专利名称：双涂层石英坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及加工设备技术领域，更具体的说是一种直拉单晶炉使用的石英坩祸。
背景技术：
石英坩埚可在1450度以下使用，分为透明和不透明两种，用电弧法制的半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料，当今，世界半导体工业发达国家已用此坩埚取代了小的透明石英坩埚，半透明石英坩埚具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点，目前，生产半透明石英坩埚采用的是高纯石英砂，高纯石英砂价格昂贵，使得生产出的半透明石英坩埚成本较高，制约了厂家的生产，影响了单晶硅行业的发展。
发明内容为解决上述问题，本实用新型设计了一种双涂层石英坩埚，它的技术方案为所述的双涂层石英坩埚由普通石英层、氢氧化钡层、高纯石英层组成，其特征是普通石英层的内侧设置高纯石英层，高纯石英层的内侧设置氢氧化钡层。本实用新型所述的高纯石英层，其特征是采用高纯度石英砂，熔制喷涂在普通石英层的内侧。本实用新型成本较低，内侧涂有氢氧化钡，可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。
附图是本实用新型结构示意图；附图中1.普通石英层，2.氢氧化钡层，3.高纯石英层。
具体实施方式
结合附图对本实用新型进一步详细描述，以便公众更好地掌握本实用新型的实施方法，本实用新型具体的实施方案为所述的双涂层石英坩埚由普通石英层1、氢氧化钡层 2、高纯石英层3组成，其特征是普通石英层1的内侧设置高纯石英层3，高纯石英层3的内侧设置氢氧化钡层2。本实用新型所述的高纯石英层3，其特征是采用高纯度石英砂，熔制喷涂在普通石英层1的内侧。本实用新型成本较低，内侧涂有氢氧化钡，可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。
权利要求1.双涂层石英坩埚，由普通石英层(1)、氢氧化钡层O)、高纯石英层C3)组成，其特征是普通石英层(1)的内侧设置高纯石英层(3)，高纯石英层(3)的内侧设置氢氧化钡层 ⑵。
专利摘要双涂层石英坩埚，由普通石英层、氢氧化钡层、高纯石英层组成，其特征是普通石英层的内侧设置高纯石英层，高纯石英层的内侧设置氢氧化钡层，本实用新型成本较低，内侧涂有氢氧化钡，可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。
文档编号C30B15/10GK201933195SQ20102068268
公开日2011年8月17日 申请日期2010年12月28日 优先权日2010年12月28日
发明者岳喜东 申请人:济宁润鹏光伏科技有限公司