专利名称：：一种氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体的制作方法
技术领域：
：本实用新型涉及一种氮化硅陶瓷基发热体，尤其是涉及一种氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体。
背景技术：
：现有氮化硅陶瓷发热体采用氮化硅陶瓷作为发热基体，以电阻丝作为发热源；由于其电阻丝布丝密度小，形状不规则，排布不合理，故功率有效密度高，热均勻性差，使用寿命较短。
实用新型内容本实用新型的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种功率有效密度低，热均勻性好，使用寿命长的氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体。本实用新型是通过以下技术方案实现的包括发热源和氮化硅陶瓷基体，发热源置于氮化硅陶瓷基体内部，其特征在于，发热源为螺旋状钨钼电阻丝，丝径为0.12-0.20mm,螺旋外径为1.0-3.0mm，每道丝之间的间距为1.0-2.5mm。本实用新型采用螺旋状钨钼电阻丝为发热源，布丝密度较大，排布合理，功率有效密度低，热均勻性好，使用寿命长。图1为螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷基体内呈纵向排列的氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体剖面结构图图2为螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷基体内呈横向排列的氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体剖面结构图图3为螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷基体内呈斜向环绕排列的氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体剖面结构图具体实施方式以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。实施例1参照图1，本实施例包括发热源1和氮化硅陶瓷基体2，发热源1置于氮化硅陶瓷基体2内部，发热源1为螺旋状钨钼电阻丝，螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷基体2内呈纵向排列，螺旋状钨钼电阻丝的丝径、螺旋外径、每道丝之间的间距、发热性能等详见表1。表1实施例1产品与现有氮化硅陶瓷发热体性能对照表<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>实施例2:参照图2，本实施例包括发热源1和氮化硅陶瓷基体2，发热源1置于氮化硅陶瓷基体2内部，发热源1为螺旋状钨钼电阻丝，螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷基体2内呈横向排列，螺旋状钨钼电阻丝的丝径、螺旋外径、每道丝之间的间距、发热性能等详见表2。表2实施例2产品与现有氮化硅陶瓷发热体性能对照表<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>实施例3参照图3，本实施例包括发热源1和氮化硅陶瓷发热基体2，发热源1置于氮化硅陶瓷发热基体2内部，发热源1为螺旋状钨钼电阻丝，螺旋状钨钼电阻丝在氮化硅陶瓷发热基体2内呈斜向环绕排列，螺旋状钨钼电阻丝的丝径、螺旋外径、每道丝之间的间距、发热性能等详见表3。表3实施例3产品与现有氮化硅陶瓷发热体性能对照表<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>上述实施例中，螺旋状钨钼电阻丝的长度与所要求的功率大小成正比；发热体有效尺寸是指氮化硅陶瓷发热体中实际发热区域的尺寸；功率有效密度是指总功率与螺旋状钨钼电阻丝实际通过的区域面积的比值。权利要求一种氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体，包括发热源和氮化硅陶瓷基体，发热源置于氮化硅陶瓷基体内部，其特征在于，发热源为螺旋状钨钼电阻丝，丝径为0.12-0.20mm，螺旋外径为1.0-3.0mm，每道丝之间的间距为1.0-2.5mm。专利摘要一种氮化硅陶瓷基钨钼丝发热体，其包括发热源和氮化硅陶瓷基体，发热源置于氮化硅陶瓷基体内部，发热源为螺旋状钨钼电阻丝，丝径为0.12-0.20mm，螺旋外径为1.0-3.0mm，每道丝之间的间距为1.0-2.5mm。本实用新型的发热体功率有效密度低，热均匀性好，使用寿命长。文档编号H05B3/18GK201571212SQ20102030092公开日2010年9月1日申请日期2010年1月19日优先权日2010年1月19日发明者曾小锋,钱端芬申请人:曾小锋;钱端芬