专利名称：高频模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于高频移动体通信终端的高频模块，特别是涉及使高频模块小型化和提高放热性的问题。
背景技术：
作为已有的高频模块的构造，在日本平成9年公布的9-283700号专利公报中揭示了它的一个例子。我们参照该公报的图1的标号进行说明。2是以玻璃为主要成分的多层基板，5是半导体单元，6是电容，电阻等的无源部件。用树脂或焊料系的连接膏12将半导体单元5固定在多层基板2上面形成的开放型凹部11内，并用树脂13进行密封。14是盒子，将半导体单元5和无源部件6搭载或安装在多层基板2上面后，覆盖多层基板2上面那样地进行安装，并用密封树脂等进行密封。开放型凹部11的底面和在多层基板2的里面形成的接地金属面9通过用于放热的贯通孔8连接起来，使从半导体单元5放出的热通过用于放热的贯通孔8，传送到接地金属面9，从而提高高频模块的放热性。
作为其它已有的高频模块的构造，在2000-12770号专利公报中揭示了它的一个例子。我们参照该公报的图1的标号进行说明。15是第1半导体单元，23a，23b是第2半导体单元，400是第1布线基板，21是第2布线基板，26是密封树脂，12是在第1电介质基板11上面形成的凹部，14是用于外部连接的端子，13是在第1电介质基板11上面的凹部12以外的部分上形成的上面部分连接端子，22是与上面部分连接端子13对应地在第2布线基板21里面上形成的下面部分连接端子，31是各向异性导电粘合剂。
用绝缘性粘合剂16使第1半导体单元15与在第1电介质基板11上形成的凹部12粘合，通过接合线17与在第1电介质基板11上形成的导电图案电连接，形成第1构造体10。用绝缘性粘合剂16将第2半导体单元23a，23b粘合在第2布线基板21上，通过接合线17与在第2布线基板21上形成的导电图案电连接，用密封树脂密封第2布线基板21的上面，形成第2构造体20。
通过使第1构造体10和第2构造体20上下连接起来，用各向异性导电粘合剂31将上面连接端子13和下面连接端子22连接起来，将第1构造体10和第2构造体20电连接起来。
进一步，作为其它已有的高频模块的构造，在2000-174204号专利公报中揭示了它的一个例子。我们参照该公报的图7的标号进行说明。19是第1半导体单元，29是第2半导体单元，11是金属基底，1是在金属基底11上面形成的第1电介质基板，2是第2电介质基板，12是金属帽，4是在第1电介质基板1的上面形成的凹部，在凹部4底面露出金属基底11，120是芯片电容等不需要气密密封的高频电路器件。
将第1半导体单元19安装在第1电介质基板1上形成的凹部4底面露出的金属基底11上，通过接合线10与在第1电介质基板1上形成的第1DC线路17电连接。将第2电介质基板2层积在第1电介质基板1的上面，将第2半导体单元29安装在第2电介质基板2的上面，通过接合线20与在第2电介质基板2上形成的第2DC线路27电连接。通过镀敷金属夹层孔8将第1DC线路17第2DC线路27电连接起来。
用金属帽12将第2电介质基板2的上面气密密封起来，将芯片电容等不需要气密密封的高频电路器件120安装在第1电介质基板1的用金属帽12密封起来的以外的部分上。
进一步，作为其它已有的高频模块的构造，在2000-31331号专利公报中揭示了它的一个例子。我们参照该公报的图3的标号进行说明。21是作为有源元件的第1晶体管，22是作为有源元件的第2晶体管，60是帽子，13是在帽子60下面形成的接地端子，61是热镀敷金属夹层，4，5是无源元件，25是盖子，17，18是用于机械地并且电地连接突起电极等的垫片，19，20是用于使垫片17和18电连接的内部镀敷金属夹层。
在分别通过突起连接第1晶体管21和第2晶体管22的垫片17和18与接地端子13之间热地并且电地连接热镀敷金属夹层61。帽子60覆盖空腔全体那样地进行粘合。被盖子25覆盖的无源元件4和5通过内部镀敷金属夹层19，20和垫片17和18与第1晶体管21和第2晶体管22电连接。
发明内容
在日本平成9年公布的9-283700号专利公报的例子中，因为将半导体单元和无源元件只搭载或安装在多层基板上面，所以存在着当考虑用于电路构成的部件的搭载部分时基板面积变大那样的问题。
如果将2000-12770号专利公报的构造例应用于高频模块，则因为可以立体地配置多个半导体单元，所以可以使高频模块的面积小型化，从而能够解决上述问题。但是，存在着因为在这种构造中没有使从半导体单元放出的热逸出高频模块外部的构造，进一步既可以用焊料系的连接膏等的导电性粘合剂也可以用热传导率低的绝缘性粘合剂将半导体单元粘合在绝缘基板上，所以高频模块的放热性与日本平成9年公布的9-283700号专利公报的构造比较降低了，成为引起高频模块性能恶化的主要原因那样的问题。
2000-174240号专利公报的例子因为将半导体单元直接安装在金属基底上所以可以使从半导体单元放出的热高效率地逸出，从而能够解决放热性问题。又，在这种构造中能够立体地配置多个半导体单元，所以当只考虑半导体单元时可以使面积小型化。但是，将芯片电容等的高频电路器件安装在安装了半导体单元的第1电介质基板上这一点与日本平成9年公布的9-283700号专利公报的例子相同，在具有半导体单元和芯片电容等的高频电路器件的高频模块中，存在着难以实现面积小型化那样的问题。又，因为具有将半导体单元直接安装在金属基底上的构造，所以存在着需要提高金属基底的强度从而需要增加金属基底的厚度，因此导致模块质量增加那样的问题。又，因为在金属基底上面形成绝缘体基板，所以存在着与在绝缘体基板下面同时形成金属面的情形比较使制造过程复杂化那样的问题。
2000-31331号专利公报的例子因为通过热镀敷金属夹层使作为有源元件的第1和第2晶体管与接地端子连接，所以在某种程度上对放热性有利。但是，因为放热的有源元件通过突起面朝下地连接，所以存在着与面朝上地连接比较放热性稍微不足那样的问题。
本发明的目的是提供可以使高频模块进一步小型化，可以提高放热性，并且可以用简便的方法进行制造的高频模块。
本发明的高频模块的特征是它具备包含第1基板，配置在第1基板上的第1电路单元，在第1基板的配置了第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了第1电路单元的面与放热部分之间将从第1电路单元放出的热传送到放热部分的第1贯通孔，和在形成放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，和包含第2基板，配置在第2基板上的第2电路单元，和在上述第2基板的配置了第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，而且第1电路块和第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接第1电路块和第2电路块，形成收容并密封第1电路单元的凹部，并且通过第1连接点与第2连接点接触使第1电路单元与第2电路单元电连接的构造。
如果根据本发明的高频模块，则因为在第1基板上形成的凹部成为用第2基板气密密封的密封型凹部，将第1电路单元组配置在密封型凹部的内部，将第2电路单元组配置在第2基板上面，所以可以使基板面积小型化。
又，通过从第1电路单元组放出的热从配置了第1电路单元组的密封型凹部的底面通过第1贯通孔传送到放热部分，可以提高高频模块的放热性。
图1是表示实施例1的截面图。
图2是表示实施例1的斜视图。
图3是表示实施例1的电路图。
图4是表示实施例1的高频模块的使用方法的简略流程图。
图5是表示实施例2的截面图。
图6是表示实施例2的电路图。
图7是表示实施例3的截面图。
图8是表示实施例4的截面图。
图9是表示实施例4的电路图。
图10是表示实施例5的截面图。
图11是表示实施例5的电路图。
图12是表示实施例6的电路图。
图13是表示实施例1的制造方法的流程图。
图14是表示实施例1的其它制造方法的流程图。
图15是表示实施例7的高频便携式通信终端的图。
具体实施例方式
下面，我们用附图详细地说明作为本发明的实施例的高频功率放大器模块的构造。
(实施例1)分别地，图1表示本发明的实施例1的截面图，图2表示实施例1的斜视图，图3表示上述实施例1的电路图。在图1，2中，10是第1基板，30是在第1基板的上面形成的凹部，40是在第1基板10的下面形成的放热部分，70-a是在凹部30的底面形成的第1接地金属面，50-a是连接第1接地金属面70-a和放热部分40的第1贯通孔，60-a是在第1基板10的上面的凹部30以外的部分形成的第1连接点，80-a是在第1基板10上形成的第1传送线路，50-b是连接第1传送线路80-a和第1连接点60-a的第2贯通孔，100是半导体单元，120是接合线，210是第1电路块。
20是第2基板，60-b是当上下连接第1基板10和第2基板20时成为与在第1基板10的上面形成的第1连接点60-a重叠的位置那样地在第2基板20的下面形成的第2连接点，80-b是在第2基板20上形成的第2传送线路，50-c是连接第2传送线路80-b和第2连接点60-b的第3贯通孔，70-b是在第2基板20的下面形成的第2接地金属面，110是安装在第2基板20的上面的电容，电感，电阻等无源部件，130是密封树脂，220是第2电路块。
在图3中，210是第1电路块，220是第2电路块，200-a是构成第1电路块的第1晶体管，200-b是构成第1电路块的第2晶体管，230-a是输入功率端子，230-b是输出功率端子，240-a是第1晶体管200-a的控制电压端子，240-b是第2晶体管200-b的控制电压端子，250-a是第1晶体管200-a的电源电压端子，250-b是第2晶体管200-b的电源电压端子。
用焊料膏或银膏等的导电性连接膏将半导体单元100面朝上地固定在上述凹部30的底面上形成的第1接地金属面70-a上，第1，第2晶体管200-a，b的发射极一起从半导体单元100的里面与第1接地金属面70-a连接，在半导体单元100的上面形成半导体单元100的发射极以外的电极端子(图中未画出)，构成半导体单元100的第2晶体管200-b的输出端子通过接合线120与第1传送线路80-a连接，在半导体单元100的上面形成的其它电极端子也同样通过接合线120与在第1基板10上形成的传送线路连接，完成上述第1电路块210。
从半导体单元100放出的热通过第1贯通孔50-a从第1接地金属面70-a传送到放热部分40。第1贯通孔50-a具有直径为0.1mm以上的圆筒状，也可以是内部中空的，但是为了提高放热性希望用热传导率高的物质进行充填。又，第1贯通孔50-a当形成多个例如直径为0.1mm的贯通孔时，希望贯通孔中心间距离在0.3mm以下地进行交错配置。
又，希望用热传导率高的氧化Al陶瓷基板构成第1基板10，但是即便由玻璃陶瓷或树脂构成也没有关系。进一步，放热部分40的特征是它是用比第1基板10的热传导率高的金属材料构成的。
用焊料等的导电性连接膏将无源部件110安装在第2基板20的上面，用密封树脂130将第2基板的上面气密密封起来(图2中未画出)，完成第2电路块220。此外，代替密封树脂也可以用树脂盒或金属盒将第2基板的上面气密密封起来。
上下连接第1电路块210和第2电路块220，用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂或各向异性导电性片使第1连接点60-a和第2连接点60-b电连接，完成高频功率放大器模块的实施例1。
即便构成第1基板10和第2基板20的材料不同也没有关系，但是因为相同的材料能够防止由于连接后的热膨胀收缩等的外部重要原因引起的第1连接点60-a和第2连接点60-b的剥离，所以是希望的。又，由于构成第1基板10和第2基板20的材料相同，在分别形成第1连接点60-a和第2连接点60-b的过程中，可以容易地提高形成位置精度，这是很明显的。
用在第2基板20的下面形成的第2接地金属面70-b密封在第1基板10的上面形成的凹部30，从而成为密封型凹部，配置在凹部30中的上述半导体单元100由第2电路块的第2接地金属面70-b自动地气密密封起来。
此外，在实施例1的说明中，方便地将第1电路块210作为2级放大器，但是即便是1级或1级以上的放大器也没有关系。
如果根据实施例1，则通过具有不将半导体单元100和无源部件110配置在同一平面上或同一基板上，而是配置在可以上下分割的基板上，具有将这些基板嵌合在一起的构造，可以立体地配置半导体单元100和无源部件110。因为现在一般地正在批量生产的6mm×6mm大小的高频功率放大器模块的半导体单元以外的电路部分占据的面积约为20mm2，所以通过将半导体单元配置在与无源部件不同的基板上可以使模块面积小型化到4.5mm×4.5mm尺寸以下。
又，如果根据实施例1，则通过具有使从半导体单元100放出的热通过第1贯通孔50-a从安装了半导体单元100的第1接地金属面70-a传送到由热传导率高的金属材料构成的放热部分40的构造，可以提高模块的放热性。
进一步如果根据实施例1，则当上下连接第1电路块210和第2电路块220时，因为通过用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂或各向异性导电性片使第1连接点60-a和第2连接点60-b电连接，能够容易地使第1连接点60-a和第2连接点60-b的位置一致，所以具有可以实现连接点的小型化以及模块面积的小型化，又也容易实施后述的本发明的高频功率放大器模块的制造方法的效果。
下面，我们用附图详细地说明作为本发明的高频模块制造方法的一个实施例。
图4表示作为本发明的高频模块的使用方法的实施例的一个例子实施例1的高频功率放大器模块的使用方法的简略流程图。为了方便起见作为通信方式我们举DCS(发射频率1.75GHz)和W-CDMA(发射频率1.95GHz)为例进行说明。
在图4所示的实施例中，它的特征是分别制造具有用于1.7-2.0GHz的半导体单元的第1电路块，具有在DCS的发射频率和调制方式中给出功率放大器模块的最佳特性的匹配电路的第2电路块，和具有在W-CDMA的发射频率和调制方式中给出功率放大器模块的最佳特性的匹配电路的第2电路块，调查在DCS和W-CDMA中的高频功率放大器模块的销售个数或库存个数，调整与各个方式对应的第2电路块的制造个数。
用于DCS的第2电路块和用于W-CDMA的第2电路块，构成它们的电容和传送线路等的电路常数及传送线路的线路长度是相互不同的，但是作为电路图，无论哪个都具有图3的220所示的样子。即，作为电路图案是相互相同的。因此，可以与连接点固定的共同的第1电路块连接地设计，制造用于DCS和用于W-CDMA的各个第2电路块。
本发明的高频模块的制造方法，因为具有分别制造第1电路块，第2电路块后能够相互连接的构造，所以可以调整第1电路块，第2电路块的各个制造个数，从而具有可以实现低成本化的效果。又进一步，因为可以对于每个功能制造和连接电路块，所以也具有可以短期间内制造与各种应用对应的高频模块的效果。此外，也可以在完成第2电路块前使第2基板20与第1电路块连接，此后，将无源元件110安装在第2基板20的上面。这时，具有容易对半导体单元100和无源元件110进行微调的效果。
如果根据这种制造方法，则能够在与多个不同的通信方式对应的功率放大器模块中共用第1电路块，从而能够削减与多个通信方式对应的功率放大器模块的开发·制造成本和时间。又，通过与市场动向相应地调整第2电路块的制造个数，可以容易地将功率放大器模块的制造个数分给其它的通信方式，而且也可以容易地进行制品在库调整和上市个数调整。
以上，我们举出了共有第1电路块，使第2电路块多样化的例子，但是本发明的高频模块的使用方法的实施例不限于此，即便共有第2电路块，使第1电路块多样化也没有关系。如果这样做，则通过与功率放大器模块的价格相应地选择构成第2电路块的无源元件并以不同的价格段进行制作，可以容易地制造出多种价格的功率放大器模块。
(实施例2)分别地，图5表示本发明的实施例2的截面图，图6表示上述实施例2的电路图。在实施例2中，分别地在第1电路块210中配置半导体单元100和直流电路系统，在第2电路块中配置高频电路系统，除了半导体单元100外将无源部件110的一部分配置在第1基板10的上面形成的凹部30的内部这一点与实施例1不同。
如果根据实施例2，则将直流电路系统集中在第1电路块中，一般地直流电路系统能够共用不同的通信方式·频率的情形是很多的，而且因为可以在第2电路块中只制作高频电路系统，所以可以容易地分割高频功率放大器模块的电路。实施例2的高频模块的使用方法基本上与实施例1的高频模块的使用方法相同。
(实施例3)图7表示本发明的实施例3的截面图。在实施例3中，具有当在第2基板20的下面形成凹部30，将第1基板10和上述第2基板20上下嵌合起来时，将搭载在第1基板10的上面的半导体单元100密封在凹部30中那样的构造，这一点与实施例1不同。
在实施例3中能够得到基本上与实施例1相同的效果。实施例3的高频模块的使用方法基本上与实施例1的高频模块的使用方法相同。
(实施例4)分别地，图8表示本发明的实施例4的截面图，图9表示上述实施例4的电路图。在实施例4中，具有在第1基板10的上面形成至少2个以上的凹部30-a，30-b，在凹部30-a的内部配置半导体单元100-a，在凹部30-b的内部配置半导体单元100-b，形成第1电路块，将无源部件110安装在至少2个以上的基板20-a，20-b的上面，并分别用密封树脂130进行气密密封，分别形成第2，第3电路块，在第1电路块上面左右并列地连接第2，第3电路块的构造，这一点与实施例1不同。
如果根据实施例4，则可以小型化地并且容易地制造出具有多个功能的高频模块。
现在我们说明实施例4的高频模块的应用例。实施例4的高频模块的使用方法的特征是将用于发射的功率放大器和用于接收的功率放大器组合起来，制成一体型的高频模块，另一方面将用于发射的功率放大器和滤波器组合起来，制成一体型的高频模块。这里，我们举出用于发射的功率放大器和用于接收的功率放大器作为例子，但是即便用具有除此以外的功能的部件也没有关系。如果这样做，则可以容易地制造出多种组合的高频模块。
(实施例5)分别地，图10表示本发明的实施例5的截面图，图11表示实施例5的电路图。在实施例5中，配置了半导体单元100的第1电路块210，配置了高频电路系统的第2电路块220-a，和配置了直流电路系统的第3电路块220-b具有从上向下以第2电路块220-a，第3电路块220-b，第1电路块210的顺序进行连接的构造，这一点与实施例1不同。又，构成第3电路块220-b的无源部件260的特征是它内装在构成第3电路块220-b的第3基板20-b中。
如果根据实施例5，则通过比实施例2更细微地将高频模块的电路分割成半导体单元，直流电路系统，高频电路系统，可以容易地进行各电路块的设计，并且通过将直流电路系统配置在与高频电路系统不同的基板上可以使模块面积比实施例1更小型化。实施例5的高频模块的使用方法基本上与实施例1的高频模块的使用方法相同。
(实施例6)图12表示本发明的实施例6的截面图。在实施例6中，具有将SAW元件配置在配置了半导体单元100的第1基板表面上形成的凹部30中，第1基板10具有将凹部30的配置了SAW元件的面和在第1基板10的下面形成的放热部分连接起来的第4贯通孔50-d，用第2电路块的配置了的第2基板20气密地密封SAW元件的构造，这一点与实施例1不同。
用于高频部分的SAW元件将沿旋转Y切割切出的钛化锂用于压电基板。在这种压电基板上传输的SAW随着温度上升发生约0.02dB/℃的损耗增加。例如，为了将损耗恶化抑制在0.1dB以下，必须使温度上升在5℃以内。又，因为具有40ppm/℃的温度系数，所以当SAW元件的温度上升时，频率特性向低温一侧移动。例如，为了将用于W-CDMA的分波器的频移抑制在0.2MHz以下必须将温度上升抑制在3℃以内。
如果根据实施例6，则因为从SAW放出的热通过第4贯通孔50-d传送到在第1基板10的下面形成的放热部分40，所以可以无损耗地将对于SAW的放热性与功率放大器形成一体化。
下面，我们用附图详细地说明本发明的高频模块的制造方法的一个实施例。
图13表示本发明的实施例1的高频模块的制造方法的简略流程图。图13所示的制造方法的特征是用焊料等的导电性粘合剂将无源元件110安装在第2基板20的上面，用密封树脂130密封第2基板20的上面，形成第2电路块，用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂将半导体单元100面朝上地安装在第1基板10上形成的凹部30的底面上形成的第1接地金属面70-a上，用接合线120将在半导体单元100的上面形成的电极端子和在第1基板10上形成的传送线路连接起来，形成第1电路块，将第1电路块和第2电路块上下连接起来，用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂或各向异性导电性片将在第1基板10的上面形成的第1连接点60-a和在第2基板20的下面形成的第2连接点60-b电连接起来。
如果用这个制造方法，则当制造第1基板10时可以用现在一般使用的方法同时形成放热部分和第1贯通孔50-a，与在金属基底的上面层积电介质基板的制造方法比较，能够容易地达到提高高频模块放热性的目的。
又，在连接第1电路块和第2电路块前，可以评价构成第1电路块的半导体单元的损坏，非损坏或特性，通过分开第1电路块可以除去与损坏或特性不满足制品条件的第1电路块连接的第2电路块，从而可以提高通过连接第1电路块和第2电路块完成的高频模块的成品率。
实施例2到6的高频模块的制造方法基本上与以上说明的实施例1的高频模块的制造方法相同。但是，在实施例6的高频模块的制造方法中，当连接第1电路块和第2电路块时希望在第1基板10中形成的凹部30的内部充填氮气等防止SAW具有的金属端子的恶化。
此外，第1电路块和第2电路块即便每制造一片就连接一片也没有关系，但是从使制造方法简便化出发，我们希望制造并连接在平面内连接多个第1电路块的各个片的约10cm×10cm以上的大的第1电路块片，和在平面内连接与第1电路块片相同个数的第2电路块的各个片的与第1电路块片相同形状的第2电路块片，连接后用切割机或或通过劈开进行切断。
又，在上述制造方法中，举出用密封树脂密封第2基板20的上面的例子，但是如在构造说明中所述的那样，代替密封树脂也可以用树脂盒或金属盒进行密封。
进一步，在上述制造方法中，举出用密封树脂密封第2基板20的上面后，上下连接第1电路块和第2电路块的例子，但是也可以在连接第1电路块和第2电路块后，用密封树脂密封第2基板20的上面。
图14表示本发明的实施例1的高频模块的其它制造方法的简略流程图。图14所示的制造方法的特征是通过用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂将半导体单元100面向上地安装在第1基板10上形成的凹部的底面上形成的第1接地金属面70-a上，用接合线120将在半导体单元100的上面形成的电极端子和在第1基板10上形成的传送线路连接起来，形成第1电路块，将未安装无源元件的第2基板20与第1电路块连接，并且用焊料膏或银膏等的导电性粘合剂或各向异性导电性片将在第1基板10的上面形成的第1连接点60-a和在第2基板20的下面形成的第2连接点60-b电连接起来，用焊料等的导电性粘合剂将无源元件110安装在第2基板20的上面，用密封树脂130密封第2基板20的上面，与第2电路块的形成一起形成高频模块全体。
本发明的高频模块的制造方法，因为制造第1电路块，在完成第2电路块前将第2基板20连接到第1电路块上，此后，将无源部件110安装在第2基板上，所以具有容易调整安装在第1电路块上的半导体单元100和安装在第2电路块上的无源元件的电匹配性的效果。这时，也因为对于每个功能可以选择电路块进行连接这一点不变，所以具有可以在短期间内制造出与各种应用对应的高频模块的效果，这是不言而喻的。
图13和14所示的本发明的高频模块的制造方法的特征是，它们中的无论哪一个，都能够分别从1个以上的卖主购入第1电路块和第2电路块进行连接。如果根据这个制造方法，则可以容易地改变第1电路块和第2电路块的制造方式，可以降低开发·制造成本或缩短开发·制造期间或总是能够一起取得适当量的第1电路块和第2电路块，而且可以达到使高频模块的制造销售业稳定化的目的。
(实施例7)图15表示本发明的实施例7的高频便携式通信终端的构成图。在实施例7中，300是天线，310是多路复用器，320是滤波器，330是功率放大器，340是混频器，350是VCO，360是基带部分，370是扬声器，380是话筒，390是本发明的高频模块，可以取上述实施例1～6的各种形态。
在基带部分360变换通过话筒380输入的声音信号，在发射一侧的混频器340-b中与在VCO350中产生的本地振荡信号进行合成，输入发射一侧的功率放大器330-b。在发射一侧的功率放大器330-b中放大的声音信号通过发射一侧的滤波器320-b输入到多路复用器310，通过天线300作为电波发射出去。另一方面，通过天线300接收的电波作为信号输入多路复用器310，通过接收一侧的滤波器320-a输入到接收一侧的功率放大器330-a。从接收一侧的功率放大器330-a输出的接收信号在接收一侧的混频器340-a中与在VCO350中产生的本地振荡信号进行合成，在基带部分360进行变换作为声音从扬声器370输出。
这里，390-a表示将本发明的高频模块应用于高频便携式通信终端的发射一侧的功率放大器330-b的情形。这时，高频模块390-a也能取实施例1～5中的任何一种形态，但是特别是实施例1，3和5的形态最令人满意。在各实施例中，半导体单元100成为发射一侧的功率放大器330-b。
又，390-b表示将本发明的高频模块应用于高频便携式通信终端的发射一侧的功率放大器330-b和发射一侧的滤波器320-b的情形。这时，高频模块390-b也能取实施例2和6的形态。当采用实施例2的形态时，分别地，半导体单元100与发射一侧的功率放大器330-b相当，无源元件110与发射一侧的滤波器320-b相当。当采用实施例6的形态时，分别地，半导体单元100与发射一侧的功率放大器330-b相当，SAW元件270与发射一侧的滤波器320-b相当。
进一步，390-c表示将本发明的高频模块应用于高频便携式通信终端的发射一侧的功率放大器330-b，发射一侧的滤波器320-b，接收一侧的功率放大器330-a，接收一侧的滤波器320-a和多路复用器310的情形。这时，高频模块390-c也能取将实施例2或6和实施例4组合起来的形态。当采用将实施例2和实施例4组合起来的形态时，分别地，半导体单元100-b与发射一侧的功率放大器330-b相当，无源元件110与发射一侧的滤波器320-b和接收一侧的滤波器320-a相当，半导体单元100-a与接收一侧的功率放大器330-a相当，分别地，将与发射一侧的滤波器320-b相当的无源元件配置在凹部30-b内，将与接收一侧的滤波器320-a相当的无源元件配置在凹部30-a内。当采用将实施例6和实施例4组合起来的形态时，分别地，半导体单元100-b与发射一侧的功率放大器330-b相当，SAW元件270与发射一侧的滤波器320-b和接收一侧的滤波器320-a相当，半导体单元100-a与接收一侧的功率放大器330-a相当，分别地，将与发射一侧的滤波器320-b相当的SAW元件配置在凹部30-b内，将与接收一侧的滤波器320-a相当的SAW元件配置在凹部30-a内。
如果根据实施例7，则因为能够达到高频模块的小型化和提高放热性的目的，所以可以实现搭载高频模块的高频便携式通信终端的小型化和高的放热性。
在以上的说明中说明了主要应用于在高频移动体通信终端中的高频功率放大器模块的情形，但是不限定于此，也能够应用于天线·滤波器·放大器一体型模块等的所有高频模块。
如果根据本发明的高频模块，则具有可以使高频模块的基板面积小型化的效果。又，具有通过与在凹部底面和在第1基板的下面形成的放热部分连接的第1贯通孔将从第1电路单元组放出的热传送到放热部分，可以提高放热性的效果。
权利要求
1.高频模块，它的特征是它具备包含第1基板，配置在上述第1基板上的第1电路单元，在上述第1基板的配置了上述第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了上述第1电路单元的面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，和包含第2基板，配置在上述第2基板上的第2电路单元，和在上述第2基板的配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，而且上述第1电路块和上述第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接上述第1电路块和上述第2电路块，形成收容并密封上述第1电路单元的凹部，并且通过上述第1连接点与上述第2连接点接触使上述第1电路单元与上述第2电路单元电连接的构造。
2.高频模块，它的特征是在权利要求1记载的高频模块中，上述第1电路单元包含电路面与粘合面相反那样地配置在上述第1基板上的半导体有源元件，上述第2电路单元包含无源元件。
3.高频模块，它的特征是在权利要求1记载的高频模块中，上述第1电路块具有第2贯通孔，上述第1电路单元与上述第1连接点通过上述第2贯通孔连接，上述第2电路块具有第3贯通孔，上述第2电路单元与上述第2连接点通过上述第3贯通孔连接。
4.高频模块，它的特征是在权利要求1记载的高频模块中，上述第2电路块在配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上具有接地电极。
5.高频模块，它的特征是在权利要求1记载的高频模块中，上述放热部分由比上述第1基板热传导高的金属材料构成。
6.高频模块，它的特征是它具有可以上下分割电路块那样地形成基板，在下侧基板上面向上地安装有源元件，在上侧基板上安装无源元件，从上述有源元件放出的热通过在上述下侧基板上形成的热镀敷金属夹层从上述下侧基板的下面放热那样的构成。
7.高频模块，它的特征是它具备包含第1基板，在上述第1基板上形成的凹部，配置在上述凹部内的第1电路单元，在上述第1基板的形成上述凹部的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通上述凹部的底面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的第1贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，和包含第2基板，配置在上述第2基板上的第2电路单元，和在上述第2基板的配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，而且上述第1电路块和上述第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接上述第1电路块和上述第2电路块，通过上述第1连接点与上述第2连接点接触使上述第1电路单元与上述第2电路单元电连接的构造。
8.高频模块，它的特征是它具备包含第1基板，配置在上述第1基板上的第1电路单元，在上述第1基板的配置了上述第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了上述第1电路单元的面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的第1贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，和包含第2基板，在上述第2基板上形成的凹部，配置在上述第2基板的形成上述凹部的面的相反一侧的面上第2电路单元，和在上述第2基板的配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，而且上述第1电路块和上述第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接上述第1电路块和上述第2电路块，通过上述第1连接点与上述第2连接点接触使上述第1电路单元与上述第2电路单元电连接的构造。
9.高频模块，它的特征是在权利要求7记载的高频模块中，上述高频模块具有与上述第2电路块相同构成的第3电路块，上述第2电路块和上述第3电路块与上述第1电路块连接。
10.高频模块，它的特征是在权利要求7记载的高频模块中，上述第1电路单元包含电路面与粘合面相反那样地配置在上述第1基板上的半导体有源元件，上述第2电路单元包含无源元件。
11.高频模块，它的特征是在权利要求10记载的高频模块中，上述第1电路单元进一步包含无源元件。
12.高频模块，它的特征是在权利要求11记载的高频模块中，上述无源元件是SAW元件。
13.高频模块，它的特征是它具备包含第1基板，配置在上述第1基板上的第1电路单元，在上述第1基板的配置了上述第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了上述第1电路单元的面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的第1贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，包含第2基板，配置在上述第2基板上的第2电路单元，和在上述第2基板的配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，和包含第3基板，内装在上述第3基板中的第3电路单元，在上述第3基板的第1表面上形成的第3连接点，和在上述第3基板的上述第1表面的相反一侧的第2表面上形成的第4连接点的第3电路块，而且上述第1电路块，上述第2电路块和上述第3电路块具有上述第3电路块介于上述第1电路块和上述第2电路块之间相互之间可以连接的构成，通过连接上述第1电路块，上述第2电路块和上述第3电路块，形成收容并密封上述第1电路单元的凹部，并且通过上述第1连接点与上述第3连接点接触，上述第2连接点与上述第4连接点接触，使上述第1电路单元，上述第2电路单元和上述第3电路单元电连接的构造。
14.高频模块的制造方法，它的特征是它包含用导电性连接材料将第1电路单元安装在第1基板上，形成第1电路块的工序，通过用导电性连接材料将第2电路单元安装在第2基板的上面，密封上述第2基板的安装了上述第2电路单元一侧的面，形成第2电路块的工序，和连接上述第1电路块和上述第2电路块，用导电性连接材料将在上述第1基板的安装了上述第1电路单元一侧的面形成的第1连接点和在上述第2基板的形成了上述第2电路单元一侧的相反一侧的面上形成的第2连接点电连接起来的工序。
15.高频模块的制造方法，它的特征是它包含用导电性连接材料将第1电路单元安装在第1基板上，形成第1电路块的工序，连接上述第1电路块和第2基板，用导电性连接材料将在上述第1基板的安装了上述第1电路单元一侧的面形成的第1连接点和在上述第2基板上形成的第2连接点电连接起来的工序，和用导电性连接材料将第2电路单元安装在形成与上述第1电路块连接的上述第2基板的上述第2连接点一侧相反一侧的面上，密封上述第2基板的安装了上述第2电路单元一侧的面，形成第2电路块的工序。
16.高频模块的制造方法，它的特征是它包含制作包含第1基板，配置在上述第1基板上的第1电路单元，在上述第1基板的配置了上述第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了上述第1电路单元的面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的第1贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块的工序，制作包含第2基板，和在上述第2基板上形成的第2连接点的第1用途的第2电路块的工序，制作包含第2基板，和在上述第2基板上形成的第2连接点，具有与上述第1用途的第2电路块相同电路图案的第2用途的第2电路块的工序，和当要求上述第1用途的制品时，使上述第1用途的第2电路块与上述第1电路块连接制造第1用途的高频模块，当要求上述第2用途的制品时，使上述第2用途的第2电路块与上述第1电路块连接制造第2用途的高频模块的工序，而且上述第1电路块和上述第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接上述第1电路块和上述第2电路块，形成收容并密封上述第1电路单元的凹部，并且通过上述第1连接点与上述第2连接点接触，使上述第1电路单元与在上述第2电路块上形成的第2电路单元电连接的构造。
17.高频模块的制造方法，它的特征是在权利要求16记载的高频模块的制造方法中，从制作上述第1用途的第2电路块的工序到制作上述第2用途的第2电路块的工序，进一步包含将第2电路单元安装在上述第2基板上的形成上述第2连接点的面的相反一侧的面上的工序。
18.高频便携式通信终端，它的特征是它具有天线，基带部分，和高频模块，上述高频模块具备包含第1基板，配置在上述第1基板上的第1电路单元，在上述第1基板的配置了上述第1电路单元的面的相反一侧的面上形成的放热部分，贯通配置了上述第1电路单元的面与上述放热部分之间将从上述第1电路单元放出的热传送到上述放热部分的第1贯通孔，和在形成上述放热部分的面的相反一侧的面上形成的第1连接点的第1电路块，和包含第2基板，配置在上述第2基板上的第2电路单元，和在上述第2基板的配置了上述第2电路单元的面的相反一侧的面上形成的第2连接点的第2电路块，而且上述第1电路块和上述第2电路块具有通过相互之间可以连接的构成，连接上述第1电路块和上述第2电路块，形成收容并密封上述第1电路单元的凹部，并且通过上述第1连接点与上述第2连接点接触，使上述第1电路单元与上述第2电路单元电连接的构造，而且具有用上述高频模块放大从上述基带部分输出的信号，通过上述天线发射放大的高频信号的功能。
19.高频便携式通信终端，它的特征是在权利要求18记载的高频便携式通信终端中，上述高频便携式通信终端进一步具有将从上述天线接收的高频信号变换成在上述高频模块中的中频信号，将变换后的信号输入上述基带部分的功能。
全文摘要
本发明提供可以使基板面积小型化和提高放热性的高频模块。本发明高频模块的特征是它具有第1基板10和第2基板20，在第1基板10的上面形成的凹部30中配置第1电路单元组，在第2基板20的上面配置第2电路单元组，具有当第1基板10和第2基板20上下连接时可以实现电耦合的电极端子60－a，60－b，具有通过将第1基板10和第2基板20上下连接起来形成高频模块的构造，进一步具有通过与在凹部30的底面和在第1基板10的下面形成的放热部分40连接的贯通孔50－a将从第1电路单元组放出的热传送到放热部分40的构造。
文档编号H05K1/14GK1409435SQ0213237
公开日2003年4月9日 申请日期2002年9月26日 优先权日2001年9月26日
发明者栗山哲, 田上知纪, 関根健治, 大西正已, 加贺谷修, 礒部敦 申请人:株式会社日立制作所