专利名称：等离子体成膜装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体成膜装置、特别是用形成片状的等离子体进行成膜的片状 等离子体成膜装置。
背景技术：
片状等离子体成膜装置，是利用夹着圆柱状的等离子体東使同极之间相对地配 置的永磁体相互排斥的磁场，使圆柱状等离子体变形为片状，以该变形的片状的等 离子体(以下称为片状等离子体)作为离子源实施溅射进行成膜的装置。
作为这样的片状等离子体装置，已经公开了具备生成片状等离子体的片状等离 子体变形室、以及与该等离子体变形室连接的表面处理室，使片状等离子体变形室 与表面处理室相互电气绝缘而且形成互不相同的电位的结构的等离子体成膜装置 (例如专利文献1 ) 。
图5是专利文献l公开的已有的等离子体成膜装置的结构的示意性剖面图。 如图5所示，这种已有的片状等离子体成膜装置具有作为压力梯度型等离子体 源动作的阴极部51、将圆柱状等离子体成型为片状的片状等离子体成型室52、进 行溅射的表面处理室(溅射室)53、配置于溅射室53内侧，接受片状等离子体用 的阳极部56、配置于片状等离子体成型室52外侧的一对永磁体54a、 54b、以及配 置于溅射室53的外侧的一对线圈55。在该装置中，形成在阴极部51发生的圆柱状 等离子体在片状等离子体成型室52借助于永磁体54a、 54b形成的磁场变形为片状 等离子体，变形的片状等离子体由线圈55的磁场引向溅射室53内(正确地说是阳 极部56)的结构。
而且专利文献1公开的片状等离子体成膜装置具有使片状等离子体变形室52 与溅射室53相互电气绝缘，形成互不相同的电位的结构。因此电流不可避免地流 入片状等离子体成型室52的情况不会发生，所以不会发生电力损失。而且由于不 发生电力损失，因此能够在被引入溅射室53的片状等离子体的密度不下降的情况 下成膜。
专利文献1:日本特许第2952639号公报 发明内容但是，专利文献l公开的片状等离子体成膜装置中，用玻璃等绝缘材料形成片 状等离子体成型室52的情况下，由于永磁体54b的磁场的作用，成型的片状等离 子体的一部分被吸引向片状等离子体成型室52的内壁方向展开(该部分被称为角 71)，存在等离子体密度减小，溅射效率变差的问题。而且如果角71附近的等离 子体冲击片状等离子体成型室52的内壁，则会有等离子体具有的能量的热影响损 伤片状等离子体成型室52的问题。本发明是为解决上述存在问题而作出的，其目的在于，提供通过使等离子体不 发生角，使等离子体密度不减小的，溅射效率良好的等离子体成膜装置。而且本发 明的目的在于，提供能够通过使片状等离子体不发生角实现安全运行的等离子体成 膜装置。为了解决上述存在问题，本发明的等离子体成膜装置，具备能够利用放电形 成相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的等离子体源，向所述输送方 向放出所述等离子体的等离子体枪、具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状 等离子体变形室、使同极之间相对，夹着所述被放出的等离子体源的输送中心配置 的磁场发生手段对、以及具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室；具有在所 述输送方向上在所述磁场发生手段上游侧贯通所述输送中心地设置的成型电磁线 圈，所述磁场发生手段对以及所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型电 磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁，发生在所述输送方向上磁通密度大 致一定的磁场。这样能够避免在片状等离子体上发生角，因此成型的片状等离子体的等离子体 密度能够维持高水平，溅射效率高，而且由于不会在片状等离子体上发生角，片状 等离子体变形室的内壁不会受到过剩的等离子体的冲击，所以能够抑制对片状等离 子体的损伤，能够使等离子体成膜装置安全运行。最好是所述磁场发生手段对和所述成型电磁线圈靠近配置。 最好是所述磁场发生手段对和所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述 成型电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生所述输送方向上的磁通 密度为訓 600G的磁场。
如果采用本发明的等离子体成膜装置，则能够将片状等离子体密度维持于高水 平，因此溅射效率高而且能够减少片状等离子体变形室受到的损伤，使等离子体成 膜装置安全运行。
图l是本发明实施形态1的等离子体成膜装置的结构的示意性剖面图。图2是图i所示的等离子体成膜装置的ni-m线剖面图。 图3是测定图i所示的等离子体成膜装置的磁通密度得到的曲线。图4是说明片状等离子体的形成法的大概情况的示意图。 图5是已有的等离子体成膜装置的结构的示意性剖面图。符号说明1等离子枪2片状等离子体变形室3真空成膜室5第1电磁线圈6成型电磁线圈7第2电磁线圈8第3电磁线圈9永磁体10放电空间13乾14靶支架14a第1支架部14b第1支持部15基板16基板支架16a第2支架部16b第2支持部17主电源18偏置电源19 偏置电源21 第l筒部22 第2简部23 第3简部24 第4简部25 阴极26 瓶颈部27 瓶颈部28 电阻29 电阻30 电阻31 法兰 32a 盖部 32b 盖部 33a 盖部 33b 盖部 34a 盖部 34b 盖部36 阳极37 管子38 第l真空泵连接口39 第2真空泵连接口40 输送空间42 贯通孔43 狭缝孔44 狭缝孔45 狭缝孔46 狭缝孔47 阀门48 闽门
49圆柱状等离子体50片状等离子体51成膜空间52永磁体61阴极部62片状等离子体成型室63溅射室64a永磁体64b永磁体65线圈66阳极部71角100输送中心Gl第l栅极(第l中间电极) G2第2栅极(第2中间电极) S 主面具体实施方式
以下参照附图对本发明的理想的实施形态进行说明。 实施形态1图l是本发明实施形态1的等离子体成膜装置的结构的示意性剖面图。图2是 图1所示的等离子体成膜装置的III-III线剖面图。还有，如图l所示，X轴、Y 轴和Z轴为方便而设置，图2上也同样设置X轴、Y轴和Z轴。而且在图2中部 分省略。首先参照图1对本发明实施形态1的等离子体成膜装置的结构进行说明。 如图1所示，本实施形态1的成膜装置在YZ平面上大致形成十字形状，从等 离子体的输送方向(Z方向)看来形成依序具有高密度地生成等离子体的双重型 (dual type)等离子体枪1、以Z方向的轴为中心的圆简状的非磁性(例如不锈钢 制或坡璃制)的片状等离子体变形室2、以Y方向的轴为中心的圆简状的非磁性(例 如不锈钢制)的真空成膜室3的结构。而且等离子体枪l、片状等离子体变形室2、 真空成膜室3通过输送等离子体的通道相互保持气密状态地连通。等离子体枪l具有圆简状的第l简部21。利用第l简部21的内部空间，形成 放电空间10。第1简部21的一端部配置法兰31以堵塞放电空间10。在第1简部 21的内部气密地设置阴极25,使其贯通法兰31的中心部沿着第l简部21的中心 轴(Z轴)延伸。阴极25释放诱发等离子体放电用的热电子，隔着电阻28与直流 电源构成的主电源17的负极连接。而且在第l筒部21的内部气密地设置管子37， 使其贯通法兰31的中心部沿着第1简部21的中心轴(Z轴)延伸。从该管子37 将氩(Ar)气等不活泼气体提供给等离子体枪1 (正确地说是提供给放电空间10 )。 又，等离子体枪1具有第1栅极(第1中间电极)G1、第2栅极(第2中间电 极)G2。第1栅极G1、第2栅极G2在第l简部21的周围气密设置，为了维持与 阴极25之间的等离子体放电(辉光放电)，主电源17与合适的电阻29、 30电气 连接，施加规定的正电压。利用这样的等离子体放电，在等离子体枪l的放电空间 IO形成作为带电粒子(在这里是Ar+与电子)的集合体的的等离子体。还有，在这里等离子体枪1釆用利用基于主电源17的低电压、大电流的直流 电弧放电，使阴极25与下述阳极36之间能够实现高密度的等离子体放电的，将公 知的压力梯度型等离子体枪与复合阴极型等离子体枪两者加以组合的双重型(dual type)等离子体枪。在第1简部21的径向的外侧，包围着第1简部21的侧面周围，与第1简部21 形成同心圆地设置能够控制磁力强度的环状的第1电磁线圈5。通过在该第1电磁 线圈5的绕组中通以电流，在等离子体枪1的放电空间IO形成基于螺线管(coil) 磁场的磁通密度的Z方向上的梯度。利用这样的磁通密度的Z方向上的梯度，构成 等离子体的带电粒子， 一边围绕磁力线旋转一边向Z方向前进，从该放电空间向Z 方向(向阳极36的方向)运动，作为这些带电粒子的集合体的等离子体，作为相 对于Z方向的输送中心100形成大致等密度分布的圆柱状等离子体源(以下称为圆 柱状等离子体49)，通过介于等离子体枪1的Z方向的另一端与片状等离子体变 形室2的Z方向的一端之间的贯通孔42被向片状等离子体变形室2引出。还有， 第1简部21、第1栅极G1、第2栅极G2、以及阴极25利用适当的手段相互绝缘。片状等离子体变形室2具有以Z方向的轴为中心的圆简状的第2简部22。由 第2简部22的内部空间形成输送空间40。第2简部22的 一个(靠第1筒部21 — 侧的)端部由盖32a封闭，另一端部由盖32b封闭。在盖32a的中心部设置贯通孔 42,利用该贯通孔42形成介于等离子体枪1与片状等离子体变形室2之间的通道。 又在盖32b的中心部形成在X轴方向上延伸的狭缝孔43。第2筒部22利用适当的 手段与第1筒部21同轴状(共有中心轴地)连接，而且保持气密和电气绝缘。第2 简部22考虑到使永磁体9等的磁力容易影响到圆柱状等离子体，釆用玻璃或SUS 等非磁性材料构成。在第2筒部22的适当地方设置能够利用阀门47开闭的第1真空泵接口 38。在 第1真空泵接口 38上连接未图示的真空泵(例如涡轮泵)。利用装置真空泵抽真 空，输送空间40能够迅速减压到可输送圆柱状等离子体49的真空度水平。在第2简部22的外侧，夹着第2简部22 (正确的是输送空间40),相互之间 同极(在这里是N极)相对地，设置在Y方向上磁化，而且在X方向上延伸的一 对方形的永磁体9(磁场发生手段对)。又在永磁体9的输送方向的上游侧(接近阴极25的一侧)围着第2简部22的 圆柱面(贯通输送中心100)配设环状的成型电磁线圈6 (空心线圈)。还有，在 成型电磁线圈6的绕组通以能够使阴极25 —侧为S极，阳极36 —侧为N极的流 向的电流。然后，在成型电磁线圈6的绕组中通电流在片状等离子体变形室2的输送空间 40形成的螺线管磁场与永磁体9在该输送空间40形成的磁场的相互作用，使得圆 柱状等离子体49通过片状等离子体变形室2的输送空间40向输送方向(Z方向) 移动。其间，圆柱状等离子体49变形为沿着包含该输送方向的输送中心IOO的XZ 平面(以下称为"主面S")扩展的均匀的片状等离子体(以下称为片状等离子体 50)。这样变形的片状等离子体50通过介于第2简部22的盖32b与真空成膜室3的 恻壁之间的狭缝状的瓶颈部26流入真空成膜室3。真空成膜室3具备在Y轴方向上具有中心轴的圆简状的第3简部23、以及通 过瓶颈部27与第3简部23连通的Z轴方向上具有中心轴的第4简部24。由第3 简部23的内部空间形成成膜空间51。第3简部23的一个端部利用盖"a封闭，另 一端部利用盖33b封闭。在第3筒部23的靠第2简部22近旁的一侧的圆柱面中央部形成在X轴方向上 延伸的狭缝孔44。在该狭缝孔44上设置断面为四方形的气密封的简状的瓶颈部26, 将第3简部23与第2简部22的内部空间加以连接。瓶颈部26与盖上设置的
狭缝孔43气密连接。还有，瓶颈部26的高度(Y方向上的尺寸)、长度(Z方向 上的尺寸)、以及宽度(X方向上的尺寸)设置为适于片状等离子体50通过的尺 寸。而且狭缝孔43、44的宽度只要形成为大于成型的片状等离子体50的宽度即可， 设置为合适的大小。这样可以防止不构成片状等离子体的多余的氩离子Ar +和电子 被引入真空成膜室3，能够将片状等离子体50保持于高密度状态。在第3简部23的内部，夹着片状等离子体50相对地配设靶13与基板支架16。 靶13支持于靶支架14上，该靶支架14具有第1支架部14a和第1支持部14b。第 1支持部14b气密而且滑动自如地贯通盖33a,与未图示的驱动机构连接，形成能 够在Y轴方向上移动的结构。而且在乾支架14上电气连接偏置电源18。偏置电源 18对第1支架部14a施加相对于片状等离子体50为负的偏压。还有，乾支架14 的第1支持部14b与盖33a绝缘。另一方面，基板支架16是支持基板的15的支架。 该基板支架16具有第2支架部16a和第2支持部16b。第2支持部16b气密而且滑 动自如地贯通盖33b，与未图示的驱动机构连接，形成能够在Y轴方向上移动的结 构。而且基板支架16电气连接于偏置电源19。偏置电源19对第2支架部16b施加 相对于片状等离子体50为负的偏压。还有，基板支架16的第2支持部16b与盖33b 绝缘地连接。而且在这里，与靶支架14连接的偏置电源18和与基板支架16连接 的偏置电源分开设置，但是也可以用一个共同的偏置电源构成。而且也可以形成在 主电源17上分别连接靶支架14与基板支架16的结构。但是如上所述，通过在靶 支架14和基板支架16上分别设置偏置电源，能够自由地设定靶14与基板16之间 的距离，而且能够在乾14和基板16双方施加负偏压，其结果是提高了溅射的效率。又，在盖33b的适当地方设置能够利用阀48开闭的第2真空泵接口 39。在第 2真空泵接口 39上连接未图示的真空泵。利用该真空泵(例如涡轮泵)抽真空，借 助于此，能够使成膜空间51迅速减压到能够实施溅射工艺'的真空度水平。在第3筒部23的外部设置能够控制磁力的强度的第2电磁线圈7和第3电磁 线圈8,使其相互形成对贯通输送中心100。第2电磁线圈7和第3电磁线圈8设 置为异极相向(在这里，第2电磁线圈7为N极，第3电磁线圈8为S极)。如果利用对该第2电磁线圈7和第3电磁线圈8的绕组中通以电流形成的螺线 管磁场(例如10G-300G左右)，则对片状等离子体50的宽度方向(X方向)， 片状等离子体50跨越真空成膜室3的成膜空间51向Z方向移动时，作为镜像磁场， 其宽度方向的扩散收到适当抑制，形状得以整形。
又，真空成膜室3具有通过瓶颈部27与第3简部23连通的，在Z轴方向具有 中心轴的第4简部24。第4简部24的一个(第3简部23 —侧的)端部由盖34a 封闭，另一侧面由盖34b封闭。盖34a的中心部形成在X轴方向上延伸的狭缝孔 46。在该狭缝孔46上，气密设置剖面为四方形的简状瓶颈部27,以便使第4简部 24与第3简部23的内部空间连接。瓶颈部27与第3简部23的圆周面的中央部上 形成而且向X轴方向延伸的狭缝孔45气密连接。还有，瓶颈部27的高度(Y方向 尺寸)、长度(Z方向尺寸)、以及宽度(X方向尺寸)与瓶颈部26—样设置为 使片状等离子体50能够恰当通过。又，狭缝孔45、 46的高度和尺寸与上述狭缝孔 43、 44形成同样结构。盖34b的内表面上设置阳极36,阳极36与主电源17的正极电气连接。阳极 36在与阴极25之间被施加适当的正电压(例如100V)，这样能够担负回收阴极 25和阳极36之间的直流电弧放电引起的片状等离子体50中的带电粒子(特别是电 子)的作用。阳极36的里面(与阴极25相对的对向面的反面)上配置以靠阳极36 —侧为S 极，靠大气一侧为N极的永磁体52。以此利用从永磁体52的N极发出进入S极的 沿着XZ平面的磁力线，使片状等离子体50在宽度方向上受到约束，以抑制向着 阳极36的片状等离子体50在宽度方向(X方向)上的扩散，能够在阳极36上可 靠地回收片状等离子体50的带电粒子。还有，第1简部21、第2简部22、以及第4简部24的X轴方向的剖面在这里 是圆形，但是并不限于此，也可以是多边形等。又，第3简部23的Z轴方向的剖 面在这里是圆形，但是并不限于此，也可以是多边形等。下面参照图3和图4对本实施形态1的永磁体9与成型电磁线圈6的磁场与从 圆柱状等离子体49变形为片状等离子体50的方法一起进行详细说明。图3是表示从图1所示的本实施形态1的等离子体成膜装置的第2栅极起在Z 轴方向上检测通过等离子体枪1与片状等离子体变形室2输送的等离子体的输送中 心IOO的磁通密度得到的结果的曲线。图4是说明片状等离子体的形成法的大概情 况的示意图。图4(a)是与棒状磁体的Z方向大致中央附近的XY平面平行的剖面 的示意图，图4 (b)是与棒状磁体的X方向大致中央附近的YZ平面平行的剖面 的示意图。还有，在图3中，横轴表示与第2栅极G2的距离(mm),纵轴表示磁通密 度(G)。又，图4中的符号Bx、 By以及Bz分别表示图1中的X方向、Y方向、 以及Z方向的磁通密度矢量分量。如图4(b)所示，由成型电磁线圈6的磁场，形成到达永磁体9之前的圆柱型 等离子体49的Z轴方向上作用的初始的磁通密度分量BzO。这时，设定成型电磁 线圈6的配置和成型电磁线圈6的绕组中流过的电流量，使初始的磁通密度分量 BzO与一对永磁体9形成的Z轴方向的磁通密度分量Bz之间的大小关系为图3所 示的磁体密度。也就是说，成型电磁线圈6与永磁体9形成的在输送中心100的Z 轴方向上的磁通密度随着从第2栅极G2向Z轴方向前进，首先是减少，其后增加。 而且在输送中心100的通过成型电磁线圈6和永磁体9的部分以及其近旁，配置成 型电磁线圈6和永磁体9而且调整各自的磁力，使其大致为一定(在这里是350G)。通过这样调整成型电磁线圈6和永磁体9 (特别是磁体密度在输送中心100的 通过成型电磁线圈6与永磁体9的部分及其近旁被调整为大致一定)，永磁体9发 生的磁力中返回等离子体枪l的方向的磁力被成型电磁线圈6发生的磁力抵消。因 此片状等离子体的一部分不在构成片状等离子体变形室2的第2简部22的内壁方 向上扩展，不会发生角。还有，从永磁体9发生的磁力中返回等离子体枪1的方向的磁力被成型电磁线 圈6发生的磁力抵消的观点出发，成型电磁线圈6与永磁体9因等离子体枪1的输 出、等离子体变形室2的大小和成型电磁线圈6的大小等而异，最好是离第2栅极 G2的距离为300-400mm。又，从同样的观点出发，最好是成型电磁线圈6与永 磁体9靠近配置，相互接触着配置则更理想。而且在这里，对成型电磁线圈6与永 磁体9进行调整，以使得在输送中心IOO的通过成型电磁线圈6以及永磁体9的部 分以及其近旁由成型电磁线圈6和永磁体9形成的磁通密度为350G，但是并不限 于此，但是因成型电磁线圈6和永磁体9的大小等因素而不同，比较理想的是例如 其所形成的磁通密度为100-600G,更理想的是200~ 500G。接着，如图4(a)所示，在XY平面上形成一对从永磁体9的N极面相互向 输送中心100靠近的，磁通密度的Y方向分量By的对，同时形成与这些永磁体9 的N极平行地相互远离输送中心100的磁通密度的X方向的分量Bx的对。对于磁通密度的Y方向分量By的对，由于将永磁体9的N极面相互对向配置， 随着从这些N极面向输送中心IOO靠近，其Y方向分量相互抵消，可以使这些磁 通密度的Y分量具有合适的负梯度。
这样的磁体密度的Y方向分量By的梯度，如图4(a)的箭头所示，带电粒子 向输送中心IOO在向Y方向压缩圆柱状等离子体49的方向运动，借助于此，使圆 柱状等离子体49中的带电粒子一边环绕磁力线旋转， 一边向输送中心100前进。另一方面，对于磁通密度的X方向分量Bx的对，借助于永磁体9的配置和其 磁场强度的适当设计，可以调整为随着从输送中心100向X方向远离，使这些磁通 密度的X分量具有适当的负梯度。这样的磁通密度的X方向分量Bx的梯度，如图4(a)的箭头所示，使带电粒 子在使圆柱状等离子体49沿着主面S (XZ平面)扩展的方向上运动，借助于此， 圆柱状等离子体49中的带电粒子一边环绕磁力线旋转一边向离开输送中心100的 方向前进。于是，圆柱状等离子体49在通过片状等离子体变形室2在Z方向上移动期间， 由于成型电磁线圈6和永磁体9的磁场相互作用而均匀变形为沿着主面S的片状等 离子体50。还有，片状等离子体50的宽度、厚度、以及带电粒子密度分布等可以 通过适当改变这些磁通密度Bx、 By、 Bz、 BzO进行调整。下面对本实施形态1的等离子体成膜装置进行动作说明。首先，利用未图示的真空泵抽真空，使等离子体成膜装置内为真空状态。这时， 在两个地方设置真空泵接口，因此能够迅速使等离子体成膜装置内部减压。然后， 从等离子体枪1上设置的管子37向放电空间10内提供氩气，从阴极25释放出诱 发等离子体放电用的热电子，生成等离子体。该等离子体借助于第1栅极G1、第2 栅极G2形成的电场和第1电磁线圈5形成的磁场，被从阴极25拉向阳极36—侧, 形成圆柱状。形成的圆柱状等离子体49通过贯通孔42被引向片状等离子体变形室 2。被引向片状等离子体变形室2的圆柱状等离子体49在一对永磁体9和成型电 磁线圈6发生的磁场的作用下扩展为片状(在ZY平面上延伸)，形成片状等离子 体50。该片状等离子体50通过狭缝孔43、瓶颈部26、以及狭缝孔44被引向真空 成膜室3。被引入真空成膜室3的片状等离子体50由于第2电磁线圈7和第3电磁线圈8 形成的磁场的作用，宽度方向的形状得到调整，其后被引向靶13和基板15之间的 空间。在靶13上，通过靶支架14施加相对于片状等离子体50为负的偏压。又， 在基板15上也通过基板支架16施加对片状等离子体50为负的偏压。通过在靶13
上施加负偏压，Ar+离子能够更高效率地使靶溅射。构成被溅射的靶13的原子在垂 直方向上通过片状等离子体50中，这时被离子化为阳离子。该阳离子被堆积在施 加负偏压的基板15上，接受电子使基板15成膜。而且，片状等离子体50由于永磁体52的磁力线的作用，在宽度方向上收缩， 片状等离子体50的带电粒子被合适地回收到阳极36上。还有，在这里，使等离子体成膜装置内形成真空状态后进行成膜，但是也可以 将反应性气体引入真空成膜室3,形成用该气体与靶的反应物使基板15成膜的结 构。采用这样的结构，在片状等离子体变形室内片状等离子体不发生角，因此片状 等离子体的等离子体密度高，溅射效率良好。而且因为在片状等离子体变形室内不 发生角，能够抑制片状等离子体变形室的损伤情况的发生，因此能够使等离子体成 膜装置安全地运行。工业应用性本发明的等离子体成膜装置，由于片状等离子体的等离子体密度高，溅射效率 良好，因此是有用的，而且由于能够抑制片状等离子体变形室的损伤情况的发生， 因此作为能够安全运行的等离子体成膜装置是有用的。
权利要求
1. 一种等离子体成膜装置，其特征在于， 具备能够利用放电形成相对于等离子体的输送方向的中心大致等密度分布的等离子体源，向所述输送方向放出所述等离子体的等离子体枪、具有在所述输送方向上延伸的输送空间的片状等离子体变形室、 使同极之间相对，夹着所述被放出的等离子体源的输送中心配置的磁场发生手段对、具有与所述输送空间连通的成膜空间的成膜室；具有在所述输送方向上在所述磁场发生手段对上游侧贯通所述输送中心地设 置的成型电磁线圈，所述磁场发生手段对以及所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型 电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生在所述输送方向上磁通密度 大致一定的磁场。
2. 根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，所述磁场发生手段 对和所述成型电磁线圈靠近配置。
3. 根据权利要求1所述的等离子体成膜装置，其特征在于，所述磁场发生手段对和所述成型电磁线圈在通过所述输送中心的所述成型电磁线圈和所述磁场发生手段对的部分及其近旁发生所述输送方向上的磁通密度为1Q0 600G的磁场。
全文摘要
本发明的目的在于，提供使片状等离子体上不发生角，以提高等离子体密度，改善溅射效率，又使片状等离子体上不发生角，从而能够安全运行的等离子体成膜装置。本发明的等离子体成膜装置具备能够向所述输送方向放出等离子体的等离子体枪(1)、片状等离子体变形室(2)、使同极之间相对配置的磁场发生手段(9)的对、以及成膜室(3)；具有在输送方向上在磁场发生手段(9)的对的上游侧设置的成型电磁线圈(6)，磁场发生手段(9)的对以及成型电磁线圈(6)在通过输送中心(100)的成型电磁线圈(6)和磁场发生手段(9)的对的部分及其近旁，发生在输送方向上的磁通密度大致一定的磁场。
文档编号H05H1/48GK101124349SQ200680005498
公开日2008年2月13日 申请日期2006年12月4日 优先权日2005年12月6日
发明者丸中正雄, 土屋贵之, 寺仓厚广, 武内清 申请人:新明和工业株式会社