专利名称：膜图案形成方法、及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种膜图案形成方法、采用该膜图案形成方法所制造的膜图案、抗蚀剂膜、以及绝缘膜，还设计具备该膜图案、抗蚀剂膜、以及绝缘膜中的某一种的电路基板、半导体装置、表面弹性波设备、表面弹性波振荡装置、电光学装置以及电子机器。
背景技术：
以往，在基板上已知有，对配置了由导体构成的膜图案(以下称作“布线膜”)的电路布线、和覆盖布线膜的绝缘膜等膜图案进行层叠而形成的半导体装置，或电路基板、表面弹性波设备等。并且，在制造这些装置的过程中，已知形成抗蚀剂膜等的膜图案而使用。作为膜图案的有效形成方法，如专利文献1所记载，从液滴喷头中喷出液体状的膜材料(流动体)的液滴，或者从弹落的液状材料(膜材料)中除去溶剂使之干燥，或者使液状材料硬化，由此形成膜图案的所谓喷墨方式。
膜图案需要形成根据目的功能所规定的平面形状以及厚度。在喷墨方式中，例如专利文献2所记载，按照包围规定的平面形状的膜图案形成区域的方式在基板上配置围堰，由此形成与所形成的膜图案的形状相同的平面形状的凹部。在向该凹部喷出液状材料的液滴时，已弹落的液状材料在围堰的作用下，其从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开受到抑制，故能够使液状材料在膜图案形成区域充分填充。另外，填充了液状材料的区域的平面形状，成为由围堰划分的区域的形状。通过使在凹部填充的液状材料干燥或者硬化，形成具有规定形状和厚度的膜图案。
然而，由于按照包围膜图案形成区域的方式配置围堰，因此需要膜图案形成区域和围堰形成区域，形成膜图案需要的面积增加。另外，除了形成膜图案本身的工序以及膜图案本身的制造装置之外，另外还需要用于形成围堰的工序以及制造装置。
发明内容
因此，本发明的目的在于，实现不需要膜图案形成区域以外的多余的面积、对已弹落的液状材料从膜图案形成区域的流出或者向膜图案形成区域外的润湿展开进行抑制、形成具有规定图案形状以及厚度的膜图案的膜图案形成方法、膜图案、抗蚀剂膜、以及绝缘膜；还实现了电路基板、半导体装置、表面弹性波设备、表面弹性波振荡装置、电光学装置、以及电子机器。
本发明的膜图案形成方法，是在基板上形成规定形状的膜图案的膜图案形成方法，其中，具有疏液化工序，其将基板面处理为具有疏液性；周缘形成工序，其在形成膜图案的第1区域的周缘区域，配置含有构成膜图案的材料的液状体的液滴，形成由所配置的液滴构成的周缘带，形成该周缘带干燥或者硬化后的周缘带膜；亲液化工序，其将基板面处理为具有亲液性；和填充工序，其在由周缘带膜包围的第2区域配置液滴，在第2区域填充上述液状体。
根据本发明的方法，通过周缘形成工序在第1区域的周缘区域形成由液滴构成的周缘带，形成周缘带膜。形成周缘带的液滴被配置在第1区域的周缘部，从所配置的位置向第1区域的外侧方向以及内侧方向的两个方向润湿展开。然而，在与第1区域的整个区域连续而配置液滴那样的方法中，因为与第1区域的周缘区域和与该周缘区域连续的第2区域连续配置液滴，因此配置在周缘区域的液滴，受到接着在第2区域配置的液滴要润湿展开的力，从已弹落的位置仅向第1区域的外侧方向润湿展开。因此，通过最初仅在周缘部配置液滴，从而与连续第1区域的整个区域配置液滴的方法相比，可以使在第1区域的外围配置的液滴从弹落位置向外侧方向的润湿展开变小。
另外，在周缘形成工序之前，通过实施将基板面处理成具有疏液性的疏液化工序，在第1区域的周缘部配置的液滴难以在基板面润湿展开。由于液滴的润湿展开面积较小，故厚度增厚。因此，通过实施疏液化工序，与未实施疏液化工序的基板面相比，可以使在第1区域的外围配置的液滴从弹落位置向外侧方向的润湿展开进一步减小。与此同时，可以使所形成的周缘带膜变厚。
另外，周缘带膜从基板面凸起，像包围第2区域的壁那样被形成，由于在第2区域填充的液状体因壁状的周缘带膜而被阻止向第1区域外流出，因此可以将液状体充分填充在第2区域。
还有，在填充工序之前，通过实施将基板面处理成具有亲液性的亲液化工序，在第2区域配置的液滴在基板面容易润湿展开。由于容易润湿展开，因此液滴难以维持粒状的形状，易平坦展开。因此，通过实施亲液化工序，与未实施亲液化工序的基板面相比，可以使在第2区域配置的液滴润湿展开至各处，同时可以使所形成的膜图案平坦化。
这时，膜图案形成方法，优选在周缘形成工序和亲液化工序之间进一步具有使周缘带干燥或者硬化形成周缘带膜的膜化工序。
干燥或者硬化后已凝固的状态的周缘带膜，即使受到配置在第2区域的液滴要润湿展开的力，也不会产生移动或者变形。通过包围第2区域而成为牢固的壁。因此，可以更确实可靠地抑制在第2区域内填充的液状体向第1区域外流出。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选膜化工序中的使周缘带干燥或者硬化的处理是给周缘带加热的处理或者向周缘带照射光的处理。
通过使温度上升或者照射光，可以促进溶剂的干燥，或者缩短硬化的反应时间，与不实行使温度上升或照射光的情况相比，可以更高效地由液状的周缘带形成固体状的周缘带膜。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选在疏液化工序中，使基板的形成膜图案的面相对于水的接触角为60度以上。
相对于水的接触角为60度以上的面，难以由所配置的液状体润湿，因此所配置的液滴的润湿展开面积变小，同时厚度变厚。因此，通过使基板面相对于水的接触角为60度以上，可以使在第1区域的外围配置的液滴向外侧方向的润湿展开更小，同时可以使所形成的周缘带膜变厚。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选在亲液化工序中，使基板的形成膜图案的面相对于水的接触角为30度以下。
相对于水的接触角为30度以下的面，相对所配置的液状体的润湿性良好，在第2区域配置的液状体润湿展开良好。由于容易润湿展开，因此液滴难以维持粒状的形状，容易平坦展开。因此，通过使相对于水的接触角为30度以下，可以使得在第2区域配置的液滴润湿展开至各处，同时可以使所形成的膜图案平坦化。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选疏液化工序具有预处理工序，其对基板面实行亲液化处理或者疏液化处理；和调整处理工序，其通过在预处理工序中实行亲液化处理的情况下实行疏液化处理，在预处理工序中实行疏液化处理的情况下实行亲液化处理，将形成膜图案的面相对于水的接触角调整成为规定的接触角以上。
在预处理工序中，通过实施亲液化处理，将基板面处理成由该亲液化处理可能达到的最高亲液性。通过处理成上述的最高亲液性，预处理工序后的基板面的接触角成为恒定的值，因此通过预先进行测定，可以使预处理工序后的基板面的接触角为已知。接着，在调整处理工序中，通过疏液化处理使接触角增加。根据预处理工序后已知的接触角使接触角增加，从而容易实现需要的接触角。同样地，在预处理工序中，通过实施疏液化处理，将基板面处理成为由该疏液化处理可能达到的最高疏液性。接着，在调整处理工序中，通过亲液化处理使接触角减少。根据预处理工序后的已知的接触角使接触角减少，从而容易实现需要的接触角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行疏液化处理的工序是在基板的表面形成由含有氟的有机分子组成的有机薄膜的工序。
在形成膜图案的面上形成疏液性的层，可以将该面的接触角调整成为疏液性侧的角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行疏液化处理的工序是使用碳氟系化合物作为反应气体对上述基板的表面进行等离子体处理的工序。
形成膜图案的面被改性成为具有疏液性，可以将该面的接触角调整成疏液性侧的角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行疏液化处理的工序是在基板的表面涂布含有氟的高分子化合物而形成疏液膜的工序。
在形成膜图案的面上形成疏液性的膜，可以将该面的接触角调整成疏液性侧的角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行亲液化处理的工序是向基板的表面照射紫外线的工序。
将形成膜图案的面改性成为具有亲液性，可以将该面的接触角调整成亲液性侧的角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行亲液化处理的工序是使用氧作为处理气体对基板的表面进行等离子体处理的工序。
将形成膜图案的面改性成为具有亲液性，可以将该面的接触角调整成亲液性侧的角。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选进行亲液化处理的工序是对基板的表面进行酸或者碱处理的工序。
在形成膜图案的面形成亲液性的层，可以将该面的接触角调整成亲液性侧的角。
在这种情况下，通过膜图案形成方法而形成的周缘带，优选使液滴相互接触连接成一列。
由于可以使周缘带所占的面积变小，因此，即使是狭小的第1区域也可以形成周缘带。另外，可以缩短形成周缘带所需要的时间。
在这种情况下，就膜图案形成方法而言，优选交替多次实行周缘形成工序和膜化工序，形成已层叠的周缘带膜。
由于可以使周缘带膜的高度更高，可以在第2区域填充更多液状体，因此可以形成更厚的膜图案。
在这种情况下，在周缘形成工序中所使用的液状体的粘性，优选比在填充工序中所使用的液状体的粘性更高。
为了抑制液滴从弹落位置的展开，形成更高的周缘带或者周缘带膜，优选液状体的粘性较大。另一方面，为了在整个区域填充液状体，优选液状体的粘性较小。因此，液状体的粘性需要成为满足双方的值。通过使在周缘形成工序中所使用的液状体的粘性大于在填充工序中所使用的液状体的粘性，在周缘形成工序中所使用的液状体不必为了在整个区域填充液状体而减小液状体的粘性，与在两个工序中使用相同粘性的液状体的方法相比，可以使用粘性更大的液状体。同样地，在填充工序中所使用的液状体不必为了形成更高的周缘带或者周缘带膜而增大液状体的粘性，可以使用粘性更小的液状体。
在这种情况下，在所述周缘形成工序中喷出的液滴每1滴的体积，优选小于在填充工序中喷出的液滴每1滴的体积。
液滴的体积越大，弹落的液滴的润湿展开面积越大。为了抑制液滴从弹落位置的展开，优选液滴的体积较小。另一方面，为了将液状体高效填充在区域内，优选液滴的体积较大。因此，需要使液滴的体积成为满足双方的值。通过使在周缘形成工序中所喷出的液滴的体积小于在填充工序中所喷出的液滴的体积，在周缘形成工序中喷出的液滴不必为了将液状体高效填充在区域内而增大液滴的体积，与在两个工序中都使用相同体积的液滴的方法相比，可以成为体积更小的液滴。同样地，在填充工序中喷出的液滴不必为了抑制液滴从弹落位置的展开而减小液滴的体积，可以成为体积更大的液滴。如此，选择容易抑制液滴从弹落位置的展开的液滴的体积、和容易高效填充的液滴的体积，可以高效形成多余展开较小的膜图案。
本发明的膜图案，其特征在于，采用上述技术方案所述的膜图案形成方法而形成。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的适当的图案形状以及厚度的膜图案，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。
本发明的抗蚀剂膜，其特征在于，采用上述技术方案所述的膜图案形成方法而形成。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的抗蚀剂膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。
本发明的绝缘膜，其特征在于，采用上述技术方案所述的膜图案形成方法而形成。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的绝缘膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。
本发明的表面弹性波设备的制造方法，其特征在于，具有在表面弹性波设备的表面的未实施阳极氧化处理的部分，采用上述技术方案所述的膜图案形成方法形成抗蚀剂膜的工序；和对上述表面弹性波设备的表面实行阳极氧化处理的工序。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现不会对阳极氧化被处理面产生影响、同时从阳极氧化处理中保护非处理面的具有适当的平面形状以及厚度的抗蚀剂膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。这样，可以实现具有适当的阳极氧化被处理面以及阳极氧化非处理面的适当的表面弹性波设备。
本发明的表面弹性波设备，其特征在于，在形成上述技术方案所述的抗蚀剂膜之后，实行阳极氧化而形成。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现不会对阳极氧化被处理面产生影响、同时从阳极氧化处理中保护非处理面的具有适当的平面形状以及厚度的抗蚀剂膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。这样，可以实现具有适当的阳极氧化被处理面以及阳极氧化非处理面的适当的表面弹性波设备。
本发明的表面弹性波设备，其特征在于，在形成上述技术方案所述的抗蚀剂膜之后，实行蚀刻处理而形成。
由于采用如下所述的膜图案形成方法形成，因此可以实现不会将膜的由蚀刻去除的部分覆盖、同时保护膜的未由蚀刻去除的部分的具有适当的平面形状以及厚度的抗蚀剂膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案。这样，可以实现具有通过蚀刻所形成的适当的膜图案的、适当的表面弹性波设备。
本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有采用上述技术方案中任1种所述的膜图案形成方法，形成用于使导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间绝缘的绝缘膜的工序。
采用如下所述的膜图案形成方法，形成将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的绝缘膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案；由于具有如上所述的绝缘膜，所以可以实现能够制造适当的半导体装置的半导体装置的制造方法，该半导体装置实现了导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间的适当绝缘。
本发明的半导体装置，其特征在于，在形成于基板上的导电性膜上形成上述技术方案所述的绝缘膜，在该绝缘膜上形成有导电性膜或者半导电性膜。
采用如下所述的膜图案形成方法，形成将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的绝缘膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案；由于具有如上所述的绝缘膜，所以可以实现在导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间实现了适当绝缘的高性能半导体装置。
本发明的电路基板的制造方法，其特征在于，具有采用上述技术方案中任1种所述的膜图案形成方法，形成使导电性膜相互之间绝缘的绝缘膜的工序。
采用如下所述的膜图案形成方法，形成将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的绝缘膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案；由于具有如上所述的绝缘膜，所以可以实现能够制造适当的电路基板的电路基板的制造方法，其中所述的电路基板实现了导电性膜相互之间的适当绝缘。
本发明的电路基板，其特征在于，在基板上形成上述技术方案所述的绝缘膜，在该绝缘膜上形成有导电性膜。
采用如下所述的膜图案形成方法，形成将需要的部分充分覆盖同时抑制无用部分的覆盖的具有适当的图案形状以及厚度的绝缘膜，其中所述的膜图案形成方法可以抑制已弹落的液状体从膜图案形成区域的流出、或者向膜图案形成区域外的润湿展开，形成具有规定的图案形状以及厚度的膜图案；由于具有如上所述的绝缘膜，所以可以实现在导电性膜相互之间实现了适当绝缘的高性能电路基板。
本发明的表面弹性波振荡装置，其特征在于，具备上述权利要求所述的表面弹性波设备。
可以实现适当的表面弹性波振荡装置，其具备具有适当的阳极氧化被处理面以及阳极氧化非处理面的适当的表面弹性波设备、或者其具有通过使用了适当的防蚀涂层膜的蚀刻所形成的适当的膜图案的、适当的表面弹性波设备。
本发明的电光学装置，其特征在于，具备上述技术方案所述的膜图案。
由于具备适当的图案形状以及厚度的膜图案，因此可以实现一种高性能的电光学装置，其可以实现通过膜图案应该实现的功能。
本发明的电光学装置，其特征在于，具备上述技术方案所述的半导体装置。
由于具备使导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间实现了适当绝缘的高性能的半导体装置，因此可以实现使导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间实现了适当绝缘的、高性能的电光学装置。
本发明的电光学装置，其特征在于，具备上述技术方案所述的电路基板。
因为具备使导电性膜相互之间实现了适当绝缘的高性能的电路基板，因此可以实现使导电性膜相互之间实现了适当绝缘的、高性能的电光学装置。
本发明的电子机器，其特征在于，具备上述技术方案所述的表面弹性波振荡装置，或者电光学装置中的某一种。
根据本发明的构成，由于搭载了适当的表面弹性波振荡装置，或者高性能的电光学装置，因此可以实现高性能的电子机器。
图1是表示第1实施方式的膜图案形成方法的模式俯视图。
图2是表示膜图案形成方法的模式剖面图。
图3是表示液滴喷出装置的概略构成的立体图。
图4是用于对基于压电方式的液滴的喷出原理进行说明的液滴喷头的模式图。
图5是表示给压电元件提供的驱动信号的例子、和与驱动信号对应的喷嘴内的液状材料的状态的模式图。
图6是等离子体处理装置的概略构成图。
图7是SAW共振片的立体图。
图8是表示SAW共振子的概略构造的剖面图。
图9是表示SAW共振子的概略构造的剖面图。
图10是形成多个SAW图案的晶片的俯视图。
图11是表示进行阳极氧化的装置的概要的模式图。
图12是表示SAW共振片的制造工序的一例的流程图。
图13是表示形成电路基板的过程的一例的流程图。
图14是表示形成电路基板的过程的一例的电路基板的部分模式图。
图15是从对向基板侧观看液晶显示装置的俯视图。
图16是沿着图15的H-H’线的液晶显示装置的剖面图。
图17是液晶显示装置的图像显示区域中的各种元件、布线等的等效电路图。
图18是液晶显示装置的像素部分的放大俯视图。
图19(a)是TFT的剖面图，(b)是栅极布线与阳极布线在平面交差的部分的剖面图。
图20(a)是便携式电话的立体图，(b)是便携式信息处理装置的立体图，(c)是手表式电子机器的立体图。
图21是表示第6实施方式的膜图案形成方法的模式俯视图。
图22是表示膜图案形成方法的模式剖面图。
图中1-基板，2-区域，3-液滴喷头，4-液滴，6-液粒，6a-周缘带，7a-周缘带膜，8、8a-中央膜，9-抗蚀剂膜，32-压电元件，51-作为表面弹性波设备的SAW共振片，52-芯片，54a、54b-电极，55-IDT，56a、56b-反射器，57a、57b-连接岸面，59a、59b-区域，60-作为表面弹性波振荡装置的SAW共振子，79-阳极氧化液，80-电路基板，81-基板，82-两面基板，83、84-电路布线，84a-岸面，86-通孔，87-岸面周缘部，88-孔周缘部，89-外周缘部，91-紧贴部，92-绝缘膜，94、96-电路布线，100-作为电光学装置的液晶显示装置，100a-像素，102-作为半导体装置的TFT，111-栅电极，112-栅极布线，114-漏电极，116-源极布线，117-源电极，128-绝缘膜，141-基板，142-区域，144a、147a-周缘带膜，148、148a-中央膜，149-抗蚀剂膜，600-便携式电话，601-液晶显示部，700-便携式信息处理装置，702-液晶显示部，800-手表式电子机器，801-液晶显示部，IJ-液滴喷出装置，P-基板具体实施方式
下面，关于本发明的膜图案形成方法的一个实施方式，参照附图进行说明。而且，以下的附图中，为了使各部件以及各层成为可以识别的大小，对各部件以及各层的缩尺进行适当变更。
(第1实施方式)图1是表示第1实施方式的膜图案形成方法的模式俯视图。图2是表示本实施方式的膜图案形成方法的模式剖面图。图1所示的基板1，例如是表面弹性波设备的晶体基板。以在图1(a)中用虚线所示的区域2中形成抗蚀剂膜9的情况为例进行说明。区域2相当于第1区域，抗蚀剂膜9相当于抗蚀剂膜以及膜图案。
最初，如图2(a)所示，对基板1的面实行亲液化处理，在包括区域2的面上形成亲液性膜10。接着，如图2(b)所示，在基板1的面实行疏液化处理，对亲液性膜10的亲液性进行缓和形成疏液性膜11。亲液性膜10以及疏液性膜11的厚度为1层分子左右的厚度。接着，如图2(c)所示，以液滴4的方式从液滴喷头3将形成抗蚀剂膜9的液状材料(液状体)喷出，使之弹落在基板1的面上。弹落后的液滴4根据基板1的面相对液状材料的润湿性而成为被规定形状的液滴6，被配置在基板1上。实行亲液化处理后形成亲液性膜10的工序，相当于预处理工序，实行疏液化处理后对亲液性膜10的亲液性进行缓和形成疏液性膜11的工序，相当于调整处理工序。液状材料相当于液状体。
亲液化处理或疏液化处理是，使相对于配置在基板1上的液滴4(液状材料)的接触角(润湿性)向亲液方向或疏液方向移动的处理，处理后的接触角，依赖于实施的亲液化处理或疏液化处理、以及处理前的接触角。但是，即使是由同一材料组成的基板面，因放置的环境等的不同，有时接触角也会不同，处理前的接触角即使是由同一材料组成的基板面，有时也会不同。预处理工序是，为了在接下来的调整处理工序中使接触角移动而调整为目的接触角，使调整处理工序前的接触角成为恒定值的工序。本实施方式的预处理工序是形成亲液性膜10的工序，例如将相对于水的接触角处理成0度至10度的范围的恒定值，例如成为10度。详细的亲液化处理如后所述。
如上所述，作为已在基板1的面上弹落的液滴4的液粒6的形状，由基板1的面相对于液状材料的润湿性来规定。例如，含有20％的苯酚酚醛清漆树脂作为固态成分的液状材料，在相对于水的接触角为30度以下的面上润湿展开良好，10纳克左右的液粒6广泛润湿展开后变得不是粒状的形状，难以进行高度的测定。为了使液粒6的形状成为可以形成周缘带膜7a的形状，优选基板1的面相对液状材料的接触角较大，优选相对水的接触角为60度以上，更优选为80度以上，其中所述的周缘带膜7a的高度是可以在由周缘带膜7a所包围的区域内填充液状材料并达到足够厚度的高度。在形成疏液性膜11的工序中，例如将相对于水的接触角处理成为80度。详细的疏液化处理如后所述。
如图1(b)所示，液粒6在区域2的周缘部以相互部分重叠的间隔配置成1列。相互部分重叠的液滴6成为一体，在区域2的周缘部形成带状的周缘带6a。接着，如图2(d)所示，对周缘带6a进行干燥或者硬化后成为周缘带膜7a。在自然干燥或者自然硬化花费时间的情况下，实施使周缘带6a干燥的处理、或促进周缘带6a的硬化的处理。
使周缘带6a干燥的处理例如是加热后使溶剂蒸发。就促进周缘带6a的硬化的处理而言，例如只要液状材料为光硬化性的材料，则通过向周缘带6a照射光来促进硬化。作为具体例，例如除了通过对基板1进行加热的普通的加热板、电炉等进行的处理之外，还可以通过灯管退火进行。作为灯管退化使用的光的光源，虽然没有特别限定，但能够使用红外线灯管、氙灯、YAG激光器、氩激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等作为光源。
接着，如图2(e)所示，对形成周缘带膜7a的基板1的面实行亲液化处理后，形成亲液性膜10。如上所述，作为已在基板1的面上弹落的液滴4的液粒6的形状，根据基板1的面相对于液状材料的润湿性来规定。例如，含有20％的苯酚酚醛清漆树脂作为固体成分的液状材料，在相对于水的接触角为30度以下的面中润湿展开良好，10纳克左右的液粒6润湿展开得很大而变得不是粒状的形状。为了使液粒6更好地润湿展开，优选基板1的面相对于液状材料的接触角较小，优选相对于水的接触角为30度以下，更优选为10度以下。在实行亲液化处理形成亲液性膜10的工序中，例如将相对于水的接触角处理成为10度。实行该亲液化处理的工序，相当于亲液化工序。
接着，向由周缘带膜7a所包围的区域内喷出液滴4，在由周缘带膜7a所包围的区域内填充液粒6即液状材料。由于已在相对于水的接触角为30度以下的面上弹落的液滴4，其润湿展开良好，因此不会形成如图2(c)所示的形状的液粒6，而是如图2(f)所示，液状材料在由周缘带膜7a所包围的区域内润湿展开并进行填充，形成中央膜8。就形成中央膜8的液状材料而言，其液滴4不是粒状材料，而是润湿展开成平板状。还有，润湿展开成平板状，加之已弹落的液滴4按照对已润湿展开成平板状的液滴4之间的间隙进行掩埋的方式润湿展开，中央膜8的表面易变得平坦。
如图1(c)以及图2(g)所示，通过使填充构成中央膜8的液状材料干燥或者硬化，形成中央膜8a，由周缘带膜7a和中央膜8a，形成抗蚀剂膜9。在所填充的液状材料的自然干燥或自然硬化耗费时间的情况下，与周缘带6a一样，实施使之干燥的处理或促进硬化的处理。如果液状材料干燥或者硬化后凝固，则在比液状状态体积减少的情况下，中央膜8a的厚度比周缘带膜7a薄。
另外，在图1(c)中，为了表示将液滴4喷出后填充，将形成中央膜8a的液状材料描绘成粒状形状，然而如图2(f)所示，已弹落的液滴4成为一体，中央膜8成为厚度大致均匀的一块膜，干燥或者硬化后的中央膜8a也成为膜厚均匀的一块膜。
接着，对用于得到形成抗蚀剂膜9的基板1的面的上述适当的接触角的表面处理方法进行说明。首先，说明对基板1的表面施以疏液化处理的方法。作为疏液化处理的方法之一，可以举出在基板的表面形成由有机分子膜等组成的自组织化膜的方法。用于对基板表面进行处理的有机分子膜，其一端具有可与基板结合的官能团，另一端侧具有可将基板的表面改性成为疏液性等(对表面能进行控制)的官能团，同时具备结合这些官能团的碳的直链或者部分分支的碳链，结合于基板上进行自组织化而形成分子膜，例如单分子膜。
所谓自组织化膜，由可与基板等衬底层等的构成原子产生反应的结合性官能团和其以外的直链分子构成，是通过该直链分子的相互作用使具有极高取向性的化合物发生取向而形成的膜。该自组织化膜是使单分子取向而形成，所以可以使膜厚变得非常薄，并且在分子水平上成为均匀的膜。即，由于相同分子位于膜的表面，因此能够给膜的表面赋予均匀且优异的疏液性等。
作为具有上述高取向性的化合物，在例如使用了氟代烷基硅烷的情况下，由于按照使氟代烷基位于膜的表面的方式使各化合物取向而形成自组织化膜，因此给膜的表面赋予均匀的疏液性。
作为形成自组织化膜的化合物，例如可以举出十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟代烷基硅烷(下面，记作“FAS”)。虽然在使用的时候，优选单独使用一种化合物，但还可以将2种以上的化合物组合使用。
FAS一般由结构式RnSiX(4-n)表示。在这里，n表示1以上3以下的整数，X是甲氧基、乙氧基、卤激发子等水解基团。另外，R是氟代烷基，具有(CF3)(CF2)x(CH2)y的(在这里，x表示0以上10以下的整数，y表示0以上4以下的整数)结构，多个R或者X与Si结合，此时，R或X可以全部相同，也可以不同。用X表示的水解基团通过水解形成硅烷醇，然后与基板1(玻璃、硅)等的衬底的羟基发生反应，以硅氧烷键与基板结合。另一方面，由于R在表面具有(CF3)等氟基，因此可以将基板等的衬底表面改性成为不润湿的表面(表面能低)。
就由有机分子膜等构成的自组织化膜而言，若将上述原料化合物和基板1放入到同一密闭容器内，在室温下放置2～3天左右，则在基板上形成。另外，通过将密闭容器整体保持在100℃，则3个小时左右便可以在基板上形成。将原料化合物和基板1放入同一密闭容器中放置以形成自组织化膜的工序，相当于在基板表面形成由含有氟的有机分子构成的有机薄膜的工序。
以上所述的是由气相形成自组织化膜的形成法，但也可以由液相形成自组织化膜。例如，通过在含原料化合物的溶液中浸渍基板1，并洗涤、干燥，在基板上得到自组织化膜。通过在含原料化合物的溶液中浸渍基板1并进行洗涤而形成自组织化膜的工序，相当于在基板的表面涂布含有氟的高分子化合物形成疏液膜的工序。
作为疏液化处理的其它方法，可以举出在常压下进行等离子体照射的方法。用于等离子体处理的气体种，可以考虑基板的表面材质等而进行各种选择。例如，可以使用四氟化甲烷(四氟甲烷)、全氟代己烷、全氟代奎烷等碳氟化合物系气体作为处理气体。此时，在基板的表面可以形成疏液性的氟化聚合膜。将四氟化甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)的处理条件是，例如等离子体功率为50～1000W，四氟化碳气体流量为50～100mL/min，相对等离子体放电电极的基板载送速度为0.5～1020mm/sec，基板温度为70～90℃。关于在CF4等离子体处理中使用的等离子处理装置，其详细描述如后所述。
接着，说明对基板1的表面施以亲液化处理的方法。对具有比上述适当的接触角高的疏液性的基板1的表面，施以亲液化处理，从而对疏液性进行缓和。作为亲液化处理，可以举出照射波长为170～400nm的紫外光的方法。由此，可以部分地却作为整体均匀地破坏疏液性膜，来缓和疏液性。在这种情况下，虽然疏液性的缓和程度可以依据紫外线的照射时间进行调整，但也可以依据与紫外光的强度、波长、热处理(加热)的组合等进行调整。
作为亲液化处理的其它方法，可以举出将氧作为反应气体的O2等离子体处理。O2等离子体处理是，由等离子体放电电极对基板P照射等离子状态的氧。作为O2等离子体处理的条件的一例，例如等离子体功率为50～1000W，氧气流量为50～100mL/min，基板P相对等离子他放电电极的相对移动速度为0.5～10mm/sec，基板温度为70～90℃。由此，可以部分地却作为整体使疏液性膜均匀地改性，以缓和疏液性。关于用于O2等离子体处理的等离子处理装置，其详细描述如后所述。
作为亲液化处理的另外其它方法，可以举出将基板1暴露在臭氧气氛中的处理。依据该方法，可以部分地却作为整体使疏液性膜均匀地改性，以缓和疏液性。在这种情况下，疏液性的缓和程度能够依据照射输出、距离、时间等进行调整。
作为亲液化处理的另外其它方法，可以举出对基板1进行酸或者碱处理的方法。通过对基板1的表面进行酸或者碱处理，可以使在基板1的表面形成的疏液性的膜部分分解，以缓和疏液性。部分分解是在作为被处理的基板1的表面整体均匀产生的，可以缓和表面整体的疏液性。
在本实施方式中，作为疏液化处理方法，实施将四氟化甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)，作为亲液化处理方法，实施照射波长约为250nm的紫外光的方法。另外，在照射紫外光的亲液化处理方法中，被处理面被改性为具有亲液性，没有新形成亲液性的膜，但上述亲液性膜10是也包含被改性后的面的概念。同样地，虽然CF4等离子体处理法是将被处理面改性为具有疏液性，没有新形成疏液性的膜，但上述疏液性膜11是也包含被改性后的面的概念。
接着，对制造本发明的设备时所使用的设备制造装置进行说明。作为该设备制造装置，使用通过从液滴喷头向基板喷出(滴下)液滴来制造设备的液滴喷出装置(喷墨装置)。图3是表示液滴喷出装置的概略构成的立体图。
如图3所示，液滴喷出装置IJ具备基座12、在基座12上设置的对基板1进行支撑的基板载置台22、介于基座12和基板载置台22之间且以可以移动的方式对基板载置台22进行支撑的第1移动装置(移动装置)14、可以向由基板载置台22所支撑的基板1喷出液状材料的液滴的液滴喷头3、以可以移动的方式对液滴喷头3进行支撑的第2移动装置16、和对液滴喷头3的液滴喷出动作进行控制的控制装置23。还有，液滴喷出装置IJ，具有作为设置在基座12上的作为重量测定装置的电子天平(未图示)、压盖单元(capping unit)25、和清洗单元24。另外，含有第1移动装置14和第2移动装置16的液滴喷出装置IJ的动作由控制装置23控制。
第1移动装置14被设置在基座12上，沿着Y方向被定位。第2移动装置16使用2根支柱16a相对基座12竖立安装，备安装在基座12的后部12a。第2移动装置16的X方向(第2方向)是与第1移动装置14的Y方向(第1方向)正交的方向。在这里，Y方向是沿着基座12的前部12b与后部12a方向的方向。与此相对，X方向是沿着基座12的左右方向的方向，各自为水平方向。另外，Z方向是与X方向以及Y方向垂直的方向。
第1移动装置14例如由线性电动机构成，具备2根导轨14a、沿着该导轨14a以可以移动的方式设置的滑块14b。该线形电动机形式的第1移动装置14的滑块14b，可以沿着导轨14a在Y方向上移动进行定位。
另外，滑块14b具备绕Z轴旋转(θZ)用的电动机14c。该电动机14c例如为直接驱动电动机，电动机14c的转子被固定在基板载置台22上。这样，通过向电动机14c导电，转子和基板载置台22便可以沿着θZ方向旋转，对基板载置台22进行指向(旋转分度)。即，第1移动装置14可以在Y方向(第1方向)以及θZ方向上移动基板载置台22。
基板载置台22对基板1进行保持，定位在规定位置。另外，基板载置台22具有未图示的吸附保持装置，通过吸附保持装置的运转，穿过基板载置台22的孔22a将基板1吸附在基板载置台22的上面并进行保持。
第2移动装置16由线形电动机构成，具备固定在支柱16a上的柱状物16b、由该柱状物16b支撑的导轨16c、也可以沿着导轨16c在X方向上移动的方式被支撑的滑块16d。滑块16d可以沿着导轨16c在X方向移动而进行定位，液滴喷头3被安装在滑块16d上。
液滴喷头3具有作为摆动定位装置的电动机18a、18b、18c、18d。如果电动机18a运转，则液滴喷头3可与Z轴平行地上下转动而定位。该Z轴为相对X轴和Y轴分别正交的方向(上下方向)。一旦电动机18b运转，则液滴喷头3可以沿着围绕Y轴的β方向摆动而定位。一旦电动机18c运转，则液滴喷头3可以沿着围绕X轴的γ方向摆动而定位。一旦电动机18d运转，则液滴喷头3可以在围绕Z轴的α方向上摆动而定位。即，第2移动装置16，按照可以在X方向(第1方向)以及Z方向上移动的方式对液滴喷头3进行支撑，同时按照可以在θX方向、θY方向、θZ方向上移动的方式对该液滴喷头3进行支撑。
如此，图3的液滴喷头3在滑块16d中，可以在Z轴方向上直线移动而定位，可以沿着α、β、γ方向摆动而定位，液滴喷头3的液滴喷出面3P，可以相对基板载置台22侧的基板1准确地控制位置或者姿态。而且，在液滴喷头3的液滴喷出面3P设置有多个将液滴喷出的喷嘴。
电子天平(未图示)用于对从液滴喷头3的喷嘴喷出的液滴的一滴的重量进行测定并管理，例如从液滴喷头3的喷嘴接收5000滴量的液滴。电子天平通过用数字5000去除该5000滴液滴的重量，可以准确地测定一滴液滴的重量。基于该液滴的测定量，可以将从液滴喷头3喷出的液滴的量控制为最佳。
清洗单元24可以在制造工序中或者待机时定期地或随时地进行液滴喷头3的喷嘴等的清洗。压盖单元25是为了使液滴喷头3的液滴喷出面3P不干燥，而在未制造设备的待机时将帽盖在该液滴喷出面30P上。
液滴喷头3借助第2移动装置16在X方向上移动，由此可以使液滴喷头3在电子天平、清洗单元24或者压盖单元25的上部选择性地定位。即，即使在制造作业中途，通过将液滴喷头3移动至例如电子天平的位置，可以测定液滴的重量。另外，通过将液滴喷头3移动至清洗单元24上，可以进行液滴喷头3的清洗。通过将液滴喷头3移动至压盖单元25上，并在液滴喷头3的液滴喷出面3P上安装帽盖，来防止干燥。
即，这些电子电平、清洗单元24、以及压盖单元25，在基座12上的后端侧并在液滴喷头3的移动路径正下方，与基板载置台22隔开配置。由于针对基板载置台22的基板1的材料供给作业以及材料排出作业是从基座12的前端侧进行的，因此不会因这些电子天平、清洗单元24或者压盖单元25而给作业带来障碍。
如图3所示，在基板载置台22中、除支撑基板1以外的部分，用于液滴喷头3对液滴弃喷(waste discharge)或者试喷(test discharge)(预喷出)的预喷出区域27，与清洗单元24间隔设置。如图3所示，该预喷出区域27是在基板载置台22的后端部侧沿着X方向被设置。该预喷出区域27是由被固定在基板载置台22上且上方开口的剖面凹字形的接受部件、和按照可以自由交换的方式设置在接受部件的凹部上且对所喷出的液滴进行吸收的吸收材料构成。
接着，对液滴喷出装置的液滴的喷出技术进行说明。作为液滴喷出法的喷出技术，可以举出带电控制方式、加压振动方式、电机械转换方式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是由带电电极向材料赋予电荷，由偏转电极对材料的飞翔方向进行控制而从喷嘴喷出。另外，加压振动方式是给材料施加30kg/cm2左右的超高压后向喷嘴前端侧喷出材料，在未施加控制电压时，材料一直前进从喷嘴喷出，若施加控制电压则材料之间引起静电排斥，材料飞散后未从喷嘴喷出。另外，电机械转换方式是利用压电元件接收脉冲式的电信号产生变形的性质，借助压电元件产生变形经由挠性物质给积存材料的空间施加压力，从该空间挤出材料使之从喷嘴喷出。
另外，电热转换方式是通过在积存材料的空间内设置的加热器，使材料急剧气化后产生气泡(泡)，通过气泡的压力使空间内的材料喷出。静电吸引方式是给积存材料的空间施加微小压力，材料在喷嘴中形成弯月形状，在该状态下施加静电引力后将材料引出。并且，除此之外，还可以应用利用由电场使流体的粘性变化的方式、或通过放电火花飞出的方式等技术。其中，压电方式由于未给液状材料加热，因此具有对材料的组成等不产生影响等优点。在本实施方式中，从液状材料选择的自由度的高度、以及液滴的控制性的好处这点来看，使用上述压电方式。液滴喷出法具有在材料的使用方面浪费较少，而且可以确实可靠地将需要量的材料配置在需要的位置的优点。其中，由液滴喷出法喷出的液状材料的一滴的量是例如1～300纳克。
图4是用于说明通过压电方式的液滴的喷出原理的液滴喷头的模式图。在图4中，与收纳液状材料的液体室31(压力室)邻接设置有压电元件32。液体室31上连接有液体供给系34，经由该液体供给系34向液体室31内供给液状材料。压电元件32与驱动电路33连接，依据由驱动电路33施加的电压而伸长。若压电元件32伸长，则液体室31产生变形而对其中的液状材料加压，液状材料从喷嘴36作为液滴被喷出。
液滴喷头3中以列状配置多个上述喷嘴36，控制装置23通过对施加给压电元件的电压进行控制、即对驱动信号进行控制，对多个喷嘴36分别进行液状材料的喷出控制。具体来说，控制装置23可以使从喷嘴36喷出的液滴的体积、每个单位时间喷出的液滴的数量、液滴之间的距离等发生改变。例如，通过从排列成列状的多个喷嘴中选择性地使用将液滴喷出的喷嘴，可以使多个液滴之间的距离发生改变。
图5是表示向压电元件提供的驱动信号的一例，和与驱动信号对应的喷嘴内的液状材料的状态的模式图。以下，根据该图5，对喷出作为不同体积的3种液滴的微滴、中滴、大滴的原理进行说明。在图5中，驱动波形[A]为驱动信号产生电路生成的基本波形。波形[B]由基本波形的Part1形成，用于使弯月面(液体的凹凸面)摆动将喷嘴开口附近的已增稠的液体扩散，防止微小液滴的喷出不良于未然。B1为弯月面稳定的状态，B2表示通过对压电元件缓慢进行充电而扩张液体室(压力室)的体积将弯月稍稍引入到喷嘴内的动作。
波形[C]由基板波形的Part2形成，是将微滴的液滴喷出的波形。首先从静态(static state)(C1)开始对压电元件急剧进行充电，将弯月面迅速引入到喷嘴内(C2)。接着，与被吸入的弯月再次向填满喷嘴的方向开始振动的时刻一致，使液体室微微缩小(C3)，从而微滴的液滴飞翔。中途停止放电后的第2次放电(C4)，发挥使喷出动作后的弯月面或压电元件的残留信号减振同时控制液滴的飞翔形态的作用。
波形[D]由基本波形的Part3形成，是将中滴喷出的波形。从静态(D1)开始缓慢且较大地引入弯月面(D2)，与弯月往再次填满喷嘴的方向的时刻一致，使液体室急剧收缩(D3)，从而将中滴的液滴喷出。在D4中，通过给压电元件充电/放电，使弯月或压电元件的残留振动减振。波形[E]是将基本波形的Part2与Part3组合而形成，是用于将大滴的液滴喷出的波形。首先，在E1、E2、E3所示的过程中，将微滴的液滴喷出，使微滴喷出后稍微残留的弯月面的振动与用液体将喷嘴内填满的时刻一致，向压电元件施加喷出中滴的波形。在E4、E5的过程中，喷出的液滴是比中滴大的体积，与之前的微滴的液滴合在一起形成更大的大滴液滴。如此通过对驱动信号进行控制，可以将微滴、中滴、大滴的体积不同的3种液滴喷出。
接着，对在作为疏液化处理的方法的CF4等离子体处理中使用的等离子体处理装置、和在作为亲液化处理的方法的O2等离子体处理中使用的等离子体处理装置进行说明。CF4等离子体处理和O2等离子体处理，可以使用基本上相同的等离子体处理装置实行。
图6是表示在进行CF4等离子体处理或O2等离子体处理时所使用的等离子体处理装置的一例的概略构成图。图6所示的等离子体处理装置具有与交流电源41连接的电极42、作为接地电极的试样台40。试样台40可已在支撑作为试样的基板P的同时在Y轴方向上移动。在电极42的下面，突出设置有在与移动方向正交的X轴方向上延伸的2根平行的放电产生部44、44，同时按照包围放电产生部44的方式设置有电介质部件45。电介质部件45防止放电产生部44的异常放电。此外，含有电介质部件45的电极42的下面为大约平面状，在放电产生部44以及电介质部件45这两者和基板P之间形成一点点空间(放电间隙)。另外，在电极42的中央设置有喷气口46，所述的喷气口46构成在X轴方向上细长形成的处理气体供给部的一部分。喷气口46通过电极内部的气体通道47以及中间沟道48与气体导入口49连接。
包含通过气体通道47从喷气口46喷射的处理气体的规定气体，在上述空间中分为移动方向(Y轴方向)的前方以及后方而流动，从电介质部件45的前端以及后端向外部排气。与此同时，从交流电源41向电极42施加规定的电压，在放电产生部44、44与试样台40之间产生气体放电。此外，利用通过该气体放电生成的等离子体生成上述规定气体的激发活性种，对通过放电区域的基板P的整个表面连续进行处理。
在实行O2等离子体处理的情况下，上述规定气体混合了作为处理气体的氧气(O2)、和用于在接近大气压的压力下容易引发放电且维持稳定的氦(He)、氩(Ar)等稀有气体或氮(N2)等惰性气体。
根据第1实施方式，得到以下效果。
(1)当在区域2形成抗蚀剂膜9时，最初在区域2的周缘部形成带状的周缘带膜7a，接着，在周缘带膜7a内填充液状材料形成抗蚀剂膜9。当在周缘带膜7a内填充液状材料时，因通过壁状的周缘带膜7a阻止所填充的液状材料向区域2外流出，因此可以充分填充液状材料。
(2)当在区域2形成抗蚀剂膜9时，最初在区域2的周缘部形成带状的周缘带膜7a，接着，在周缘带膜7a内侧填充液状材料形成抗蚀剂膜9。由于周缘带膜7a即便受到来自在内侧填充的液状材料的力也不会产生变动，因此与在整个区域2连续配置液状材料的方法相比，可以减小向区域2的外侧方向的润湿展开。
(3)在周缘带6a的自然干燥或自然硬化需要时间的情况下，实施使周缘带6a干燥的处理、或促进周缘带6a的硬化的处理。在已将周缘带6a干燥或者硬化的状态下的周缘带膜7a，通过包围区域2而成为坚固的壁，可以更加确实可靠地抑制在区域2填充的液状材料向区域2外流出。
(4)通过实行疏液化处理，形成周缘带6a时的基板1的面被调节成其相对于水的接触角例如为80度，故可以形成具有可以填充足够厚度的液状材料那样的高度的周缘带膜7a。
(5)在实行疏液化处理之前，对基板1的面实行亲液化处理，在含区域2的面上形成亲液性膜10，例如将相对于水的接触角处理成为0度至10度的范围内的恒定值，例如成为10度。这样，由于在开始疏液化处理的时刻，基板1的面相对液状材料的接触角基本相同，因此可以抑制疏液化处理后的接触角在基板1内的偏差。同时，还可以抑制疏液化处理后相对于液状材料的接触角在基板1间的偏差。
(6)在向周缘带膜7a所包围的区域内喷出液滴4，向由周缘带膜7a所包围的区域内填充液状材料之前，实行亲液化处理，例如将相对于水的接触角处理成30度以下。已在相对于水的接触角为30度以下的面上弹落的液滴4，其润湿展开良好，故可以在由周缘带膜7a所包围的区域内无间隙地填充液状材料。另外，已良好润湿展开的液滴4成为平板状，与液滴4在疏液性的面上未经润湿展开而成为粒状形状的情况相比，可以使中央膜8a的表面更加平坦。
(7)用于形成周缘带膜7a的液粒6，在区域2的周缘部以相互部分重叠那样的间隔配置成1列。通过以相互部分重叠那样的间隔配置液粒6，可以形成无间隙的壁状的周缘带膜7a。另外，相互部分重叠且使液粒6之间的距离减小，因此外周的凹凸周期变小，可以形成凹凸较小的外周形状。通过配置1列液粒6，可以减小周缘带膜7a所占的面积，故即使区域2为狭小的区域，也可以形成周缘带膜7a。另外，可以缩短形成周缘带膜7a所需要的时间。
(8)液滴喷出装置IJ的液滴喷头3，可以针对多个喷嘴分别单独进行上述喷出控制。因此，可以容易地使液滴4弹落在基板上的任意位置。因而，可以按照使液滴4弹落在区域2的正确周缘部以形成正确形状的区域2的方式，形成周缘带膜7a。
(9)因液滴喷头3可以容易地使喷出的液滴体积发生改变，故可以喷出最适合周缘带膜7a的形成等的体积的液滴4，有效地形成膜图案。
(第2实施方式)接着，对本发明的膜图案形成方法的第2实施方式进行说明。在本实施方式中，对在构成作为表面弹性波振荡装置一例的SAW(SurfaceAcoustic Wave)共振子的SAW共振片上形成抗蚀剂膜的方法进行说明。在本实施方式中使用的液滴喷出方法或液滴喷出装置、疏液化处理或亲液化处理等，与第1实施方式的液滴喷出方法或液滴喷出装置或疏液化处理或亲液化处理基本相同。
最初，对SAW共振子60(参照图8)进行说明。就SAW共振子60而言，是将SAW共振片51封入到外壳(housing)中(参照图8)形成。图7是表示SAW共振片一例的立体图。如图7所示的SWA共振片51，将晶体、钽酸锂、铌酸锂等压电体切成矩形后作为基体(芯片)而构成。本实施方式的压电体的芯片52被切成平坦的长方形，在其表面(正面)53的中央由1组电极54a以及54b构成叉指电极(IDTInter Digital Transducer)55。另外，在该IDT55的长度方向的两侧形成格子状的反射器56a以及56b。形成IDT55的1组电极54a以及54b通过一方的反射器56a的外侧、即芯片52的边缘侧，被导向芯片52的端部52a，形成有若干面积的增宽的连接岸面(land)57a以及57b。
电极54a、54b、反射器56a、56b以及连接岸面57a、57b，一般采用导电性的原料，例如金、铝、铝铜合金等，从加工以及成本方面考虑，最多采用铝系原料。图7中虚线所示的区域59a、59b是形成后述的阳极氧化抗蚀剂膜的区域，相当于在第1实施方式中所说明的区域2，相当于第1区域。SAW共振片51相当于表面弹性波设备。
就SAW共振子60而言，为了通过SAW共振片51的正面53的弹性表面波得到共振频率，将SAW共振片51固定在SAW共振子60的外壳上，这可以确认不会对共振频率造成影响。对共振频率造成的影响因固定方法而不同，作为共振频率的变化较少的SAW共振片51的安装方法，采用将SAW共振片51的一端固定的所谓悬臂装配。
图8以及图9是表示使用引线对SAW共振片进行悬臂装配的SAW共振子的概略构造的剖面图。图9是图8中用V1-V1表示的剖面的剖面图。在该SAW共振子60中，在筒形且一方开口的金属制的壳体(case)61中容纳SAW共振片51，在金属制的壳体61的开口，嵌入所谓的密封端子62，由此密封壳体61。该密封端子62在玻璃部63的外周设置金属环64，2根引线65贯通玻璃部63。此外，这些引线65在壳体61内的引线端65c、65c分别与SAW共振片51的连接岸面57a、57b连接，经由这些引线65并通过密封端子62(以后，还包含引线65在内称作插塞体)将SAW共振片51悬臂装配在壳体61内。
引线端65c、65c被粘结剂66粘着在连接岸面57a、57b上，该粘结剂66为了得到电导通而采用焊锡或导电性胶粘剂。重要的是引线端65c、65c与连接岸面57a、57b在低电阻的状态下连接。另外，按照可以保持壳体内的气密性的方式对壳体61以及插塞体的金属环64施以插塞镀膜67以及外壳镀膜68，这些镀膜作为密封材料发挥功能。
如图9所示，SWA共振片51，按照使主面53相对于用点划线标记的壳体61的中心轴69倾斜的方式与引线65连接，使中心轴69与SAW共振片51交差。当如此对SAW共振片51进行装配时，即使在插塞体的中心设置引线65，由于可以在壳体61的大约中央处装配SAW共振片51，因此可以确保在SAW共振片51和壳体61的内面61a之间有足够的间隙。通过设置这样的间隙，当将SAW共振片51装入到壳体61内时，壳体61与SAW共振片51不接触，由此可以排除因壳体61与SAW共振片51接触导致SAW共振片51的振荡不稳定的可能性。另外，还可以抑制SAW共振片51与壳体61接触后产生沾染这样的故障。
倾斜SAW共振片51的角度优选为，SAW共振片51从与中心轴69平行的位置，到未设置芯片52的连接岸面一的侧的端面58d与中心轴69交差的程度的范围内为止。引线端65c通过粘结剂66与连接岸面57a、57b导通，可以不与连接岸面57a、57b直接接触，因此容易设置装配角度。由于相对中心轴69倾斜SAW共振片51，因此可将SAW共振片51和引线端65c平行胶粘，引线65可以相对中心轴69倾斜，也可将引线端65c以规定角度切割或者破碎，使用该切割面(cut surface)或者破碎面(scrapedsurface)与连接岸面57a、57b连结。
这样，对SAW共振片51进行悬臂安装，对其从壳体61等外壳进行悬浮支撑，在SAW共振片51的周围设置空间，使SAW共振片51难以受到周围环境的影响。然而，在SAW共振片51周围形成的空间，成为在封入SAW共振片51时有可能混入的SUS片或者焊锡渣等异物可以移动的空间。另外，这样的异物可能会陷进SAW共振片51的电极、例如IDT55或将IDT55与连接岸面57a、57b连接的电极中。尤其是，由于IDT55以精密级(micronorder)的精度配置，因此当在电极之间存在如上所述的导电性异物时，会成为短路的原因，会损坏SAW共振子60的稳定动作。但是，这样的异物大多为精密级的较小异物，很难完全防止其混入。另外，由于SAW共振子60被用于各种用途，因安装中或搬运中的冲击、或被安装的角度等会导致这些异物移动，因此难以在组装SAW共振子60，或者在安装的阶段完全防止上述这样的故障。
为了防止由异物导致的故障，例如还可以用氧化硅等对IDT55等进行涂敷。但是，在芯片上形成涂敷层与共振频率的变动或Q值的降低相关，会损坏悬臂装配的效果。然而，在铝系电极的表面自然形成的氧化膜，其导电性较小，可以使之作为绝缘膜发挥功能，由此可以防止短路。但是，因自然形成的氧化膜厚度较薄为10～30埃，故强度不足，很难完全保护电极免受因下落等冲击导致移动的异物的影响。因此，通过对SAW共振片51的铝系电极进行阳极氧化，在电极的表面形成膜厚为280埃前后、或者比它厚的氧化膜，防止由异物引起的故障。
图10为形成多个SAW图案的晶片的俯视图。使用在如图10所示的压电体的晶片70上形成多个SAW图案71的状态的晶片，进行阳极氧化。在本例中，仅对构成IDT55的一对电极54a以及54b中一方的电极施以阳极氧化。因此，在晶片70上，除了SAW图案71之外，还设置有连接SAW图案71的一方的电极54b的连接线72、和与阳极氧化用的电源连接的终端73。
图11是表示进行阳极氧化的装置的概要的模式图。在槽75中，放入阳极氧化79，用夹具76保持晶片70的终端73，将晶片70浸入到阳极氧化液79中。此外，将晶片70侧作为阳极从电源77流动电流。在电源77上连接有被浸入阳极氧化液79中的阴极78。通过阳极氧化，例如形成无孔性的氧化膜。因此，使用磷酸盐的水溶液或硼酸盐的水溶液的混合液作为阳极氧化液79。此外，还可以使用柠檬酸盐或己二酸盐等接近中性的盐的水溶液。而且，为了避免成为多孔性的被膜，优选液为室温左右，例如在使用硼酸盐的水溶液的情况下，优选为20～30℃左右。
通过在这样的条件下进行阳极氧化，可以在电极表面形成与施加电压大致成比例的膜厚的氧化膜。为了对氧化膜的膜厚进行控制，进而将电流投入时流动的电流控制在恒定值以下，优选使用恒定电压、恒定电流电源作为制造工序用的电源。并且，重要的是在电极中相当于连接岸面57b的部分，如上所述以低电阻的状态连接引线端65c、65c与连接岸面57a、57b，优选在连接岸面57a、57b上不形成氧化膜。因此，在相当于连接岸面57b的部分形成抗蚀剂膜，防止氧化膜的厚度增加。
接着，对本实施方式的SAW共振片51的制造工序进行说明。图12是表示SAW共振片的制造工序一例的流程图。在步骤S1中，从晶体块中切出成为晶片70(参照图10)的基板的板状晶片基板。接着，在步骤S2中，清洗切出的晶片基板。然后，在步骤S3中，在晶片基板的正面，通过例如蒸镀等形成电极膜，所述的电极膜是由铝系原料构成的薄膜。
然后，在步骤S4中，实行亲液化处理，将电极膜面相对于水的接触角处理成为0度至10度的范围内的恒定值，例如成为10度。接着，在步骤S5中，对相对于水的接触角为10度的电极膜面实行疏液化处理，将电极膜面相对于水的接触角调整成60度以上，例如为80度。
接着，在步骤S6中，向电极膜上喷出液状的防蚀涂层(etchingresist)材料。喷出方法采用第1实施方式所说明的方法。从液滴喷头3(参照图3)喷出防蚀涂层材料的液滴，使之弹落在IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b(参照图7)等的形状的周缘部，形成由防蚀涂层材料构成的周缘带。接着，在步骤S7中，如第1实施方式所说明的那样，通过使用干燥时间长的防蚀涂层材料，在直到实行接下来的步骤为止周缘带未充分干燥的情况下，实行干燥处理，形成周缘带膜。在使用干燥时间较短的防蚀涂层材料的情况下，可以不实行干燥处理。
接着，在步骤S8中，对形成周缘带膜的电极膜面实行亲液化处理，调整电极膜面相对于水的接触角为30度以下、例如为10度。
接着，在步骤S9中，向由周缘带膜包围的区域喷出防蚀涂层材料的液滴，填充防蚀涂层材料，形成中央膜。使防蚀涂层材料干燥或者硬化，形成由周缘带膜和中央膜构成且具有IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b(参照图7)等的形状的防蚀涂层膜。如第1实施方式所说明，通过使用干燥时间长的蚀刻材料，在直到实行接下来的步骤为止中央膜未充分干燥的情况下，实行干燥处理、形成中央膜。
接着，在步骤S10中，对电极膜进行蚀刻，形成IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等。然后，在步骤S11中，将IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等上面的防蚀涂层膜剥离。
接着，在步骤S12中，与步骤S4同样，对晶片基板的面实行亲液化处理，将形成IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等的面相对于水的接触角处理成为0度至10度的范围内的恒定值，例如为10度。接着，在步骤S13中，与步骤S5同样，对已使相对于水的接触角为例如10度的晶片基板的面实行疏液化处理，调节晶片基板的面相对于水的接触角为60度以上，例如为80度。
接着，在步骤S14中，按照将连接岸面57a、57b(参照图7)覆盖的方式，向区域59a、59b(参照图7)喷出液状的阳极氧化抗蚀剂材料。喷出方法采用在第1实施方式中说明的方法。从液滴喷头3(参照图3)喷出阳极氧化抗蚀剂材料的液滴，最初使之弹落在区域59a、59b的周缘部，形成由氧化氧化抗蚀剂材料构成的周缘带。
接着，在步骤S15中，如第1实施方式所说明的那样，通过使用干燥时间长的阳极氧化抗蚀剂材料，在直到实行接下来的步骤为止周缘带未充分干燥的情况下，实行干燥处理，形成周缘带膜。在使用干燥时间短的阳极氧化抗蚀剂材料的情况下，可以不实行干燥处理。
接着，在步骤S16中，对形成周缘带膜的晶片基板面实行亲液化处理，将晶片基板面相对于水的接触角调节为30度以下，例如10度。
接着，在步骤S17中，向由周缘带膜所包围的区域喷出阳极氧化抗蚀剂材料的液滴，填充阳极氧化抗蚀剂材料，形成中央膜。使阳极氧化抗蚀剂材料干燥或者固化，形成由周缘带膜和中央膜构成且将连接岸面57a、57b覆盖的阳极氧化抗蚀剂膜。如第1实施方式所说明的那样，通过使用干燥时间长的阳极氧化抗蚀剂材料，在直到实行接下来的步骤为止中央膜未充分干燥的情况下，实行干燥处理、形成中央膜。在使用干燥时间短的阳极氧化抗蚀剂材料的情况下，可以不实行干燥处理。
作为阳极氧化抗蚀剂材料，通常为酚醛树脂等，特别优选酚醛清漆系。可以在单体的状态下进行涂布之后，通过曝光使之聚合而硬化，也可以涂布在已预先聚合的聚合物状态下溶解于溶剂后的溶液。另外，只要是具有耐阳极氧化性的聚合物，则对其结构没有任何限定，可以应用所有树脂。具体来说，可以举出聚环氧化物(polyepoxy)、聚乙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯(polyvinyl)、聚苯乙烯、聚氨酯、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚酰胺以及聚碳酸酯等聚合物。另外，就这些单体而言，只要在引发剂或者单体本身受热或者光等的刺激引起聚合反应形成聚合物，就可以同样作为液状材料使用。
关于溶剂，同样地，只要是可以溶解聚合物或者单体的溶剂，就没有任何限定。具体来说，可以例示碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲替乙酰胺、二甲替甲酰胺、二甲亚砜、4-甲基-2-戊酮(MIBK)、环己酮、乳酸乙酯、1-甲氧基-2-乙酸基丙烷(PEGMEA)、2-甲氧基乙氧基乙醇、甲基乙基甲酮、甲基异丁基酮、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙酸溶纤剂等极性化合物，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、甲苯、二甲苯、异丙基苯、杜烯、茚、二聚戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己烷、环己基苯等烃系化合物，另外还可以例示乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二氧杂环己烷、丁基溶纤剂、丁基卡必醇等醚系化合物，进而还可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、己醇、辛醇、环己醇、α-萜品醇等醇类。工业用的稀释剂可以应用于许多聚合物。
接着，在步骤S18中，实施阳极氧化，在IDT55的表面形成作为电极保护膜的氧化膜。阳极氧化的方法采用在第1实施方式中基于图10以及图11说明的方法。
接着，在步骤S19中，将覆盖连接岸面57a、57b的阳极氧化抗蚀剂膜覆盖。接着，在步骤S20中，将晶片70切断成芯片形状，形成SAW共振片51。实行步骤S20，结束SAW共振片51的制造工序。
根据第2实施方式得到以下效果。
(1)可以抑制已弹落的液状防蚀涂层材料的液滴从电极形成区域流出、或者向电极形成区域外润湿展开，形成规定电极形状以及厚度的防蚀涂层膜。因此，可以形成正确形状的IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等的电极。
(2)可以抑制已弹落的液状阳极氧化抗蚀剂膜材料从连接岸面57a、57b形成区域流出、或者向区域外润湿展开，正确地覆盖连接岸面57a、57b，同时形成足够厚度的阳极氧化抗蚀剂膜。因此，可以形成不覆盖在与连接岸面57a、57b接近的位置设置的且需要进行阳极氧化处理的IDT55，而将连接岸面57a、57b覆盖的阳极氧化抗蚀剂膜。
(3)可以抑制已弹落的液状阳极氧化抗蚀剂膜材料从连接岸面57a、57b形成区域流出，或者向区域外润湿展开，并正确地覆盖连接岸面57a、57b，同时形成足够厚度的阳极氧化抗蚀剂膜。因此，不需要用于对阳极氧化抗蚀剂膜的形状进行规定的围堰等，可以不用围堰覆盖在与连接岸面57a、57b接近的位置设置的且需要进行阳极氧化处理的IDT55，而形成阳极氧化抗蚀剂膜。
(4)喷出防蚀涂层材料的液滴，在弹落到IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等形状的周缘部之前，实行疏液化处理，由此对形成周缘带时的电极膜的面进行调节以使其相对于水的接触角为例如80度。这样，可以形成具有能够将液状防蚀涂层材料填充至足够厚度那样的足够高度的周缘带膜。
(5)在实行疏液化处理之前，对电极膜的面实行亲液化处理，例如将相对于水的接触角处理成为10度。这样，在开始疏液化处理的时点，电极膜的面相对于液状防蚀涂层材料的接触角基本一致相同，因此可以抑制疏液化处理后的接触角在电极膜面内的偏差。同时，还可以对疏液化处理后的、电极膜面相对于液状防蚀涂层材料的接触角在不同的晶片基板之间的偏差进行抑制。
(6)向由周缘带膜所包围的区域内喷出防蚀涂层材料的液滴，在由周缘带膜所包围的区域内填充液状防蚀涂层材料之前，实行亲液化处理，例如将相对于水的接触角处理成为10度。已在相对于水的接触角为30度以下的面上弹落的液滴润湿展开良好，因此可以在由周缘带膜包围的区域内无间隙地填充液状防蚀涂层材料。另外，润湿展开良好的液状防蚀涂层材料为平板状，可以使防蚀涂层膜的表面更加平坦。
(7)喷出阳极氧化抗蚀剂材料，在使之弹落到含有连接岸面57a、57b的区域59a、59b的周缘部之前，实行疏液化处理，从而对形成周缘带时的晶片基板的电极形成面进行调节，以使其相对于水的接触角例如为80度。这样，可以形成具有能够将液状阳极氧化抗蚀剂材料填充至足够厚度那样的足够高度的周缘带膜。
(8)在实行疏液化处理之前，对晶片基板的电极形成面实行亲液化处理，将例如相对于水的接触角处理成为10度。这样，在开始疏液化处理的时点的晶片基板的电极形成面相对于液状阳极氧化抗蚀剂材料的接触角基本一致相同，因此可以抑制疏液化处理后的接触角在晶片基板面内的偏差。同时，还可以对疏液化处理后的、晶片基板面相对于液状防蚀涂层材料的接触角在不同的晶片基板之间的偏差进行抑制。
(9)向由周缘带膜包围的区域内喷出阳极氧化抗蚀剂材料的液滴，在向周缘带膜所包围的区域内填充液状阳极氧化抗蚀剂材料之前，实行亲液化处理，将例如相对于水的接触角处理成为10度。已在相对水的接触角为30度以下的面弹落的液滴润湿展开良好，因此可以在由周缘带膜包围的区域内无间隙地填充液状阳极氧化抗蚀剂材料。另外，润湿展开良好的液状阳极氧化抗蚀剂材料为平板状，可以使阳极氧化抗蚀剂膜的表面更加平坦。
(第3实施方式)接着，对本发明的膜图案形成方法的第3实施方式进行说明。在本实施方式中，对形成电路基板中的绝缘膜的方法进行说明。在本实施方式中所使用的液滴喷出方法或液滴喷出装置、疏液化处理或亲液化处理等，与第1实施方式的液滴喷出方法或液滴喷出装置或疏液化处理或亲液化处理基板基本相同。
本实施方式的电路基板80(参照图14(d))是，通过在两面基板82(参照图14(a))的电路布线上设置绝缘膜，形成3层的布线图案。图13是表示形成电路基板的过程的一例的流程图。图14是表示形成本实施方式的电路基板的过程的一例的电路基板的部分模式图。
最初，如图14(a)所示，形成两面基板82，所述的两面基板82是在基板81上形成有电路布线83、84、或包括岸面的通孔86等。在电路布线84的一端形成有岸面84a。通孔86与第1布线(未图示)中含有的电路布线连接，该第1布线形成在与形成基板81的电路布线83等的面相反侧的面。将含有电路布线83、84的布线图案标记为第2布线图案。
在图13的步骤S21中，向电路布线83、84，或通孔86的岸面部喷出液状的导电材料，描绘布线图案的形状。喷出方法使用在第1实施方式中基于图1以及图2而说明的方法。就液状的导电材料而言，适合使用的可以是含有例如Ag、Al、Au、Cu、钯、Ni、W-Si、导电性聚合物等的材料。
接着，在步骤S22中，根据需要实施干燥处理，然后实施烧成工序。干燥处理的实施是为了除去分散剂和确保膜厚，例如除了通过加热基板P的普通的加热板、电炉等进行的处理之外，还可以通过灯管退火来实施。干燥处理后的干燥膜，若是有机银化合物，为了得到导电性，需要进行热处理，除去有机银化合物的有机部分使银粒子残留。因此，对喷出工序后的基板实施通过热处理或光处理实施烧成工序。其中，关于图示省略的第1布线图案，可以通过实行与步骤S21以及步骤S22同样的过程来形成。
接着，在步骤S23中，对已形成电路布线83、84，或通孔86的岸面部的两面基板82的面实行亲液化处理，将相对于水的接触角处理成为0度到10度的范围内的恒定值，例如成为10度。接着，在步骤S24中，对已使相对于水的接触角为例如10度的两面基板82的面实行疏液化处理，将两面基板82的面相对于水的接触角调节为60度以上，例如为80度。
接着，在步骤S25中，如图14(b)所示，向形成绝缘膜92(参照图14(c))的区域的周缘部喷出绝缘膜的液状材料的液滴，描绘绝缘膜92的周缘部。周缘部为按照未将岸面84a覆盖的方式形成开孔(open hole)的岸面周缘部87、按照未将通孔86覆盖的方式形成开孔的孔周缘部88、和绝缘膜92的外周缘部89。
接着，在步骤S26中，液状绝缘膜材料的干燥时间较长，在直到实行接下来的步骤为止岸面周缘部87和孔周缘部88和外周缘部89未充分干燥的情况下，实行干燥处理。岸面周缘部87和孔周缘部88和外周缘部89相当于周缘带膜。
接着，在步骤S27中，对已形成岸面周缘部87和孔周缘部88和外周缘部89的两面基板82的面实行亲液化处理，将两面基板82的面相对于水的接触角调节为30度以下，例如为10度。
接着，在步骤S28中，描绘绝缘膜92的紧贴部(fill-in part)91。如图14(c)所示，向由岸面周缘部87、孔周缘部88、外周缘部89所包围的区域喷出绝缘膜的液状材料的液滴进行填充，从而描绘紧贴部91。由岸面周缘部87、孔周缘部88、外周缘部89、紧贴部91形成绝缘膜92。其中，在图14(c)中，为了对喷出液滴并填充进行表示，将形成紧贴部91的液状材料描绘成粒状形状，然而已弹落的液滴成为一体，紧贴部91成为厚度大致均匀的一块膜。
接着，在步骤S29中，向绝缘膜92照射UV光，在步骤S30中，实施加热处理。通过步骤S29以及S30形成干燥硬化后的绝缘膜92。
接着，在步骤S31中，与步骤S21同样地，喷出液状的导电材料，描绘布线图案的形状。接着，在步骤S32中，与步骤S22同样地，根据需要实施干燥处理后，实施烧成工序。通过实行步骤S31以及步骤S32，形成如图14(d)所示的含有电路布线94、96的第3布线图案。电路布线94通过绝缘膜92与电路布线83绝缘，同时通过由孔周缘部88所包围的开口部与通孔86导通。电路布线96通过绝缘膜92与电路布线83绝缘，同时通过由岸面周缘部87所包围的开口部与岸面84a导通。实行步骤S32，结束形成3层布线图案后形成电路基板80的过程。
通过第3实施方式，得到以下效果。
(1)通过形成孔周缘部88，可以防止形成紧贴部91的液状绝缘膜材料流入通孔86中。因此，可以形成绝缘膜直至通孔86当前，可以形成未将相互接近的通孔86与电路布线83当中的通孔86覆盖而将电路布线83覆盖的绝缘膜92。
(2)通过形成岸面周缘部87，可以防止形成紧贴部91的液状绝缘膜材料将岸面84a覆盖。因此，可以形成绝缘膜直至岸面84a的当前，可以形成未将相互接近的岸面84a和电路布线83中的岸面84a覆盖而将电路布线83覆盖的绝缘膜92。
(3)在喷出绝缘膜材料的液滴后弹落在形成岸面周缘部87和孔周缘部88和外周缘部89的位置之前，实行疏液化处理，由此对形成周缘部时的两面基板82的面进行调节，并使其相对于水的接触角为例如80度。这样，可以形成具有能够将液状绝缘膜材料填充至足够厚度那样的足够高度的周缘部。
(4)在实行疏液化处理之前，在两面基板82的面实行亲液化处理，将相对于水的接触角处理成为例如10度。这样，在开始疏液化处理的时点，两面基板82的面相对液状绝缘膜材料的接触角大致一致相同，因此可以抑制疏液化处理后的接触角在两面基板82面内的偏差。同时，还可以抑制疏液化处理后的两面基板82的面相对液状绝缘膜材料的接触角在不同的两面基板82之间的偏差。
(5)在向由周缘部所包围的区域内喷出绝缘膜材料的液滴而向由周缘部包围的区域内填充液状绝缘膜材料之前，实行亲液化处理，将例如相对于水的接触角处理成为10度。已在相对水的接触角为30度以下的面弹落的液滴润湿展开良好，因此可以在由周缘部包围的区域内无间隙地填充液状绝缘膜材料。另外，润湿展开良好的液状绝缘膜材料成为平板状，可以使绝缘膜92的紧贴部91的表面更加平坦。
(第4实施方式)接着，对作为本发明的电光学装置的一例的液晶显示装置进行说明。本实施方式的液晶显示装置是一种具备薄膜晶体管(TFTThin FilmTransistor)的液晶显示装置，该薄膜晶体管具有采用在第1实施方式中所说明的薄膜图案形成方法而形成的绝缘膜。在本实施方式中使用的液滴喷出方法或液滴喷出装置、疏液化处理或亲液化处理等，与第1实施方式中的液滴喷出方法或液滴喷出装置或疏液化处理或亲液化处理基本相同。
图15是表示本实施方式的液晶显示装置的各构成要素的从对向基板侧观看的俯视图。图16是沿着图15的H-H’线的剖面图。图17是在液晶显示装置的图像显示区域中形成为矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图，图18是液晶显示装置的像素部分的放大俯视图。另外，在以下说明所采用的各图中，为了使各层或各部分成为附图上可识别程度的大小，按每层或每个部件使缩尺不同。
在图15和图16中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100，通过作为光硬化性的封住材料的密封材料152，将成对的TFT阵列基板110和对向基板120粘合起来，向由该密封材料152划分的区域内封入液晶150并保持。密封材料152在基板面内的区域中形成封闭的框状。在TFT阵列基板110的与已封入的液晶150对向的面，构成多个像素100a(参照图17)，在这些像素100a的中，分别形成有像素开关用的薄膜晶体管(TFT)102。TFT102相当于半导体装置。在对向基板120的与已封入的液晶150对向的面，按照与像素100a对向的方式形成有多个对向电极121。
在密封材料152的形成区域的内侧的区域，形成有由遮光性材料构成的周边分开部153。在密封材料152的外侧的区域，沿着TFT阵列基板110的一边形成数据线驱动电路201以及安装端子202，沿着与这一边邻接的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板110的剩余一边，设置用于连接在图像显示区域的两侧设置的扫描线驱动电路204之间的多根布线205。另外，在对向基板120的拐角部的至少1处，配设用于获得TFT阵列基板110与对向基板120之间的电导通的基板间导通材料206。
另外，可以通过各向异性导电膜对安装了驱动用LSI的TAB(TapeAutomated Bonding)基板与在TFT阵列基板110的周边部形成的端子组进行电连接和机械连接，来代替在TFT阵列基板110上形成数据线驱动电路201以及扫描线驱动电路204。其中，在液晶显示装置100中，按照使用的液晶150的种类、即TN(Twsted Nematic，扭转向列型)模式、STN(Super Twisted Nematic，超扭转向列型)模式等动作模式或常白(normally white)模式/常黑(normally black)模式的不同，将相位差板、偏振片等配置于规定的方向(省略图示)。另外，在液晶显示装置100作为彩色显示用而构成时，在对向基板120中，在TFT阵列基板110的与后述的各像素电极对向的区域中，与该保护膜一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色器。
在具有这样的构造的液晶显示装置100的图像显示区域中，如前所述配置有多个像素100a。如图12所示，在像素显示区域中，多个像素100a被构成为矩阵状，同时在这些像素100a中分别形成像素开关用TFT(开关元件)102，提供像素信号S1、S2、…、Sn的数据线106a与TFT102的源极电连接。写入到数据线106a中的像素信号S1、S2、…、Sn，可以按照该顺序以线顺序提供。对于相邻接的多个数据线106a彼此，也可以提供给每组。另外，扫描线103a与TFT102的栅极电连接，以规定的时间，在扫描线103a上脉冲式地按照该顺序以线顺序施加扫描信号G1、G2、…、Gm而构成。
像素电极119与TFT102的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT102只在一定期间成为打开(ON)状态，以规定的时间将从数据线106a提供的像素信号S1、S2、…、Sn写入到各像素中。这样，借助像素电极119被写入到液晶的规定电平(level)的像素信号S1、S2、…、Sn，在图16所示的对向基板120和对向电极121之间被保持一定期间。还有，为了防止被保持的像素信号S1、S2、…、Sn泄漏，存储电容60与在像素电极119和对向电极121之间形成的液晶电容被并列地附加。例如，像素电极119的电压，只以比施加源电压的时间长3位数的时间利用存储电容60保持。这样，电荷的保持特性被改善，可以实现对比率高的液晶显示装置100。
接着，对作为半导体装置一例的TFT102进行说明。图18是表示TFT阵列基板的含有1个TFT的部分的概略构成的俯视图。图19是图18所示的TFT阵列基板的TFT附近的剖面图，图19(a)是TFT的剖面图，图19(b)是栅极布线和源极布线在平面交差部分的剖面图。
如图18所示，在具有TFT102的TFT阵列基板110上，具备栅极布线112、源极布线116、漏电极114、与漏电极114电连接的像素电极119。栅极布线112按照在X方向延伸的方式形成，其一部分按照在Y方向延伸的方式形成。此外，将在Y方向上延伸的栅极布线112的一部分作为栅电极111。其中，栅电极111的宽度比栅极布线112的宽度还要窄。另外，按照在Y轴方向延伸的方式形成的源极布线116的一部分，按照在X方向延伸的方式形成，被用作为源电极117。在栅极布线112和栅电极111、源极布线116、源电极117和漏电极114之间，形成有绝缘膜128。绝缘膜128相当于绝缘膜以及膜图案。
如图19所示，栅极布线112和栅电极111形成于在基板P上设置的围堰B之间。在栅极布线112和栅电极111还有围堰B上，形成绝缘膜128，在绝缘膜128上形成有作为半导体层的活性层163、源极布线116、源电极117、和漏电极114。活性层163被设置在大概与栅电极111对向的位置，活性层163的与栅电极111对向的部分为沟道区域。在活性层163上，层叠围堰167、和通过该围堰167相互被绝缘的2处的接合层164，源电极117和漏电极114分别通过接合层164以与活性层163接合。源电极117和漏电极114，通过在活性层163上设置的围堰167被相互绝缘。另外，2处的接合层164也通过在活性层163上设置的围堰167被相互绝缘。栅极布线112通过绝缘膜128而与源极布线116绝缘，栅电极111通过绝缘膜128而与源电极117以及漏电极114绝缘。源极布线116和源电极117和漏电极114被绝缘膜129覆盖。在绝缘膜129的覆盖漏电极114的部分，形成接触孔，通过接触孔与漏电极114连接的像素电极119在绝缘膜129的上面形成。
就绝缘膜128而言，是在围堰B的槽中形成栅极布线112以及栅电极111之后，形成如图16所示的平面形状。形成绝缘膜128的方法，采用在第1实施方式中基于图1以及图2所说明的方法。
最初，对基板P的形成栅极布线112以及栅电极111的面实行亲液化处理，将相对于水的接触角处理成为0度至10度的范围内的恒定值，例如为10度(参照图2(a))。接着，对相对于水的接触角成为例如10度的面实行疏液化处理，缓和亲液性而成为疏液性(参照图2(b))。为了可以形成具有能在由周缘带膜包围的区域内以足够的厚度填充液状绝缘膜材料那样的高度的周缘带膜，优选基板P的面的接触角较大，优选相对水的接触角为60度以上，更优选为80度以上。在本实施方式的实行疏液化处理的工序中，将例如相对于水的接触角处理成为80度。
接着，从液滴喷头3(参照图3)喷出绝缘膜的液状材料的液滴，使之弹落在形成绝缘膜128的区域的周缘部，形成由绝缘膜材料构成的周缘带膜。如第1实施方式所说明的那样，通过液状绝缘膜材料的干燥时间特性，实施干燥处理。
接着，对形成周缘带膜的基板P的面实行亲液化处理，使基板P的面具有亲液性。为了使已弹落的液滴润湿展开良好，优选基板P的面的接触角较小，优选相对水的接触角为30度以下，更优选为10度以下。在本实施方式的实行亲液化处理的工序中，将例如相对于水的接触角处理成为10度。实行该亲液化处理的工序相当于亲液化工序。
接着，向由周缘带膜包围的区域喷出液状绝缘膜材料的液滴，填充液状绝缘膜材料。使液状绝缘膜材料干燥，形成绝缘膜128。液状绝缘膜材料的干燥速度较快，可以在接下来的工序之前充分进行干燥形成具有绝缘效果的膜，此时，可以省略干燥工序。
在上述本实施方式中，虽然使用TFT102作为用于驱动液晶显示装置100的开关元件而构成，但除了液晶显示装置以外，还可以应用于例如有机EL(电致发光)显示设备中。有机EL显示设备是，具有用阴极和阳极夹持含有荧光性的无机或者有机化合物的薄膜的构成，向上述薄膜注入电子和空穴(hole)并使其复合，从而生成激子(激发子，exciton)，利用该激发子失活之际的光的放射(荧光/磷光)而使之发光的元件。此外，在具有上述TFT102的基板上，将用于有机EL显示元件的荧光性材料中、呈现红、绿以及蓝色的各发光色的材料即发光层形成材料和形成空穴注入/电子输送层的材料作为液状材料，通过使其分别形成图案，可以制造自发光全色EL设备。在本发明中的设备(电光学装置)的范围中，还包含这样的有机EL设备。
另外，作为本发明的设备(电光学装置)，除了上述之外，还可以应用于表面传导型电子放射元件等，所述的表面传导型电子放射元件等利用通过在PDP(等离子体显示面板)、或形成于基板上的小面积的薄膜中流过与膜面平行的电流而产生电子放射的现象。
通过第4实施方式，得到以下效果。
(1)可以抑制已弹落的液状绝缘膜材料从规定的绝缘膜形成区域流出，或者向区域外润湿展开，对栅极布线112与栅电极111的、与源极布线116、源电极117以及漏电极114重叠的部分进行正确覆盖，同时形成具有可以得到足够绝缘效果的厚度的绝缘膜128。
(2)可以抑制已弹落的液状绝缘膜材料从规定的绝缘膜形成区域流出，或者向区域外润湿展开，抑制在不优选形成绝缘膜的区域形成绝缘膜128，以使光通过。
(3)在喷出绝缘膜的材料的液滴并使之弹落在形成绝缘膜128的周缘部的位置之前，实行疏液化处理，由此对形成周缘部时的基板P的面进行调节使其相对于水的接触角为例如80度。这样，可以形成具有能够以足够的厚度填充液状绝缘膜材料那样的足够高度的周缘部。
(4)在实行疏液化处理之前，对基板P的面实行亲液化处理，将相对于水的接触角处理成为例如10度。这样，在开始疏液化处理的时点，基板P的面相对于液状绝缘膜材料的接触角基本一致相同，因此可以抑制疏液化处理后的接触角在基板P面内的偏差。同时，还可以抑制疏液化处理后的基板P面相对于液状绝缘膜材料的接触角在不同的基板P之间的偏差。
(5)在向由周缘部包围的区域内喷出绝缘膜材料的液滴并向由周缘部包围的区域内填充液状绝缘膜材料之前，实行亲液化处理，将例如相对于水的接触角处理成为10度。已在相对于水的接触角为30度以下的面弹落的液滴润湿展开良好，因此可以在由周缘部包围的区域内无间隙地填充液状绝缘膜材料。另外，润湿展开良好的液状绝缘膜材料成为平板状，可以使绝缘膜128的表面更加平坦。
(6)具备适当进行栅极布线112与源极布线116的绝缘、以及栅电极111与源电极117以及漏电极114之间的绝缘的绝缘膜128，可以实现高性能的TFT102，所述的TFT102实现了理想的绝缘。
(7)具备实现了理想的绝缘的高性能TFT102，可以实现已实现了理想的绝缘的高性能液晶显示装置100。
(第5实施方式)接着，对第5实施方式的电子机器进行说明。本实施方式的电子机器是，具备在第2实施方式中所说明的SAW共振子、或者在第3实施方式中所说明的电路基板、或者在第4实施方式中所说明的液晶显示装置的电子机器。对本实施方式的电子机器的具体例进行说明。
图20(a)是表示作为电子机器的一例的便携式电话的一例的立体图。在图20(a)中，便携式电话600具有包括在第4实施方式中说明的液晶显示装置100的液晶显示部601。另外，在便携式电话600中内置在第3实施方式中所说明的电路基板，在电路基板上安装有在第2实施方式中所说明的SAW共振子作为通信电路的构成部件。
图20(b)是表示文字处理机、个人电脑等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图20(b)中，便携式信息处理装置700，具有信息处理装置筐体703，具备键盘等输入部701、具备了在第4实施方式中所说明的液晶显示装置100的液晶显示装置702。另外，在信息处理装置筐体703中内置有在第3实施方式中所说明的电路基板，在电路基板中，安装有在第2实施方式中所说明的SAW共振子作为计时电路的构成部件。
图20(c)是表示手表型电子机器的一例的立体图。图20(c)中，手表型电子机器800，具备包括在第4实施方式中所说明的液晶显示装置100的液晶显示部801。另外，在手表型电子机器800中，内置有第3实施方式所说明的电路基板，在电路基板中安装有第2实施方式所说明的SAW共振子作为计时电路的构成部件。
图20(a)至(c)所示的电子机器具备上述实施方式的液晶显示装置100，具备通过具有采用膜图案形成方法而形成的膜图案以得到高性能的TFT102，其中所述的膜图案形成方法可以形成具有实现膜图案应实现的功能所需的足够的膜厚以及适当的平面形状的薄膜。本实施方式的电子机器具备液晶显示装置100，但也可以是具备有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其它电光学装置的电子机器。
通过第5实施方式，得到以下效果。
(1)因具备通过具有采用膜图案形成方法而形成的膜图案以得到高性能的液晶显示装置100、电路基板80、或者SAW共振子60，因此可以实现高性能的便携式电话600、便携式信息处理装置700、或手表型电子机器800，其中，所述的膜图案形成方法可以形成具有实现膜图案应实现的功能所需足够的膜厚以及适当的平面形状的薄膜。
(第6实施方式)接着，对本发明的膜图案形成方法的第6实施方式进行说明。本实施方式所使用的液滴喷出方法或液滴喷出装置、疏液化处理或亲液化处理等，与第1实施方式中的液滴喷出方法或液滴喷出装置或亲液化处理基本相同。以下仅针对与第1实施方式不同的周缘带膜的形成方法进行说明。
图21是表示本实施方式的膜图案形成方法的模式俯视图。图22是表示本实施方式的膜图案形成方法的模式剖面图。如图21所示的基板141，例如是表面弹性波设备的晶体基板。以在图21(a)中虚线所示的区域142中形成抗蚀剂膜149的情况为例进行说明。区域142相当于第1区域，抗蚀剂膜149相当于膜图案。
最初，如图22(a)所示，对基板141的面实行亲液化处理，在包含区域142的面形成亲液性膜10。接着，如图22(b)所示，对基板141的面实行疏液化处理，缓和亲液性膜10的亲液性形成疏液性膜11。亲液性膜10以及疏液性膜11的厚度为1层分子左右的厚度。实行亲液化处理、形成亲液性膜10的工序相当于预处理工序；实行疏液化处理、缓和亲液性膜10的亲液性形成疏液性膜11的工序相当于调整处理工序。
接着，以液滴4的形式从液滴喷头3喷出形成抗蚀剂膜149的液状材料(参照图2(c))，使之弹落在基板141的面上。已弹落的液滴4如图22(c)所示，成为通过基板141的面与液状材料的润湿性来规定形状的液粒6，被配置在基板141上。如图21(b)所示，液粒6在区域142的周缘部以相互部分重叠的间隔配置成2列。相互部分重叠的液粒6成为一体，在区域142的周缘部形成带状的周缘部6a。接着，如图22(d)所示，周缘带6a干燥或者硬化成为周缘带膜144a。在自然干燥或者自然硬化耗费时间的情况下，实施使周缘带6a干燥的处理、或促进周缘带6a的硬化的处理。使周缘带6a干燥的处理或促进周缘带6a的硬化的处理，可以采用与第1实施方式所说明的方法同样的方法实施。
亲液化处理或疏液化处理是使接触角(润湿性)向亲液方向或疏液方向移动的处理，处理后的接触角依赖于所实施的亲液化处理或疏液化处理、以及处理前的接触角。然而，即使是由同一材料构成的基板面，有时会因为放置的环境等的不同而接触角也会不同，即使是由同一材料构成的基板面，处理前的接触角有时也会不同。预处理工序是，为了在接下来的调整处理工序中使接触角移动而调整成为目的接触角，而使调整处理工序前的接触角为恒定值的工序。本实施方式的预处理工序是形成亲液性膜10的工序，将例如相对于水的接触角处理成为0度至10度的范围内的恒定值，例如成为10度。亲液化处理的方法，可以采用第1实施方式所说明的方法。
如上所述，作为已在基板141的面上弹落的液滴4的液粒6的形状，由基板141的面相对于液状材料的润湿性来规定。例如含有20％的苯酚酚醛清漆树脂作为固态成分的液状材料，在相对水的接触角为30度以下的面中润湿展开良好，10纳克左右的液粒6广泛润湿展开后失去粒状的形状，难以进行高度的测定。为了使液粒6的形状成为可以形成更高的周缘带膜144a这样的形状，优选基板141的面的接触角较大，优选相对水的接触角为60度以上，更优选为80度以上。在形成疏液性膜11的工序中，将例如相对于水的接触角处理成为80度。疏液化处理的方法，可以采用第1实施方式所说明的方法。
接着，如图21(c)以及图22(d)所示，在周缘带膜144a上配置液滴4，在周缘带膜144a上形成连接液粒6的周缘带6a。按照层叠在周缘带膜144a上的方式形成的周缘带6a慢慢干燥或硬化，与周缘带膜144a成为一体，形成周缘带膜147a。
接着，如图22(e)所示，对形成周缘带膜147a的基板141的面实行亲液化处理，形成亲液性膜10。如上所述，作为已在基板141的面上弹落的液滴4的液粒6的形状，通过基板141的面相对液状材料的润湿性来规定。例如，含有20％的苯酚酚醛清漆树脂作为固态成分的液状材料，在相对于水的接触角为不到30度的面中润湿展开良好，10纳克左右的液粒6广泛润湿展开而失去粒状的形状。为了使液粒6更加良好地润湿展开，优选基板141的面相对液状材料的接触角较小，优选相对水的接触角为30度以下，更优选为10度以下。在实行亲液化处理后、形成亲液性膜10的工序中，例如将相对于水的接触角处理成为10度。实行该亲液化处理的工序相当于亲液化工序。
接着，向由周缘带膜147a所包围的区域内喷出液滴4，在由周缘带膜147a包围的区域内填充液粒6即液状材料。已在相对于水的接触角为30度以下的面弹落的液滴4，润湿展开良好，因此不是形成如图22(c)所示的形状的液粒6，而是如图22(f)所示，液状材料在由周缘带膜147a包围的区域内润湿展开并进行填充，形成中央膜148。就形成中央膜148的液状材料而言，液滴4不是粒状形状，而是润湿展开成平板状。还有，润湿展开成平板状的已弹落的液滴4，按照掩埋已润湿展开成平板状的液滴4之间的间隙的方式润湿展开，中央膜148的表面容易变得平坦。
如图21(d)以及图22(g)所示，将所填充的液状材料干燥或者硬化，形成中央膜148a，由周缘带膜147a和中央膜148a形成抗蚀剂膜149。在所填充的液状材料的自然干燥或自然硬化耗费时间的情况下，与周缘带6a同样，实施使之干燥的处理或促进硬化的处理。当液状材料干燥或者硬化后凝固时，体积比液状状态减少，此时，中央膜148a的厚度比周缘带膜147a的厚度薄。
其中，在图21(d)中，为了对喷出液滴4并填充进行表示，将形成中央膜148a的液状材料描绘成粒状形状，然而如图22(f)所示，已弹落的液滴4成为一体，中央膜148成为厚度大致均匀的一块膜，已干燥或者硬化的中央膜148a也成为膜厚大致均匀的一块膜。
通过第6实施方式，除了得到与第1实施方式所述的效果(1)至(6)、(8)以及(9)相同的效果之外，还得到以下的效果。
(1)因在周缘带膜144a上层叠周缘带6a后形成周缘带膜147a，故可以使周缘带膜147a的高度更高。因可以在由周缘带膜147a包围的区域填充更多的液状材料，故可以形成更厚的抗蚀剂膜149。
以上，参照附图对本发明的适当的实施方式例作了说明，然而本发明的实施方式并非限于上述各实施方式，当然可以在不脱离本发明的主旨的范围内添加各种变更，也可以按照以下进行实施。
(变形例1)上述实施方式中，在形成周缘带膜之前，实行亲液化处理和疏液化处理，使形成周缘带膜的面具有疏液性，但实行亲液化处理和疏液化处理并非必须。如果仅由疏液处理可以得到相对液状材料的适当的接触角(润湿性)，则也可以仅实行疏液化处理。基板由相对液状材料的接触角适当的材料形成，只要形成周缘带膜的面相对液状材料的接触角为适当的接触角，就可以不实行亲液化处理和疏液化处理。另外，在形成周缘带膜的面相对液状材料的接触角为非常大的接触角的情况下，可以实行亲液处理，缓和疏液性，使接触角变小。
(变形例2)在上述实施方式中，在形成周缘带膜之前，最初实行亲液化处理，接着实行疏液化处理，使形成周缘带膜的面为疏液性，但最初实行亲液化处理、接着实行疏液化处理并非必须。也可以通过最初实行疏液化处理，使其处于被处理面相对液状材料的接触角非常大的状态，接着通过实行亲液化处理，缓和疏液性，调整接触角至较小侧，调整成为规定的接触角。
(变形例3)在上述实施方式中，用于形成周缘带膜7a的液状材料、和在由周缘带膜7a包围的区域内填充并用于形成中央膜8的液状材料是相同的液状材料，但并非必须相同。用于形成周缘带膜7a的液状材料与用于形成中央膜8的液状材料，可以使用粘性各不相同的液状材料。还可以使用不同的液状材料并使用于形成周缘带膜7a的液状材料的粘性大于用于形成中央膜8的液状材料的粘性。
为了形成具有可以填充液状材料至足够厚度那样的高度的周缘带膜7a，优选液状材料的粘性较高。为了在整个区域内均匀填充液状材料，形成均匀的中央膜8，优选液状材料的粘性较低。通过使用不同的液状材料并使用于形成周缘带膜7a的液状材料的粘性大于用于形成中央膜8的液状材料的粘性，就用于形成周缘带膜7a的液状材料而言，不需要为了形成均匀的中央膜8来降低液状材料的粘性，与用相同粘性的液状材料形成周缘带膜7a以及中央膜8a的方法相比，可以使用粘性更高的液状材料。同样地，就用于形成中央膜8的液状材料而言，不必为了形成具有可以填充至足够厚度那样的高度的周缘带膜7a来增高液状材料的粘性，可以使用粘性更低的液状材料。
粘性较高的液状材料的液滴与粘性较低的液状材料的液滴相比，从弹落至硬化为止期间的变形量较小。因此，通过在用于形成周缘带膜7a的液状材料中使用粘性较高的液状材料，可以使由液滴形成的周缘带膜7a的膜厚更厚。与此同时，可以使1滴液滴扩展的范围变窄，减小已扩展的液滴连接而成的周缘带膜7a的外周的轮廓凹凸。另一方面，粘性较低的液状材料的液滴与粘性较高的液状材料的液滴相比，从弹落至硬化为止期间的变形量较大。因此，通过在用于形成中央膜8的液滴材料中使用粘性更低的液状材料，已弹落的液滴容易扩展，均匀地填充在整个区域内，可以形成均匀的中央膜8。
(变形例4)在上述实施方式中，用于形成周缘带膜7a的液滴与配置在由周缘带膜7a包围的区域内并用于形成中央膜8的液滴为同一大小，但并非大小必须相同。也可以使用于形成周缘带膜7a的液滴的体积小于用于形成中央膜8的液滴的体积。
液滴的体积越大则已弹落的液滴的润湿展开的面积越大。另外，润湿展开的面积越小则外周的凹凸(参照图1(b))也越小，可以使膜图案的轮廓与直线相近。另一方面，为了效率良好地将液状材料填充在区域内，优选液滴的体积较大。通过使用于形成周缘带膜7a的液滴的体积小于用于形成中央膜8的液滴的体积，用于形成周缘带膜7a的液滴，不需要为了高效填充而增大液滴的体积，与喷出相同体积的液滴来形成周缘带膜7a和中央膜8a的方法相比，可以形成体积更小的液滴。同样地，用于形成中央膜8的液滴，不需要为了抑制液滴从弹落位置的扩展而减小液滴的体积，可以形成体积更大的液滴。于是，选择用于形成周缘带膜7a的适当的液滴体积和用于容易高效填充并形成中央膜8的适当的液滴体积，多余的扩展较小，可以形成外周的轮廓形状的凹凸较小的周缘带膜7a，同时可以高效形成中央膜8。
(变形例5)在上述第6实施方式中，为了使周缘带膜的高度更高，在周缘带膜144a上层叠周缘带6a形成2级层叠的周缘带膜147a，但层叠的层数并部限于2级，可以进一步层叠周缘带6a形成更高的周缘带膜。另外，周缘带膜144a是将液粒6配置成2列而形成，但并不限于2列，可以是1列或者3列以上。在周缘带膜144a上层叠的周缘带6a是将液粒6配置成1列而形成，但并不限于1列，只要是可以层叠于周缘带膜144a上的范围，则多少列都可。
(变形例6)在上述实施方式中，用于形成周缘带膜7a的液粒6以相互部分重叠的间隔被配置在区域2的周缘部，但液粒6相互部分重叠并非必须。根据周缘带膜7a相对液状材料的润湿性程度，只要是液状材料不会从周缘带膜7a的间隙流出的程度的间隙，就可以使液粒6相互具有间隙而配置，形成部分存在间隙的周缘带膜7a。通过使液粒6相互具有间隙而配置，可以减少必要的液滴4的喷出次数，缩短配置用于形成周缘带膜7a的液粒6所需的时间。
(变形例7)在上述实施方式中，液滴喷出装置IJ具备具有多个喷嘴的1个液滴喷头3，但液滴喷出装置IJ所具备的液滴喷头3并不限于1个。液滴喷出装置IJ可以是具备多个液滴喷头3的构成。通过具备多个液滴喷头3，可以从各液滴喷头3喷出不同的液状材料。例如，可以从1个液滴喷头3喷出用于形成周缘带膜7a的表面张力大的液状材料，从其它液滴喷头3喷出用于形成中央膜8的表面张力小的液状材料。可以在将基板1设置在液滴喷出装置IJ的状态下，连续实施喷出不同液状材料的工序，故可以高效制造SAW共振片60等。
(变形例8)在上述实施方式中，使用本发明的膜图案形成方法，形成选择性覆盖电极膜的防蚀涂层膜，对电极膜进行蚀刻，形成IDT55、反射器56a、56b、连接岸面57a、57b等电极，但为了形成电极，并非必须形成电极膜以及防蚀涂层膜。可以使用本发明的膜图案形成方法，向SAW共振片51上直接喷出电极膜的液状材料，形成电极。
(变形例9)在上述实施方式中，SAW共振子是将SAW共振片51封入到壳体61内的SAW共振子60，但SAW共振子可以是除SAW共振片51之外还含有振荡电路的构成，还可以是将SAW共振片51和振荡电路容纳在同一外壳内的构成。
(变形例10)就上述实施方式的电路基板80而言，是通过在已于板状的基板81的两面形成电路布线的两面基板82的电路布线上设置绝缘膜，形成3层的布线图案，但基板并不限于板状基板。可以是柔性基板那样的薄膜状基板。另外，在基板81的两面形成电路布线、或可在两面形成电路布线都并非必须。基板可以是液晶显示装置等电光学装置的玻璃基板等，本发明的电路基板和电路基板的制造方法还可以应用于液晶显示装置等电光学装置。
(变形例11)在上述实施方式中，对形成周缘带膜7a的基板面实行亲液化处理，但可以使用能对被处理区域选择性进行亲液化处理的方法，仅对由周缘带膜7a包围的区域选择性进行亲液化处理。只要周缘带膜7a为疏液性，在由周缘带膜7a包围的区域填充的液状材料就难以越过周缘带膜7a，可以在由周缘带膜7a包围的区域填充更厚的液状材料。
从上述的实施方式以及变形例中掌握的技术思想如以下记载。
(技术思想1)一种表面弹性波设备的制造方法，其特征在于，具有使用上述的任何膜图案形成方法在形成导电性膜的规定电极图案的部分，形成防蚀涂层膜的工序，和对上述导电性膜实行蚀刻处理以除去未被上述防蚀涂层膜覆盖的部分的上述导电性膜，而形成上述电极图案的工序；其中，所述的导电性膜形成在表面弹性波设备基板的表面。
(技术思想2)一种表面弹性波设备的制造方法，其特征在于，具有使用上述的任何膜图案形成方法在表面弹性波设备基板的表面形成电极图案的工序。
(技术思想3)一种表面弹性波振荡装置的制造方法，其特征在于，具有使用上述的任何膜图案形成方法，在表面弹性波设备的表面的未实施阳极氧化处理的部分形成抗蚀剂膜的工序；和对上述表面弹性波设备的表面实行上述阳极氧化处理的工序。
(技术思想4)一种电光学装置的制造方法，其特征在于，具有使用上述的任何膜图案形成方法，形成用于对导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间进行绝缘的绝缘膜的工序。
通过该方法，可以使形成电光学装置的半导体装置，成为已实现了导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间的理想绝缘的高性能半导体装置，因此可以实现在导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间已实现理想绝缘的高性能电光学装置。在第4实施方式中说明的绝缘膜128相当于绝缘膜，栅电极111、栅极布线112、漏电极114、源极布线116、栅电极117等相当于导电性膜，活性层163等相当于半导电性膜。
(技术思想5)如上所述的膜图案形成方法，其特征在于，如上所述的亲液化处理的工序是进行将上述基板的表面暴露于臭氧气氛下的处理的工序。
权利要求
1.一种膜图案形成方法，在基板上形成规定形状的膜图案，其特征在于，具有疏液化工序，其将上述基板的面处理为具有疏液性；周缘形成工序，其在形成上述膜图案的第1区域的周缘区域，配置含有构成上述膜图案的材料的液状体的液滴，形成由所配置的上述液滴构成的周缘带，形成该周缘带干燥或者硬化后的周缘带膜；亲液化工序，其将上述基板的面处理为具有亲液性；和填充工序，其在由上述周缘带膜包围的第2区域配置上述液滴，在上述第2区域填充上述液状体。
2.根据权利要求1所述的膜图案形成方法，其特征在于，还具有在上述周缘形成工序和上述亲液化工序之间，使上述周缘带干燥或者硬化形成周缘带膜的膜化工序。
3.根据权利要求2所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述膜化工序中使上述周缘带干燥或者硬化的处理为给上述周缘带加热的处理或者向上述周缘带照射光的处理。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的膜图案形成方法，其特征在于，在上述疏液化工序中，上述基板的形成上述膜图案的面相对水的接触角为60度以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的膜图案形成方法，其特征在于，在上述亲液化工序中，上述基板的形成上述膜图案的面相对水的接触角为30度以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述疏液化工序具有预处理工序，其对上述基板面实行亲液化处理或者疏液化处理；和调整处理工序，其通过在上述预处理工序中实行上述亲液化处理的情况下实行上述疏液化处理；在上述预处理工序中实行上述疏液化处理的情况下实行上述亲液化处理，从而调整形成上述膜图案的面相对水的接触角在规定的接触角以上。
7.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述疏液化处理的工序为由在上述基板的表面含有氟的有机分子组成的有机薄膜的工序。
8.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述疏液化处理的工序为采用碳氟系化合物作为处理气体对上述基板的表面进行等离子处理的工序。
9.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述疏液化处理的工序为将含有氟的高分子化合物涂布在上述基板的表面形成疏液膜的工序。
10.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述亲液化处理的工序为向上述基板的表面照射紫外线的工序。
11.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述亲液化处理的工序为采用氧作为反应气体对上述基板的表面进行等离子处理的工序。
12.根据权利要求6所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述亲液化处理的工序为对上述基板的表面进行酸或者碱处理的工序。
13.根据权利要求1或2所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述周缘带为上述液滴相互接触连成1列。
14.根据权利要求1或2所述的膜图案形成方法，其特征在于，交替多次实行上述周缘形成工序和上述膜化工序，形成已层叠的上述周缘带膜。
15.根据权利要求1所述的膜图案形成方法，其特征在于，上述周缘形成工序所使用的上述液状体的粘性比由上述填充工序所使用的上述液状体的粘性高。
16.根据权利要求1所述的膜图案形成方法，其特征在于，由上述周缘形成工序所喷出的上述液滴每1滴的体积，小于由上述填充工序所喷出的上述液滴每1滴的体积。
17.一种膜图案，其采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法而形成。
18.一种抗蚀剂膜，其采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法而形成。
19.一种绝缘膜，其采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法而形成。
20.一种表面弹性波设备的制造方法，其特征在于，具有在表面弹性波设备的表面未实施阳极氧化处理的部分，采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法形成抗蚀剂膜的工序；和在上述表面弹性波设备的表面，实行上述阳极氧化处理的工序。
21.一种表面弹性波设备，其在形成权利要求18所述的抗蚀剂膜之后，实行阳极氧化而形成。
22.一种表面弹性波设备，其在形成权利要求18所述的抗蚀剂膜之后，实行蚀刻而形成。
23.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法，形成用于对导电性膜相互之间或者导电性膜与半导电性膜之间进行绝缘的绝缘膜的工序。
24.一种半导体装置，其特征在于，在形成于半导体上的导电性膜上形成权利要求19所述的绝缘膜，在该绝缘膜上形成导电性膜或者半导电性膜。
25.一种电路基板的制造方法，其特征在于，具有采用权利要求1～16中任一项所述的膜图案形成方法，形成对导电性膜相互之间进行绝缘的绝缘膜。
26.一种电路基板，其特征在于，在基板上形成权利要求19所述的绝缘膜，在该绝缘膜上形成导电性膜。
27.一种表面弹性波振荡装置，其特征在于，具备权利要求21或22所述的表面弹性波设备。
28.一种电光学装置，其特征在于，具备权利要求17所述的膜图案。
29.一种电光学装置，其特征在于，具备权利要求24所述的半导体装置。
30.一种电光学装置，其特征在于，具备权利要求26所述的电路基板。
31.一种电子机器，其特征在于，具备权利要求27所述的表面弹性波振荡装置、或者权利要求28～30中任一项所述的电光学装置中的任一种。
全文摘要
本发明提供可以抑制液状材料从膜图案形成区域流出、或向区域外润湿展开而形成规定图案形状和厚度的膜图案的膜图案形成方法、膜图案、抗蚀剂膜、和绝缘膜、以及电路基板、半导体装置、半导体装置、表面弹性波设备、表面弹性波振荡装置、电光学装置和电子机器。对基板面进行疏液化处理，在形成抗蚀剂膜的区域的周缘部配置液状材料的液滴，形成周缘带膜。接着对基板面进行亲液化处理，在由周缘带膜包围的区域内填充液状材料形成中央膜，由周缘带膜和中央膜形成抗蚀剂膜。绝缘膜也同样形成。电路基板、半导体装置、表面弹性波设备，具备由上述方法形成的膜，电光学装置具备该半导体装置，电子机器具备上述电光学装置、电路基板、表面弹性波振荡装置。
文档编号H05K3/00GK1816256SQ20061000699
公开日2006年8月9日 申请日期2006年1月26日 优先权日2005年2月1日
发明者丰田直之 申请人:精工爱普生株式会社