专利名称：外延硅芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种外延硅芯片的制造方法，具体上，是涉及外延硅芯片的制造方法，该外延硅芯片的单晶硅薄膜的表层部的不纯物浓度比先前低。
背景技术：
外延硅芯片，例如能以下述方式来进行制造。S卩，将单晶硅基板载置于气相成长装置的反应容器内，在使氢气流动的状态，将反应容器内升温至1100°c 1200°C (升温工序)。 然后，若反应容器内的温度达到1100°C以上，则在基板表面所形成的自然氧化膜(SiO2 Silicon Dioxide)会被除去。在该状态下，将三氯娃烧(SiHCl3 Trichlorosilane)等的娃原料气体、乙硼烧(B2H6 Diborane)或磷化氢(PH3 Phosphine)等的掺杂剂气体,与氢气一起供给至反应容器内。如此进行而在基板的主表面上使单晶硅薄膜气相成长(成膜工序)。如此进行而使薄膜气相成长后，停止供给原料气体及掺杂剂气体，并在保持于氢气气氛的状态下，使反应容器内的温度降温(冷却工序)。但是，在以上述方式来制造外延硅芯片的过程中，若重金属不纯物混入外延层(单晶硅薄膜)内，则使用该基板所制造的器件的特性，会有变异常的情形。特别是在外延层的表层侧(成为要制作器件的器件有源层)，若有不纯物污染，对器件的不良影响是重大的。作为先前降低外延硅芯片中的重金属不纯物浓度的方法，例如揭示一种方法，是在制造外延硅芯片的冷却工序中，于400°C以下，将气氛气体从氢气气氛切换成为氮气气氛，来使铜(Cu)析出在芯片表面，随后除去表层的方法；或是揭示一种制造方法，是利用在比400°C更高温度的情况下，将气氛气体从氢气气氛切换成为氮气气氛，使Cu不是析出至表面而是析出至主体(内层(bulk))部，来设法使Cu不会析出至表层部(参照专利文献I)。[先前技术文献](专利文献)专利文献I :日本特许第3664101号公报
发明内容
在单晶硅薄膜的成膜过程中，因为外延硅芯片的重金属污染会对半导体器件造成各式各样的不良影响，减少此种污染是重要的。先前，关于铜(Cu)，有提案揭示一种方法，其是在如上述外延硅芯片的成膜过程的冷却工序中，将降温时的氢气取代成氮气时的切换温度，设为高温的工艺步骤(processsequence),藉此来抑制铜析出至表面而减少表面铜污染。但是，关于铜以外的不纯物，在工艺步骤中欠缺有效减少不纯物的对策，尚无有效的方法。本发明是依据前述的问题而完成，其目的在于提供一种外延硅芯片的制造方法，该外延硅芯片的制造方法能得到一种外延硅芯片，在该外延硅芯片中所含有的重金属不纯物，特别是器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域的不纯物浓度比先前低，且具有优良的器件特性。为了解决上述课题，本发明提供一种外延硅芯片的制造方法，其特征在于进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度，并 在算出温度的至少上下50°C的温度范围内，将外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于200C /sec，来冷却已通过该成膜工序形成单晶硅薄膜后的外延硅芯片。外延硅芯片中的大部分的不纯物，在用以形成单晶硅薄膜的外延反应刚结束后的高温区域，是以固溶的状态存在。而且，在冷却工序中，在达到固溶临界的温度时点，该不纯物会开始析出。因此，算出评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值(能从过去外延硅芯片制造实际情况来算出)与评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度。然后，在该算出温度的至少上下50°C的温度范围内，若将冷却速度控制为小于20°C /sec来进行冷却，则评价对象的不纯物会析出至内层(bulk)中，其结果，能使不纯物不会析出至器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域。藉此，能得到一种外延硅芯片，其具有已减少表层部的不纯物浓度而成的单晶硅薄膜，而能制造出一种器件特性良好的外延硅芯片。此处，优选是将前述冷却速度设为5°C /sec以上。若至少在事先所求得的温度范围内，降低成膜后的外延硅芯片的冷却速度，则能减少单晶硅薄膜的表层部中的评价对象不纯物浓度，然而越降低冷却速度则冷却所需的时间越长，致使生产性低落。但是，若冷却速度为5°C /sec以上，则能在几乎不会降低生产性的情况下，制造出器件有源层的不纯物浓度低的外延硅芯片。又，优选是将前述评价对象不纯物设为镍。通常的外延硅芯片的单晶硅薄膜中的镍含量，设想为lX109atoms/cm3左右至I X 10natoms/cm3 左右。因此，参照图2时，成为该浓度范围的镍(Ni)的固溶临界的温度带为300°C 400°C。因此，将评价对象不纯物设为镍时，在冷却工序中，通过将至少从400°C至300°C范围内的冷却速度控制为小于20°C/sec，能减少镍析出至器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层部，能效率良好地制造出器件特性优良的外延硅芯片。如以上说明，在单晶硅薄膜的成膜反应后的冷却工序中，在评价对象不纯物的规格值或工序平均值与该不纯物元素的固溶临界浓度一致时的温度，也就是在污染元素开始过饱和的温度带附近(±50°C左右)，以小于20°C /sec的冷却速度，将外延硅芯片缓慢冷却。藉此，能抑制外延硅芯片中的不纯物(污染元素)往单晶硅薄膜的表层部凝集，并能促进析出在内层。其结果，能得到一种外延硅芯片，其器件有源区域也就是单晶硅薄膜表层部的不纯物浓度低。
图I是表示本发明的外延硅芯片的制造方法的概略的一个例子的流程图。图2是表示硅中的镍的固溶度的温度相依性的图。图3是表示在单晶硅薄膜的成膜反应后的冷却工序中，于350°C附近的冷却速度与聚集在单晶硅薄膜表层部的镍的浓度的关系的图。
具体实施例方式以下，更具体地说明本发明。先前，有效地减少单晶硅薄膜表层部所含有的重金属不纯物的量的制造方法，几乎完全未被知道，而该单晶硅薄膜表层部是成为外延硅芯片的器件有源区域。 因此，使用以先前的制造方法所制造的外延硅芯片来制造半导体器件时，即便是使用不纯物浓度评价良好的芯片，也有所制造出来的器件发生器件特性低落的情形这样的问题点。因而，为了解决此种问题点，本发明人重复专心研讨及实验。其结果，作为会对外延硅芯片的表层的不纯物浓度造成影响的条件，注意外延层(单晶硅薄膜)成长后的冷却条件。特别是注意在所含有的重金属不纯物成为过饱和的温度带中的冷却速度，而构想出改变此冷却速度。而且，进一步专心研讨、重复实验的结果，得到了以下的知识，而完成本发明，即通过先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与固溶临界浓度一致时的温度，并在该算出温度的至少上下50°C的温度范围内，将成膜后的外延娃芯片的冷却速度设为小于20°C /sec,能使评价对象不纯物析出至外延娃芯片的主体(内层)中，藉此，能得到一种外延硅芯片，其单晶硅薄膜表层部的不纯物浓度低。以下，参照图面来详细地说明本发明，但是本发明不被限定于这些实施形态。图I是表示本发明的外延硅芯片的制造方法的概略的一个例子的流程图。首先，如图I所示，使用搬运装置，将单晶硅基板载置于气相成长装置的反应容器内所具备的基座(图I (a)的装入工序)。随后，在使氢气于反应容器内流动的状态，将反应容器内的温度升温至用以气相成长单晶硅薄膜的成膜温度(图I (b)的升温工序)。此成膜温度是设定为能利用氢来除去基板表面的自然氧化膜的1000°c以上的温度。随后，在将反应容器内保持于成膜温度的状态下，将氢气及原料气体和掺杂剂气体，以各自规定的流量供给，并在氢气气氛下，使单晶硅薄膜在单晶硅基板上成长至规定膜厚度(图I (C)的成膜工序)。然后，停止供给原料气体和掺杂剂气体，并一边流动载气也就是氢气，一边使反应容器内的温度下降，来冷却外延硅芯片(图1(d)的冷却工序)。在该冷却工序中，先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固溶临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50°C的温度范围内，将外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20°C /sec,以此方式来进行冷却。又，在800°C至400°C左右的期间，能从氢气气氛切换成为氮气气氛。
硅芯片中的大部分的不纯物，在用以形成单晶硅薄膜的外延反应刚结束后的高温区域，是以固溶的状态存在，而在冷却工序中，从达到固溶临界温度的时点，会开始析出。因而，先算出评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度，并在此算出温度的至少上下50 0C的温度范围内，若将在单晶硅薄膜的成膜工序后的冷却工序中的冷却速度控制为小于20°C /sec，则能使外延硅芯片中的评价对象不纯物，不会析出至器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域，而会析出至内层部因此，相较于先前，单晶硅薄膜的表层部的不纯物浓度较低，能作成一种器件特性良好的外延硅芯片。冷却速度，在小于20°C /sec的范围内，以越低越佳。此处，能将评价对象不纯物设为镍(Ni)。通常的外延硅芯片的单晶硅薄膜中的镍含量，设想为I X 109atoms/cm3 I X 10natoms/cm3 的水平。而且，如图2所示，设想将镍的污染量设为上述范围内的SXlCTatoms/cm3左右时，其含量与固溶度一致的温度为350°C左右。因此，评价对象不纯物是镍时，冷却中的外延硅芯片的温度,通过至少从400°C至300°C为止的温度带时，将冷却速度控制为小于20°C /sec。另外，图2是表示硅中的镍的固溶度的温度相依性的图。又，如图3所示，认为冷却速度越快，在单晶硅薄膜的表层部附近，镍越聚集，冷却速度越慢时(缓慢冷却)，则表层附近的镍浓度越低，而能析出至内层。即，在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与固相临界浓度一致时的温度带，进行缓慢冷却，藉此，能得到一种外延硅芯片，在该单晶硅薄膜的表层部具有镍浓度低的区域。另外，图3是表示在单晶硅薄膜的成膜反应后的冷却工序中，于350°C附近的冷却速度与聚集在单晶硅薄膜表层部的镍的浓度的关系的图。选择会对器件特性造成不良影响的镍来作为评价对象不纯物，并在外延硅芯片的温度为至少从400°C至300°C的温度区域内，将冷却速度控制为小于20°C /sec，藉此，能使镍不会析出至单晶硅薄膜的表层区域而析出至内层部，而能作成一种表层部的镍浓度低的外延硅芯片。藉此，能制造出一种高质量的外延硅芯片，可将会对器件特性造成不良影响的镍的浓度抑制为较低。又，能将冷却速度设为5°C /sec以上。如前述，在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与固溶临界浓度一致时的温度的至少上下50°C范围内，降低成膜后的外延硅芯片的冷却速度，藉此，能减少单晶硅薄膜的表层部的评价对象不纯物浓度，然而，若冷却速度过慢(缓慢冷却)，则生产性低落。但是，通过将冷却速度设为5°C /sec以上，则能在生产性几乎不会降低的情况下，制造出一种器件有源层的不纯物浓度低的外延硅芯片。而且，在维持氮气气氛的状态下，达到取出温度时，将外延硅芯片从气相成长装置取出(图1(e)的取出工序)。
随后，通过进行任意的洗净、捆包、出货工序等，能制造出一种高质量的外延硅芯片，其评价对象不纯物的浓度为规格值或工序平均值以下，且器件特性良好。以如此方式而制造出来的外延硅芯片，其单晶硅薄膜的表层区域的不纯物含量少，且半导体器件特性优良。[实施例]以下，表示实施例及比较例来更具体地说明本发明，但是本发明并未被限定于这些例子。 (实施例I 3、比较例I、2)准备5片预先确定镍浓度为I X 1010atoms/cm3以下(检测下限)的面方位(100)、P+型(0.015 Q cm)的单晶硅基板，并在其主表面上，于成膜温度1130°C，使P—型(IOQcm)的单晶娃薄膜，气相成长5 ii m。另外，作为镍浓度的确认方法，是选取I片与所准备的5片单晶硅基板相同批次的单晶硅基板，并使用全溶解化学分析法来确认。然后，因为算出所准备的5片单晶硅基板的镍浓度与固溶临界浓度一致时的温度的结果，为大约350°C，所以在对成膜后的外延硅芯片进行冷却时，将从400°C至300°C之间的冷却速度，变化为0. 5°C /sec (实施例1)、5°C /sec (实施例2)、18°C /sec (实施例3)、20°C /sec(比较例1)、25°C /sec (比较例2)，来制造外延硅芯片。将5片这些外延娃芯片，通过阶段性蚀刻法(step etching,参照日本特开2005-265718号公报、日本特许3755586号公报等)，抽出单晶硅薄膜的表层I. 5 ii m，并使用ICP-MS装置(感应耦合等离子体质谱仪)来测定包含镍的重金属浓度。其结果，如表I所
/Jn o[表 I]
__实施例I__实施例2__实施例3比较例丨比较例2
从400°C冷却至300-C
之间的平均冷却速度0 55182025
(°C/sec)______
表层镍浓度检测下限以下检测下限以下检测下限以下:~
(atoms/cm3)_ (1.0X IO10 以下)(1.0X1010 以下)(LOXlOui以下)8-0X10 2.0X10此结果，是如表I所示，比较例1、2的冷却条件的情况，单晶硅薄膜的表层中的镍浓度，被检测到8X 1010atoms/cm3>2X 10natoms/cm3。也就是意味着在表层中的镍浓度是此种程度。另一方面，在实施例2及3的冷却条件的情况，单晶硅薄膜的表层中的镍浓度，各自为ICP-MS装置的检测下限(l.OXKTatoms/cm3)以下，相较于比较例1、2，是低浓度，SP得知以下的结果相较于利用比较例1、2的条件来冷却后的芯片，单晶硅薄膜的表层部的镍不纯物量较少。又，虽然利用实施例I的冷却条件来冷却后的外延硅芯片，其镍浓度为ICP-MS装置的检测下限(l.OXlO'toms/cm3)以下的浓度，但是因为该实施例I的冷却速度慢，工序时间会依该变慢的程度而增长。因此，若考虑生产性的问题，得知优选是将冷却速度设为5°C /sec 以上。另外，本发明不被限定于上述实施形态。上述实施形态是例示性，凡是具有与本发明的权利要求所述的技术思想实质上相同构成，且达成相同作用效果的例子，无论何种例子，都被包含在本发明的技术范围内。例如，在本发明中，使薄膜气相成长的气相成长装置，并未受到限定，能应用纵型 (扁平型)、桶型(圆筒型)、单片型等各种气相成长装置。
权利要求
1.一种外延硅芯片的制造方法，是制造外延硅芯片的方法，其特征在于进行成膜工序及冷却工序； 所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长； 所述冷却工序，是先算出在前述单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与前述评价对象不纯物的固相临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50°C的温度范围内，将前述外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20°C /sec，来冷却已通过该成膜工序形成前述单晶硅薄膜后的外延硅芯片。
2.如权利要求I所述的外延硅芯片的制造方法，其中将前述冷却速度设为5°C/sec以上。
3.如权利要求I或2所述的外延硅芯片的制造方法，其中将前述评价对象不纯物设为镍。
全文摘要
本发明是一种外延硅芯片的制造方法，其进行成膜工序及冷却工序；所述成膜工序，是一边供给原料气体，一边于氢气气氛中使单晶硅薄膜在单晶硅基板上气相成长；所述冷却工序，是先算出在单晶硅薄膜中所存在的评价对象不纯物的浓度的规格值或工序平均值与评价对象不纯物的固溶临界浓度一致时的温度，并在算出温度的至少上下50℃的温度范围内，将外延硅芯片的成膜后的冷却速度设为小于20℃/sec，来冷却已通过成膜工序形成单晶硅薄膜后的外延硅芯片。藉此，能提供一种外延硅芯片的制造方法，其能得到一种外延硅芯片，在该外延硅芯片所含有的重金属不纯物，特别是器件有源层也就是单晶硅薄膜的表层区域的不纯物浓度比先前低，且具有优良的器件特性。
文档编号C30B29/06GK102640261SQ201080052898
公开日2012年8月15日 申请日期2010年11月11日 优先权日2009年12月15日
发明者吉田知佐 申请人:信越半导体股份有限公司