低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法

专利名称：低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种掺Rb+的KTP (Rb:KTP)晶体及其制备方法，尤其 涉及一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体及其制备方法。
背景技术：
随着激光技术的发展，人们发现了许多新型的非线性光学晶体，其 中最令人注目且至今仍在广泛应用的就是磷酸钛氧卸晶朱
磷酸钛氧钾(KTiOP04简称KTP)晶体是国际上公认的综合性能优 越的非线性光学晶体。它具有非线性系数大、光学均匀性好、热导性好、 透过波段宽等优点，同时具有良好的物理、化学和机械性能，是目前中 小功率钕激光器1.06nm倍频的最佳材料之一。在激光医疗、大规模集成 电路的加工、激光通讯、军事致盲、灯光舞台等领域得到广泛应用。从 晶体生长、加工到光电子器件，在国际上已经形成了较大规模的产业市 场。
KTP晶体的一个主要特性就是它的电光性育L 20世纪70年代中期发 现的非线性光学晶体KTiOP04(KTP)具有优异的倍频性能非线性系数 大，不潮解，光损伤阈值可达Gw/cm2量级，相位匹配条件随温度的变化 很小。根据实践经验，具有大的非线性系数的晶体往往也具有优秀的电光 性能。于是人们把探寻新型电光晶体的重点放到了KTP晶体上。我们知 道，在长波长(2000-4500nm)激光器中，传统的DKDP和LN晶体由于其 透过波段的限制，都无法作为电光器件使用，而KTP晶体具有较宽的透 过波段(350 ~ 4500nm)，因此，人们根据KTP晶体的这一特性，对其电光 性能方面进行深入的研究。研究结果发现，KTP晶体具有大的电光系数 和较低的介电常数、稳定的化学和机械性能等许多优良特性，这使其在 电光调制、Q开关、光波波导等方面有诱人的应用前景。
在研究过程中也发现，作为优良的电光及非线性材料，KTP晶体也 存在着一些固有缺陷，其一是抗灰迹能力较差，中等功率下随着时间延长其倍频效率大大降低；其二是电导率太大，在高电场长时间作用下会 使晶体变黑变性，因而不能成为实用的电光开关。
当KTP晶体在使用时，长期受到通过其光路的光子的作用，会使其 晶格结构发生变化，使晶体的物理性质发生改变，不能满足作为非线性 光学晶体的要求，造成晶体的损坏。这种现象在宏观上可表现为用肉眼 可观测到的 一 条沿光路的"灰迹"线。如果采用PCI ( Photo-thermal Common-path interferometer)系统测试晶体只于光能的吸收量，可以发现 大多数的KTP晶体来说，是随着绿光532nm沖击时间增长，1064nm的 吸收也就很快的增大。这表明其吸收系数会随着时间的增长而增;L电 导率是反映KTP晶体物理性质的一个重要参数，尤其是当KTP晶体作 电光器件应用时，如制作电光Q开关，振幅或相位调制器以及光波导器 件等。如果晶体的电导率较高则容易导致KTP晶体器件受到破坏而失去 应有的作用。因此要求KTP晶体的电导率要低于10力S/cm数量级，所以 电导率的高低是衡量KTP晶体性能优劣的一项重要指标。因此降低KTP 晶体的电导率具有非常大的必要性和实用价傲采用常规助熔剂法生长 的KTP晶体，在室温下其z向的电导率约为l(T6S/cm，而在实际应用中， 要求材料的电导率小于10-9 S/cm。因此，如何降低KTP晶体z向电导率 就成了人们研究的新课题。

发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明的目的是提供一种具有低电导率 且能够抗灰迹的Rb:KTP晶体及其制备方法。
为实现上述目的，本发明提供一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体， 所述晶体的化学式为RbxK(Lx)TiOP04, 0.01<x<0.1，其晶胞结构与普通 KTP相同。
进一步，本发明还提供一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方 法，包括以下步骤
1 )在以K6P4013 (K6yf乍助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷 并搅拌均匀，制成Rb:KTP晶体生长原料；
2 )将制成的Rb:KTP晶体生长原料放入坩埚中进行加热熔化后再降 温到饱合点；3 )向熔化的原料中加入軒晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。
进一步，所述步骤l)具体为在按一定比例称量的磷酸二氢钾、二
氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入氧化铷并搅拌均匀，也可采用碳酸
钾和磷酸氨盐等其它原料提供钾和磷酸根离子。
进一步，所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP
与K6的摩尔比为0.7 2之间的比例加入，其中以摩尔比为1-1.345为最佳。
进一步，所述氧化铷按与磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混 合物的重量比为0.8 % 4%的比例加入。
进一步，所述氧化铷可通过在磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾 的混合物中加入碳酸铷或硝酸铷加热后制得。
进一步，所述碳酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混 合物的重量比为1% 5%的比例加入。
进一步，所述硝酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混 合物的重量比为0.5%~3%的比例加入。
进一步，所述坩埚为铂坩埚或金坩埚。
进一步，所述籽晶为点籽晶或线籽晶。
本发明通过用 一定量的Rb+取代KTP晶体中的K+,得到Rb:KTP晶 体，该Rb:KTP晶体与KTP晶体相比，电导率降低两个数量级以上(低 于10力S/cm),能够满足作为电光器件的电导率要求，在高电场长期作用 下不会使晶体变黑变性而损坏；随着绿光532nm冲击时间增长，1064nm 的吸收随时间延长有所降低，表明本发明提供的Rb:KTP晶体的吸收系数 比较稳定，具有很好的抗灰迹性能。


下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细说吸 图1为本发明的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的随时间延长的光能 吸收图像。
具体实施例方式
实施例1:本发明实施例提供了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，该晶体的 化学式为RbxKd-x;nOP04 ， O.OKxO.l,除少量K+被Rb+取代外，其晶 胞结构与普通KTP基本相同。
对普通的K6P4013 (以下简称K6)助熔剂体系的KTiOP04 (以下简 称KTP)生长进行掺杂改性，经对处+ 、 Cs+、 Ga3+、 A产等多种离子进 行掺杂改性实验，发现进行Rb+掺杂改性同时具有Z向电导率低、抗蓝 绿光灰迹效果好的特点，通过进一步的实验表明Rb+掺杂含量对晶体性能 的影响，最终确定低Rb+掺杂含量对KTP晶体的抗灰迹性能改善最为显 著。Rb+作为替代离子取代了 KTP中部分K+的位置，由于&1>+半径较〖+ 大，阻塞了 Z向K+的通道，使Rb:KTP晶体具有Z向低电导率的特质。同 时，经过PCI弱吸收测试、KTP倍频器件制作和PPKTP器件激光变频实 验，发现Rb:KTP晶体具有很好的抗蓝绿光灰迹效果，如图l所示，随着 绿光532nm沖击时间增长，1064nm的吸收随时间延长有所降低，表明本 发明提供的Rb:KTP晶体的吸收系数比较稳定，具有很好的抗灰迹性能。。
Rb:KTP晶体抗灰迹性能激光测试采用所生长的晶体加工 4x4x5mn^II类常温1064nm倍频器件，匹配角度及转化效率与普通KTP 相同，采用半导体泵浦的YV04晶体连续1046nm输出作为倍频光源，光 束直径0.008 mm，转换得到绿光功率达到150 mW，连续开才几45天，30% 的测试晶体绿光输出下降不超过1%，其余的晶体绿光输出激光能量下降 不超过15%。而同条件下同尺寸普通KTP晶体长时间只能承受 50 100mW的绿光输出，在150mW条件经连续两周照射后，其绿光输出 下降到35mW以下。
同时，该体系Rb+掺杂含量低，对KTP晶体的其他光学性能影响很 小，方便了应用，且该体系晶体生长稳定区域较宽，易于生长大尺寸高 质量的晶体,相对其他方法，是一种低成本的电光KTP晶体和抗灰迹KTP 晶体的生长方法，具有明显的经济效益。
实施例2:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤
1 )在以K 6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入碳酸铷并搅拌均匀，制成Rb:KTP晶体原料； 具体步骤为
在磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入碳酸铷并搅 拌均匀。所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为1.345 : 1的比例加入(此为最佳比例)。所述碳酸铷按与 磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物的重量比为1%的比例加 入。
2 )将制成的Rb:KTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再 降温到饱合点；
具体为
将原料按要求进行配比，装入O200"50mm铂或金坩埚，放入生长 炉内，炉内温场以1 10。C/10cm为宜，以100。C/小时升温到1000。C恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式具体包括
KH2P04+Ti02-KTiOP04+H20 (生成KTP)
2KH2P04+2K2HP04-K6P4013+3H20 (生成K6 )
Rb2C03-Rb20+C02
部分KH2P04和K2HP04加热分解为
2KH2P04-K20+P205+2H20
2K2HP04-2K20+P205+H20
与Rb20发生以下反应合成RbTiOP04及Rb6P4013:
P205+Rb20+2Ti02-2RbTiOP04
2P205+3Rb20-Rb6P4013
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。 具体为
适当引入籽晶，以10~60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以
rc/iooh rc/ioh速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980°C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下经实验拟合方程<formula>formula see original document page 9</formula>
采用点籽晶或线籽晶，适当的旋转方式及降温工艺，经过近60天的 生长，生长出40x30x30mm，重量达到80克左右的优质Rb:KTP晶体， 用该晶体加工的器件具有低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电 导率可达到l(T9S/cm，经测试完全满足电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
改性的KTP型晶体，目前国内生长的较少，有些仍在生长研究阶段。 我们根据KTP晶体具有结构敏感性这一特点，在KTP晶体生长体系中掺 入Rb离子，而我们则在大量实验的基础上，通过调整搀杂比例和搀杂方 式得到了 Rb:KTP晶体，通过对晶体的特性测量我们发现其具有电导率底 低，抗灰迹的优秀电光性能。
实施例3:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤
1 )在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入碳酸铷并搅拌均 匀，制成Rb:KTP晶体原料；
具体步骤为
在磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入碳酸铷并搅 拌均匀。所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为1.186 : 1的比例加入。所述碳酸铷按与磷酸二氢钾、二氧 化钛和磷酸氢二钾的混合物的重量比为2.7%的比例加入。
2 )将制成的Rb:KTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再 降温到饱合点；
具体为
将原料按要求进行配比，装入①200n50mm铂或金坩埚，》Ov生长 炉内，炉内温场以l~10°C/10cm为宜，以100。C/小时升温到1000°C恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式与实施例2相同
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。具体为
适当引入籽晶，以10~60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以 rC/100h l。C/10h速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980°C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下拟合方程
T=3128.5a3-5630.9a2+3690.3a+95.967，采用点籽晶或线籽晶，适当的 旋转方式及降温工艺，经过近60天的生长，生长出40x30x30mm,重量 达到80克左右的优质Rb:KTP晶体，用该晶体加工的器件具有低电导率、 抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电导率可达到10力S/cm,经测试完全满足 电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
实施例4:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤
1 )在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入碳酸铷并搅拌均 匀，制成Rb:KTP晶体原料；
具体步骤为
在磷酸二氬钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入碳酸铷并搅 拌均匀。所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为1 : 1的比例加入。所述碳酸铷按与磷酸二氬钾、二氧化 钛和磷酸氢二钾的混合物的重量比为5%的比例加入。
2 )将制成的Rb:KTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再 降温到饱合点；
具体为
将原料按要求进行配比，装入。200n50mm铂或金坩埚，方Ov生长 炉内，炉内温场以l~10°C/10cm为宜，以100。C/小时升温到IOO(TC恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式与实施例相同
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。具体为
适当引入籽晶，以10-60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以
rc/iooh rc/ioh速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980。C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下拟合方程
T=3128.5a3-5630.9a2+3690.3a+95.967,采用点籽晶或线籽晶，适当的 旋转方式及降温工艺，经过近60天的生长，生长出40x30x30mm,重量 达到80克左右的优质Rb:KTP晶体，用该晶体加工的器件具有低电导率、 抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电导率可达到l(T9S/cm，经测试完全满足 电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
实施例5:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤
1 )在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入硝酸铷并搅拌均匀， 制成Rb:KTP晶体原料； 具体步骤为
在磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入硝酸铷并搅 拌均匀。所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为1.345 : 1的比例加入(此为最佳比例)。所述硝酸铷按与 磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氬二钾的混合物的重量比为0.5%的比例加 入。
2)将制成的Rb:KTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再降温 到饱合点； 具体为
将原料4安要求进行配比，装入0>200* 150mm铂或金坩埚，放入生长 炉内，炉内温场以l~10°C/10cm为宜，以100。C/小时升温到1000。C恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式具体包括
KH2P04+Ti02-KTiOP04+H20 (生成KTP)
2KH2P04+2K2HP04-1^4013+31120 (生成K6)4RbN03-2Rb20+4N02+02
部分KH2P04和K2HP04加热分解为
2KH2P04-K20+P205+2H20
2K2HP04-2K20+P205+H20
与Rb20发生以下反应合成RbTiOP04及Rb6P4013:
P205+Rb20+2Ti02-2RbTiOP04
2P205+3Rb20-Rb6P4013
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。 具体为
适当引入軒晶，以10~60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以 1 °C/100h~l°C/10h速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980°C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下拟合方程
T=3128.5a3-5630.9a2+3690.3a+95.967，采用点籽晶或线籽晶，适当的 旋转方式及降温工艺，经过近60天的生长，生长出40x30x30mm,重量 达到80克左右的优质Rb:KTP晶体，用该晶体加工的器件具有低电导率、 抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电导率可达到l(T9S/cm，经测试完全满足 电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
实施例6:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤:
1)在以K 6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入硝酸铷并搅拌均匀， 制成Rb:KTP晶体原料； 具体步骤为
在磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的混合物中加入硝酸铷并搅 拌均勻。所述磷酸二氬钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为2 : 1的比例加入。所述硝酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化 钛和磷酸氢二钾的混合物的重量比为1.4%的比例加入。2)将制成的Rb:KTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再降温 到饱合点； 具体为
将原料按要求进行配比，装入O200"50mm铂或金坩埚，放入生长 炉内，炉内温场以1 10。C/10cm为宜，以100。C/小时升温到1000。C恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式与实施例5相同；
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。 具体为
适当引入籽晶，以10~60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以
rc/iooh rc/ioh速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980。C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下拟合方程
T=3128.5a3-5630.9a2+3690.3a+95.967,采用点籽晶或线籽晶，适当的 旋转方式及降温工艺，经过近60天的生长，生长出40x30x30mm,重量 达到80克左右的优质Rb:KTP晶体，用该晶体加工的器件具有低电导率、 抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电导率可达到10力S/cm,经测试完全满足 电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
实施例7:
本发明实施例提供了一种制备低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的方 法，包括以下步骤
1 )在以K 6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入硝酸铷并搅拌均匀，
制成Rb:KTP晶体原料； 具体步骤为
在磷酸二氢钾、二氧化钬和磷酸氢二钾的混合物中加入硝酸铷并搅 拌均匀。所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成KTP与 K6的摩尔比为0.7 : 1的比例加入。所述硝酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化 4太和磷酸氢二^t甲的混合物的重量比为3%的比例加入。2)将制成的RkKTP晶体原料放入铂或金坩埚中进行加热熔化后再降温 到饱合点； 具体为
将原料按要求进行配比，装入O)200"50mm铂或金坩埚，放入生长 炉内，炉内温场以1 10。C/10cm为宜，以100。C/小时升温到1000。C恒温 并搅拌24小时，将溶液降温到饱和点。
反应的方程式与实施例5相同；
由于同时生成的RbTiOP04和KTiOP04可以无限混溶，形成了成分 均一的Rb:KTP晶体。
3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。 具体为
适当引入籽晶，以10~60转/分速度旋转坩埚或籽晶，以
rc/iooh rc/ioh速度緩慢降温，经过2~6个月的生长得到晶体。
在700到980°C范围内，体系的饱和点温度T及溶解度a(a为KTP: K6重量比g/g)大致符合以下拟合方程
T=3128.5a3-5630.9a2+3690.3a+95.967，采用点籽晶或线軒晶，适当的 ;爽转方式及降温工艺，经过近60天的生长，生长出40x30x30mm，重量 达到80克左右的优质Rb:KTP晶体，用该晶体加工的器件具有低电导率、 抗灰迹Rb:KTP晶体生长，Z向电导率可达到10力S/cm，经测试完全满足 电光晶体和倍频抗灰迹应用要求。
权利要求
1. 一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，其特征在于，所述晶体的化学 式为RbxKd-x)TiOP04 , 0.01<x<0.1，其晶胞结构与普通KTP相同。
2. —种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法，其特征在于包括以 下步骤1 )在以K 6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均 匀，制成Rb:KTP晶体原料；2 )将制成的Rb:KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱 合点；3 )向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。
3. 根据权利要求2所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述步骤l)具体为在磷酸二氬钾、二氧化钛和磷酸 氢二钾的混合物中加入氧化铷并搅拌均匀。
4. 根据权利要求3所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾按反应后生成 KTP与K6的摩尔比为0.7~2的比例加入。
5. 根据权利要求3所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述氧化铷按与磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氢二钾的 混合物的重量比为0.8 %~ 4%的比例加入。
6. 根据权利要求2所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述氧化铷可通过在磚酸二氢钾、二氧化钬和磷酸氢二 钾的混合物中加入-友酸杨或硝酸铷加热后制得。
7. 才艮据权利要求6所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述碳酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化钛和磷酸氬二钾的 混合物的重量比为1% 5%的比例加入。
8. 賴4居权利要求6所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法，其特征在于，所述硝酸铷按与磷酸二氢钾、二氧化钬和磷酸氢二钾的混合物的重量比为0.5%~3%的比例加入。
9. 根据权利要求2所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述坩埚为铂坩埚或金坩埚。
10. 根据权利要求2所述的低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法， 其特征在于，所述籽晶为点籽晶或线籽晶。
全文摘要
本发明公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体，所述晶体的化学式为Rb_xK_(1-x)TiOPO₄，0.01＜x＜0.1。本发明还公开了一种低电导率、抗灰迹Rb:KTP晶体的制备方法，包括以下步骤在以K6作助熔剂的生长KTP的原料体系中加入氧化铷并搅拌均匀，制成Rb:KTP晶体原料；将制成的Rb:KTP晶体原料放入坩埚中进行加热熔化后再降温到饱合点；向熔化的原料中加入籽晶使Rb:KTP晶体沿籽晶生长。本发明公开的Rb:KTP晶体与KTP晶体相比，具有很低的电导率，能够满足作为电光器件的电导率要求，在高电场作用下不会使晶体变黑变性而损坏；晶体的吸收系数比较稳定，经实验测试具有很好的抗灰迹性能。
文档编号C30B29/22GK101311356SQ200810105498
公开日2008年11月26日 申请日期2008年4月29日 优先权日2008年4月29日
发明者何庭秋, 尹利君, 师瑞泽, 忠 王, 王国影, 肖亚波, 胡永岚, 葛世艳, 高山虎 申请人:烁光特晶科技有限公司