专利名称：免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法
技术领域：
本发明涉及一种免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法。
背景技术：
用于外延生长的太阳能锗衬底片在化学机械抛光后需要进行表面的最后处理，以 清除各种杂质，并生成合适的氧化层厚度和密度，以便直接用于外延生长。
发明内容
本发明针对现有技术中的需要，采用如下技术方案进行这种表面处理和清洗步 骤 —种免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法，其步骤在于， 步骤一、化蜡 将两杯配有3 5%的化蜡剂(K-LaLa日化精工)加热至70°C ±5°C ; 将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒左右； 将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒左右； 取出后用大量纯水冲洗1分钟左右； 步骤二、酒精洗 化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度大于95%的酒精中去除有机物，片子在酒精 中不停摇动30秒钟左右，取出后用大量纯水冲洗1分钟左右； 步骤三、盐酸双氧水腐蚀 配制体积比HCi : h2o2 : h2o=i : i : 20的腐蚀液，并维持温度在15t:左右；
将前道纯水冲洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒左右，取出后用大量纯水冲洗1分 钟左右，然后甩干，检查片子是否通过；通过则为合格晶片，需进行充氮气真空包装；不通 过则需返工。 为保持其清洗效果，腐蚀液每清洗20片晶片后需更换新溶液。
本发明创造的有益效果
工艺简单，效果显著。
具体实施例方式
以下通过具体实施例对本发明技术方案做进一步的说明。 锗衬底片表面处理和清洗步骤 1、化蜡 将两杯配有3 5%的化蜡剂(K-LaLa日化精工)加热至70°C ±5°C ; 将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒； 将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒； 取出后用大量纯水冲洗1分钟；
2、酒精洗 化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度> 95%的酒精中去除有机物，片子在酒精中 不停摇动30秒钟，取出后用大量纯水冲洗1分钟；
3、盐酸双氧水腐蚀 配制i : i : 20(hci : h2o2 : h2o)腐蚀液，并维持温度在i5°c。将前道纯水冲
洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒，取出后用大量纯水冲洗1分钟，然后甩干，检查
片子是否通过。通过则为合格晶片，需进行充氮气真空包装。不通过则需返工。 4、溶液使用寿命 为保持其清洗效果，以上溶液每清洗20片晶片后需更换新溶液。 虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本发明，任何熟悉
此技艺者，在不脱离本发明之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此本发明的保护 范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。
权利要求
一种免清洗太阳能锗衬底片的表面处理方法，其步骤在于，步骤一、化蜡将两杯配有3～5％的化蜡剂加热至70℃±5℃；将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒左右；将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒左右；取出后用大量纯水冲洗1分钟左右；步骤二、酒精洗化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度大于95％的酒精中去除有机物，片子在酒精中不停摇动30秒钟左右，取出后用大量纯水冲洗1分钟左右；步骤三、盐酸双氧水腐蚀配制体积比HCl∶H2O2∶H2O＝1∶1∶20的腐蚀液，并维持温度在15℃左右；将前道纯水冲洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒左右，取出后用大量纯水冲洗1分钟左右，然后甩干，检查片子是否通过；通过则为合格晶片，需进行充氮气真空包装；不通过则需返工。
2. 根据权利要求1所述的锗衬底片表面处理方法，其特征在于， 为保持其清洗效果，腐蚀液每清洗20片晶片后需更换新溶液。
3. 根据权利要求1所述的锗衬底片表面处理方法，其特征在于， 所述化蜡剂选用K-LaLa日化精工。
全文摘要
本发明公开了一种锗衬底片表面处理和清洗步骤1)化蜡，将两杯配有3～5％的化蜡剂加热至70℃±5℃；将晶片放入第一个量杯，后不停晃动20秒；将同一晶片放入第二个量杯，后不停晃动20秒；取出后用大量纯水冲洗1分钟；2)酒精洗，化蜡后经纯水冲洗过的片子放入纯度＞95％的酒精中去除有机物，片子在酒精中不停摇动30秒钟，取出后用大量纯水冲洗1分钟；3)盐酸双氧水腐蚀，配制1∶1∶20(HCl∶H2O2∶H2O)腐蚀液，并维持温度在15℃。将前道纯水冲洗过的片子放入此溶液中，不停摇动30秒，取出后用大量纯水冲洗1分钟，然后甩干，检查片子是否通过。
文档编号C30B33/00GK101696516SQ200910233350
公开日2010年4月21日 申请日期2009年10月20日 优先权日2009年10月20日
发明者孙小华 申请人:南京中锗科技股份有限公司;