彩色阴极射线管会聚磁组件的制作方法

文档序号:7581696阅读:286来源:国知局
专利名称:彩色阴极射线管会聚磁组件的制作方法
技术领域
本发明涉及一种一字形排列彩色阴极射线管(CRT),更具体地说,本发明涉及安装在CRT颈部用于调节CRT电子束的静态会聚的一种会聚磁组件。
一般来说,在具有一字形排列电子枪的彩色CRT中,三条电子枪轴位于包括CRT管轴的同一平面上,从而由位于中央电子枪两侧的电子枪发出的两束外侧电子束路径相对于由中央电子枪发出的电子束路径是对称的。因此,可取的是这种CRT的电子枪组件具有这样的结构,使从各个电子枪发出的电子束不经偏转装置偏转就会聚在位于电子枪组件前方的荧光屏中心,从而产生清晰的画面。
但是,由于显像管各个部件的制造误差或各个部件尺寸允差的影响,很难使显像管满足如此理想的条件。
因此,彩色CRT在电子束路径特性上通常会有少许偏差。已知可以对电子束路径进行调整以补偿电子束路径特性的这种偏差。利用一个可调整磁场可以调节电子束路径,可调整磁场已被用于进行所需的色纯度调整以及静态会聚调整。
就是说,如

图1所示,通过使彼此平行地安装在CRT100颈部101以环绕着电子束路径的两个环形双磁极永磁体11和11’相对转动可以调整色纯度。此外,通过在CRT颈部101上环绕电子束路径彼此平行地安装两个环形四磁极永磁体12和12’以及两个环形六磁极永磁体13和13’可以实现静态会聚调整。当磁组件10对齐时,磁组件产生的磁场强度达到最大。另一方面,当将两个永磁体彼此相对转动预定角度,例如180°、90°或60°时,磁组件产生的磁场强度最小。
如果CRT是按照设计规则完美地制造的,就不会产生静态会聚误差或者仅仅产生极小误差。因此,不需要设置磁组件。静态会聚是由于安装在CRT颈部的磁组件产生的最小磁场而产生偏离的。所以,应当精密地制造会聚磁组件以使得电子束的偏移最小。如图2所示,在具有最小电子束偏移的磁组件中,如果在一字形排列中三束电子束中外侧的两束电子束之间的距离OCV和从距离OCV中点至中央电子束的距离CCV偏离最小偏移量范围A,则很难调整静态会聚。
为了解决上述问题,本发明的目的是提供一种阴极射线管(CRT)会聚磁组件,这种磁组件通过扩展电子束静态会聚调整范围,可以将最小可调整量收敛到零。
本发明的另一个目的是提供一种CRT会聚磁组件,这种磁组件通过改善与色纯度和会聚性调整相关的特性提高了图象分辨率。
为了实现第一个目的,提供了一种阴极射线管(CRT)会聚磁组件,所说会聚磁组件包括至少一对磁环,所说磁环具有按照预定角度间隔分布的多个磁化区域,并且安装在所说CRT颈部,以对一字形排列阴极射线管中的三束电子束进行静态会聚;和校正单元,所说校正单元包括一个校正环,所说校正环经过磁化具有至少三个磁极的奇数个磁极,所说磁极位于与三束电子束中两侧电子束相邻的至少一侧,用以增大由所说的一对磁环引起的电子束偏移量。
根据本发明的另一方面,提供一种如权利要求6所述的一种会聚磁组件,其中校正环上被磁化出的三个磁极中的中央磁极所产生的磁场强度大于由设置在其两侧的磁极所产生的磁场强度。
图1为安装有常规磁组件的一个阴极射线管的侧视图;图3为根据本发明构成的阴极射线管的会聚磁组件的分解透视图;图4为图3所示校正单元中第一校正环的前视图;图5为图3所示校正单元中第二校正环的前视图;图6为校正单元的另一个实施例的单个六磁极校正环的前视图;和图7为将根据本发明构成的阴极射线管会聚磁组件安装在CRT颈部中的状态的分解透视图。
图3表示根据本发明的一个优选实施例构成的磁组件,所说磁组件安装在具有一字形排列电子枪的彩色CRT颈部,并且用于调整CRT电子束的行进路径。
如图3所示,一套磁组件20包括至少一对彼此分隔预定距离的磁环21和22和用于使静态会聚状态产生偏差以抵消由磁环21和22引起的电子束最小偏移的一个校正单元30。所说磁环21和22具有多个磁化区域21a和22a。
磁环21和22由铁氧体磁心、钡铁氧体或磁钢制成,磁钢是铝、镊和钴的合金。磁化区域21a和22a形成各个区域的N磁极与S磁极交替排列的结构。磁环21和22可以具有双磁极、四磁极或六磁极的磁化区域。
校正单元30包括一个第一校正环31,所说第一校正环经过磁化具有至少三个磁极31a、31b和31c以使一字形排列阴极射线管的三电子束中的两束外侧电子束产生偏移,如图4和图5所示。三个磁极31a、31b和31c与用于激发红色、绿色和蓝色荧光的三束电子束,即R、G和B电子束中的R电子束或B电子束邻近,从而通过使R或B电子束偏移来调整R电子束与B电子束之间的距离,此距离表示为“OCV”,以及R和B电子束的中心与G电子束之间的距离。可取的是,这里第一校正环31的三个磁极31a、31b和31c中的中间磁极位于一字形电子束的水平轴上。所说第一校正环31的三个磁极31a、31b和31c按照这样的方式磁化,即使中间磁极的磁场强度与其两侧磁极的磁场强度不同,就是说,中间磁极的磁场强度大于其两侧磁极的磁场强度。虽然上面以举例方式描述了第一校正环31具有三个磁极,但是第一校正环可以经过磁化,具有至少三个磁极的奇数个磁极。
而且,如图5所示,所说校正单元还包括一个第二校正环32,其上具有六个磁化磁极32a至32f,以使B电子束和R电子束同时偏移。第一校正环31和第二校正环32不仅可以安装在颈部,而且可以安装在(显像管玻壳)玻锥的任意位置,以环绕着从电子枪中发射出的电子束路径。
作为另一种选择,如图6所示,校正单元可以包括具有六个磁极34a至34f的单个校正环。在这种情况下,由靠近B电子束路径的三个磁极34d、34e和34f所产生的磁场强度与由靠近R电子束路径的三个磁极34a、34b和34c所产生的磁场强度不同。
利用上述根据本发明构成的磁组件对静态会聚按照如下所述方式进行调整。
校正单元的第一校正环31使校正范围在从最小校正量值至最大校正量值之间延展。因此,将所说的一对磁环21和22相对转动预定角度以改变磁通量密度,从而精确地实现对电子束偏移的校正,现在更加详细地介绍这个过程。
当所说的一对磁环21和22相对转动,使得各个磁化区域21a和22a的相反磁极彼此靠近,从而使复合磁场的强度最小时,复合磁场并没有完全抵消,而是其平均磁通量密度和峰值衰减了预定比例。因此,当复合磁场强度达到最小时,在电子束最小偏移量范围内,即0.1~0.3毫米范围内通过将所说的一对磁环相对转动预定角度是难以调整静态会聚的。为了解决这个问题,利用在第一校正环31上的三个磁极31a、31b和31c产生的磁场使电子束的偏移量适当超出电子束的最小偏移量。在这种情况下,可以通过相对转动所说的一对磁环21和22来调整磁环21和22的最小电子束偏移量,并且可以增大可调整范围。
根据本发明的发明人的实验,发现对于一字形排列阴极射线管的电子束偏移量的调整结果如表1-1和1-2所示。
表1-1
表1-2
在表1-1中,A表示普通的15英寸CRT中电子束的偏移,B表示在该15英寸CRT中安装了具有三个磁化磁极的一个第一校正环和具有六个磁化磁极的一个第二校正环时电子束的偏移。在表1-2中,A表示普通的17英寸CRT中电子束的偏移,B表示在该17英寸CRT中安装了具有三个磁化磁极的一个第一校正环和具有六个磁化磁极的一个第二校正环时电子束的偏移。
从表1-1和1-2中可以明显地看出,由于由磁环21和22产生的最小电子束偏移范围超过0.2毫米,所以利用磁环21和22可以对电子束偏移进行精确的调整。特别是,由于R电子束与B电子束之间的距离,即OCV,大于1毫米,所以可以精确地调整偏离电子束的静态会聚。
图7表示根据本发明的另一个实施例构成的会聚磁组件。
如图7所示,一个管壳41与CRT100的颈部101相连。一套纯度磁组件43可转动地安装在管壳41中,它由一对双磁极磁环42和42'构成,每个磁环分别具有带两个磁极(N磁极和S磁极)的磁化区域42a和42a’。
此外,管壳41备有由一对四磁极磁环44和44’构成的一套第一静态会聚磁组件45,其中每个磁环具有四磁极(N、S、N和S磁极)的磁化区域44a和44a’,以及由一对六磁极磁环46和46’构成的一套第二会聚磁组件47,其中每个磁环具有六磁极(N、S、N、S、N和S磁极)的磁化区域46a和46a’。
在管壳41内在双磁极磁环42 & 42’、四磁极磁环44 & 44’、和六磁极磁环46 & 46’之间设置有由非磁性材料制成的垫圈48,一个固定部件49结合到管壳41上以防止各个磁环脱离管壳41。
在管壳41中安装了一个校正装置,用于使静态会聚状态在一定程度上偏离,以超过由所说双磁极磁环42和42’、四磁极磁环44和44’、以及六磁极磁环46和46’引起的电子束的最小偏移量。如以上实施例中所述,所说校正装置包括所说第一校正环31、第二校正环32和六磁极校正环34中至少一个。
第一校正环31的磁化并不局限于磁化为三个磁极,而是可以采用任何结构,只要这种结构能够使R或B电子束偏移至少是磁环的最小电子束偏移量,就是说,使第一校正环31磁化具有至少三个磁极的奇数个磁极是较为可取的。此外,所说的第一校正环31和第二校正环32不仅可以安装在管壳中,而且可以安装在沿从电子枪发出的电子束路径的任何地方。
此外,在上述实施例中,设置在纯度磁组件43与第一和第二静态会聚磁组件45和47之间的垫圈可以用所说第一和第二校正环31和32以及所说六磁极校正环34中至少一个代替。
现在介绍根据本发明按照上述结构构成的会聚磁组件的操作。
一字形排列电子枪发射的电子束被校正单元30的第一校正环32偏转,使得R或B电子束的偏转量大于由所说四磁极或六磁极磁环产生的最小电子束偏移量。
换句话说,如图7所示,即使在没有用所说纯度磁组件43和所说第一和第二静态会聚调整磁组件45和47调整色纯度和静态会聚的状态,所说第一和第二校正环31和32或六磁极校正环34也会在从电子枪发射的R电子束或B电子束上施加电场,从而使这些电子束的偏移量大于电子束最小偏移量。
在这种状态下,通过用所说第一静态会聚调整磁组件45的四磁极磁环44和44’使位于G电子束两侧的B和R电子束沿相反方向偏移,用所说第二静态会聚调整磁组件47的六磁极磁环46和46’使B和R电子束沿相同方向偏移,就能够调整静态会聚。
这时,由于B和R电子束偏移量大于由四磁极磁环44’和44’或由六磁极磁环46和46’引起的电子束最小偏移量,所以能够将静态会聚调整为零。
例如,如果四磁极磁环44和44’或六磁极磁环46和46’的各个磁化区域的磁场强度相同,都为约100高斯,则通过调整各个磁环产生的电子束最小偏移量为0.7毫米。在这种情况下,使用第一校正环31可以使B电子束与R电子束之间的距离达到1.5毫米,使B和R电子束中心与G电子束之间的距离达到1毫米,从而可以将可调整的电子束最小偏移量减小到零。
所说的一对双磁极磁环42和42’按照弗来明(Flemming)左手规则和以所产生的洛仑兹力使B、G和R电子束沿相同方向偏移,从而调整色纯度。
如上所述,在根据本发明构成的CRT会聚磁组件中,使电子束的OCV和CCV量值在一定程度上大于由双磁极、四磁极或六磁极磁环引起的电子束最小偏移量,从而使静态会聚收敛到零。所以,能够改善静态会聚和色纯度特性。
根据本发明构成的CRT会聚磁组件并不局限于所述实施例,本领域技术人员在本发明的构思和范围内还可以作出许多变化和改进。
权利要求
1.一种阴极射线管(CRT)会聚磁组件,它包括至少一对磁环,所说磁环具有按照预定角度间隔分布的多个磁化区域,并且安装在所说CRT颈部,以对一字形排列的三束电子束进行静态会聚;和校正装置,所说校正装置包括一个校正环,所说校正环经过磁化具有至少三个磁极的奇数个磁极,所说磁极位于与三束电子束中两侧电子束相邻的至少一侧,用以增大由所说的一对磁环引起的电子束偏移量。
2.如权利要求1所述的会聚磁组件,其特征在于,由所说校正环的位于与一电子束相邻一侧的奇数个磁极所产生的磁通量密度与由所说校正环的位于与另一侧的电子束相邻一侧的奇数个磁极所产生的磁通量密度不同。
3.如权利要求1所述的会聚磁组件,其特征在于,所说校正装置还包括与所说校正环同轴安装并具有以预定角度间隔分布的六磁极磁化区域的另一个校正环。
4.如权利要求3所述的会聚磁组件,其特征在于,所说六磁极磁化区域这样分布,使得由与一外侧电子束邻近的磁化区域所产生的磁场强度与由与另一侧电子束邻近的磁化区域所产生的磁场强度不同。
5.如权利要求1所述的会聚磁组件,其特征在于,所说校正环上所说三个磁极中的中间磁极位于与一字形排列阴极射线管中电子束水平轴同轴的位置。
6.如权利要求5所述的会聚磁组件,其特征在于,由所说校正环上三个磁极中的中央磁极所产生的磁场强度与由位于其两侧的磁极所产生的磁场强度不同。
7.如权利要求5所述的会聚磁组件,其特征在于,由所说校正环上三个磁极中的中央磁极所产生的磁场强度大于由位于其两侧的磁极所产生的磁场强度。
8.如权利要求6所述的会聚磁组件,其特征在于,由所说校正环上三个磁极中的中央磁极所产生的磁场强度大于由位于其两侧的磁极所产生的磁场强度。
9.一种阴极射线管(CRT)会聚磁组件,它包括固定在CRT颈部的一个管壳;安装在所说管壳上的一套纯度磁组件,所说纯度磁组件由一对双磁极磁环构成,所说磁环包括以预定角度间隔分布的多个磁化区域以具有相同的磁场强度;一套静态会聚磁组件,所说静态会聚磁组件由至少一对磁环构成,所说磁环具有四磁极或六磁极的磁化区域以具有相同的磁场强度;一个非磁性垫圈,其设置在所说纯度磁组件和所说静态会聚磁组件之间;和安装在管壳中的至少一个校正装置,所说校正装置包括一个校正环,所说校正环在与一字形排列阴极射线管中电子束之一邻近区域的至少三个的奇数个磁极以使所说的一束电子束偏移。
10.如权利要求9所述的会聚磁组件,其特征在于,由所说校正环位于与一束电子束相邻一侧的奇数个磁极所产生的磁通量与由所说校正环位于与另一侧的电子束相邻一侧的奇数个磁极所产生的磁通量不同。
11.如权利要求9所述的会聚磁组件,其特征在于,所说校正环上三个磁极中的中央磁极位于与一字形排列阴极射线管中的电子束水平轴同轴的位置。
全文摘要
一种阴极射线管(CRT)会聚磁组件,它包括:至少一对磁环,所说磁环具有按照预定角度间隔分布的多个磁化区域,并且安装在所说CRT颈部,以对一字形排列阴极射线管中的三束电子束进行静态会聚;和校正装置,所说校正装置包括一个校正环,所说校正环经过磁化具有至少三个磁极的奇数个磁极,所说磁极位于与三束电子束中两侧电子束相邻的至少一侧,用以增大由所说的一对磁环引起的电子束偏移量。
文档编号H04N9/28GK1234599SQ99101329
公开日1999年11月10日 申请日期1999年1月20日 优先权日1998年5月6日
发明者丁张镇 申请人:三星电管株式会社
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