专利名称：改善晶圆缺陷的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺方法，尤其涉及一种通过减少灰尘改善晶 圆缺陷的方法。
技术背景晶圆的生产是在无尘室内进行，对灰尘的要求很高， 一旦灰尘含量超 过一定标准，就会使晶圆产生致命的缺陷。晶圆在蚀刻过程中会产生很多称为聚合物(polymer)的副产物，当 聚合物积聚到一定程度，掉在晶圆上时，就有可能使晶圆产生缺陷，如果 严重就会使整片晶圆报废。聚合物的产生不可避免，关键是如何才能使聚 合物不掉到晶圆上。图l所示为目前晶圆在蚀刻过程中传送的路线，预载室(Load Lock, LL)是晶圆在蚀刻前放的位置；CH (Chamber)是晶圆蚀刻时的腔体；TM (transfer chamber)是晶圆在预载室和蚀刻腔体之间传送时的中转站。 通常这3个空间有门关着，互相独立。只有当晶圆在LL和CH之间需要传 送时门才会开，而这3个地方的压力设定通常为LL〉TM〉CH。当晶圆从CH 传回到LL时，先使传送晶圆的机械手臂与LL的门垂直，即将晶圆停在 LL的门边上，再把门打开，然后把晶圆传回LL。由于压力的差异(LL〉TM)， 在开门的瞬间，很容易使原来在LL的聚合物全都掉在晶圆上，使晶圆缺陷随机出现，且晶圆朝向预载室的一边缺陷较多，清洗蚀刻腔体或预载室都 未能改善晶圆缺陷状况。 发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种改善晶圆缺陷的方法，能有效减 少预载室的聚合物掉到晶圆上的几率，明显改善晶圆表面缺陷。为了解决上述技术问题，本发明改善晶圆缺陷的方法，包括在晶圆 从蚀刻腔体传回至预载室时，先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边 的停靠位置，使该手臂停靠在与预载室门平行的位置，或停靠在背向预载 室门并与该门成一角度的位置，再打开预载室门，把晶圆传回预载室。本发明改善晶圆缺陷的方法，能有效避免预载室的聚合物被开门时的 压力差吹落到晶圆表面的情况，显著改善晶圆表面缺陷。
图1是现有晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时，机械手臂在预载室门边 停靠的位置示意图；图2是本发明一实施例中，晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时，机械手 臂停靠位置的示意图；图3是现有方法制作的晶圆的检测结果图；图4是本发明方法制作的晶圆的检测结果图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说明。 本发明的改善晶圆缺陷的方法，包括步骤在晶圆从蚀刻腔体传回至 预载室时，先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置，使该手臂停靠在与预载室门平行的位置，或停靠在背向预载室门并与该门成一角 度的位置，再打开预载室门，把晶圆传回预载室。所述角度的范围为0° <角度<180° 。在本发明的一个制作电容工序的实施例中，当晶圆由机械手臂从蚀刻 腔体传回到预载室时，改变传统的把晶圆停在预载室门边的做法，将机械手臂转动到与预载室门平行的位置进行停靠(见图2)，使晶圆远离预载 室门，再打开预载室的门，此时由于晶圆和预载室门相隔一定距离，开门 时，压力差(LL〉TM)吹落的预载室内的聚合物等灰尘物质掉到晶圆表面的几率大大减少，然后，机械手臂把晶圆传回预载室，完成晶圆的传送。在本发明的另一个制作电容工序的实施例中，当晶圆由机械手臂从蚀 刻腔体传回到预载室时，转动机械手臂，使其在背向预载室门(装载晶圆 的一端)并与该门成一角度的位置进行停靠，所述角度的范围为0° < 角度<180° ，再打开预载室门，把晶圆传回预载室。本发明方法制作的晶圆经检测机台验证，能有效改善晶圆缺陷的状 况，图3为现有方法制作的晶圆的检测结果图，图4为本发明方法制作的 晶圆的检测结果图。在图3、 4中，"+"表示在晶圆表面检测到的由灰尘 产生的缺陷，图3的晶圆有97个缺陷，图4的晶圆有23个缺陷。比较图 3和图4，显然可得出经过本发明方法调整机械手臂的停靠位置后，晶 圆的缺陷状况得到明显改善。本发明方法通常能使晶圆减少20% 30%的 缺陷。
权利要求
1. 一种改善晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时，先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置，使该手臂停靠在与预载室门平行的位置，或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置，再打开预载室门，把晶圆传回预载室。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述角度的范围为0° <角度<180° 。
全文摘要
本发明涉及半导体制造工艺方法，公开了一种改善晶圆缺陷的方法，包括在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时，先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置，使该手臂停靠在与预载室门平行的位置，或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置，再打开预载室门，把晶圆传回预载室。本发明改善晶圆缺陷的方法，能有效避免预载室的聚合物被吹落到晶圆表面的情况，可显著改善晶圆表面缺陷。
文档编号C30B33/08GK101225550SQ20071003646
公开日2008年7月23日 申请日期2007年1月15日 优先权日2007年1月15日
发明者君 张, 牛建礼, 王刚宁, 陈应杰 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司