专利名称：减小bga芯片的与去耦电容器串联的电感的方法和相应组件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于减小球栅阵列(BGA)中去耦电容器的串联电 感的方法和电路。
技术背景许多种电子器件很常见并且在日常生活中被人们用于各种功能。 在许多这些器件的核心是包含设计为执行所需功能的电子电路的集成 电路或芯片。例如，许多现代电子器件包括微处理器或数字信号处理 器，两者都是集成电路或芯片的实例。芯片包括电子电路在其中形成 的半导体管芯。半导体管芯被物理地安装到包含若干电引线的封装。 除了物理地安装到封装之外，半导体管芯中的电子电路电耦合到封装 的电引线。形成在半导体管芯上的电子电路可以这种方式通过封装和 电引线耦合到其他芯片的电子电路。一种常见的芯片封装类型被称为球栅阵列(BGA)，其在图l示出 的简化横截面图中进行了图解说明。图1中示出的样本芯片100包含 粘合或以其他方式物理地附接到互连板104的顶面的半导体管芯102。 互连板104类似于微型电路板并且包括半导体管芯102中的电子电路 (未示出)所连接到的若干导电迹线(未示出)。互连板104中的这 些导电迹线耦合到导电球106，诸如焊球，其暴露在互连板的底面上以 电互连管芯102中的电子电路到其他芯片。芯片IOO通常经由导电球 106安装在外部电路板108上，并且以这种方式管芯102中的电子电路 与同样安装在外部电路板上的其他芯片的电子电路互连。典型地，芯 片100通过流体焊接连接到外部电路板108的顶面，流体焊接是一种 通过熔化导电球106以提供外部电路板和芯片之间的物理以及电互连 的工艺。互连板104和导电球106共同形成了芯片100的"封装，，并 且在以下"i兌明中可以如此引用。图2是图1的外部电路板108的仰视图，示出了在外部电路板的 底面上排列成行和列的若干导电互连206。导电互连206提供了导电球 106 (图1)和外部印刷电路板中的点之间的物理和电互连点。例如， 导电互连206可以对应于外部电路板108上的通路，并且在流体焊接期间每个导电球106 (图1)熔化以借此流入到对应的通路并且互连相 应的导电球到由该通路所定义的外部电路板中的点。
定位在互连板108的底面上的还有若干去耦电容器C。每个去耦电 容器C通过板108中的导电迹线200a和200b电互连到一对导电互连 206，如图中对于一个电容器C所示出的。如本领域技术人员所理解的， 去耦电容器C通过为可能发生在芯片IOO上或耦合到芯片100的电源 电压的瞬态和其他高频信号提供高频对地短路而有效地用作滤波器。 每个去耦电容器C耦合在电源平面和芯片IOO的地平面之间，多个电 容器用在每个电源平面的各个物理位置处，以便更好地滤波。 一些导 电互连206耦合到电源平面并且一些耦合到芯片IOO的地平面。因此， 去耦电容器C通过迹线200a和200b耦合到选择的导电互连206并且 从而耦合到芯片IOO的电源和地平面。
如图2中所示，这些导电互连206的一些位于板108的底面的内 部上。去耦电容器C到底面内部上的导电互连108的互连导致在电容 器和导电互连之间比较长的导电迹线200a和220b。这些长导电迹线 200a和200b具有比较大的电感，这导致与相应去耦电容器C串联形成 的比较大的电感。这个比较大的串联电感导致由串联连接的电容器C 和迹线200a和200b的电感所呈现的有效阻抗，其并不像在给定高频 所希望的那样小。这可以导致电源平面上的高频瞬态或其他信号，其 幅度大得足以影响芯片100的正常工作。虽然可以使用更大的去耦电 容器C来降低电容器和迹线200a和200b的电感所呈现的有效阻抗， 但是这种电容器更加昂贵并且在板108的表面上占据更多的空间。
需要对球栅阵列芯片减小与去耦电容器串联固有形成的电感，以 改善去耦电容器的去耦功能。
发明内容
根据本发明的一个方面， 一种方法为球栅阵列减小与去耦电容器 串联的电感值。该球栅阵列包括耦合到暴露在电路板的表面上的导电 互连的多个导电球。该表面包括周边和内部，并且具有暴露在该内部 和周边两者上的导电互连。该方法包括将至少一个去耦电容器在电路
至少其中两个邻近的导电互连。
图l是包含安装在外部电路板上的球栅阵列(BGA)封装的常规芯 片的简化横截面图。
图2是图1的外部电路板的仰视图，示出了去耦电容器和芯片与 电路板之间的物理和电互连的典型布置。
图3是示出根据本发明一个实施例的在耦合到球栅阵列芯片的外 部电路板上的内部安装的去耦电容器的布置的仰视图。
图4是示出根据本发明一个实施例的在图3的外部电路板上的内 部安装的去耦电容器的布置的更详细的仰视图。
图5是示出根据本发明另一实施例的在图3的外部电路板上的内 部安装的去耦电容器的布置的更详细的仰视图。
图6是包含计算机电路的计算机系统的功能框图，该计算机电路 包含根据本发明另一实施例的图3的芯片。
具体实施例方式
图3是示出根据本发明一个实施例的在耦合到球栅阵列芯片(未 示出)的外部电路板300上的内部安装的去耦电容器Cl和C2的布置 的仰视图。若干导电互连302在外部电路板的底面上排列成行和列。 外部电路板300和导电互连302与之前参考图1和2讨论的相应部件 相同，因此，为了简便起见，不再详细描述。与图1和2的常规芯片 100相反，图3的实施例包括去耦电容器Cl和C2，所述电容器不是位 于外部电路板300的周边而是位于板内部并且邻近电容器所电耦合的 导电互连302，如下面将更详细解释的。将去耦电容器Cl和C2定位在 外部电路板304的内部上并且邻近电容器所电耦合的导电互连302减 小了互连电容器和导电互连的导电迹线的长度。这些减小的长度降低 了导电迹线的电感，这降低了去耦电容器Cl和C2以及导电迹线所呈 现的整体阻抗。这个较低整体阻抗改进了去耦电容器Cl和C2的去耦 操作或滤波功能。
在以下描述中，结合本发明的所述实施例来阐述某些细节，以提 供对本发明的充分理解。然而，本领域技术人员应理解在没有这些特 定细节的情况下也能实施本发明。此外，本领域技术人员将理解下面 所述的示例实施例并不限制本发明的范围，并且还将理解这些实施例 的各种修改、等同物、以及公开的实施例和部件的组合都落在本发明 的范围之内。虽然下面没有详细地明确描述，但是包含少于任何相应所描述的实施例的所有部件的实施例也落在本发明的范围之内。此外， 在以下的描述中，应理解与各个实施例有关的附图不应被解释为表达 任何具体或相对物理尺寸，并且如果声明的话，具体或相对物理尺寸 不应被认为是限制性的，除非权利要求书另有明确声明。另外，当作 为说明性实例提供时，各个实施例的实例只是打算进一 步说明各个实 施例的某些细节，不应当被解释为限制本发明的范围。最后，下面没 有示出或详细描述众所周知的部件和/或过程的操作，以避免不必要地
模糊本发明。
在图3的实例中，去耦电容器Cl和C2定位在外部电路板300的 内部上导电互连302的相邻行之间。在图3的实例中，从上到下将导 电互连302的行标为R1-RN。去耦电容器Cl定位在相邻行R5和R6中 的导电互连302之间，而去耦电容器C2定位在相邻行R4和R5中的导 电互连之间。去耦电容器C1的第一电端子通过第一导电迹线304耦合 到行R5中的导电互连302，行R5中的导电互连302耦合到芯片300的 电源平面VDD，如这个导电互连的名称(VDD)所指示的。去耦电容器 Cl的第二电端子通过第二导电迹线306耦合到行R6的导电互连302。 这个导电互连302耦合到电路板300的地平面GND，如这个导电互连的 名称(GND)所指示的。
通过将去耦电容器Cl定位在行R5和R6之间并且在互连板304的 内部上邻近导电互连(VDD)和(GND)，减小了导电迹线304和306 的长度以及因此的电感。结果，在给定频率处，串联连接的去耦电容 器Cl和迹线304和306的电感所呈现的整体阻抗被减小，这提供了对 电源平面VDD上不希望的高频信号的更好的滤波。注意因为已经减小 了导电迹线304和306的有效电感，可以使用去耦电容器Cl的更小值 在给定频率处获得希望的整体阻抗，如本领域技术人员将理解的。如 果去耦电容器C1的值与图2的常规芯片100中的去耦电容器C的值相 同，那么在给定频率处图3的实施例中的整体阻抗更低。
在图3的实例中，注意去耦电容器C2定位在导电互连302的行R4 和R5之间并且通过导电迹线308和310分别电耦合到在这两行中但是 在相邻列中的标为(VDD)和(GND)的导电互连。结果，导电迹线308 和310的长度稍微长于去耦电容器Cl的导电迹线304和306的长度， 在电容器C1的情况下标为(VDD)和(GND)的导电互连在相同的列。在这种情况下，可以旋转去耦电容器C2以减小导电迹线308和310的 长度并且从而减小这个去耦电容器在这些迹线的串联电感中所呈现的 整体阻抗，如下面将更详细解释的。
在讨论本发明的另一个实施例之前，应特别注意在图3的实施例 中，外部电路板300通常包括比图中示出的更多行和列的导电互连 302。结果，在外部电路板300的周边定位的去耦电容器和这个板的内 部上的导电互连302之间布置的导电迹线的长度将比当去耦电容器定
得多。而且，应注意为了便于描述只示出了两个去耦电容器C1和C2， 并且通常在外部电路300上将包含更多的这种电容器。最后，虽然去 耦电容器Cl和C2被示出并且描述为在电源平面VDD和地平面GND之 间耦合，但是电容器可以耦合在电路板300中的其他电源和参考平面 之间，诸如在电源平面VSS和地平面GND之间。还注意除了通过电连 接连接到邻近导电互连302之外，每个去耦电容器Cl和C2可以物理 地附接诸如粘合到外部电路板300。
图4是图3的外部电路板300的更详细的仰视图，示出了根据本 发明一个实施例的内部安装的去耦电容器C相对于邻近导电互连302 的定位。在这个实例中，去耦电容器C在电容器的一侧上具有两个电 端子400和402。电端子400耦合到标为(VDD)的第一导电互连，笫 一导电互连对应于耦合到外部电路板300的芯片(未示出)的电源平 面VDD。类似地，电端子402耦合到标为(GND)的第二导电互连，第 二导电互连对应于芯片(未示出)的地平面VDD。在图4的实例中两个 导电互连(VDD)和(GND)在同一行，并且在这种情况下电容器C可 以如所示的定向以减小电容器的电端子和这些导电互连之间的导电迹 线(未示出)的长度。
图5是图3的外部电路板300的更详细的仰视图，示出了根据本 发明另一实施例的内部安装的去耦电容器C相对于邻近导电互连302 的定位。在这个实例中，去耦电容器C在电容器的相对侧的相对端具 有两个电端子500和502。电端子500耦合到标为(VDD)的第一导电 互连302，第一导电互连对应于相关芯片(未示出)的电源平面VDD 并且电端子502耦合到标为(GND)的第二导电互连，第二导电互连对 应于芯片的地平面VDD。在图5的实例中，导电互连(VDD)和(GND)在相同的列和相邻行。
在这个实施例中，每个去耦电容器C具有纵向或伸长的轴504，该 轴相对于导电互连302的每一行所定义的轴506有一角度oc。根据去 耦电容器C和导电互连302之间的间隔的确切物理尺寸，可以改变角 度a以分别最小化电端子500和502以及相应的导电互连(VDD)和 (GND)之间的导电迹线(未示出)的长度。
在另一个实施例中，去耦电容器C以类似的方式定位在相邻列中 的导电互连302之间。注意这对于所有之前描述的本发明的实施例都 是正确的，因为在讨论去耦电容器C定位在相邻行中的导电互连之间 的情况下，相同的概念同样适用于去耦电容器定位在相邻列中的导电 互连之间。还应注意每个之前描述的实施例不需要专门地在给定的外 部电路板300上使用，而相反根据电源平面VDD和地平面GND以及相 关导电互连302的引脚引出(pin out )可以利用这些实施例的组合。 例如，在对应于电源平面VDD和地平面GND的导电互连302位于周边 的情况下，去耦电容器C可以位于外部电路板300的周边。同时，在 对应于电源平面VDD和地平面GND的导电互连302位于外部电路板的 内部上的情况下，去耦电容器C根据任何之前所述的实施例定位在外 部电路板300的内部上。对于这些内部安装的去耦电容器C， 一些可以 如图5所示定位，其他一些可以如图4所示定位，并且再其他一些的 可以如图3所示定位。
虽然没有在图3中示出，耦合到外部电路板300的芯片包括半导 体管芯(未示出)，半导体管芯中形成了电子电路以执行希望的功能， 如之前参考图1的芯片100和半导体管芯102所讨论的。这个电子电 路可以执行许多不同功能的任何功能，并且因此该电路可以是例如数 字信号处理电路或微处理器电路。在一个实施例中，该电路对应于形 成连网开关(networking switch )的电路，该开关选择性地互连耦合 到连网开关的各个端口的部件。
图6是包括计算机电路602的计算机系统600的功能框图，该计 算机电路602包括根据本发明另一实施例的图3的外部电路板300和 相关一个或多个芯片(未示出)。计算机电路602包括用于执行各种 计算功能，诸如执行特定软件以执行特定计算或任务，的电路。此外， 计算机系统600包括一个或多个输入设备604，诸如键盘和鼠标，输入设备耦合到计算机电路602以允许操作员与计算机系统交互。典型地， 计算机系统600还包括一个或多个耦合到计算机电路602的输出设备 606，这些输出设备通常包括打印机和视频终端。 一个或多个数据存储 设备608通常耦合到计算机电路602以存储数据或检索来自外部存储 介质(未示出)的数据。典型的数据存储设备608的实例包括硬盘和 软盘，磁带、只读压缩盘(CDROM)和读写压缩盘(CDRW)存储器以及 数字视频盘(DVD)。
虽然在前面的描述中阐述了本发明的各个实施例和优势，但是上 面的公开仅是说明性的，并且可以做出细节上的改变而仍位于本发明 的广泛的原理之内。因此，本发明仅由随附的权利要求书限制，
权利要求
1.一种为球栅阵列(100)减小与去耦电容器(C)串联的电感的值的方法，该球栅阵列包括耦合到暴露在电路板(300)的表面上的导电互连(302)的多个导电球(106)，该表面包括周边和内部并且具有暴露在该内部和周边上的导电互连(302)，该方法包括在电路板(300)的表面的内部上将至少一个去耦电容器(C、C1、C2)邻近导电互连(302)物理地定位并且电耦合每个电容器(C、C1、C2)到至少其中两个邻近的导电互连(300)。
2. 权利要求1的方法，其中导电互连(302 )在表面上排列成行 和列，每行具有轴(506 )并且其中在电路板(300 )的表面的内部上 将至少一个去耦电容器(C)邻近导电互连(302 )物理地定位包括将 每个去耦电容器(C)定位在导电互连的相邻行之间，电容器(C)的 伸长轴(504 )基本上平行于由导电互连(302 )的相邻行所定义的轴(506 )。
3. 权利要求1的方法，其中导电互连(302 )在表面上排列成行 和列，每行具有轴(506 )并且其中在电路板(300 )的表面的内部上 将至少一个去耦电容器(C)邻近导电互连物理地定位包括将每个去耦 电容器(C)定位在导电互连(300 )的相邻行之间，电容器(C)的伸 长轴(504 )相对于由导电互连(302 )的相邻行所定义的轴(506 )成 一角度(oc )。
4. 权利要求4的方法，其中每个去耦电容器(C)定位在角度(ot ) 并且近似位于在互连(302 )的相邻行中的两个导电互连(302 )之间 的中心。
5. —种电子组件，包括管芯(102)，其中形成电子电路；互连板(104)，具有物理地附接到管芯(102)的第一表面并且 具有第二表面，互连板(104)包括耦合到管芯(102)中的电子电路 并且耦合到暴露在第二表面上的多个导电球(106)的多个导电迹线；电路板(300 ),包括暴露在表面上的多个导电互连和耦合到导电 互连的多个导电迹线，电路板(300 )的表面具有周边和内部，导电互 连(302 )暴露在该内部上以及该周边，并且每个导电互连(302 )耦 合到暴露在互连板(104)的第二表面上的相应导电球(106);以及至少一个去耦电容器(C、 Cl、 C2)，每个去耦电容器(C、 Cl、 C2)邻近在电路板(300 )的表面的内部上的导电互连(302 )附接到 电路板(300 )的表面，并且每个去耦电容器(C、 Cl、 C2)电耦合到至少其中两个邻近导电互连。
6. 权利要求9的电子组件，其中导电互连(302 )在表面上排列 成行和列，每行具有轴(506 )而每个电容器(C )具有伸长的轴(504 )， 并且每个去耦电容器(C)附接到导电互连(302 )的相邻行之间的表 面，电容器(C)的伸长的轴(504 )基本上平行于导电互连(302 )的 相邻行的轴(506 )。
7. 权利要求9的电子组件，其中导电互连(302 )在表面上排列 成行和列，每行具有轴(506 )而每个电容器(C )具有伸长的轴(504 )， 并且其中每个去耦电容器(C)附接在导电互连(302 )的相邻行之间， 电容器(C)的伸长的轴(504 )相对于由导电互连(302 )的相邻行所 定义的轴(506 )成一角度(ot )。
8. 权利要求6或7的电子组件，其中每个去耦电容器(C)基本 上定位在由相邻行的第一行中的两个互连(302 )和相邻行的第二行中 的两个互连(302 )所定义的导电互连(302 )的正方形的中心或者其 中每个去耦电容器(C)定位在角度(ot )并且近似位于互连(302 ) 的相邻行中的两个导电互连(302 )之间的中心。
9. 权利要求5的电子组件，其中每个去耦电容器(C)包括多层 陶瓷电容器。
10. 权利要求5的电子组件，还包括计算机系统(600 ),该计算 机系统(600 )包括至少一个数据存储设备(608 ); 至少一个输入设备(604 ); 至少一个输出设备(606 );以及耦合到数据存储设备(608 )、输入设备(604 )和输出设备(606 ) 的处理电路(602 )，该处理电路(602 )包括电子组件。
全文摘要
一种为球栅阵列(100)减小与去耦电容器串联的电感的方法。该球栅阵列包括耦合到暴露在电路板(300)的表面上的导电互连(302)的多个导电球(106)。该表面包括周边和内部，并且具有暴露在该内部和周边两者上的导电互连(302)，该方法包括在电路板(300)的表面的内部上将至少一个去耦电容器(C、C1、C2)邻近导电互连(302)物理地定位并且电耦合每个电容器(C、C1、C2)到至少其中两个邻近的导电互连(302)。
文档编号H05K1/02GK101283630SQ200680037426
公开日2008年10月8日 申请日期2006年8月7日 优先权日2005年8月15日
发明者P·Y·C·冯 申请人:惠普开发有限公司