专利名称：：布线电路基板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及布线电路基板，详细来说，涉及带电路的悬浮基板等的布线电路基板。
背景技术：
：硬盘驱动器中所使用的带电路的悬浮基板，是在支持磁头的悬浮基板上、通过绝缘层形成布线电路图形的布线电路基板。该带电路的悬浮基板，由于阻挡磁头与磁盘相对运动时的气流，在与磁盘之间保持微小的间隙，能够得到磁头良好的悬浮姿态，因此近年来，正广泛普及。在这样的带电路的悬浮基板上，通常，在其前端部形成万向支架(gimbal)部，该万向支架部具有安装放有磁头的滑块用的舌(tongue)部；以及配置在该舌部的宽度方向两侧并形成布线电路图形的外支架(outrigger)部。然后，为了精密调整滑块相对于磁盘的悬浮姿态(角度)，该外支架部的刚性成为重要的因素。另一方面，近年来，根据数据高密度化的观点，对于这样的带电路的悬浮基板，必须实现信号的高频化，但是若要力图高频化，则导体图形中的传输损耗增大。因此，提出例如在悬浮体上依次层叠下部导体、绝缘层、记录侧线路及重放侧线路构成的导体，来减少导体的传输损耗(例如，参照特开2005-11387号公报)。然而，近年来，随着滑块的小型化，要求更精密地调整滑块相对于磁盘的悬浮姿态(角度)。但是，若如特开2005-11387号公报的提案那样，沿导体设置下部导体，则外支架部的刚性增大，难以精密调整滑块的悬浮姿态(角度)。本发明的目的在于，提供能够减少导体图形的传输损耗、同时能够提高对安装元器件的操作性的布线电路基板。
发明内容本发明的布线电路基板，具有金属支持基板；在前述金属支持基板上形成的金属箔；在前述金属支持基板上覆盖前述金属箔那样地形成的第1绝缘层；以及形成在前述第1绝缘层上并且具有多个布线的导体图形，前述金属箔沿各前述布线的长度方向配置，使得在厚度方向与各前述布线的一部分不相对，而且，使得在厚度方向与各前述布线的剩下的部分相对。另外，在本发明的布线电路基板中，最好在前述金属支持基板上形成在厚度方向与各前述布线的前述一部分相对的开口部。另外，在本发明的布线电路基板中，最好前述布线电路基板是带电路的悬浮基板。另外，在本发明的布线电路基板中，最好在前述金属支持基板上，形成在厚度方向与各前述布线的前述一部分相对并且俯视图为实质上U字形状的开口部，具有被前述开口部夹住并安装磁头的舌部；以及配置在前述开口部的外侧的外支架部。另外，在本发明的布线电路基板中，最好前述金属箔的与各前述布线相对的面积，对于各前述布线的面积100%来说，是70%以上。另外，在本发明的布线电路基板中，还最好具有介于前述金属箔与前述金属支持基板之间的第1金属薄膜。另外，在本发明的布线电路基板中，还最好具有介于前述第l金属薄膜与前述金属支持基板之间的第2绝缘层。根据本发明的布线电路基板，由于金属箔在厚度方向与各布线的剩下部分相对，因此能够利用简单的层构成，减少导体图形的传输损耗。另外，由于金属箔在厚度方向与各布线的一部分不相对，因此能够减小与各布线的一部分相对应的部分的刚性。所以，若将安装元器件安装在该部分的附近，则能够确保对安装元器件有很好的操作性。其结果，能够力图减少传输损耗，同时确保很好的操作性。图l所示为作为本发明的布线电路基板的一个实施形态的带电路的悬浮基板的平面图。图2为图1所示的带电路的悬浮基板的前端部的放大图，(a)所示为主要部分平面图，(b)所示为主要部分背面图。图3为图2所示的前端部的剖视图，(a)所示为A-A线剖视图，(b)所示为B-B线剖视图，(c)所示为C-C线剖视图。图4所示为图3所示的带电路的悬浮基板的制造方法的制造工序图，是与图3(a)相对应的剖视图，(a)所示为准备金属支持基板的工序，(b)所示为在金属支持基板上形成第2衬底绝缘层的工序，(c)所示为在第2衬底绝缘层上形成第1金属薄膜的工序，(d)所示为在第1金属薄膜上形成金属箔、同时除去从金属箔露出的第1金属薄膜的工序。图5所示为接着图4的、图3所示的带电路的悬浮基板的制造方法的制造工序图，是与图3(a)相对应的剖视图，(e)所示为在金属箔的表面形成第2金属薄膜的工序，(f)所示为在第2衬底绝缘层上形成第1衬底绝缘层的工序(g)所示为在第1衬底绝缘层上依次形成第3金属薄膜及导体图形的工序。图6所示为接着图5的、图3所示的带电路的悬浮基板的制造方法的制造工序图，是与图3(a)相对应的剖视图，(h)所示为在导体图形的表面形成第4金属薄膜的工序，(i)所示为在第1衬底绝缘层上形成覆盖绝缘层的工序，(j)所示为将金属支持基板进行外形加工、形成缺口部的工序。具体实施例方式图l所示为作为本发明的布线电路基板的一个实施形态的带电路的悬浮基板的平面图，图2为图l所示的带电路的悬浮基板的前端部的放大图，(a)所示为主要部分平面图，(b)所示为主要部分背面图，图3为图2所示的前端部的剖视图，(a)所示为A-A线剖视图，(b)所示为B-B线剖视图，(c)所示为C-C线剖视图。另外，在图1中，为了明确表示导体图形8相对于金属支持基板2的相对配置，省略后述的第2衬底绝缘层3、第1衬底绝缘层5及覆盖绝缘层11。在图1中，该带电路的悬浮基板l在安装硬盘驱动器的磁头(未图示)的金属支持基板2上，一体形成将磁头与读写基板(未图示)连接用的导体图形8。导体图形8将在后面叙述，它具有与磁头的连接端子连接用的磁头侧连接端子部15;与读写基板的连接端子连接用的外部侧连接端子部16;以及将磁头侧连接端子部15与外部侧连接端子部16(以下，有时将它们简称为「端子部23」)连接用的多条布线17，并形成一体。金属支持基板2形成为沿长度方向延伸的俯视图实质上曲柄形状。在金属支持基板2的长度方向一个端部(以下，称为前端部)，设置磁头侧连接端子部15。另外，在金属支持基板2的长度方向另一个端部(以下，称为后端部)，设置外部侧连接端子部16。然后，该带电路的悬浮基板1如图3(C)所示，具有金属支持基板2;在金属支持基板2上形成的作为第2绝缘层的第2衬底绝缘层3;以及在第2衬底绝缘层3上形成的第l金属薄膜6。另外，带电路的悬浮基板l具有在第1金属薄膜6上形成的金属箔4;在第2衬底绝缘层3上覆盖金属箔4那样地形成的第2金属薄膜7;以及在第2衬底绝缘层3上覆盖第2金属薄膜7那样地形成的、作为第l绝缘层的第l衬底绝缘层5。另外，带电路的悬浮基板l具有在第1衬底绝缘层5上形成的第3金属薄膜9;在第3金属薄膜9上形成的导体图形8;以及在第1衬底绝缘层5上覆盖导体图形8那样地形成的第4金属薄膜10。另外，带电路的悬浮基板l具有在第1衬底绝缘层5覆盖第4金属薄膜10那样地形成的覆盖绝缘层11。金属支持基板2由金属箔或金属薄板形成。另外，金属支持基板2的长度及宽度可根据其目的和用途适当选择。在金属支持基板2的表面的、与导体图形8相对应的部分形成第2衬底绝缘层3，并且沿长度方向连续地形成。另外，如图2所示，在长度方向途中，在宽度方向两侧互相隔开间隔沿长度方向配置2条第2衬底绝缘层3。另外，在带电路的悬浮基板1的前端部及后端部(在图2中未图示)，宽度方向两侧的各第2衬底绝缘层3沿宽度方向连续那样地形成第2衬底绝缘层3。第2衬底绝缘层3的宽度可适当选择，配置在长度方向途中的各第2衬底绝缘层3的宽度Wl例如为0.035mm，最好为0.13mm。如图3(c)所示，在第2衬底绝缘层3的表面，形成第1金属薄膜6作为在厚度方向与形成金属箔4的部分相对的图形。另外，第1金属薄膜6介于金属箔4与第2衬底绝缘层3之间。金属箔4是在第2衬底绝缘层3之上，在第1金属薄膜6的表面，形成作为在厚度方向与形成导体图形8的部分相对的图形。更具体来说，在第l金属薄膜6的整个上表面形成金属箔4。另外，将金属箔4形成为比第2衬底绝缘层3的宽度要窄，在长度方向途中配置的各金属箔4的宽度W2例如为0.024.99mm，最好为0.092.99mm。在金属箔4的表面、覆盖金属箔4那样地形成第2金属薄膜7。更具体来说，在金属箔4的上面及侧面、和第1金属薄膜6的侧面，覆盖它们那样地形成第2金属薄膜7。另外，该第2金属薄膜7介于金属箔4及第l金属薄膜6、与第l衬底绝缘层5之间。在第2衬底绝缘层3上，覆盖第2金属薄膜7那样地形成第1衬底绝缘层5。更具体来说，在宽度方向覆盖第2金属薄膜7的侧面及上面那样地在第2衬底绝缘层3的整个上表面形成第1衬底绝缘层5。在长度方向途中配置的第1衬底绝缘层5的宽度例如可以与第2衬底绝缘层3的宽度Wl相同或不同，例如为O.035mm，最好为0.13mm。在第1衬底绝缘层5的表面，形成第3金属薄膜9作为在厚度方向与形成导体图形8的部分相对的图形。另外，该第3金属薄膜9介于第l衬底绝缘层5与导体图形8之间。在第1衬底绝缘层5之上，将导体图形8配置在第3金属薄膜9的表面。如图l所示，将导体图形8形成为作为由在长度方向途中沿长度方向平行状设置的多条(例如4条)布线17a、17b、17c及17d和与各布线17连接的端子部23构成的布线电路图形。在导体图形8中，从宽度方向一侧向宽度方向另一侧依次并排配置布线17a、17b、17c及17d。再如图2(a)所示，分别与各第2衬底绝缘层3相对应那样地设置布线17a及17b、和布线17c及17d的每l对。如图l所示，沿宽度方向排列配置各端子部23，形成作为宽度较宽的矩形连接盘。各布线17的前端与磁头侧连接端子部15连接，各布线17的后端与外部侧连接端子部16连接。各布线17的宽度例如为10150um，最好为20100um。布线17a与17b之间的间隔、以及布线17c与17d之间的间隔例如为10200iim，最好为20150um。另外，布线17b与17c之间的间隔在长度方向途中例如为101000ym，最好为15500ura。各布线17的长度Ll可适当选择，例如为5200mm，最好为10100mra。如图3(c)所示，在导体图形8的表面，覆盖导体图形8那样地形成第4金属薄膜10。更具体来说，在各布线17的上面及侧面、和第3金属薄膜9的侧面，覆盖它们那样地形成第4金属薄膜10。另外，该第4金属薄膜10介于导体图形8及第3金属薄膜9、与覆盖绝缘层ll之间。另外，虽未图示，但使端子部23露出那样地形成第4金属薄膜10。在第1衬底绝缘层5上，覆盖第4金属薄膜10那样地形成覆盖绝缘层11。更具体来说，覆盖第4金属薄膜10的侧面及上面那样地在第1衬底绝缘层5的整个上表面形成覆盖绝缘层11。另外，参照图2(a)那样地、使端子部23露出那样地形成覆盖绝缘层11。然后，在该带电路的悬浮基板1的前端部，如图2所示，设置万向支架部18。在万向支架部18，形成作为贯通厚度方向的开口部的缺口部19。在万向支架部18的长度方向途中的宽度方向实质上中间形成缺口部19，俯视图中形成为向着前侧开口的实质上U字形状。另外，在万向支架部18，设置在缺口部19在宽度方向被夹住的舌部20;配置在缺口部19的宽度方向两外侧的外支架部21;以及配置在舌部20及外支架部21的前侧的端子形成部12。万向支架部18的尺寸可适当选择，参照图2(b)那样，舌部20的宽度方向两外侧的缺口部19的各宽度W3例如为0.052mm，最好为O.1lmm，长度L3例如为O.110腿，最好为17rara。另外，舌部20的后侧的缺口部19的宽度(宽度方向的长度)W4例如为0.110mm，最好为0.57mm，长度(长度方向的长度)L4例如为0.059mra，最好为0.56mra。另外，外支架部21的宽度W5例如为0.033mm，最好为12.5mm。另外，端子形成部12的长度例如为0.l10mm，最好为17mm。舌部20形成为从端子形成部12向后侧延伸的俯视图实质上矩形形状。另外，舌部20如图2(a)的虚拟线所示，具有安装放有磁头的滑块(未图示)的安装部22。安装部22是安装滑块用的区域，配置在舌部20的长度方向中间和宽度方向中间，形成为俯视图实质上矩形形状。另外，舌部20如图3(b)所示，仅由金属支持基板2形成。如图2所示，将外支架部21形成为沿长度方向延伸的俯视图实质上平带形状，架设在万向支架部18的后端部与前端部之间。另外，相对于万向支架部18的后端部及前端部向宽度方向两外侧突出那样地弯曲形成外支架部21。另外，如图3(b)所示，仅由金属支持基板2形成外支架部21。如图2所示，在舌部20的前侧及外支架部21的前侧，与它们连续形成端子形成部12。在遍及万向支架部18的宽度方向配置端子形成部12，形成为俯视图实质上矩形形状。另外，如图3(a)所示，由金属支持基板2、第2衬底绝缘层3、第1金属薄膜6、金属箔4、第2金属薄膜7、第1衬底绝缘层5、第3金属薄膜9、导体图形8、第4金属薄膜10及覆盖绝缘层11，形成端子形成部12。在万向支架部18的后端部中，如图2(a)及图3(a)所示，从配置在长度方向途中的各第2衬底绝缘层3的前端分别连续地形成第2衬底绝缘层3。另外，如图2所示，通过舌部20的宽度方向两外侧的缺口部19那样，从长度方向途中的第2衬底绝缘层3向端子形成部12呈直线状延伸那样地形成各第2衬底绝缘层3。然后，各第2衬底绝缘层3到达端子形成部12，在端子形成部12中，沿端子形成部12的宽度方向，形成为俯视图实质上矩形形状。如图2的点划线所示，在万向支架部18的后端部中，从配置在长度方向途中的各金属箔4的前端分别连续形成，从长度方向途中的金属箔4延伸到达缺口部19的后端边缘的稍微后侧一些那样地形成金属箔4。然后，在缺口部19中不形成金属箔4，在端子形成部12中形成金属箔4。g卩，利用缺口部19沿长度方向分断金属箔4。另外，在端子形成部12中，在厚度方向与磁头侧连接端子部15及各布线17相对那样地形成金属箔4，沿端子形成部12的宽度方向形成金属箔4。更具体来说，金属箔4在端子形成部12中，具有在厚度方向与各布线17相对配置的U字部13;以及从U字部13的宽度方向中间向后侧连续延伸、在厚度方向与磁头侧连接端子部15相对配置的延伸部14，并形成一体。U字部13在俯视图中形成为向后侧开口的实质上U字形状。另外，延伸部14形成为俯视图实质上矩形形状。金属箔4被分断的长度(参照图2(b))D例如为1.020mm，最好为1.l10.lmm。通过这样，金属箔4的全长、即沿各布线17的长度的总和，相对于各布线17的长度100%，例如为70%以上，最好为80%以上，通常设定为95%以下。换句话说，在厚度方向与各布线17相对的金属箔4的面积，相对于各布线17的面积100%,例如为70%以上，最好为80%以上，通常设定为95%以下。另外，若金属箔4的面积不满足上述的范围，则有时很难减少导体图形8的传输损耗。如图3(a)所示，在万向支架部18的后端部中，从配置在带电路的悬浮基板1的长度方向途中的第1金属薄膜6及第2金属薄膜7分别连续形成第1金属薄膜6及第2金属薄膜7。在除了缺口部19的万向支架部18中，在第2衬底绝缘层3的上面用金属箔4厂图形形成第1金属薄膜6。在万向支架部18中，在金属箔4的表面形成第2金属薄膜7。在万向支架部18的后端部中，从配置在带电路的悬浮基板1的长度方向途中的各第1衬底绝缘层5的前端分别连续地形成第1衬底绝缘层5。另外，如图2所示，通过舌部20的宽度方向两外侧的缺口部19那样地、从长度方向途中的第1衬底绝缘层5的前端向万向支架部18的前侧呈直线状延伸那样地形成各第1衬底绝缘层5。然后，各第l衬底绝缘层5到达端子形成部12，在端子形成部12中，沿万向支架部18的宽度方向，形成为俯视图实质上矩形形状。艮P，如图3(a)所示，在万向支架部18的后端部及端子形成部12中，覆盖第2金属薄膜7的侧面及上面那样地、在第2衬底绝缘层3的整个上表面形成第1衬底绝缘层5。另外，在缺口部19中，在第2衬底绝缘层3的整个上表面形成第l衬底绝缘层5。如图2的虚线所示，在万向支架部18的后端部中，各布线17从带电路的悬浮基板1的长度方向途中的各布线17的前端连续地形成导体图形8，同时在端子形成部12形成磁头侧连接端子部15。各布线17从万向支架部18的后端部中的各布线17，向端子形成部12，沿长度方向通过舌部20的宽度方向两外侧的缺口部19那样呈直线状延伸。然后，各布线17到达端子形成部12，在端子形成部12中，各布线17向宽度方向内侧暂时弯曲，再向后侧弯曲，然后拉回来，使其与磁头侧连接端子部15的前端部连接。如图3(a)所示，在万向支架部18中，从配置在带电路的悬浮基板1的长度方向途中的第3金属薄膜9及第4金属薄膜10分别连续地形成第3金属薄膜9及第4金属薄膜10。另外，在万向支架部18中，在第1衬底绝缘层5的上面用导体图形8的布线电路图形形成第3金属薄膜9。另外，在各布线17的表面形成第4金属薄膜10。如图2所示，在万向支架部18的后端部中，从配置在带电路的悬浮基板1的长度方向途中的各覆盖绝缘层11的前端分别连续形成覆盖绝缘层11。另外，通过舌部20的宽度方向两外侧的缺口部19那样，从长度方向途中的第1衬底绝缘层5的前端，向万向支架部18的前侧呈直线状延伸那样地形成各覆盖绝缘层ll。然后，各覆盖绝缘层11到达端子形成部12，在端子形成部12中，形成向后侧开口的俯视图实质上U字形状。通过这样，覆盖绝缘层ll使磁头侧连接端子部15露出。图4图6所示为图3所示的带电路的悬浮基板的制造方法的制造工序图，是与图3(a)相对应的剖视图。下面，参照图4图6，说明该带电路的悬浮基板1的制造方法。首先，在该方法中，如图4(a)所示，准备金属支持基板2。作为形成金属支持基板2的金属，例如可以使用不锈钢、42号合金等，最好是使用不锈钢。金属支持基板2的厚度例如为1530um，最好为2025unu接着，在该方法中，如图4(b)所示，在金属支持基板2上形成第2衬底绝缘层3。作为形成第2衬底绝缘层3的绝缘体，例如可以使用聚酰亚胺、聚醚腈、聚醚磺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成树脂。其中，比较好的是使用感光性的合成树脂，最好是使用感光性聚酰亚胺。为了形成第2衬底绝缘层3，在金属支持基板2上，例如涂布感光性的合成树脂，干燥后，用上述的图形进行曝光及显影，根据需要使其固化。另外，第2衬底绝缘层3的形成也可以在金属支持基板2上，均匀涂布上述合成树脂的溶液后，进行干燥，接着，根据需要，通过加热使其固化，然后，通过刻蚀等形成上述图形。再有，第2衬底绝缘层3的形成不限于上述的方法，例如也可以将合成树脂预先形成为上述图形的薄膜，将该薄膜通过众所周知的粘接剂层粘贴在金属支持基板2的表面上。这样形成的第2衬底绝缘层3的厚度例如为0.55IXm，最好为13um。接着，在该方法中，如图4(c)所示，在包含金属支持基板2的第2衬底绝缘层3上，形成第l金属薄膜。作为形成第l金属薄膜6的金属，例如可以使用铜、铬、金、银、铂、镍、钛、硅、锰、锆、以及它们的合金、或它们的氧化物等。最好是使用铜、络、镍、以及它们的合金。另外，第l金属薄膜6也可以由多层形成。第1金属薄膜6例如利用溅射、电镀或化学镀等形成。作为溅射，例如使用将上述的金属作为靶的溅射，最好使用铬溅射及铜溅射，利用它们依次层叠铬薄膜及铜薄膜。作为电镀，例如采用将图4(b)所示的制造途中的带电路的悬浮基板1一面浸渍在上述的金属的镀液中、一面通电进行电镀的方法。作为化学镀，例如采用将图4(b)所示的制造途中的带电路的悬浮基板1一面浸渍在上述的金属的镀液中、一面进行化学镀的方法。其中，最好利用溅射形成第l金属薄膜6。这样形成的第1金属薄膜6的厚度例如为0.011um，最好为0.010.1接着，在该方法中，如图4(d)所示，在第1金属薄膜6上，用上述的图形形成金属箔4，同时除去从金属箔4露出的第l金属薄膜6。为了形成金属箔4，在第1金属薄膜6的表面，例如利用添加法、减去法等形成图形。'在添加法中，首先，在第1金属薄膜6的表面，用与上述的图形的相反图形形成抗镀剂后，在从抗镀剂露出的第l金属薄膜6的表面，通过电镀，形成金属箔4。然后，除去抗镀剂及层叠了该抗镀剂的部分的第l金属薄膜6。在减去法中，首先，在第l金属薄膜6的表面形成导体层。为了形成导体层，例如，对第1金属薄膜6的表面，通过众所周知的粘接剂层粘贴导体层。接着，在导体层上，形成与上述的图形相同的图形的抗蚀剂，将该抗蚀剂作为保护膜，将导体层进行刻蚀，形成金属箔4。接着，将从抗蚀剂露出的第l金属薄膜6进行刻蚀，然后，除去抗蚀剂。通过这样，以金属箔4在缺口部19中沿长度方向分断的上述的图形形成金属箔4，同时能够除去从金属箔4露出的第l金属薄膜6。这样形成的金属箔4的厚度例如为0.15um，最好为15ym。接着，在该方法中，如图5(e)所示，在金属箔4的表面(包含第l金属薄膜6的侧面)形成第2金属薄膜7。作为形成第2金属薄膜7的金属，例如可以使用镍、铬、或镍与铬的合金(镍铬合金)。最好是使用镍。第2金属薄膜7例如利用溅射、电镀或化学镀等形成。最好利用化学镀形成第2金属薄膜7。在化学镀中，例如将图4(d)所示的制造途中的带电路的悬浮基板l浸渍在上述的金属的镀液、最好是镍的镀液中，通过这样形成由镍构成的第2金属薄膜7。。这样形成的第2金属薄膜7的厚度例如为0.011um，最好为0.010.1Um。接着，在该方法中，如图5(f)所示，在第2衬底绝缘层3上，覆盖第2金属薄膜7那样地形成第1衬底绝缘层5。作为形成第1衬底绝缘层5的绝缘体，可以使用与上述的第2衬底绝缘层3同样的绝缘体。比较好的是使用感光性的合成树脂，最好是使用感光性聚酰亚胺。另外，为了形成第l衬底绝缘层5，在包含第2金属薄膜7的第2衬底绝缘层3上，例如涂布感光性的合成树脂，干燥后，用上述的图形进行曝光及显影，根据需要使其固化。另外，第1衬底绝缘层5的形成也可以在包含第2金属薄膜7的第2衬底绝缘层3上，均匀涂布上述合成树脂的溶液后，进行干燥，接着，根据需要，通过加热使其固化，然后，通过刻蚀等形成上述图形。再有，第l衬底绝缘层5的形成不限于上述的方法，例如也可以将合成树脂预先形成为上述图形的薄膜，将该薄膜通过众所周知的粘接剂层，粘贴在包含第2金属薄膜7的第2衬底绝缘层3的表面上。这样形成的第l衬底绝缘层5的厚度例如为110um，最好为510ura。接着，在该方法中，如图5(g)所示，在第1衬底绝缘层5上，用上述的布线电路图形依次形成第3金属薄膜9及导体图形8。为了形成第3金属薄膜9及导体图形8，首先，在第1衬底绝缘层5上形成第3金属薄膜9，然后，用上述的图形形成导体图形8，同时除去从导体图形8露出的第3金属薄膜9。作为形成第3金属薄膜9的金属，使用与上述的第1金属薄膜6同样的金属。最好是使用铜、铬、镍。另外，第3金属薄膜9也可以由多层形成。利用与形成第1金属薄膜6的方法同样的方法形成第3金属薄膜9。最好利用铬溅射及铜溅射，通过依次层叠铬薄膜及铜薄膜来形成。这样形成的第3金属薄膜9的厚度例如为0.011ixm，最好为0.010.1um。为了形成导体图形8，在第3金属薄膜9的表面，例如利用添加法、减去法等形成图形。在添加法中，首先，在第3金属薄膜9的表面，用与上述的布线电路图形的相反图形形成抗镀剂后，在从抗镀剂露出的第l金属薄膜6的表面，通过电镀，形成导体图形8。然后，除去抗镀剂及层叠了该抗镀剂的部分的第3金属薄膜9。在减去法中，首先，在第3金属薄膜9的表面形成导体层。为了形成导体层，例如，对第3金属薄膜9的表面，通过众所周知的粘接剂层粘贴导体层。接着，在导体层上，形成与上述的布线电路图形相同的图形的抗蚀剂，将该抗蚀剂作为保护膜，将导体层进行刻蚀，形成导体图形8。接着，将从抗蚀剂露出的第3金属薄膜9进行刻蚀，然后，除去抗蚀剂。这样形成的导体图形8的厚度例如为520ym，最好为715um。接着，在该方法中，如图6(h)所示，在导体图形8的表面(包含第3金属薄膜9的侧面)形成第4金属薄膜10。作为形成第4金属薄膜10的金属，使用与第2金属薄膜7同样的金属，最好是使用镍。利用与形成第2金属薄膜7的方法同样的方法形成第4金属薄膜10。最好通过将图5(g)所示的制造途中的带电路的悬浮基板l浸渍在镍的镀液中的化学镀镍，来形成由镍构成的第4金属薄膜10。。这样形成的第4金属薄膜10的厚度例如为0.011um，最好为0.010.1Um。接着，在该方法中，如图6(i)所示，在第1衬底绝缘层5上，覆盖第4金属薄膜IO那样地形成覆盖绝缘层11。作为形成覆盖绝缘层11的绝缘体，可以使用与上述的第2衬底绝缘层3同样的绝缘体。比较好的是使用感光性的合成树脂，最好是使用感光性聚酰亚胺。另外，为了形成覆盖绝缘层ll，在包含第4金属薄膜10的第1衬底绝缘层5上，例如涂布感光性的合成树脂，干燥后，用上述的图形进行曝光及显影，根据需要使其固化。另外，覆盖绝缘层11的形成也可以在包含第4金属薄膜10的第1衬底绝缘层5上，均匀涂布上述合成树脂的溶液后，进行干燥，接着，根据需要，通过加热使其固化，然后，通过刻蚀等形成上述图形。再有，覆盖绝缘层ll的形成不限于上述的方法，例如也可以将合成树脂预先形成为上述图形的薄膜，将该薄膜通过众所周知的粘接剂层粘贴在包含第4金属薄膜10的第1衬底绝缘层5的表面上。这样形成的覆盖绝缘层11的厚度例如为210ym，最好为36um。然后，虽未图示，但通过刻蚀等除去形成在端子部23的上面的第4金属薄膜10。接着，在该方法中，如图6(j)所示，将金属支持基板2例如通过刻蚀、穿孔、激光加工等进行外形加工，同时形成缺口部19，得到具有万向支架部18的带电路的悬浮基板1。然后，在该带电路的悬浮基板1中，金属箔4在厚度方向与除了缺口部19的部分的各布线17相对。因此，能够利用简易的层构成，减少导体图形8的传输损耗。另外，在缺口部19中，由于金属箔4在厚度方向不与各布线17相对，因此能够减小缺口部19中的第2衬底绝缘层3、第1衬底绝缘层5、各布线17及覆盖绝缘层ll的刚性，确保柔软性。所以，若在安装部22安装放有磁头的滑块，则能够精密调整滑块相对于磁盘的悬浮姿态(角度)。特别是，在安装小型滑块的情况下，也能够精密调整滑块的悬浮姿态(角度)。其结果，能够力图减少导体图形8的传输损耗，同时精密调整滑块的悬浮姿态。另外，第2衬底绝缘层3在除了缺口部19的部分中，介于第l金属薄膜6与金属支持基板2之间。因此，能够利用简易的层构成，减少导体图形8的传输损耗。与此同时，能够力图使第l金属薄膜6与金属支持基板2具有充分的附着性，能够确保很好的长期可靠性。另外，由于第1金属薄膜6在除了缺口部19的部分中，介于金属箔4与第2衬底绝缘层3之间，因此能够利用简易的层构成，减少传输损耗。与此同时，能够力图使金属箔4与第2衬底绝缘层3具有充分的附着性，能够确保很好的长期可靠性。艮P，在该带电路的悬浮基板1的除了缺口部19的部分中，由于在金属支持基板2与金属箔4之间，依次形成第2衬底绝缘层3及第l金属薄膜6，因此能够利用简易的层构成，减少传输损耗。与此同时，能够力图使金属支持基板2与金属箔4具有充分的附着性，能够确保很好的长期可靠性。另外，在上述的说明中，是将本发明的布线电路基板举例作为具有金属支持基板2的带电路的悬浮基板1来表示、并进行说明的，但本发明的布线电路基板不限定于此。例如，也可以广泛适用于具有金属支持基板2作为增强层的柔性布线电路基板等其它的布线电路基板。另外，在上述的说明中，是在万向支架部18形成了缺口部19，但也可以不形成缺口部19，将万向支架部18形成为在长度方向及宽度方向连续的平板状。最好在万向支架部18形成缺口部19，将上述的这些各层通过缺口部19那样配置。通过这样配置，能够更进一步减小缺口部19中的各层的刚性。另外，在上述的说明中，是将本发明的布线电路基板举例作为具有第2衬底绝缘层3及第1金属薄膜6的带电路的悬浮基板1来表示、并进行说明的，但本发明的布线电路基板不限定于此，例如，也可以适用于不具有第2衬底绝缘层3及/或第1金属薄膜6的带电路的悬浮基板。实施例以下所示为实施例及比较例，进一步具体说明本发明，但本发明丝毫不限定于实施例及比较例。实施例1首先，准备厚25um的由不锈钢构成的金属支持基板(参照图4(a))，在金属支持基板的表面，涂布感光性聚酰胺酸树脂的清漆，干燥后，进行曝光及显影，再加热固化，通过这样用上述的图形形成厚度10um的由聚酰亚胺构成的第2衬底绝缘层(参照图4(b))。接着，在包含金属支持基板的第2衬底绝缘层的表面，通过铬溅射及铜溅射，依次形成作为第1金属薄膜的厚度0.03um的铬薄膜及厚度0.07ym的铜薄膜(参照图4(c))。接着，在第1金属薄膜的表面，形成与金属箔的图形的相反图形的抗镀剂，然后，在从抗镀剂露出的第l金属薄膜的表面，利用电镀铜形成作为金属箔的厚度4.0wm的铜箔。接着，通过化学刻蚀，除去抗镀剂及形成抗镀剂的部分的第l金属薄膜(参照图4(d))。另外，将金属箔在长度方向分断，该分断长度为20mm。接着，在金属箔的表面(包含第l金属薄膜的侧面)，通过化学镀镍，形成作为第2金属薄膜的厚度0.1um的镍薄膜(参照图5(e))。接着，在包含第2金属薄膜的第2衬底绝缘层的整个面，涂布感光性聚酰胺酸树脂的清漆，干燥后，进行曝光及显影，再加热固化，通过这样用上述的图形形成厚度10um的由聚酰亚胺构成的第l衬底绝缘层(参照图5(f))。接着，在第l衬底绝缘层上，利用添加法，依次形成成为种膜的第3金属薄膜及导体图形。在添加法中，在第l衬底绝缘层的整个面，通过铬溅射及铜溅射，依次形成作为第3金属薄膜的厚度0.03ixm的铬薄膜及厚度0.07"m的铜薄膜。接着，在第3金属薄膜的表面，形成与导体图形的相反图形的抗镀剂。然后，在从抗镀剂露出的第3金属薄膜的表面，利用电镀铜形成具有多个布线及端子部、并成为一体的厚度10um的导体图形。接着，通过化学刻蚀，除去抗镀剂及形成抗镀剂的部分的第3金属薄膜(参照图5(g))。另外，各布线的长度为100mm。另外，在厚度方向与该各布线相对的金属箔的面积，对于各布线的面积100%来说，为80%。接着，在导体图形的表面(包含第3金属薄膜的侧面)，通过化学镀镍，形成作为第4金属薄膜的厚度0.1um的镍薄膜(参照图6(h))。接着，在包含第4金属薄膜的第1衬底绝缘层的整个面，涂布感光性聚酰胺酸树脂的清漆，干燥后，进行曝光及显影，再加热固化，通过这样用上述的图形形成厚度5ixm的由聚酰亚胺构成的覆盖绝缘层(参照图6(i))。然后，通过刻蚀除去在端子部的上面形成的第4金属薄膜。接着，将金属支持基板进行刻蚀，得到具有形成了缺口部的万向支架部的带电路的悬浮基板(参照图6(j))。另外，金属箔在切口部被分断那样地形成。实施例2除了将金属箔的分断长度变为30mm以外，与实施例l相同，得到带电路的悬浮基板。在厚度方向与各布线相对的金属箔的面积，对于各布线的面积100%来说，为70%。实施例3除了将金属箔的分断长度变为40mra以外，与实施例l相同，得到带电路的悬浮基板。在厚度方向与各布线相对的金属箔的面积，对于各布线的面积100%来说，为60%。比较例1除了在万向支架部中、沿长度方向连续形成金属箔与第1金属薄膜及第2金属薄膜以外，与实施例l相同，得到带电路的悬浮基板。(评价)(1)传输效率在各实施例及比较例得到的带电路的悬浮基板中，测定输出信号强度(P。uT)及输入信号强度(PJ，如下式(l)那样，作为输出信号强度对于输入信号强度的比例，来评价传输效率。表l所示为其结果。传输效率(。/0讦。UT/Pw…(1)(2)角度控制在各实施例及比较例得到的带电路的悬浮基板上，安装滑块上安装磁头。然后，将该带电路的悬浮基板安装在硬盘驱动器中长仪评价磁头相对于磁盘的角度的控制。表1所示为其结果。，并在该滑块，利用三维测表1<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>另外，以下说明表1中的角度控制的评价的简略符号。〇能够按照设计那样地控制磁头的角度。X:不能够按照设计那样地控制磁头的角度。另外，上述说明提供作为本发明例子所示的实施形态，这不过仅是举例所示，不能进行限定性解释。该
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的业内人士清楚知道的本发明的变形例包含在后述的权利要求的范围内。权利要求1.一种布线电路基板，其特征在于，具有金属支持基板；在所述金属支持基板上形成的金属箔；在所述金属支持基板上覆盖所述金属箔那样地形成的第1绝缘层；以及形成在所述第1绝缘层上并且具有多个布线的导体图形，所述金属箔沿各所述布线的长度方向配置，使得在厚度方向不与各所述布线的一部分相对，而且使得在厚度方向与各所述布线的剩下的部分相对。2.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，在所述金属支持基板上形成在厚度方向与各所述布线的所述一部分相对的开口部。3.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，所述布线电路基板是带电路的悬浮基板。4.如权利要求3所述的布线电路基板，其特征在于，在所述金属支持基板上，形成在厚度方向与各所述布线的所述一部分相对并且俯视图为实质上U字形状的开口部，具有被所述开口部夹住并安装磁头的舌部；以及配置在所述开口部的外侧的外支架部。5.如权利要求l所述的布线电路基板，其特征在于，所述金属箔的与各所述布线相对的面积，对于各所述布线的面积100%来说，是70%以上。6.如权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，还具有介于所述金属箔与所述金属支持基板之间的第1金属薄膜。7.如权利要求6所述的布线电路基板，其特征在于，还具有介于所述第1金属薄膜与所述金属支持基板之间的第2绝缘层。全文摘要布线电路基板具有金属支持基板；在金属支持基板上形成的金属箔；在金属支持基板上覆盖金属箔那样地形成的第1绝缘层；以及形成在第1绝缘层上并且具有多个布线的导体图形。金属箔沿各布线的长度方向配置，使得在厚度方向不与各布线的一部分相对，而且，使得在厚度方向与各布线的剩下的部分相对。文档编号H05K1/02GK101304635SQ200810095898公开日2008年11月12日申请日期2008年5月8日优先权日2007年5月10日发明者石井淳,要海贵彦申请人:日东电工株式会社