专利名称：直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直 拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热 场装置。
背景技术：
普通的直拉法生产硅单晶的热场装置通常包括有外壳、安装在外壳 中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加 热电极和位于石英坩埚内侧的导流简，生产过程中，石英坩埚内的原料 经过加热和局部冷却并拉伸生长形成圆柱状的硅单晶。传统结构中，热 场装置中各部件的相对位置设置不合理，不易形成较好的温度梯度，不 利于拉晶过程的稳定和拉晶速度的提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种温度梯度合理，气体在装 置内的分布合理，可获得的固液界面形状和较高的拉晶速度的直拉法生 产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。
本发明的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置包括有外 壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石 墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，所述加热电极在 上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流简的最 短距离为60-85亳米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30亳米。本发明通过各个装置部件之间的相对位置，及材料热性能的选择， 形成比较合适的温度梯度，可以保证在拉晶时有较髙的拉速，较好的固 液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的 拉速下生长，获得平坦的固液界面。
图l是本发明的结构示意图。
具体实施例方式
如图所示，该直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置包括有 外壳l、安装在外壳中心的石墨坩埚2、位于石墨坩埚内的石英坩埚3、 位于石墨坩埚外围的加热电极4和位于石英坩埚内恻的导流简5。所述 加热电极在上、下方向上的长度为120-150亳米，形成的加热器上沿距 离导流简的最短距离为60-85亳米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚 20-30亳米。
权利要求
1、一种直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，其特征是所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。
全文摘要
本发明涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。该装置包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。本发明可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。
文档编号C30B29/06GK101586251SQ20091003262
公开日2009年11月25日 申请日期2009年6月30日 优先权日2009年6月30日
发明者张锦根, 施海明, 林 鄂, 陆景刚 申请人:镇江环太硅科技有限公司