄膜层透过一第三电解接合层固定于该薄膜层的第二侧； 一第二电路薄膜层，透过一第二电解接合层固定于该至少一迭合层中最外侧的该迭合薄膜层，且其一端具有一第二接触端子；以及多个导电结构； 其中，在该第一电路薄膜层、该第二电路薄膜层以及该至少一第三电路薄膜层中每两个相邻的电路薄膜层透过至少一导电结构相连接。
5.根据权利要求4所述的振膜结构，其特征在于，该导电结构的每一者包括: 一穿孔，自该两个相邻的电路薄膜层中的前一者穿过两个相邻的电路薄膜层之间的该迭合薄膜层或该薄膜层穿透至两个相邻的电路薄膜层中的后一者；以及 一导电层，设置在该穿孔的一内周壁上，该导电层与该两个相邻的电路薄膜层相接触。
6.根据权利要求5所述的振膜结构，其特征在于，进一步包括多个覆盖部分，所述覆盖部分在该第一电路薄膜层的外表面以及该第二电路薄膜层的外表面上围绕各个所述穿孔设置，且所述覆盖部分分别与所述穿孔中的各个该导电层相接触。
7.根据权利要求4所述的振膜结构，其特征在于，包括多个该迭合层，且每两个该迭合层之间透过该迭合电解接合层相互固定。
【文档编号】H04R7/06GK204259145SQ201420618408
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年10月24日 优先权日:2014年10月24日
【发明者】邓克忠 申请人:邓克忠