专利名称：半导体存储器模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及将存储器芯片安装在模块基板上的半导体存储器模块。
背景技术：
半导体存储装置大多用于个人计算机和工作站等。此外，近年来，伴随个人计算机的高速化、高密度化和高功能化，必须进一步增大半导体存储装置的存储容量。此外，大量使用低成本的存储器的市场正在扩大。因此，要求半导体存储装置进一步大容量化和低成本化。
在上述那样的半导体存储装置中，因在单位比特的成本上的优势，故个人计算机等的DRAM(动态随机存取存储器)的使用量大大增加。因为即使增加DRAM的容量，通过增大晶片的直径，也可以降低单位比特的成本，所以，DRAM被频繁使用。
但是，在DRAM中，伴随大容量化，测试时间增加，测试成本增大，伴随加工技术的高度微细化，开发费用和设备费用等都很大，能否降低这方面的成本便成了问题。
DRAM输入输出的比特的结构通常是4比特、8比特或16比特。因此，DRAM的比特数种类的范围窄。结果，一般将多个DRAM作为1个模块使用。这样，DRAM等半导体存储装置大多在模块的状态下使用。
在图21和图22中，示出先有的半导体存储模块的例子。先有的半导体存储模块的构造象与能在印刷线路板的两面安装元件的表面安装技术对应的SOP(小型封装)和TSOP(小而薄的封装)那样，是将裸芯片101、安装岛104、键合线105、引线框110模压在模塑树脂上形成单体芯片117，再将该单体芯片117安装在模块基板102上，。再有，在本说明书中，所谓单体芯片是指将裸芯片以单体的形式模压形成的芯片。
此外，伴随存储器芯片的高性能化和高功能化，对于存储器封装，其开发朝着小型化和超薄化方向发展。而且，存储器封装采用插入方式，但近年来，正象使用表面安装方式那样，封装形式有很大的变化。
现在，与直插方式相比，表面安装方式已成为主流方式，更加进一步要求封装小型化和轻薄化。现在，通过使用半导体模块来谋求简化设计和提高可靠性以及降低成本。
此外，在先有的半导体存储模块的制造过程中，对于制造半导体存储器模块之后的模块测试，当发生次品芯片时，进行测试并将次品换掉，直到没有次品为止。
如上所述前，先有的半导体存储模块如图21所示，因将多个已封装的一例单体芯片117的单体存储器芯片IC(集成电路)安装在模块基板102上，故存在单体存储器芯片IC的安装面积大的问题。
对于上述问题，本发明者对通过将设在模块基板上的多个裸芯片一体模塑来实现模块基板的高密度安装进行探讨。
此外，在先有的半导体存储器模块的制造过程中，存在替换已检测出是次品的存储器芯片很费事的问题。进而，作为容易进行高密度安装的半导体存储器模块，有COB(在板芯片)化的存储器模块，但是，在先有的COB存储器模块中，存在在模塑密封裸芯片之后不能修复已检测出的不良裸芯片的问题。
本发明者对上述问题进行了探讨，当利用模塑树脂模塑芯片之后检测出不良芯片时，通过重新安装正品芯片，可以有效地利用多个裸芯片中的除不良裸芯片之外的裸芯片。
但是，如前所述，当通过在模块基板上安装正品芯片来修复半导体存储器模块时，若只在模块基板的与已检测出为不良的裸芯片对应的位置安装正品芯片，则多个半导体存储器模块各自外形会变成不规则的形状。即，因不同的半导体存储器模块其不良裸芯片亦不相同，故模块基板安装正品芯片的位置也因半导体存储器模块而异。
因此，当运送很多半导体存储器模块时，难以将很多半导体存储器模块整齐地放在包装箱内进行捆包。即，在用来对很多半导体存储器模块进行包装的包装箱内，半导体存储器模块之间会形成间隙。结果，在半导体存储器模块搬运过程中，半导体存储器模块在包装箱内会产生冲撞，从而损坏半导体存储器模块。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体存储器模块，对于已安装了作为替换品的正品芯片的半导体模块，在包装搬运过程中可以防止损伤。
此外，在象前述那样的把由本发明者探讨过的设在模块基板上的多个裸芯片一体模塑的半导体存储器模块中，在用树脂对多个裸芯片进行模塑之后，不能对半导体存储器的存储容量进行变更、增加或修复。
本发明的另一个目的在于提供一种半导体存储器模块，在用树脂对多个裸芯片进行模塑之后，能对半导体存储器的存储容量进行变更、增加或修复。
本发明第1方面的半导体存储器模块包括模块基板；安装在模块基板主表面上的多个裸芯片；将多个裸芯片和模块基板的主表面一起一体覆盖的一块模塑树脂；作为模块基板主表面的一个区域，当检测出多个裸芯片中的某1个或2个以上的裸芯片不好时，可以安装1个或2个以上的正品芯片去代替已检测出为次品的1个或2个以上的裸芯片的正品芯片安装区域；当假定与该多个正品芯片安装区是否安装1个或2个以上的正品芯片无关而在多个正品芯片安装区上安装了所有能安装的正品芯片时，将所有的多个正品芯片安装区和所有的正品芯片一起一体覆盖的另一块模塑树脂。
若按照上述构成，因具有另一块模塑树脂，与该多个正品芯片安装区是否安装正品芯片无关，当将半导体存储器模块包装在包装箱内进行搬运时，可以将半导体存储器模块做成一定的形状，使多个半导体存储器模块之间难以形成间隙。因此，当将半导体存储器模块包装在包装箱内进行搬运时，可以防止半导体存储器模块发生损伤。
本发明第1方面的半导体存储器模块也可以在多个正品芯片安装区中的1个区域内安装1个虚拟芯片，其形状和大小与1个裸芯片大致相同，但不具有正品芯片的功能。
若按照上述构成，可以做成其它模塑树脂的外形，当将半导体存储器模块包装在包装箱内进行搬运时，使多个半导体存储器模块之间难以形成间隙。
本发明第2方面的半导体存储器模块包括模块基板；安装在模块基板主表面上的包含不能正常工作的1个或2个以上的不良裸芯片的多个裸芯片；将多个裸芯片和模块基板的主表面一起一体覆盖的模塑树脂；在模塑树脂的外侧且安装在模块基板主表面上并与多个裸芯片分别起作用的1个或2个以上的存储器芯片。
若按照上述构成，当在利用模塑树脂将多个裸芯片一体覆盖的工序之后检测出在多个裸芯片中存在不良裸芯片时，可以使用与多个裸芯片功能不同的1个或2个以上的存储器芯片，有效地利用不良裸芯片。
本发明第3方面的半导体存储器模块包括模块基板；安装在模块基板主表面上的多个裸芯片；将多个裸芯片和模块基板的主表面一起一体覆盖的模塑树脂；安装在模块基板主表面上并与多个裸芯片分别起作用的1个或2个以上的存储器芯片，在1个或2个以上的存储器芯片中，至少有1个存储器芯片失去作用。
若按照上述构成，在判别存储器芯片是不是不良芯片之后，可以与测试结果对应改变半导体存储器模块的存储容量。
再有，可以根据情况，将上述本发明的第1方面到第3方面的半导体存储器模块组合起来。
附图的简单说明
图1是表示在实施形态1的半导体存储器模块中利用模塑树脂将安装在模块基板上的多个裸芯片一体模塑的状态的图。
图2是用来说明实施形态1的安装在模块基板上的裸芯片的图。
图3是用来说明实施形态1的安装在模块基板上的裸芯片和正品芯片(单体芯片)的截面构造的图。
图4是用来说明实施形态1的安装在模块基板上的一部分裸芯片是次品的图。
图5是用来说明实施形态1的使用安装在模块基板的背面的正品芯片去修复半导体存储器模块的图。
图6是用来说明实施形态1的修复之前的模块基板的构成的图。
图7是用来说明实施形态1的修复之后的模块基板的构成的图。
图8是用来说明实施形态1的半导体存储装置(裸芯片或正品芯片)的内部构成的图。
图9是用来说明实施形态1的已修复的半导体存储器模块的表面的图。
图10是用来说明实施形态1的已修复的半导体存储器模块的背面的图。
图11是用来说明实施形态1的用模塑树脂涂敷且将不仅包含已修复的半导体存储器模块的背面的正品芯片(裸芯片)还包含其它区域的模块基板的主表面整个覆盖的状态的图。
图12是图11的XII-XII线的剖面图。
图13是表示实施形态1的用模塑树脂涂敷且不仅将已修复的半导体存储器模块的背面的正品芯片(裸芯片)覆盖还将虚拟芯片覆盖的状态的图。
图14是图13的XIV-XIV线的剖面图。
图15是用来说明实施形态2和3的安装在模块基板上的裸芯片和正品芯片(单体芯片)的截面构造的图。
图16是用来说明实施形态2和3的修复之前的半导体存储器模块的构成的图。
图17是用来说明实施形态2和3的修复之后的半导体存储器模块的构成的图。
图18是用来说明实施形态2和3的修复后的半导体存储器模块的表面的构成的图。
图19是用来说明实施形态2和3的修复后(安装作为正品芯片的裸芯片之后)的半导体存储器模块的背面的构成的图。
图20是用来说明图19的XX-XX线剖面的图。
图21是用来说明先有的从半导体存储器模块的上面看去的构成的图。
图22是用来说明先有的半导体存储器模块的截面构成的图。
发明的
具体实施例方式
下面，使用图1～图8说明在用模塑树脂将裸芯片覆盖之后可进行修复的本发明恕实施形态的半导体存储器模块。
本实施形态的半导体存储器模块在检测出已模塑的裸芯片为不良芯片时，通过将作为该裸芯片的替换品的修复芯片安装在模块基板上来进行修复。
图1示出实施形态的半导体存储器模块。如图1所示，实施形态的半导体存储器模块，其多个裸芯片1直接安装在模块基板2的一个主表面，并利用模塑树脂8将多个裸芯片1一体模塑。
此外，如图2所示，利用焊接线5将设在裸芯片1上的芯片焊盘6与设在模块基板2上的引线焊盘7连接。
此外，实施形态的半导体存储器芯片模块当在多个裸芯片1中检测出某裸芯片1为不良芯片时，如图3所示，用来替换裸芯片1的正品芯片3是能够安装在设置多个裸芯片1的主表面的里侧的结构。
安装在半导体存储器模块基板2的表面的裸芯片1和用来替换裸芯片1且安装在背面的作为正品芯片的修复芯片3使用共同的电线20。换言之，当安装了正品芯片3时，如图2所示，其电线20经贯通模块基板2的通孔，与表面上安装的多个裸芯片1和背面的准备安装多个正品芯片的预定区域安装的正品芯片3分别电连接。
在本实施形态的半导体存储器模块的制造方法中，如图2所示，在将多个裸芯片1安装在模块基板2上之后，利用焊接线5将设在裸芯片1上的芯片焊盘6与设在模块基板2上的引线焊盘7连接。其后，如图3所示，通过利用模塑树脂8将多个裸芯片1一体模塑，完成半导体存储器模块。而且，在完成半导体存储器模块之后，必要时可以在模块基板2的背面安装已模塑的正品芯片3。
再有，图3示出使用利用模塑树脂将裸芯片单体覆盖的单体芯片作为起替换裸芯片1的作用的正品芯片3时的例子。但是，在本实施形态的半导体存储器模块中，作为正品芯片3使用裸芯片。此外，当使用裸芯片作为正品芯片3，如后述那样，有必要利用模塑树脂将模块基板2的背面和裸芯片一起，一体覆盖。
此外，本实施形态的半导体存储器模块在系统测试等半导体存储器模块的一例存储器模块制造之后的各种测试中，当在多个裸芯片1中检测出次品时，将正品芯片3安装在模块基板2的背面，由正品芯片3来实现次品裸芯片1的功能，从而，形成可修复的结构。
但是，为了使正品芯片3实现检测出是次品的裸芯片1的功能，有必要停止检测出是次品的裸芯片1的工作。因此，必须能对裸芯片1是工作状态还是不工作状态进行控制。
本实施形态的半导体存储器模块通过向实际使用时不用的端子输入规定的电压的信号来对安装在模块基板2上的裸芯片1的输入输出进行通断控制，使正品芯片3实现检测出是次品的裸芯片1的功能。
再有，本实施形态的半导体存储器模块在将多个裸芯片1安装在模块基板2上且使裸芯片1上的芯片焊盘6与模块基板2上的引线焊盘7电连接之后，利用模塑树脂8进行一体模塑。因此，可以减小半导体存储器模块的实际安装面积。
图4和图5示出修复后的模块基板的构成例。如图4和图5所示，半导体存储器模块在模块基板2的表面安装裸芯片1(D0～D7)，在背面设置多个修复时用来安装正品芯片3(D’0～D’7)的正品芯片安装区。
图6示出修复前安装有裸芯片1(D0～D7)的模块基板2的表面和背面的方框图。如图6所示，在裸芯片1(D0～D7)中，设置QFC引脚(只要是通常不使用的端子，不限于QFC引脚)，用来对检测出是次品的裸芯片1的输入输出进行控制。图6示出修复后安装有修复时使用的正品芯片3(D’0～D’7)的模块基板2的表面和背面的方框图。再有，假定裸芯片1(D0～D7)和正品芯片3(D’0～D’7)使用分别由公共电线20连接的输入输出端子DQ0～DQ63。再有，输入输出端子DQ0～DQ63与其它电路或存储器连接，是用于其它电路或存储器的电信号的输入输出的端子。
在图6所示的修复前的半导体存储器模块的构成中，因没有安装正品芯片3所以没有什么问题，但在图7所示的修复后的半导体存储器模块的构成中，因裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)使用由公共电线20连接的输入输出端子DQ0～DQ63，故在裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)都工作的状态下，裸芯片1(D0)和正品芯片3(D’0)各自的输入输出信号发生冲突而出现不良状况。
因此，在本实施形态的半导体存储器模块中，通过将检测出是次品的裸芯片1的QFC引脚固定在规定的电位上，使从该裸芯片1的输入输出端子来的信号不能输入输出，由此，可以防止上述不良状况的发生。再有，因QFC引脚露出在模塑树脂8的外面，故即使在用模塑树脂8将裸芯片1覆盖后，也可以从外部将QFC引脚固定在规定的电位上。此外，裸芯片1的内部电路构成是，当QFC引脚的电位固定为规定的电位时，从裸芯片1的输入输出端子来的电信号可以进行输入输出。
例如，如图6所示，当QFC引脚打开(OPEN)时，通过图8所示的芯片控制装置12的动作，裸芯片1(D0～D7)或正品芯片(D’0～D’7)从图8所示的输入输出装置14向输入输出端子DQ0～DQ63输出电信号，或从输入输出端子DQ0～DQ63向图8所示的输入输出装置14输入电信号。当QFC引脚固定在接地电位(GND)时，通过图8所示的芯片控制装置12的动作，裸芯片1(D0～D7)或正品芯片(D’0～D’7)停止从使用了图8所示的输入输出装置14的输入输出端子DQ来的信号的输入或从输入输出端子DQ输出。
因此，当不存在已检测出的次品裸芯片1时，可以不必安装正品芯片3(D’0～D’7)，而实现将多个裸芯片1直接安装在模块基板2上的半导体存储器模块。此外，通常，在半导体装置工作时，裸芯片1(D0～D7)实际工作时不使用的QFC引脚利用芯片控制装置12控制成OPEN，从裸芯片1(D0～D7)向输入输出端子DQ0～DQ63输出信号，或者，从输入输出端子DQ0～DQ63向裸芯片1(DQ)输入信号。
进而，在半导体存储器模块中，当存在已检测出的次品裸芯片1时，在模块基板2的设有裸芯片1的面的背面安装正品芯片3(D’0～D’7)，通过将裸芯片1(D0)的QFC引脚固定在接地电位(GND)，裸芯片1(D0)停止向输入输出端子DQ0～DQ7输出信号或从输入输出端子DQ0～DQ7输入信号。由此，正品芯片3(D’0)向输入输出端子DQ0～DQ7输出电信号或从输入输出端子DQ0～DQ7输入电信号。因此，正品芯片3取代次品裸芯片1的功能，可以修复半导体存储器模块。
其次，使用图9和图10说明系统测试结束后的已修复的半导体存储器模块。如图9和图10所示，在系统测试后的模块基板的背面，只在与已检测出为次品的裸芯片1的位置对应的位置上设置正品芯片3。
再有，在图3中，作为正品芯片3，示出了使用单体模塑裸芯片的单体模塑品的例子，但在后面的图10～图14所示的半导体存储器模块中，作为正品芯片3，示出使用裸芯片的例子。
此外，在图10所示状态下的半导体存储器模块中，不管是不是设置正品芯片3的区域，如图11和图12所示那样，假定所有用来安装正品芯片3的正品芯片安装区都安装正品芯片3，为了覆盖该假定的正品芯片3，利用模塑树脂8将模块基板2的背面的几乎整个面一体模塑。
这是为了防止出现如前面所述那样的情况，当通过将正品芯片安装在模块基板上来修复半导体存储器模块时，若只在模块基板的与已检测出为不良的裸芯片对应的位置安装正品芯片，则多个半导体存储器模块各自外形会变成不规则的形状。即，因不良裸芯片因半导体存储器模块而异，故模块上安装正品芯片的位置也因半导体存储器模块而异。
更具体一点说，当不将模块基板2的背面一体覆盖时，在搬运半导体存储器模块时，难以将很多半导体存储器模块整齐地码放在搬运用包装箱内进行捆包。即，在将半导体存储器捆包的包装箱内，半导体存储器模块之间形成间隙。结果，在半导体存储器模块搬运过程中，半导体存储器模块在包装箱内会产生冲撞，从而损坏半导体存储器模块。
因此，如图11和图12所示，不管是否安装修复用正品芯片3，假定安装了所有的修复用正品芯片3，为了覆盖该假定的正品芯片，将模块基板2的背面的几乎整个面一体模塑。因此，可以将正品芯片安装区附近的模塑树脂的外形做成当对半导体存储器模块进行捆包时难以在半导体存储器模块之间产生间隙的形状。结果，在半导体存储器模块捆包搬运时，可以防止因半导体存储器模块之间的冲撞而损坏半导体存储器模块。
此外，在前述图11和图12所示的修复后的半导体存储器模块中，在未使用修复芯片的模块基板2上的用来安装正品芯片的正品芯片安装区内，除模塑树脂之外没有安装任何东西。但是，如图13和图14所示，希望在未安装正品芯片3的正品芯片安装区上安装虚拟芯片30。该虚拟芯片30是不具有正品芯片功能的芯片，可以是内部未封入裸芯片的单体模塑品(单体芯片)、已检测出单体模塑品不合格的地方的单体不合格模塑品或单单切出和模塑品的形状及大小相同的基板。
若按照这样的本实施形态的半导体存储器模块，通过设置虚拟芯片30，容易使未安装正品芯片3的模块基板2上的模塑树脂8的外形和已安装正品芯片3的模块基板2上的模塑树脂8的外形大致相同。因此，可以将半导体存储器模块的外形做成当对半导体存储器模块进行捆包装箱搬运时难以在多个半导体存储器模块之间产生间隙的形状。结果，若按照本实施形态的半导体存储器模块，可以防止半导体存储器模块在搬运过程中产生损坏。
此外，虚拟芯片30和正品芯片3因其形状和大小相同，故容易将模塑树脂8的外形做成在多个半导体存储器模块之间难以产生间隙的形状。
再有，在本实施形态的半导体存储器模块中，示出了在所有可安装正品芯片3的区域安装虚拟芯片30的例子，但也可以不在所有可安装正品芯片3的区域安装虚拟芯片30，而只在可安装正品芯片3的多个正品芯片安装区域中的某一个区域、或在从可安装正品芯片3的多个正品芯片安装区域中选出的2个以上的区域安装虚拟芯片30。若即使存在1个虚拟芯片30，也容易将半导体存储器模块的外形做成在多个半导体存储器模块之间难以产生间隙的形状。
(实施形态2)其次，使用图15～图20说明本实施形态的半导体装置。
本实施形态的半导体存储器模块如图15～图17所示，和实施形态1的半导体存储器模块的结构大致相同，但在图3所示的结构中，在模块基板2上形成的多根电线20并不贯通模块基板2而与裸芯片1和正品芯片3电连接，这一点和实施形态1记载的半导体存储器模块不同。
即，本实施形态的正品芯片3如图16和图17所示，具有相对裸芯片1个别独立的电线20和分别与该电线20连接的输入输出端子DQ0～63。因此，本实施形态的正品芯片3在用模塑树脂8将多个裸芯片1模塑之后，可以作为多个裸芯片1中的某一个裸芯片1或多个裸芯片中的某几个裸芯片1的组合的存储器的替换品起作用，同时，可以作为用来使半导体存储器模块的容量改变或增加的存储器起作用。再有，在本实施形态的半导体存储器模块中，作为修复用正品芯片3，可以如图19和图20所示那样使用裸芯片，也可以如图15所示那样使用单体芯片。
更详细地说，本实施形态的半导体存储器模块如图16和图17所示，电线20分别与裸芯片1和正品芯片3独立连接，该独立的电线20分别与不同的输入输出端子DQ0～63连接，这一点与实施形态1的半导体存储器模块不同。反过来说，本实施形态的半导体存储器模块对于图1、图2、图4和图5的结构而言，和实施形态1的半导体存储器模块具有相同的结构。
此外，本实施形态的半导体存储器模块如图18～图20所示，在模块基板2的整个背面安装和裸芯片1相同数量的正品芯片3。因此，本实施形态的半导体存储器模块具有在模块基板2上安装多个裸芯片1的半导体存储器模块的2倍的存储容量。
例如，本实施形态的半导体存储器模块，其1个裸芯片1的存储容量是8MB，当将总存储容量是64MB的8个裸芯片1安装在模块基板2的表面时，其总存储容量是64MB。进而，本实施形态的半导体存储器模块通过在半导体存储器模块的模块基板2的背面安装8个8MB单体正品芯片3，使总存储容量达到128MB，完成时，则具有表面安装8个裸芯片1时的存储容量的2倍存储容量。
此外，本实施形态的半导体存储器模块经过下面的制造工序制造。首先，经过和实施形态1记载的半导体装置的制造方法相同的制造工序，利用模塑树脂8在表面上将64MB的多个裸芯片1一体模塑。其次，当制造128MB的模块时，进行系统测试。根据该系统测试的结果，只对已检测出模块基板2表面的所有裸芯片1都是合格品的半导体存储器模块，在其模块基板2的背面安装64MB的8个正品芯片3，制造出128MB的半导体存储器模块。其次，和模块基板2的背面一起，用模塑树脂8将多个正品芯片3一体覆盖。
象上述制造方法那样，根据系统测试的结果，只对已检测出模块基板2表面的所有裸芯片1都是合格品的半导体存储器模块，在其模块基板2的背面安装64MB的8个正品芯片3，由此，可得到以下效果。
若按照本实施形态的半导体存储器模块的制造方法，当根据系统测试的结果，检测出安装在模块基板2的表面上的裸芯片1存在次品，因模块基板2的一部分表面的裸芯片不合格而不能制造出128MB的半导体存储器模块时，可以只在不合格的地方安装模塑正品而变成64MB的合格品模块。
结果，通过系统测试，当检测出次品裸芯片1时，通过在模块基板2上安装正品芯片3去取代次品裸芯片1，可以和实施形态1的半导体存储器模块一样，在用模塑树脂8将多个裸芯片1覆盖之后，对半导体存储器模块进行修复。
因此，当一体覆盖的多个裸芯片1中的一部分不合格而必须废弃其余部分的合格的裸芯片1时，可以灵活使用其余部分的合格的裸芯片1来制造半导体存储器模块。
此外，当在系统测试之后，不管是否检测出次品裸芯片1，而必须改变或增加半导体存储器模块的总存储容量时，也可以在模块基板2上安装必要数量的正品芯片3。由此，即使在用模塑树脂8将多个裸芯片1模塑之后，即使半导体存储器模块的存储容量的设计改变了，也可以很快地与其对应。
(实施形态3)其次，使用图15～图20说明本实施形态的半导体存储器模块。
本实施形态的半导体存储器模块和实施形态1的半导体存储器模块的结构大致相同，但如图15～图17所示，和实施形态2记载的半导体存储器模块一样，在图3所示的结构中，在模块基板2上形成的多根电线20并不贯通模块基板2与裸芯片1和正品芯片3电连接，这一点和实施形态1记载的半导体存储器模块不同。
换言之，本实施形态的半导体存储器模块如图6和图7所示，电线20分别与裸芯片1和正品芯片3独立连接，该独立的电线20分别与不同的输入输出端子DQ连接，这一点与实施形态1的半导体存储器模块不同。反过来说，对于图1、图2、图4和图5的结构而言，和实施形态1的半导体存储器模块具有相同的结构。
此外，本实施形态的半导体存储器模块经过下面的制造工序制造。首先，经过和实施形态1记载的半导体装置的制造方法相同的制造工序，利用模塑树脂8在表面上将多个裸芯片1一体模塑。然后，对模块基板2的表面安装了裸芯片1的半导体存储器模块进行系统测试。在该系统测试结束的阶段，当安装在模块基板2的表面的所有裸芯片1都是合格品时，如图18～图20所示，在模块基板2的背面，分别与裸芯片1对应安装所有可安装的正品芯片3。其次，和模块基板2的背面一起，用模塑树脂8将多个正品芯片3一体覆盖。
然后，对在模块基板2的背面安装多个正品芯片3的半导体存储器模块进行系统测试。在该系统测试中，当检测出正品芯片3有不合格品时，分别切断多个正品芯片3与其它电路的电连接，或者，分别使多个正品芯片3处于非激活状态。
例如，对于实施形态2已说明的128MB半导体存储器模块的例子，当利用系统测试检测出安装在模块基板2的表面的8个裸芯片1全都合格时，则在模块基板2的背面安装8个正品芯片3。然后，进而对已安装正品芯片3的半导体存储器模块进行系统测试。当由该系统测试的结果检测出8个正品芯片3中有次品时，分别切断正品芯片3与其它电路的电连接，或者，分别使正品芯片3处于非激活状态。
因此，8正品芯片3与其它电路的电连接分别被切断的半导体存储器模块可以作为64MB的正品半导体存储器模块使用，该半导体存储器模块只起模块基板2表面安装的8个裸芯片1的作用。
再有，在本实施形态的半导体存储器模块的制造方法中，在正品芯片3分别断开与其它电路的连接或不被激活之后，将模块基板2的表面和正品芯片一起一体覆盖。
若按照上述那样的半导体存储器模块的制造方法，在安装多个正品芯片3之后，当检测出在该安装的多个正品芯片3中有次品芯片时，使多个正品芯片3全部不能工作，即通过分别断开多个正品芯片3与其它电路的连接或分别使多个正品芯片3不被激活，可以制造出只有效地利用裸芯片1的功能的半导体存储器模块。
此外，在前述的说明中，断开多个正品芯片3与其它电路的全部连接或使多个正品芯片3全部不被激活，但也可以与检测出正品芯片3中是否有次品的测试结果对应，只断开多个正品芯片3中的1个或2个以上的指定正品芯片3与其它电路的连接或使其不被激活。若按照这样的制造方法，在检测正品芯片3中是否有次品的测试之后，可以改变或增加半导体存储器模块的存储容量。
此外，对于本实施形态的半导体存储器模块，和实施形态1和实施形态2的半导体存储器模块一样，作为修复用正品芯片3，可以是图15所示的单体芯片，也可以是图19和图20所示的裸芯片。
再有，在实施形态1～3的半导体存储器模块中，示出了在模块基板2的一个面(表面)安装裸芯片1，在另一面(背面)安装正品心拍3的例子，但当可以将模块基板做得大时，也可以只在模块基板的一个面安装裸芯片和正品芯片，而在另一面不安装芯片。
此外，可以根据情况，将上述实施形态1至3的半导体存储器模块及其制造方法组合起来使用。
权利要求
1.一种半导体存储器模块，其特征在于，包括模块基板；安装在该模块基板主表面上的多个裸芯片；将上述多个裸芯片和上述模块基板的主表面一起一体覆盖的一块模塑树脂；作为上述模块基板主表面的区域，当检测出上述多个裸芯片中的某1个或2个以上的裸芯片不好时，可以安装1个或2个以上的正品芯片去代替已检测出为次品的上述1个或2个以上的裸芯片的正品芯片安装区域；当假定与该多个正品芯片安装区是否安装上述1个或2个以上的正品芯片无关而在上述多个正品芯片安装区上安装了所有能安装的上述正品芯片时，将所有的上述多个正品芯片安装区和所有的假定正品芯片一起一体覆盖的另一块模塑树脂。
2.权利要求1记载的半导体存储器模块，其特征在于在上述多个正品芯片安装区中的1个区域安装1个虚拟芯片，其形状和大小与上述1个裸芯片大致相同，但不具有上述正品芯片的功能。
3.权利要求1记载的半导体存储器模块，其特征在于在上述多个正品芯片安装区中的各个区域安装虚拟芯片，其形状和大小与上述1个裸芯片大致相同，但不具有上述正品芯片的功能。
4.一种半导体存储器模块，其特征在于，包括模块基板；安装在该模块基板主表面上的包含不能正常工作的1个或2个以上的不良裸芯片的多个裸芯片；将上述多个裸芯片和上述模块基板的主表面一起一体覆盖的模塑树脂；在该模塑树脂的外侧且安装在上述模块基板主表面上并与上述多个裸芯片分别起作用的1个或2个以上的存储器芯片。
5.权利要求4记载的半导体存储器模块，其特征在于上述1个或2个以上的存储器芯片作为代替上述不良芯片起作用的修复芯片使用。
6.权利要求4记载的半导体存储器模块，其特征在于上述1个或2个以上的存储器芯片作为改变半导体存储器模块的总存储容量的芯片使用。
7.一种半导体存储器模块，其特征在于，包括模块基板；安装在该模块基板主表面上的多个裸芯片；将上述多个裸芯片和上述模块基板的主表面一起一体覆盖的模塑树脂；安装在上述模块基板主表面上并与上述多个裸芯片分别起作用的1个或2个以上的存储器芯片，在上述1个或2个以上的存储器芯片中，至少有1个存储器芯片失去作用。
8.权利要求7记载的半导体存储器模块，其特征在于上述1个或2个以上的存储器芯片全部失去作用。
全文摘要
在模块基板的背面，只在与已检测出为次品的裸芯片的位置对应的位置上设置修复用正品芯片。此外，将模块基板的背面全部模塑，而不管是否安装有正品芯片。由此，将半导体存储器模块做成一定的形状，当用包装箱将半导体存储器模块捆包以便搬运时，在多个半导体存储器模块之间很难形成间隙。结果，对于安装有修复用正品芯片的半导体模块，可以防止其在包装搬运时发生损伤。
文档编号H05K1/18GK1453869SQ0215939
公开日2003年11月5日 申请日期2002年12月27日 优先权日2002年4月24日
发明者柏崎泰宏, 笔保吉雄, 小林辰治 申请人:三菱电机株式会社, 三菱电机工程株式会社