专利名称：抑制静磁场低频磁场干扰的屏蔽室的制作方法
技术领域：
本实用新型属于空间物理技术领域，特别涉及抑制电磁干扰的工程技术专业。
背景技术：
对弱磁性物质的计量检测，对空中、地表、水下运行器导航指示的标定，对一些生物在磁场作用下的 量化研究，乃至对这些检测、标定仪器的校准，等等，都需要具备抑制静磁场、低频磁场干扰的背景环境。 而地球磁场本身就有50000nT左右，更为关键的是，地壳岩石泥土的磁性成份，人类生产生活及其一切活 动所构建有形物质的磁性成份，这些磁性成份的杂乱无章、多寡无序的分布，造成我们具体的工作空间环 境磁场梯度严重，均匀性极差，在直径lm的区域环境磁场强度相差1000riT几乎是普遍现象。另外，地磁 场本身主要是垂直分量和南北分量，由于上述原因东西方向因地而异也出现了不等量的磁场分量。 发明内容
为了营造一个磁场既弱又均匀而且范围较大的三维空间，应该说建立抑制静磁场、低频磁场干扰的屏 蔽室是最佳选择。长期以来人们一提建立屏蔽室就望而生畏，原因是价格昂贵，本实用新型尤为显著的特 点就是建造抑制静磁场、低频磁场千扰屏蔽室过程中，减少材料的消耗，利用屏蔽室门口延接门道，利于 通风而且降低"漏磁"，硅钢片和铝板与非金属材料层紧密贴合既利于导磁通路又防止金属氧化。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是屏蔽室主体结构框架采用木制材料(参见
图1), 6 个界面(4围墙壁、屋顶、地面)形成厚度15cm的壁腔，室外6面包硅钢片(厚0.3mr) 10层(顶底重合 共20层)，室内6面镶硅钢片(厚0. 3mm) 5层(顶底重合共10层)，最外和最内6面包镶1层铝板(厚 2mm)。(参见图2)本实用新型的主要技术指标有l.本屏蔽室内，距门端50cm，距其它5个界面(墙壁、 屋顶、地面)10cm的整个空间范围，磁场三分量均〈200nT; 2.在上述空间范围，磁场梯度〈50nT/m、
3.在上述空间范围，低频干扰磁场《0. 5nT; 4.屏蔽室地面承重不小于200kg/m2。
本实用新型的有益效果是，采用整条硅钢片循环包镶，既减少拼接中的"漏磁"，又减少拼接中材料 的消耗；硅钢片之间的拼接主要用胶带而非钉铆，即使钉铆是完全无磁性的金属材料，但是它穿透硅钢片 必然扰乱原材料的晶格结构同时产生缝隙，并且钉铆过程的机械震动能造成材料的应力变化，影响性能， 又值提及的是，经统计总消耗胶带的价格不及钉铆价格的1%;门口延接门道能降低"漏磁"并且形成门口 开敞，便于通风换气，如果需要调节温度，可利用门道建立设备，避免在屏蔽室内附加磁性物质；硅钢片 和铝板包(镶)完成后，屏蔽室6面体内外除贴地基层外共11面包镶层，均需要木质板密集排列向壁腔 方向挤压铆实，再加非金属材料装饰层，使整个硅钢片和铝板结构形成密封，这就使硅钢片更紧密贴合， 利于导磁通路；与空气隔绝防止金属材料氧化。
以下结合附图对本实用新型进一步说明
图1是本实用新型的木框架示意图。
图2是屏蔽室纵剖面示意图。
图3是循环包硅钢片示意图
图4是屏蔽室外观示意图。
图5是循环包镶硅钢片在地基预留示意图。
图中l.屏蔽室木质框架，2.屏蔽室延接门道，3.屏蔽室壁腔，4.外装饰层，5.挤压木板，6.铝板1层， 7.外包硅钢片(纵铺10层，横铺10层，复合20层)+纵循环包镶硅钢片(此面10层)，8.木框架(厚15cm), 9.内镶硅钢片(纵铺5层，横铺5层，复合10层)，IO.铝板I层，ll.挤压木板，12.内装饰板13.横层序 宽(B)-高(C)-宽(B)-高(C)循环包镶硅钢片，14.拼接叠压2cm， 15.拐角处用钉铆，16.接缝处用 胶带(由上至下沿缝粘紧)，17.纵层序长(A)-高(C)-长(A)-高(C)循环包镶硅钢片，18.屏蔽室 底面积定位线，19.纵循环硅钢片预留，20.横循环硅钢片预留，21.地基范围定位线，22.硅钢片纵横重叠
320层。
具体实施方式
1. 选择建立屏蔽室房间，其面积至少比屏蔽室面积大3倍，其内净高至少是屏蔽室的1.3倍。
2. 比屏蔽室建筑面积四周扩延20cm确定地基范围；
3. 在该地基范围做防潮层，然后其上铺绝缘胶板，再在该胶板整合面上四周内縮20cm确定屏蔽室底面积:
4. 把预裁的准备用于循环包镶的硅钢片和铝板，按纵横交错规律，依上述1.3划定的屏蔽室底面积，按 比例一层层铺就，将准备用于垂直面和顶面包镶的硅钢片分别预留在一侧或两侧(参见图5):
5. 在铺就基地硅钢层的最上平面严格恢复屏蔽室的底面积的定位
6. 在上述底面积范围构建木质屏蔽室框架，参见"发明内容之主体结构"，参见图l,把门口延伸成门道, 门道的内高度宽度与门口尺寸一致，其长度不小于屏蔽室长度的23%。；
7. 把上述1.4所预留的包镶硅钢片，按由上至下的层序包镶，设屏蔽室长(Am)、宽(Bm)、高(Cm);裁 硅钢片(保持原宽度)长度-2Am+2Dn，纵循环，围绕屏蔽室长一高一长一高面循环包(镶)；裁硅钢片
(保持原宽度)长度二2Bm+2Cm,横循环，围绕屏蔽室宽一高一宽一高面循环包镶(参见图3)。对于6面 体的屏蔽室，循环包镶过程中，相邻的每两个硅钢片之间有接缝(因原材料宽度所限)，为了不"漏磁"， 接缝必须叠压，只要本循环包(镶)工艺中保持垂直，叠压宽度2cm即可，关键是叠压缝的接拼贴合除仅 有的拐角用钉铆外，其它人面积均采用胶带粘连(参见图3)
8. 室内6面，亦参照上述1.7方法进行包镶，它与室外面包镶主要不同的是底面一两侧垂直面一顶面 循环，可一气呵成；
9. 最外5面和最内6面分别包镶铝板1层，可以不用循环法，顶、底面不纵、横重复；
10. 硅钢片和铝板包(镶)完成后，屏蔽室6面体内外除贴地基层外共11面包镶层，均需要木质板密集 排列向壁腔方向挤压铆实，再加非金属材料装饰层，使整个硅钢片和铝板结构形成密封；
11. 内外表观装饰层用绿色环保材料，室内地面采用纯木质地板，整个表观装饰禁用磁性金属材料。
权利要求1. 一种屏蔽室，为六面合围空腔立方体，其特征是屏蔽室骨架采用纯木质榫卯结构，其内、外面由宽90cm～100cm的整条硅钢片交错包镶组成。
2. 根据权利要求1所述的屏蔽室，其特征是包镶内、外面的硅钢片之间重叠2cm，均采用胶带贴合固 定，屏蔽室拐角处采用钉铆固定。
3. 根据权利要求1所述的屏蔽室，其特征是门口延伸成门道，门道的内高度宽度与门口尺寸一致，其 长度不小于屏蔽室长度的23%。
4. 根据权利要求1所述的屏蔽室，其特征是硅钢片包镶的屏蔽室六面体内、外面，除贴地基层外共ll 面表层，均由钉铆密集排列的木质板覆盖。
专利摘要一种能够抑制静磁场和低频磁场干扰的屏蔽室。属于空间物理技术领域，特别涉及抑制电磁干扰的工程技术专业。它的框架采用木质材料，为减少材料的消耗，内外面由硅钢片循环包镶；相邻硅钢片之间的接缝叠压2cm，接缝叠压除拐角用钉铆外，其余部分均采用胶带贴合，降低费用且不扰乱原材料的晶格结构和性能；门口延伸成门道，便于通风且降低“漏磁”；硅钢片和铝板包(镶)完成后，需要木质板密集排列向壁腔方向挤压铆实，再加非金属材料装饰层，使整个硅钢片和铝板结构形成密封，利于导磁通路且防止金属氧化。本屏蔽室营造了一个磁场既弱又均匀而且范围较大的三维空间。
文档编号H05K9/00GK201248228SQ20082011440
公开日2009年5月27日 申请日期2008年5月19日 优先权日2008年5月19日
发明者凡 何, 张睿霦 申请人:北京京地磁应用研究所