适合用作emi吸收体的经拉伸的物品的制作方法

专利名称：适合用作emi吸收体的经拉伸的物品的制作方法
技术领域：
本公开涉及适合用作EMI吸收体的经拉伸的物品。
背景技术：
该章节提供不一定是现有技术的与本公开相关的背景技术信息。电子设备通常在该电子设备的一个部分中生成可能辐射到该电子设备的另一个部分或者与该电子设备的另一个部分相互干扰的电磁信号。该电磁干扰(EMI)可以引起重要信号的衰减或者完全丢失，由此使得电子设备无效或者不能操作。为了减小EMI的不利影响，可以在电子电路的多个部分之间插入导电材料(并且经常是导磁材料)用于吸收和/ 或反射EMI能量。该屏蔽装置可以采取壁或者完整壳体的形式，并且可以布置在电子电路的生成电磁信号的部分周围，并且/或者可以布置在电子电路的易于受电磁信号影响的部分周围。例如，印刷电路板(PCB)的部件或电子电路通常利用屏蔽件包围起来，从而使EMI 局限于它的源内，并且隔离与EMI源邻近的其它装置。如在这里所使用的，术语电磁干扰(EMI)应该被认为一般地包括和指代电磁干扰 (EMI)和射频干扰(RFI)放射，并且术语“电磁的”应该被认为一般地包括和指代来自外部源和/或内部源的电磁频率和射频。因此，术语屏蔽装置(如在这里所使用的)一般地包括和指代EMI屏蔽装置和RFI屏蔽装置，例如以防止EMI和RFI相对于其中设置有电子设备的外壳或其它壳体的进入和外出。

发明内容
本章节提供本公开的总体的发明内容，并且不是其全部范围或其所有特征的全面公开。制造电磁干扰(EMI)吸收体的方法的示例性实施方式包括沿着至少第一轴线拉伸包括EMI吸收颗粒的材料，以排列至少一部分EMI吸收颗粒。另一个示例性实施方式包括电磁干扰(EMI)吸收体。吸收体包括已经沿着第一轴线拉伸并且包含EMI吸收薄片的材料。EMI吸收颗粒的至少一部分与第一轴线大致平行地排列。根据这里提供的描述，进一步的适用领域将变得明显。在发明内容中的描述和具体示例仅用于示例性说明目的，并且不是用来限制本公开的范围。


这里绘制的附图仅用于选择的实施方式并不是所有可能的实施的示例性解释目的，并且附图不限制本公开的范围。图I是制造电磁干扰(EMI)吸收体的示例性方法的框图；图2是制造EMI吸收体的另一个示例性方法的框图；图3例示了在拉伸之前在基质中悬浮的EMI吸收薄片的示例；以及图4例示了在拉伸之后在基质中悬浮的EMI吸收薄片的示例。
具体实施例方式现在将参考附图更加充分地描述示例性实施方式。EMI吸收体用来吸收电磁能量(即，EMI)。EMI吸收体通过一般地被称为损耗的过程将电磁能量转换 为另一种形式的能量。电损耗机制包括传导损耗、介电损耗、和磁化损耗。传导损耗指的是由电磁能量转换为热能量所导致的EMI的减小。电磁能量引起在具有有限的传导率的EMI吸收体内流动的电流。有限的传导率导致引起的电流的一部分通过电阻而生成热。介电损耗指的是由电磁能量转换为在具有非归一化的相对介电常数的吸收体内的分子的机械移位所导致的EMI的减小。磁化损耗指的是由电磁能量转换为在EMI吸收体内的磁矩的重新排列所导致的EMI的减小。根据本公开的示例性方面，提出了适合用作EMI吸收体的经拉伸的物品的各种示例性实施方式(例如，膜、板、三维物体或物项等)。例如，示例性实施方式包括一般地包括如下材料(例如，基质、板、基板等)的电磁干扰(EMI)吸收体，即，所述材料已经沿着第一轴线拉伸并且包括EMI吸收薄片。EMI吸收颗粒的至少一部分与第一轴线大致平行地排列。本公开的其它示例性方面与制造EMI吸收体的方法相关。制造电磁干扰(EMI) 吸收体的方法的示例性实施方式包括沿着至少第一轴线拉伸包括EMI吸收颗粒的材料(例如，基质、板、基板等)，以排列至少一部分EMI吸收颗粒。现在参考附图，图I例示了具体体现本发明的一个或更多个方面的制造EMI吸收体(例如，膜、板、物品、三维物体或物项等)的示例性方法。如在图I中所示，该方法包括步骤、处理或操作100，在该步骤中，由载有包括EMI吸收薄片的填充物的基质制造或形成板。 EMI吸收薄片可以按照大致随意的或未排列的取向悬浮在基质中。可选的实施方式可以包括一个或更多个步骤、处理或者操作，其中，载有包括EMI吸收薄片的填充物的基质被制造或形成为不是板状的三维物项或物体。而且，经拉伸的物品(例如，膜、板、三维物体或物项等)可以通过多种适当处理(例如，挤压、吹膜挤压、拉伸吹塑成型等)由载有包括EMI吸收薄片的填充物的基质制造或形成。在一些实施方式中，EMI吸收体包括已经由例如板材机等拉伸的多层结构。在这些实施方式中，制造EMI吸收体的方法因此可以一般地包括例如由板材机等拉伸多层结构。通过示例，图3例示了在基质302中悬浮的未排列的EMI吸收薄片300。对于该例示的具体实施方式
，EMI吸收材料的形式为拉长的薄片。一些实施方式可以包括纵横比在大约10到大约140的范围内的EMI吸收薄片。还可以使用纵横比小于10或者大于140的 EMI吸收薄片。另一些实施方式可以具有纵横比都大约为10的EMI吸收薄片，而另一些实施方式可以具有纵横比都大约为140的EMI吸收薄片。在另外一些实施方式中，EMI吸收薄片可以为各种尺寸，从而每一个EMI吸收薄片不必为与其它EMI吸收薄片相同的尺寸或者与其它EMI吸收薄片相同的纵横比。如在这里使用的，可以按照较长的尺度(X)与较短的尺度(y)的比例来计算纵横比，其中，X尺度与y尺度在公共平面中基本上是垂直的。另外的实施方式可以包括EMI吸收体，该EMI吸收体包括小颗粒、扁球体、微球体、椭圆体、不规则扁球体、丝条、粉末中的一种或更多种和/或这些形状中的任何形状或所有形状的组合。参考图1，该方法还包括步骤、处理、或操作102，在该步骤102中，沿着至少第一轴线拉伸板，从而大致地排列EMI吸收薄片的至少一部分，例如便于更有效的使用。在一些实施方式中，可以通过挤压或辊子拉伸板，例如通过当板在一对辊子之间滚动时拉伸该板。在一些实施方式中，于在步骤、处理、或操作102的拉伸之后，排列EMI吸收薄片中的较大数量的薄片(例如，大约20%到大约70%，等)。在一个具体的实施方式中，在拉伸之后，70%的薄片被排列，在另外一些实施方式中，在拉伸之后，20%的薄片被排列，在另外一些实施方式中， 在拉伸之后，多于70%的薄片被排列，在另外一些实施方式中，在拉伸之后，少于20%的薄片被排列。在图I中例示的该具体的示例方法涉及形成并且拉伸板，但是除了板之外，可选择的实施方式可以包括其它被挤压的物体或物项。例如，另一个示例性的方法可以包括如下的步骤、处理、或操作，即，其中，将基质和EMI吸收材料混合在一起，并且然后将它们挤压为不是板状的三维物项或者物体。另外，一些实施方式可以包括用于制造适合用作EMI 吸收体的经拉伸的物品(例如，膜、三维物体或物项等)的其它处理。通过示例，其它示例性的方法可以包括吹膜挤压、拉伸吹塑成型等。 通过示例，图4例示了在拉伸之后的EMI吸收薄片400，EMI吸收薄片400的至少一部分已经按照端到端的关系大致地排列。如通过图3与图4的比较所示的，拉伸已经导致EMI吸收薄片的至少一部分移位或者定向在长度方向上，从而它们的长度或纵向轴线与拉伸板所围绕的轴线404大致平行。除了沿着第一轴线(例如，在图4中所示的轴线404)拉伸之外，一些实施方式还可以包括沿着第二轴线拉伸板或其它物品，从而排列或进一步地排列EMI吸收薄片。因此，在一些实施方式中，可以仅沿着第一轴线单轴地拉伸(仅在X方向或Y方向上拉伸)板或其它物品。在其它实施方式中，可以沿着第一轴线和第二轴线双轴地拉伸(在X方向和Y方向两个方向上拉伸)板或其它物品。根据具体实施方式
和用于基质和EMI吸收体的材料，例如，在一些实施方式中，板或其它物品可以单轴地拉伸以实现仅沿着第一轴线的大约5%的拉伸到大约100%的拉伸。 通过示例，在一些实施方式中，板或其它物品可以单轴地拉伸以实现仅沿着第一轴线的小于5%的拉伸,在一些实施方式中大约为5%的拉伸,在一些实施方式中大于5%但是小于50% 的拉伸，在一些实施方式中大约为50%的拉伸,在一些实施方式中大约为100%的拉伸,在一些实施方式中大于100%的拉伸，等。在这些示例中，100%的拉伸指的是拉伸板或其它物品使得最终得到的经拉伸的物项或物品具有分别为其在拉伸之前具有的原始长度或宽度(例如，I毫米等)的两倍的长度和/或宽度(例如，2毫米等)。或者，例如，可以双轴地拉伸板或其它物品以实现在X方向和/或Y方向上的大约 5%到大约100%的拉伸。通过示例，在一些实施方式中，板或其它物品可以双轴地拉伸以实现沿着X轴线和/或Y轴线的小于5%的拉伸，在一些实施方式中大约为5%的拉伸，在一些实施方式中大于5%但是小于50%的拉伸,在一些实施方式中大约为50%的拉伸，在一些实施方式中大约为100%的拉伸，在一些实施方式中大于100%的拉伸，等。在这些示例中，100%的拉伸指的是拉伸板或其它物品使得最终得到的经拉伸的物项或物品具有分别为其在拉伸之前具有的原始长度或宽度(例如，I毫米等)的两倍的长度和/或宽度(例如，2毫米
O通过示例，可以沿着第一轴线和第二轴线同时地拉伸板。或者，例如，可以依次地沿着第一轴线和第二轴线拉伸板。即，可以首先沿着第一轴线拉伸板，并且然后，可以沿着第二轴线拉伸板(或者反之亦然)。而且，根据具体的实施方式，可以沿着第一轴线和/或第二轴线重复地拉伸板。在多个实施方式中，可以沿着将板拉伸的第一轴线和第二轴线大致彼此垂直。在如此的实施方式中，第一轴线可以与板的纵向轴线或长度方向大致平行，并且第二轴线可以与板的横向轴线或宽度方向大致平行。在本公开的示例性实施方式中，可以使用多种EMI吸收颗粒、填充物、薄片等(也可以称为微波吸收颗粒、填充物、薄片等)。EMI (或微波)吸收颗粒、填充物、薄片等可以由多种导电和/或磁性材料制成。通过示例，各种实施方式可以包括EMI吸收颗粒，该EMI吸收颗粒包括羰基铁、铁硅铝磁合金(包含大约85%的铁、9. 5%的硅和5. 5%的铝的合金)、镍铁导磁合金(包含大约20%的铁和80%的镍的合金)、硅化 铁、铁铬化合物、金属银、磁性合金、 磁粉、磁性薄片、磁性颗粒、基于镍的合金和粉末、铬合金以及其任何组合。其它实施方式可以包括由上述材料中的一种或多种形成的一种或多个EMI吸收颗粒，其中，EMI吸收颗粒包括小颗粒、扁球体、微球体、椭圆体、不规则扁球体、丝条、薄片、粉末中的一种或更多种和/ 或这些形状中的任何形状或所有形状的组合。在如此的实施方式中，板或其它物品还可以沿着一个或更多个轴线拉伸，其中，该拉伸可以有助于去除间隙并且/或者减小在EMI吸收颗粒之间的间隔，并且还可以有助于减小最终得到的EMI吸收体(例如，板、膜、物品、三维物体或物项等)的全厚度(在z方向上的厚度)。这进而可以有助于改善EMI吸收颗粒的EMI 吸收效率或属性，由此在具有充分的EMI吸收属性的同时允许更少的EMI吸收体颗粒的使用(由此降低材料成本)。多种示例性实施方式包括平均厚度为大约O. I微米(μ m)到I. O μ m的各个EMI 吸收薄片。各个EMI吸收薄片可以具有例如平均表面面积以ym平方表示的面以及以μπι 表示的平均厚度，并且所述平均表面面积为所述平均厚度的大约1000到7000倍。通过称为“IV型娃化铁”的管理高级材料(WWW. stewardmaterials. com)来制造示例性的EMI吸收薄片。在该示例中，薄片厚度为大约O. I μ m到O. 3 μ m并且薄片平面直径为大约20 μ m到 30 μ m。选择性的实施方式可以包括按照不同的方式并且以不同尺寸构造的EMI吸收颗粒。 在该段中提出的尺度(这里公开的所有的尺度)仅用于示例性说明的目的并且不是用于限制的目的。在一些实施方式中，EMI吸收薄片包括磁性材料，诸如在I. O兆赫处的相对导磁率大于2的磁性材料。在一个具体的实施方式中，EMI吸收薄片在大约I. O吉赫处的相对导磁率大于大约3,并且在10吉赫处大于大约I. 5。选择性的实施方式可以包括按照不同的方式并且以不同尺寸构造的EMI吸收体。在该段中提出的这些具体的数值(这里公开的所有的数值)仅用于示例性说明的目的并且不是用于限制的目的。关于基质，还可以使用多种材料。通过示例，各种实施方式包括热塑性的基质， 诸如聚烯烃、聚酰胺、聚酯、聚亚安酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、苯乙烯类共聚物(styreniccopolymers)、丙烯腈、聚氯乙烯、聚砜、乙缩醒、聚丙烯酸酯(polyarlyates)、聚丙烯、沙林树脂、聚对苯二甲酸乙二(醇)酯、聚苯乙烯类、其组合等。可以基于可以悬浮或添加到基质中的一定量的EMI吸收薄片而选择基质。例如， 一些实施方式可以包括能够容纳大量(例如，15到40个体积百分比的装载、小于15个体积百分比的装载、大于40个体积百分比的装载、等)的EMI吸收薄片并且使该大量的EMI吸收薄片悬浮的基质，同时没有损害基质的其它有利属性，诸如可拉伸的能力以及在拉伸之后保持EMI吸收薄片的排列的能力。基质还可以是对于电磁能量基本上透明的，从而基质不会阻碍在基质中的EMI吸收填充物(例如，薄片等)的吸收行为。例如，相对介电常数小于大致4并且损耗角正切小于大致O. I的基质对于EMI是基本上透明的。然而，在该范围外的值也是预期的，因为在该段中提出的这些具体的数值(这里公开的所有的数值)仅用于示例性说明的目的并且不是用于限制的目的。图2是例示关于本公开的另一个示例性方法的步骤、处理、或操作的处理流程图。 如在图2中所示，该方法包括步骤、处理、或操作200，其中，混合基质和EMI吸收薄片，并且然后在步骤、处理、或操作202中将它们挤压为板。该具体的示例包括经挤压的板。除了板或膜之外，可选的实施方式可以包括其它的经挤压的物体或物项。例如，另一个示例性的方法可以包括如下的步骤、处理、或操作，即，其中，将基质和EMI吸收材料混合在一起，并且然后将它们挤压为不是板状或膜状的三维的物品、物项或者物体。另外，一些实施方式可以包括用于制造适合用作EMI吸收体的经拉伸的物品(例如，膜、板、三维物体或物项等)的其它处理。通过示例，其它示例性的方法可以包括吹膜挤压、拉伸吹塑等。在一些实施方式中,EM I吸收体包括已经由例如板材机等拉伸的多层结构。在这些实施方式中，制造EMI吸收体的方法因此可以一般地包括例如由板材机等拉伸多层结构。继续参考图2。在步骤、处理、或操作204中将板投掷(cast)到冷却机上以使板变硬。在步骤、处理、或操作206中将板加热到拉伸温度。然后在步骤、处理、或操作208中例如在纵向方向上拉伸板。在步骤、处理、或操作210中例如可以另外地或可选地在横向方向上拉伸板。可以如上所述依次地或同时地执行沿着在X方向和Y方向上的两个轴线的双轴拉伸。在步骤、处理、或操作212中，经拉伸的板可以例如绕成卷或者缠绕在卷轴上，以便于运输或保存。对于在图2中所示的该具体的方法，基质和EMI吸收体可以包括上面列出的各种材料。在一个具体的示例性实施方式中，选择基质和EMI吸收体使得该方法产生具有薄片形硅化铁填充物的经拉伸的热塑性的板，该薄片形硅化铁填充物由于拉伸步骤、处理、或操作208和210而被大致地排列。硅化铁薄片的排列可以改善其EMI吸收效率，因此在仍然获得了充分的EMI吸收的同时允许使用更少的EMI吸收填充物材料(由此减小成本)。如上所述，图3例示了在拉伸之前在基质302中悬浮的EMI吸收薄片300，其中，薄片300 —般未排列并且随机地分散在基质302中。相比之下，图4例示了在沿着第一轴线 402拉伸之后的薄片400和基质402，其中，薄片400的一部分已经沿着轴线402大致地排列。该拉伸和薄片的排列可以帮助消除在薄片之间的间隙和/或减小在薄片之间的间隔， 以及减小得到的EMI吸收体(例如，膜、板、物品、三维物项或物体等)的全厚度或在Z方向 (垂直于图4中的页面的方向)上的厚度。这进而可以改善薄片的EMI吸收属性或效率，由此在仍然具有充分的或良好的EMI吸收属性的同时允许使用更少的EMI吸收薄片(由此减小材料成本)。仅为了示例性说明，在图3和图4中示出了各个EMI吸收薄片300、400相对于彼此的和相对于基质302、402的相对尺寸。一般地，悬浮的EMI吸收薄片可以非常小(即，非用显微镜不可见的)。一些填充物颗粒允许EMI吸收板的实施方式具有相对薄的总厚度。相似地，EMI吸收薄片或颗粒的相对形状可以是任何形状。在图3和图4中示出了 EMI吸收薄片300、400的拉长的形状，以仅用于说明目的。其它实施方式可以包括具有与图 3和图4中所例示的形状不同的形状的一种或更多种EMI吸收薄片或颗粒。例如，EMI吸收体的各种实施方式可以包括拉伸的板(沿着第一轴线和/或第二轴线拉伸的板)以及一种或更多种EMI吸收填充物或颗粒，包括小颗粒、扁球体、微球体、椭圆体、不规则扁球体、丝条、 薄片、粉末中的一种或更多种和/或这些形状中的任何形状或所有形状的组合。在该实施方式中，板还可以沿着一个或更多个轴线拉伸，其中，拉伸可以帮助消除在EMI吸收颗粒之间的间隙并且/或者减小在EMI吸收颗粒之间的间隔，并且还可以有助于减小最终得到的 EMI吸收体(例如，膜、板、物品、三维物体或物项等)的全厚度或者在z方向上的厚度。这进而可以改善EMI吸收颗粒的EMI吸收属性或效率，由此在仍然具有充分的或良好的EMI吸收属性的同时允许使用更少的EMI吸收颗粒(由此减小材料成本)。在操作中，根据这里公开的示例性实施方式的EMI吸收体(例如，膜、板、物品、三维物体或物项等)可以操作用于吸收入射在EMI吸收体上的EMI的一部分，由此减小在一定范围的操作频率(例如，大约10吉赫或更大的频率范围、大约100兆赫到大约I吉赫的频率范围、等)上的EMI的透射。EMI吸收体可以通过由损耗机制导致的功率消耗来去除来自环境的EMI的一部分。这些损耗机制包括在介电材料中的极化损耗以及在具有有限的传导率的传导材料中的传导损耗或者欧姆损耗。EMI吸收体(例如，膜、板、物品、三维物体或物项等)可以进一步包括粘合剂层。在一些实施方式中，利用压力感应粘合剂形成粘合剂层。压力感应粘合剂(PSA)可以一般地基于包括丙烯酸、硅树脂、橡胶和其组合的化合物。粘合剂层可以用来将EMI吸收体粘贴到 EMI屏蔽件的一部分，例如粘贴到单件EMI屏蔽件，粘贴到组合屏蔽件的罩、盖子、框、或者其它部分，粘贴到不连续的EMI屏蔽壁等。可以使用可选的粘贴方法，诸如机械紧固件。在一些实施方式中，EMI吸收体(例如，膜、板等)可以附接到组合EMI屏蔽件的可拆卸的罩或者盖子。EMI吸收体例如可以放置在罩或盖子的内表面上。可选地，EMI吸收体例如可以放置在罩或盖子的外表面上。EMI吸收体可以放置在罩或盖子的整个表面上或者小于整个表面地放置在表面上。例如，EMI吸收体可以放置在框或底座上，并且单独的EMI吸收体可以放置在附接到框或底座的可拆卸的盖子或罩上。EMI吸收体可以实际上应用在期望具有 EMI吸收体的任何位置。在这里公开的多个实施方式中的一个或更多个中，EMI吸收体(例如，膜、板等) 可以附接到屏蔽件，该屏蔽件包括框和可附接到框的罩。例如，罩可以包括用于将罩固定到安装在电路板上的框的棘爪。罩可以垂直地按压到框上，使得至少一个锁定 扣件(locking snap)接合并且锁定到相应的开口，由此将罩接合到框。在一些实施方式中，罩包括锁定扣件或制动装置(例如，锁、突出部、棘爪、突起件、突出件、肋、脊、坡形件、突进件、矛状件、凹陷部、半凹陷部、和其组合等)，同时框包括相应的开口(例如，凹进部、孔穴、腔、缝、槽、洞、凹陷、和其组合等)。在其它实施方式中，框包括锁定扣件或制动装置，并且罩包括相应的开口。在另外一些实施方式中，罩和框可以都包括锁定扣件或制动装置，用于接合其它部件的相应的开口。在一些实施方式中，EMI吸收体可以形成为带。所述带例如可以储备在辊子上。在一些实施方式中，可以从EMI吸收体模切诸如矩形和椭圆形这样的期望的应用形状，由此产生任何期望的二维形状的EMI吸收体。因此，可以模切EMI吸收体以产生应用形状的期望外形。在一些实施方式中，在没有任何导热填充物的情况下，EMI吸收体可以展示优于空气的导热性。但是在一些实施方式中，导热填充物也可以与EMI吸收颗粒(例如，薄片等)一起地包括在基质中。在如此的实施方式中，得到的导热EMI吸收体材料可以应用为例如在电子部件(例如“芯片”)和热沉之间的导热EMI吸收材料。可以使用大量种类的导热填充物(陶瓷材料、氮化铝、氮化硼、铁、金属氧化物及其组合物等)，包括热阻值充分地小于空气的导热填充物。通过示例的方式，EMI吸收体(例如，膜、板、颗粒、三维物体或物项等)的各种实施方式可以包括在基质中的EMI吸收颗粒(例如薄片等)和导热填充物，其中，EMI吸收体沿着至少第一轴线和/或第二轴线拉伸。
提供示例性的实施方式，从而该公开将是全面的，并且充分地向本领域技术人员表达本发明的范围。提出了大量的具体内容，诸如具体部件、装置和方法的示例，从而提供了对本公开的实施方式的全面理解。对于本领域技术人员而言，明显的是，具体内容不是必须采用的，可以以不同的形式具体体现示例性的实施方式，并且也不应该理解为限制本公开的范围。在一些示例性的实施方式中，没有详细地描述公知处理、公知装置结构和公知技术。这里使用的术语是仅用于描述具体示例性的实施方式的目的并且不是限制性的。 如在这里使用的，单数形式一 (“a”或“an”)和所述(“the”)还可以包括复数形式，除非文中明确指出不能。术语“包括”、“包含”和“具有”是包含性的并且因此确定列举的特征、整体件、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其它的特征、整体件、步骤、操作、元件、部件、和/或其组的存在或添加。这里描述的方法步骤、处理和操作不应理解为必须按照讨论或例示的特定顺序执行，除非具体地确定了执行的顺序。还应该理解的是，可以采用另外的或可选的步骤。另外，这里使用的步骤、处理或操作不应该理解成限制为仅包括单个动作的那些步骤、处理或操作。相反，这里使用的步骤、处理或操作可以指单个动作或者两个或更多个动作。虽然这里可以使用术语第一第二、第三等来描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该被这些术语所限制。这些术语可以仅用来将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分。这里使用的诸如“第一”、“第二”这样的术语以及其它数值术语不暗示顺序或次序，除非文中清楚地指明。因此， 在没有脱离示例性实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。用于具体参数(诸如温度、分子量、重量百分比等)的值的公开和范围不排除这里有用的其它值和值的范围。设想的是，用于指定参数的两个或更多个具体的示例性的值可以限定针对该参数所要求保护的数值范围的端点。例如，如果这里示例说明参数X具有值A,而且还具有值Z，则设想的是，参数X可以具有从大约A到大约Z的数值范围。相似地，设想的是，针对参数的两个或更多个数值范围(无论如此的范围是嵌套的、重叠的、或截然不同的)的公开包含了可以利用公开范围的端点所要求保护的数值范围的所有可能的组合。 例如，如果这里示例说明参数X具有在I到10、2到9、或3到8的范围中的值，则也设想的是，参数X可以具有其它数值范围，包括1到9、I到8、I到3、I到2、2到10、2到8、2到3、 3到10、和3到9。为了示例说明和描述的目的，已经提供了实施方式的前面的描述。该描述并不是详尽的或者要限制本发明。
具体实施方式
的各个元件或特征一般不限制为那一具体的实施方式，但是，当合适时，各个元件或特征是可互换的，并且可以在选择的实施方式中使用，即使没有具体地示出或描述。它们可以以很多方式变化。如此的变化不应被认为脱离本发明， 并且所有这些变 型都包括在本发明的范围中。
权利要求
1.一种制造电磁干扰(EMI)吸收体的方法，所述方法包括沿着至少第一轴线拉伸包括EMI吸收颗粒的材料，以排列至少一部分EMI吸收颗粒。
2.根据权利要求I所述的方法，所述方法进一步包括沿着第二轴线拉伸所述材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二轴线大致垂直于所述第一轴线。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，同时执行沿着所述第一轴线拉伸所述材料和沿着所述第二轴线拉伸所述材料。
5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述材料包括悬浮在基质中的EMI吸收颗粒。
6.根据权利要求5所述的方法，所述方法进一步包括在拉伸之前将所述EMI吸收颗粒悬浮在所述基质中。
7.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述材料包括板，并且其中所述拉伸包括沿着至少所述第一轴线拉伸所述板。
8.根据权利要求7所述的方法，所述方法进一步包括由悬浮在基质中的EMI吸收颗粒形成所述板。
9.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，拉伸包括所述EMI吸收颗粒的材料减小在所述EMI吸收颗粒之间的间隔，并且/或者帮助减小所述材料的全厚度，并且/或者改善包括所述EMI吸收颗粒的经拉伸的材料的EMI吸收属性。
10.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述拉伸使得所述EMI吸收颗粒的至少一部分与所述第一轴线大致平行地在长度方向上排列。
11.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述EMI吸收颗粒包括小颗粒、扁球体、微球体、椭圆体、不规则扁球体、丝条、薄片、粉末中的一种或更多种和/或这些形状中的任何形状或所有形状的组合。
12.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中 所述材料包括热塑性的板；并且/或者 所述EMI吸收颗粒包括硅化铁薄片。
13.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述材料包括充填有硅化铁薄片的热塑性基质。
14.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述EMI吸收颗粒包括羰基铁、铁硅铝磁合金、镍铁导磁合金、硅化铁和铁铬化合物中的一种或更多种。
15.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，其中，所述EMI吸收颗粒包括薄片，各个薄片的至少一部分具有 大约0. I ii m到I. 0 ii m的平均厚度；和/或 在大约10到大约140的范围内的纵横比；和/或 平均表面面积以Pm平方表示的面和以Pm表示的平均厚度，其中所述平均表面面积为所述平均厚度的大约1000到7000倍；和/或 在I. 0兆赫处大于2的相对导磁率。
16.根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法，所述方法进一步包括将包括所述EMI吸收颗粒的经拉伸的材料附到EMI屏蔽设备的一部分。
17.一种EMI吸收物品，所述EMI吸收物品由根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法制成。
18.—种EMI吸收膜，所述EMI吸收膜由根据权利要求I到6中的任何一项所述的方法制成。
19.一种电磁干扰(EMI)吸收体，所述电磁干扰吸收体包括沿着至少第一轴线拉伸并且包括EMI吸收颗粒的材料，所述EMI吸收颗粒的至少一部分与所述第一轴线大致平行地排列。
20.根据权利要求19所述的EMI吸收体，其中所述材料包括沿着所述第一轴线和第二轴线拉伸的板。
21.根据权利要求20所述的EMI吸收体，其中，所述第二轴线大致垂直于所述第一轴线。
22.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述材料包括充填有EMI吸收颗粒的基质。
23.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述基质包括热塑性基质，并且/或者，所述EMI吸收颗粒包括悬浮在所述热塑性基质中的EMI吸收薄片。
24.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述材料包括包含所述EMI吸收颗粒的板。
25.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述EMI吸收颗粒包括长度与所述第一轴线大致平行地排列的薄片。
26.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述EMI吸收颗粒包括小颗粒、扁球体、微球体、椭圆体、不规则扁球体、丝条、薄片、粉末中的一种或更多种和/或这些形状中的任何形状或所有形状的组合。
27.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述EMI吸收颗粒包括羰基铁、铁硅铝磁合金、镍铁导磁合金、硅化铁和铁铬化合物中的一种或更多种。
28.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述EMI吸收颗粒包括薄片，各个薄片的至少一部分具有 大约0. I ii m到I. 0 ii m的平均厚度；和/或 在大约10到大约140的范围内的纵横比；和/或 平均表面面积以Pm平方表示的面和以Pm表示的平均厚度，其中所述平均表面面积为所述平均厚度的大约1000到7000倍；和/或在I. 0兆赫处大于2的相对导磁率。
29.根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体，其中，所述EMI吸收体是膜。
30.一种电磁干扰(EMI)屏蔽设备，所述电磁干扰屏蔽设备具有根据权利要求19到21中的任何一项所述的EMI吸收体所附到的部分。
全文摘要
制造电磁干扰(EMI)吸收体的方法的示例性实施方式包括沿着至少第一轴线拉伸包括EMI吸收颗粒的材料，以排列至少一部分EMI吸收颗粒。
文档编号H05K9/00GK102714932SQ201080061298
公开日2012年10月3日 申请日期2010年12月1日 优先权日2009年12月2日
发明者D·S·麦克拜恩 申请人:莱尔德技术股份有限公司